JPS58122531A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS58122531A JPS58122531A JP57005692A JP569282A JPS58122531A JP S58122531 A JPS58122531 A JP S58122531A JP 57005692 A JP57005692 A JP 57005692A JP 569282 A JP569282 A JP 569282A JP S58122531 A JPS58122531 A JP S58122531A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- azide
- pattern
- substrate
- alpha
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
- G03F7/012—Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0125—Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binder or the macromolecular additives other than the macromolecular azides
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はパターンの形成方法に関し、更に詳しくはα−
メチルスナレンボリマーとアジド架橋剤とからなるレジ
ストを用いて、パターンを形成する方法に関する。
メチルスナレンボリマーとアジド架橋剤とからなるレジ
ストを用いて、パターンを形成する方法に関する。
最近の磁子工業、特に半導体の分野ではＩＯからＬＳＩ
へさらに超Ｌ８Ｉへと画像の微少化が追求されて、ミク
ロンからサブミクロンの画像形式が賛求されている。こ
のような蓋求に対し光の代りにＸ線、電子線を用いた各
樵の感電子線レジストが提案されている。かかるレジス
トの内ネガ型感電子線レジストは一般に高感度であるが
、パターン特性が悪い。一方、ポジ型レジストは一般に
感度は低ｉがＡターン特性は良い。従って、実際の半導
体装置製造工程用として検討されているのはポジ型が主
であシ、ポジ型の中でも特にアクリル樹脂が大多数であ
る。
へさらに超Ｌ８Ｉへと画像の微少化が追求されて、ミク
ロンからサブミクロンの画像形式が賛求されている。こ
のような蓋求に対し光の代りにＸ線、電子線を用いた各
樵の感電子線レジストが提案されている。かかるレジス
トの内ネガ型感電子線レジストは一般に高感度であるが
、パターン特性が悪い。一方、ポジ型レジストは一般に
感度は低ｉがＡターン特性は良い。従って、実際の半導
体装置製造工程用として検討されているのはポジ型が主
であシ、ポジ型の中でも特にアクリル樹脂が大多数であ
る。
しかるにこのような樹脂を使用した従来方法では、現像
段階で分子量の差による溶解度差を利用するため、長時
間現像を行なうと未照射部分をも溶解すること、即ち現
儂許容度が狭いこと、及び浴解度の顕著な差を生じるに
は大幅な分子量低下が必要でめシ、このため多くの照射
電荷量が必要である、即ち感度が低い等の欠点があう九
〇史に又、従来のポジ型感電子婦レジストは、ネガ型の
ものに比べて未架橋である丸め接着性および耐酸性に少
ることも欠点として挙げられる。
段階で分子量の差による溶解度差を利用するため、長時
間現像を行なうと未照射部分をも溶解すること、即ち現
儂許容度が狭いこと、及び浴解度の顕著な差を生じるに
は大幅な分子量低下が必要でめシ、このため多くの照射
電荷量が必要である、即ち感度が低い等の欠点があう九
〇史に又、従来のポジ型感電子婦レジストは、ネガ型の
ものに比べて未架橋である丸め接着性および耐酸性に少
ることも欠点として挙げられる。
□本発明は、このような従来の欠点を解消する丸めにな
されたアジド架橋型ポジレジストに関するもので、特に
今回はポジ感度を持つポリマーとして、特に耐ドライエ
ツチ性を持つａ−メチルスチレンを遺んにものでめる。
されたアジド架橋型ポジレジストに関するもので、特に
今回はポジ感度を持つポリマーとして、特に耐ドライエ
ツチ性を持つａ−メチルスチレンを遺んにものでめる。
すなわちａ−メチルスチレン皇合体および分子内にアジ
ド基を２個以上有する化合物よりなる組成物を基板上に
塗布してレジスト層を形成し、このレジスト層中の重合
体を架橋させ、さらに電子線等を用いて露光し１次いで
現像することを特徴とする。
ド基を２個以上有する化合物よりなる組成物を基板上に
塗布してレジスト層を形成し、このレジスト層中の重合
体を架橋させ、さらに電子線等を用いて露光し１次いで
現像することを特徴とする。
本発明で用いる組成物におけるアジド架橋剤としては、
レリえは以下の化合物、４．４’−ジアジドベンゾフェ
ノン、２，６−ジー（４′−ジアジドベンザル）−シク
ロフェノン、２，６−ジー（４′−ジアジドベンザル）
−４−メチルシクロヘキサノンおよび４，４′−ジアジ
ドスチルベン等が挙げられる。この架橋剤の使用量は該
重合体に対して通常１〜５０ｉ１量チ、好ましくは５〜
２０重量％であるＯ α−メナルステレン重合体及び該架橋剤よりなる組成物
は、適当な溶剤に溶解され感電子線液として基板上に塗
布される◇ 適当な溶剤としては、例えば酢酸メチルセロソルブ、メ
チルエチルケトン、メチルイノブチルケトン、アセトン
、チトラセドロフラン、シトチルホルムアミド等が用い
られる。
レリえは以下の化合物、４．４’−ジアジドベンゾフェ
ノン、２，６−ジー（４′−ジアジドベンザル）−シク
ロフェノン、２，６−ジー（４′−ジアジドベンザル）
−４−メチルシクロヘキサノンおよび４，４′−ジアジ
ドスチルベン等が挙げられる。この架橋剤の使用量は該
重合体に対して通常１〜５０ｉ１量チ、好ましくは５〜
２０重量％であるＯ α−メナルステレン重合体及び該架橋剤よりなる組成物
は、適当な溶剤に溶解され感電子線液として基板上に塗
布される◇ 適当な溶剤としては、例えば酢酸メチルセロソルブ、メ
チルエチルケトン、メチルイノブチルケトン、アセトン
、チトラセドロフラン、シトチルホルムアミド等が用い
られる。
このような感電子線液を塗布した基板を１００〜２００
℃の温度で予め加熱を行なうことによに該ポリマーを架
橋せしめてから、又は紫外線により架橋させ九後予め加
熱してから電子線等の照射による露光を行う。この露光
は電子線の他放射纏又はｒ＠も用いることができる。こ
のように予め架橋させ九塗布膜に対して電子線を照射す
ると照射部分は主鎖の切断及び架橋結合の切断がおこり
浴剤に対して静解性となるが未照射部分は溶剤に不容で
架橋構造を保ったｔまで残る。
℃の温度で予め加熱を行なうことによに該ポリマーを架
橋せしめてから、又は紫外線により架橋させ九後予め加
熱してから電子線等の照射による露光を行う。この露光
は電子線の他放射纏又はｒ＠も用いることができる。こ
のように予め架橋させ九塗布膜に対して電子線を照射す
ると照射部分は主鎖の切断及び架橋結合の切断がおこり
浴剤に対して静解性となるが未照射部分は溶剤に不容で
架橋構造を保ったｔまで残る。
電子線照射部分を溶解する溶剤、即ち現像液としては未
架橋の該ポリマーを溶解するものならその種類は問われ
ない。例えば、上記の感電子線液に用いる溶媒、又はそ
れ等の２種類以上の混合物が用いられる。
架橋の該ポリマーを溶解するものならその種類は問われ
ない。例えば、上記の感電子線液に用いる溶媒、又はそ
れ等の２種類以上の混合物が用いられる。
このようなポジ減感電子−組成物を用い九バター／の形
成方法においては未露光部分は架橋構造をイし、一方露
光部分は架橋結合の切断等がおこっているため現像許容
度が広く増感現像が可能となる。従って得られるパター
ンの感度が上昇し解像性も上昇する。（特に本発明に用
いｈ＞ａ−メチルスチレンは耐ドライエツチ性に優れて
いるので、本発明のレジストは耐ドライエツチ性に優れ
、感度が向上し、解像性の良好なパターン形成材でおる
。
成方法においては未露光部分は架橋構造をイし、一方露
光部分は架橋結合の切断等がおこっているため現像許容
度が広く増感現像が可能となる。従って得られるパター
ンの感度が上昇し解像性も上昇する。（特に本発明に用
いｈ＞ａ−メチルスチレンは耐ドライエツチ性に優れて
いるので、本発明のレジストは耐ドライエツチ性に優れ
、感度が向上し、解像性の良好なパターン形成材でおる
。
以下、更に本発明を実施例により説明する。
実施例−１
ポリミーメチルスチレン（分子１ｔ５！ｘｌＯ’）にジ
アジドカルコン（４、４’−ジアジドカルコン）１０重
ｔ’Ｊｔメチルセロソルブアセテートに溶解し、ポジ型
感電子線組成物をｖ１４整した０この組成物をシリコン
ウェノ・−上にスピンコード法によシ塗布し厚さ５ｏｏ
ｏＫの薄膜を得た。これｔ１１０℃で１時間焼成した後
、試料電流１ｘｌｏ−’Ａ、加速電圧２０ Ｋｖの電子
−を所定パターンに照射した。次いで、シクロヘキサン
で現像した〇現像後得られたパターンについて感度を測
定し、４×１０ ’ Ｏ１０１を得た。続いて対向電極
型プラズマエツチング装置によシエッチングを行う九。
アジドカルコン（４、４’−ジアジドカルコン）１０重
ｔ’Ｊｔメチルセロソルブアセテートに溶解し、ポジ型
感電子線組成物をｖ１４整した０この組成物をシリコン
ウェノ・−上にスピンコード法によシ塗布し厚さ５ｏｏ
ｏＫの薄膜を得た。これｔ１１０℃で１時間焼成した後
、試料電流１ｘｌｏ−’Ａ、加速電圧２０ Ｋｖの電子
−を所定パターンに照射した。次いで、シクロヘキサン
で現像した〇現像後得られたパターンについて感度を測
定し、４×１０ ’ Ｏ１０１を得た。続いて対向電極
型プラズマエツチング装置によシエッチングを行う九。
ＯＨν１ガスを用ｉ、α０５ ｔｏｒｒ ｌ Ｋｗで
エツチングを行ったとζろ、１０分間の反応で１５００
Ｘ膜ベクが生じ丸。このとき同様の条件で行っ九Ｐ／
ｊＭムはｌ１００ＯＸ もの膜ベシを生じて９九。
エツチングを行ったとζろ、１０分間の反応で１５００
Ｘ膜ベクが生じ丸。このとき同様の条件で行っ九Ｐ／
ｊＭムはｌ１００ＯＸ もの膜ベシを生じて９九。
例２ （比較例）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 α−メチルスチレンと分子内にアジド基を２個以上有す
るアジド化合物より成るポジレジストを基板上に途布す
る工程、 該基板を熱処理してレジス）Ｉ−中の重合体を架橋する
工程。 該基板に電子線又はＸ線を照射し露光し九後現葎する工
程を有することを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57005692A JPS58122531A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57005692A JPS58122531A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58122531A true JPS58122531A (ja) | 1983-07-21 |
Family
ID=11618148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57005692A Pending JPS58122531A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58122531A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6081158A (ja) * | 1983-10-11 | 1985-05-09 | Hitachi Ltd | 放射線感応物質 |
| JPH1130863A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-02-02 | Nec Corp | レジスト材料およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
| JP2019139052A (ja) * | 2018-02-09 | 2019-08-22 | 住友化学株式会社 | 感光性組成物及び有機薄膜トランジスタ |
-
1982
- 1982-01-18 JP JP57005692A patent/JPS58122531A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6081158A (ja) * | 1983-10-11 | 1985-05-09 | Hitachi Ltd | 放射線感応物質 |
| JPH0446267B2 (ja) * | 1983-10-11 | 1992-07-29 | Hitachi Seisakusho Kk | |
| JPH1130863A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-02-02 | Nec Corp | レジスト材料およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
| JP2019139052A (ja) * | 2018-02-09 | 2019-08-22 | 住友化学株式会社 | 感光性組成物及び有機薄膜トランジスタ |
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