JP2019139052A - 感光性組成物及び有機薄膜トランジスタ - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 162
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 90
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 141
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 96
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 170
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 57
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 55
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 39
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 39
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 31
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 21
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 18
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 16
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- IVRMZWNICZWHMI-UHFFFAOYSA-N azide group Chemical group [N-]=[N+]=[N-] IVRMZWNICZWHMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 10
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 9
- 125000000852 azido group Chemical group *N=[N+]=[N-] 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 219
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 149
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 135
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 126
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 89
- 238000000034 method Methods 0.000 description 78
- 238000011161 development Methods 0.000 description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 59
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 description 33
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- -1 dimethylphenylene group Chemical group 0.000 description 29
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 25
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 25
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 23
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 23
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 22
- MLIWQXBKMZNZNF-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis[(4-azidophenyl)methylidene]-4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound O=C1C(=CC=2C=CC(=CC=2)N=[N+]=[N-])CC(C)CC1=CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 MLIWQXBKMZNZNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 20
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 20
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 18
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 18
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 16
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 13
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 4-Methylstyrene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1 JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 10
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 10
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 8
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 8
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 7
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N protoneodioscin Natural products O(C[C@@H](CC[C@]1(O)[C@H](C)[C@@H]2[C@]3(C)[C@H]([C@H]4[C@@H]([C@]5(C)C(=CC4)C[C@@H](O[C@@H]4[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@@H](O)[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@H](CO)O4)CC5)CC3)C[C@@H]2O1)C)[C@H]1[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 6
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 6
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 6
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 125000005397 methacrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 4
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 4
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DSESELHEBRQXBA-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)methyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F DSESELHEBRQXBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FHKPLLOSJHHKNU-INIZCTEOSA-N [(3S)-3-[8-(1-ethyl-5-methylpyrazol-4-yl)-9-methylpurin-6-yl]oxypyrrolidin-1-yl]-(oxan-4-yl)methanone Chemical compound C(C)N1N=CC(=C1C)C=1N(C2=NC=NC(=C2N=1)O[C@@H]1CN(CC1)C(=O)C1CCOCC1)C FHKPLLOSJHHKNU-INIZCTEOSA-N 0.000 description 3
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 3
- 150000007523 nucleic acids Chemical class 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 3
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- NIJWSVFNELSKMF-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5,6-pentafluorophenyl) 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F NIJWSVFNELSKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006002 1,1-difluoroethyl group Chemical group 0.000 description 2
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LVJZCPNIJXVIAT-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2,3,4,5,6-pentafluorobenzene Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(C=C)C(F)=C1F LVJZCPNIJXVIAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UAJRSHJHFRVGMG-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC=C(C=C)C=C1 UAJRSHJHFRVGMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGMSGZZPTQNTIK-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-2-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1C OGMSGZZPTQNTIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XXTQHVKTTBLFRI-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-3-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC(C)=C1 XXTQHVKTTBLFRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RBGUKBSLNOTVCD-UHFFFAOYSA-N 1-methylanthracene-9,10-dione Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2C RBGUKBSLNOTVCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical compound CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QEDJMOONZLUIMC-UHFFFAOYSA-N 1-tert-butyl-4-ethenylbenzene Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(C=C)C=C1 QEDJMOONZLUIMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIDIFDCCFHVZOR-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethyl-1-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC=C(C)C=C1C QIDIFDCCFHVZOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound C1CN(CC2=NNN=C21)CC(=O)N3CCN(CC3)C4=CN=C(N=C4)NCC5=CC(=CC=C5)OC(F)(F)F LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 6-[3-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-3-oxopropyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)C(CCC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)=O DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 2
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GUUVPOWQJOLRAS-UHFFFAOYSA-N Diphenyl disulfide Chemical compound C=1C=CC=CC=1SSC1=CC=CC=C1 GUUVPOWQJOLRAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 2
- LQCHXCGJCDSWGV-UHFFFAOYSA-N butyl acetate;1-methoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O.COCC(C)OC(C)=O LQCHXCGJCDSWGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000000 cycloalkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004979 cyclopentylene group Chemical group 0.000 description 2
- LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl peroxide Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical class CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N isobutane Chemical compound CC(C)C NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 102000039446 nucleic acids Human genes 0.000 description 2
- 108020004707 nucleic acids Proteins 0.000 description 2
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 2
- MMSLOZQEMPDGPI-UHFFFAOYSA-N p-Mentha-1,3,5,8-tetraene Chemical compound CC(=C)C1=CC=C(C)C=C1 MMSLOZQEMPDGPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 2
- JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N pentan-2-ol Chemical compound CCCC(C)O JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AQIXEPGDORPWBJ-UHFFFAOYSA-N pentan-3-ol Chemical compound CCC(O)CC AQIXEPGDORPWBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005003 perfluorobutyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 2
- 125000005005 perfluorohexyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 2
- 125000005007 perfluorooctyl group Chemical group FC(C(C(C(C(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)* 0.000 description 2
- 125000005009 perfluoropropyl group Chemical group FC(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)* 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920000314 poly p-methyl styrene Polymers 0.000 description 2
- 239000002685 polymerization catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical class S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001567 vinyl ester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- YQPDFPOALLAYGO-YDWXAUTNSA-N (1e,4e)-1,5-bis(4-azidophenyl)penta-1,4-dien-3-one Chemical compound C1=CC(N=[N+]=[N-])=CC=C1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 YQPDFPOALLAYGO-YDWXAUTNSA-N 0.000 description 1
- LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5,6-pentafluorophenoxy)boronic acid Chemical compound OB(O)OC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFOWDPMCXHVGET-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5,6-pentafluorophenyl) prop-2-enoate Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(OC(=O)C=C)C(F)=C1F RFOWDPMCXHVGET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSMJGUSJTKJBAD-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)methyl prop-2-enoate Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(COC(=O)C=C)C(F)=C1F FSMJGUSJTKJBAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZSCNSNPZDBGCD-UHFFFAOYSA-N (2,4,6-trimethylphenyl)methyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1=C(C)C=C(C)C=C1C QZSCNSNPZDBGCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJMHDQNKCUKAIY-UHFFFAOYSA-N (2-fluorophenyl)methyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1=CC=CC=C1F FJMHDQNKCUKAIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOAYPFGHQKUCNI-UHFFFAOYSA-N (2-fluorophenyl)methyl prop-2-enoate Chemical compound FC1=CC=CC=C1COC(=O)C=C VOAYPFGHQKUCNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZICNIEOYWVIEQJ-UHFFFAOYSA-N (2-methylbenzoyl) 2-methylbenzenecarboperoxoate Chemical compound CC1=CC=CC=C1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1C ZICNIEOYWVIEQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYNKDLMBQIFFQS-UHFFFAOYSA-N (2-methylphenyl)methyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1=CC=CC=C1C ZYNKDLMBQIFFQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQGNVGAVZKVCBE-UHFFFAOYSA-N (2-methylphenyl)methyl prop-2-enoate Chemical compound CC1=CC=CC=C1COC(=O)C=C XQGNVGAVZKVCBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGXJDMCMYLEZMJ-UHFFFAOYSA-N (2-methylpropan-2-yl)oxy 2,2-dimethylpropaneperoxoate Chemical compound CC(C)(C)OOOC(=O)C(C)(C)C HGXJDMCMYLEZMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXQIHRRLCRHQQI-UHFFFAOYSA-N (3,5-dimethylphenyl)methyl prop-2-enoate Chemical compound C(C=C)(=O)OCC1=CC(=CC(=C1)C)C NXQIHRRLCRHQQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIKHMTLXZMRXLP-UHFFFAOYSA-N (3-ethylphenyl)methyl prop-2-enoate Chemical compound C(C=C)(=O)OCC1=CC(=CC=C1)CC YIKHMTLXZMRXLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPNONXVSVQPKMD-UHFFFAOYSA-N (3-fluoro-2-methylphenyl)methyl prop-2-enoate Chemical compound C(C=C)(=O)OCC1=C(C(=CC=C1)F)C KPNONXVSVQPKMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QELMZNHQEDUWDE-UHFFFAOYSA-N (3-fluorophenyl)methyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C(C(=C)C)(=O)OCC1=CC(=CC=C1)F QELMZNHQEDUWDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFWOWJSMEKPJKD-UHFFFAOYSA-N (3-fluorophenyl)methyl prop-2-enoate Chemical compound FC1=CC=CC(COC(=O)C=C)=C1 RFWOWJSMEKPJKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URIOHGXETKQAEG-UHFFFAOYSA-N (3-methylphenyl)methyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1=CC=CC(C)=C1 URIOHGXETKQAEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZAYKVMWPSJOJW-UHFFFAOYSA-N (3-methylphenyl)methyl prop-2-enoate Chemical compound CC1=CC=CC(COC(=O)C=C)=C1 BZAYKVMWPSJOJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXYKVVLTXXXVRT-UHFFFAOYSA-N (4-chlorobenzoyl) 4-chlorobenzenecarboperoxoate Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C(=O)OOC(=O)C1=CC=C(Cl)C=C1 OXYKVVLTXXXVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZMFFEIIVQSSBF-UHFFFAOYSA-N (4-fluoro-2-methylphenyl)methyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C(C(=C)C)(=O)OCC1=C(C=C(C=C1)F)C CZMFFEIIVQSSBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MJJJBYGWDXJRPP-UHFFFAOYSA-N (4-fluorophenyl) 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC1=CC=C(F)C=C1 MJJJBYGWDXJRPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVQUMFLLXDVPJN-UHFFFAOYSA-N (4-fluorophenyl) prop-2-enoate Chemical compound FC1=CC=C(OC(=O)C=C)C=C1 QVQUMFLLXDVPJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMXUUGYBRMNVLP-UHFFFAOYSA-N (4-fluorophenyl)methyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1=CC=C(F)C=C1 WMXUUGYBRMNVLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZONXXPOORVBUFQ-UHFFFAOYSA-N (4-fluorophenyl)methyl prop-2-enoate Chemical compound FC1=CC=C(COC(=O)C=C)C=C1 ZONXXPOORVBUFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOUAMFARIYTDLK-UHFFFAOYSA-N (4-methylphenyl) 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC1=CC=C(C)C=C1 AOUAMFARIYTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZALFZMYXGFDRIW-UHFFFAOYSA-N (4-methylphenyl)methyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1=CC=C(C)C=C1 ZALFZMYXGFDRIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBFUNHXMCQZUNN-UHFFFAOYSA-N (4-octylphenyl)methyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCC1=CC=C(COC(=O)C=C)C=C1 QBFUNHXMCQZUNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMQPBWHSNCRVQJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC(C(F)(F)F)C(F)(F)F FMQPBWHSNCRVQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNSWITGNWZSAMC-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(C(F)(F)F)OC(=O)C=C MNSWITGNWZSAMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QERNPKXJOBLNFM-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4-octafluoropentane Chemical compound CC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)F QERNPKXJOBLNFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKIRBHVFJGXOIS-UHFFFAOYSA-N 1,2-di(propan-2-yl)benzene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1C(C)C OKIRBHVFJGXOIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEJUFSSWIQWAOC-UHFFFAOYSA-N 1,2-diazidoethane Chemical compound [N-]=[N+]=NCCN=[N+]=[N-] FEJUFSSWIQWAOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CORMBJOFDGICKF-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trimethoxy 2-vinyl benzene Natural products COC1=CC(OC)=C(C=C)C(OC)=C1 CORMBJOFDGICKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSAONUPVUVBQHL-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(4-azidophenyl)prop-2-en-1-one Chemical compound C1=CC(N=[N+]=[N-])=CC=C1C=CC(=O)C1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 FSAONUPVUVBQHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXZXTRCKSOLGKX-UHFFFAOYSA-N 1,3-diazidopropane Chemical compound [N-]=[N+]=NCCCN=[N+]=[N-] WXZXTRCKSOLGKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IURLOHPODYBNSY-UHFFFAOYSA-N 1,3-dimethyl-5-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC(C)=CC(C)=C1 IURLOHPODYBNSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZWIJYAGFOFYIL-UHFFFAOYSA-N 1,4-diazidobutane Chemical compound [N-]=[N+]=NCCCCN=[N+]=[N-] AZWIJYAGFOFYIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPNNZOJHQVDYPG-UHFFFAOYSA-N 1,5-diazidopentane Chemical compound [N-]=[N+]=NCCCCCN=[N+]=[N-] ZPNNZOJHQVDYPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 1,8-dibromooctane Chemical compound BrCCCCCCCCBr DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMCNZCCURGYSDQ-UHFFFAOYSA-N 1-(1-Methylethenyl)-4-(1-methylethyl)benzene Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C(C)=C)C=C1 XMCNZCCURGYSDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UICXTANXZJJIBC-UHFFFAOYSA-N 1-(1-hydroperoxycyclohexyl)peroxycyclohexan-1-ol Chemical compound C1CCCCC1(O)OOC1(OO)CCCCC1 UICXTANXZJJIBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical group CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOCJQSFSGAZAPQ-UHFFFAOYSA-N 1-chloroanthracene-9,10-dione Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2Cl BOCJQSFSGAZAPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNSNJGRCQCDRDM-UHFFFAOYSA-N 1-chlorothioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2Cl YNSNJGRCQCDRDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQTPKSBXMONSJI-UHFFFAOYSA-N 1-cyclohexylpyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C1CCCCC1 BQTPKSBXMONSJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXHRYLHTQVXZIK-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxy-4-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(OC=C)C=C1 YXHRYLHTQVXZIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFMLLTODLZCTMW-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2,3,4,5,6-pentamethylbenzene Chemical compound CC1=C(C)C(C)=C(C=C)C(C)=C1C UFMLLTODLZCTMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXFPNRMSEVHDGA-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2,3,5,6-tetramethyl-4-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound FC(C1=C(C(=C(C=C)C(=C1C)C)C)C)(F)F RXFPNRMSEVHDGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLOUDBQOEJSUPI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2,3-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C=C)=C1C HLOUDBQOEJSUPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVGCCRAIYFQZQM-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2,4,5-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C=C)C=C1C SVGCCRAIYFQZQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEVVKKAVYQFQNV-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2,4-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C(C)=C1 OEVVKKAVYQFQNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGWWQZSCLBZOGK-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC=C1C=C VGWWQZSCLBZOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTPNYMSKBPZSTF-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C=C VTPNYMSKBPZSTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNQXOOPPJWSXMW-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-fluorobenzene Chemical compound FC1=CC=CC=C1C=C YNQXOOPPJWSXMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVZWEEGUWXZOKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C=C NVZWEEGUWXZOKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXXWVOBCMQZDJI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-methylnaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=C(C=C)C(C)=CC=C21 WXXWVOBCMQZDJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDHHXIJQVOWNDS-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-octylbenzene Chemical compound CCCCCCCCC1=CC=CC=C1C=C FDHHXIJQVOWNDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XIRPMPKSZHNMST-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-phenylbenzene Chemical group C=CC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 XIRPMPKSZHNMST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKMDZVINHIFHLY-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3,5-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=C)=C1 XKMDZVINHIFHLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARHOUOIHKWELMD-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C=C)=C1 ARHOUOIHKWELMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHUZSRRCICJJCN-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC(C=C)=C1 XHUZSRRCICJJCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBWXUTWGHYOCQI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-fluoro-5-methylnaphthalene Chemical compound C(=C)C1=CC(=CC2=C(C=CC=C12)C)F GBWXUTWGHYOCQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJSKEGAHBAHFON-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-fluorobenzene Chemical compound FC1=CC=CC(C=C)=C1 ZJSKEGAHBAHFON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZHGRUMIRATHIU-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C=C)=C1 JZHGRUMIRATHIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRWCHUMXTDELEQ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-methylnaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C)=CC(C=C)=C21 CRWCHUMXTDELEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKHPZPZWJZQGQS-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-octylbenzene Chemical compound CCCCCCCCC1=CC=CC(C=C)=C1 VKHPZPZWJZQGQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMXAHWXPRKVGCM-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-phenylbenzene Chemical group C=CC1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 ZMXAHWXPRKVGCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CEWDRCQPGANDRS-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=C(C=C)C=C1 CEWDRCQPGANDRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHFHDVDXYKOSKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=C(C=C)C=C1 WHFHDVDXYKOSKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWVTWJNGILGLAT-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-fluorobenzene Chemical compound FC1=CC=C(C=C)C=C1 JWVTWJNGILGLAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMVKUYRSSLDCER-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-methylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C)=CC=C(C=C)C2=C1 HMVKUYRSSLDCER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLRQDIVVLOCZPH-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-octylbenzene Chemical compound CCCCCCCCC1=CC=C(C=C)C=C1 HLRQDIVVLOCZPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVUAGQDYQWUQTN-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-5-methylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C)=CC=CC2=C1C=C MVUAGQDYQWUQTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBQNMKZNLUNIV-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-6-methylnaphthalene Chemical compound C=CC1=CC=CC2=CC(C)=CC=C21 CDBQNMKZNLUNIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMZYDSJMVCWBND-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-7-methylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C(C=C)C2=CC(C)=CC=C21 JMZYDSJMVCWBND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVDMKKRKUZQTNZ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-8-methylnaphthalene Chemical compound C1=CC(C=C)=C2C(C)=CC=CC2=C1 BVDMKKRKUZQTNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMAUULKNZLEMGN-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-3,5-dimethylbenzene Chemical compound CCC1=CC(C)=CC(C)=C1 LMAUULKNZLEMGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFJHNYUPPXZFCI-UHFFFAOYSA-N 1-fluoro-2-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1F WFJHNYUPPXZFCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSKZYVKOUASPDU-UHFFFAOYSA-N 1-fluoro-3-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC(F)=C1 RSKZYVKOUASPDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIXHMBLBLJSGIB-UHFFFAOYSA-N 1-fluoro-4-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC=C(F)C=C1 VIXHMBLBLJSGIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYFIDHXRJSCAOZ-UHFFFAOYSA-N 1-fluoro-4-prop-2-enylbenzene Chemical compound FC1=CC=C(CC=C)C=C1 NYFIDHXRJSCAOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIDBROSJWZYGSZ-UHFFFAOYSA-N 1-phenylpyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C1=CC=CC=C1 HIDBROSJWZYGSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQIVSZSXUMTYJJ-UHFFFAOYSA-N 1-prop-1-en-2-yl-4-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound CC(=C)C1=CC=C(C(F)(F)F)C=C1 JQIVSZSXUMTYJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEVBWCOLYXWNMX-UHFFFAOYSA-N 1-prop-2-enyl-4-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=C(CC=C)C=C1 AEVBWCOLYXWNMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTKPMCIBUROOGY-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trifluoroethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(F)(F)F QTKPMCIBUROOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBHXIMACZBQHPX-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trifluoroethyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)COC(=O)C=C VBHXIMACZBQHPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLISWDZSTWQFNX-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(F)(F)C(F)(F)F CLISWDZSTWQFNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDVGNKIUXZQTFD-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)COC(=O)C=C JDVGNKIUXZQTFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAENZTGUQXVFPQ-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9-hexadecafluorononyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)F XAENZTGUQXVFPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXDKTLFTMZTCKT-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9-hexadecafluorononyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)COC(=O)C=C QXDKTLFTMZTCKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJKHMSPWWGBKTN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7-dodecafluoroheptyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)F YJKHMSPWWGBKTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJEJDNMGOWJONG-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7-dodecafluoroheptyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)COC(=O)C=C QJEJDNMGOWJONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNJXRXXJPIFFAO-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,5,5-octafluoropentyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)F ZNJXRXXJPIFFAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSVZYSKAPMBSMY-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3-tetrafluoropropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(F)(F)C(F)F RSVZYSKAPMBSMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHJHZYSXJKREEE-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3-tetrafluoropropyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)C(F)(F)COC(=O)C=C VHJHZYSXJKREEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMVLEDTVXAGBJV-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,4,4,4-hexafluorobutyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)C(F)(F)COC(=O)C=C LMVLEDTVXAGBJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQOVXPHOJANJBR-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(tert-butylperoxy)butane Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(CC)OOC(C)(C)C HQOVXPHOJANJBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethoxy-1-phenylethanone Chemical compound CCOC(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXMOMKVOHOSVJH-UHFFFAOYSA-N 2,3,5,6-tetrafluoro-4-(trifluoromethyl)benzenethiol Chemical compound FC1=C(F)C(C(F)(F)F)=C(F)C(F)=C1S BXMOMKVOHOSVJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGTHNRJXIKCBGC-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis[(4-azidophenyl)methylidene]-4-ethylcyclohexan-1-one Chemical compound O=C1C(=CC=2C=CC(=CC=2)N=[N+]=[N-])CC(CC)CC1=CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 FGTHNRJXIKCBGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZNOMHUYXSAUPB-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis[(4-azidophenyl)methylidene]cyclohexan-1-one Chemical compound C1=CC(N=[N+]=[N-])=CC=C1C=C(CCC1)C(=O)C1=CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 UZNOMHUYXSAUPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWIGIVGUASXDPK-UHFFFAOYSA-N 2,7-dioctyl-[1]benzothiolo[3,2-b][1]benzothiole Chemical compound C12=CC=C(CCCCCCCC)C=C2SC2=C1SC1=CC(CCCCCCCC)=CC=C21 YWIGIVGUASXDPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEOCOSISEQLPHY-UHFFFAOYSA-N 2,8-difluoro-5,11-bis(triethylsilylethynyl)anthradithiophene Chemical compound C1=C2C(C#C[Si](CC)(CC)CC)=C(C=C3C(SC(F)=C3)=C3)C3=C(C#C[Si](CC)(CC)CC)C2=CC2=C1SC(F)=C2 AEOCOSISEQLPHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTLWTRLYHAQCAM-UHFFFAOYSA-N 2-[(1-cyano-2-methylpropyl)diazenyl]-3-methylbutanenitrile Chemical compound CC(C)C(C#N)N=NC(C#N)C(C)C MTLWTRLYHAQCAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-cyano-4-methylpentan-2-yl)diazenyl]-2,4-dimethylpentanenitrile Chemical compound CC(C)CC(C)(C#N)N=NC(C)(C#N)CC(C)C WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKNASXZDGZNEDA-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC#N VKNASXZDGZNEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRDXTHSSNCTAGY-UHFFFAOYSA-N 2-cyclohexylpyrrolidine Chemical compound C1CCNC1C1CCCCC1 KRDXTHSSNCTAGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDELBHCVXBSVPJ-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-1,3,5-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C=C)C(C)=C1 PDELBHCVXBSVPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTZJWAOTOWQPCI-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-1,3-difluoro-5-methylbenzene Chemical compound CC1=CC(F)=C(C=C)C(F)=C1 MTZJWAOTOWQPCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWRKXOZFTROHSH-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-1,3-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C=C OWRKXOZFTROHSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBWWINQJTZYDFK-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-1,4-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C=C)=C1 DBWWINQJTZYDFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQEBIIQRJHCZNH-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-1-methylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C)=C(C=C)C=CC2=C1 HQEBIIQRJHCZNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMXSWRSSTPMRKT-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-3-methylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C=C(C=C)C(C)=CC2=C1 CMXSWRSSTPMRKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQQWHZZLKNPVAA-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-5-fluoro-1,3-dimethylbenzene Chemical compound Cc1cc(F)cc(C)c1C=C KQQWHZZLKNPVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKCAVNLILLVRRN-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-6-methylnaphthalene Chemical compound C1=C(C=C)C=CC2=CC(C)=CC=C21 MKCAVNLILLVRRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UECDFVOIPCCDKD-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-7-methylnaphthalene Chemical compound C1=CC(C=C)=CC2=CC(C)=CC=C21 UECDFVOIPCCDKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C(C)=C WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFUGQJXVXHBTEM-UHFFFAOYSA-N 2-hydroperoxy-2-(2-hydroperoxybutan-2-ylperoxy)butane Chemical compound CCC(C)(OO)OOC(C)(CC)OO WFUGQJXVXHBTEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940044192 2-hydroxyethyl methacrylate Drugs 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVWBTVJBDFTVOW-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(2-methylpropylperoxy)propane Chemical compound CC(C)COOCC(C)C TVWBTVJBDFTVOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQZWEFBJYQSQEH-UHFFFAOYSA-N 2-methyloxaluminane Chemical compound C[Al]1CCCCO1 AQZWEFBJYQSQEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFVWNXQPGQOHRJ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)COC(=O)C=C CFVWNXQPGQOHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 2-methylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC=C3SC2=C1 MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTALPKYXQZGAEG-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-ylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)C)=CC=C3SC2=C1 KTALPKYXQZGAEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYUPEJSTJSFVRR-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,6-nonafluorohexyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCOC(=O)C=C GYUPEJSTJSFVRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDXFIRXEAJABAZ-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F CDXFIRXEAJABAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPKQPPJQTZJZDB-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-tridecafluorooctyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCOC(=O)C=C VPKQPPJQTZJZDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBZFBSFGXQBQTB-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F HBZFBSFGXQBQTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUKRIOLKOHUUBM-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCOC(=O)C=C QUKRIOLKOHUUBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQHLOOOXLDQLPF-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-henicosafluorododecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F FQHLOOOXLDQLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIAHOPQKBBASOY-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-henicosafluorododecyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCOC(=O)C=C FIAHOPQKBBASOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRIBMENBGGCKPD-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dimethoxyphenyl)prop-2-enal Chemical compound COC1=CC=CC(C=CC=O)=C1OC FRIBMENBGGCKPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFRHHAYSXIKGH-UHFFFAOYSA-N 3-(5-methoxy-2-methoxycarbonyl-1h-indol-3-yl)prop-2-enoic acid Chemical compound C1=C(OC)C=C2C(C=CC(O)=O)=C(C(=O)OC)NC2=C1 XYFRHHAYSXIKGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTIZPLOORVEACN-UHFFFAOYSA-N 3-ethenyl-1-methylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C)=CC(C=C)=CC2=C1 BTIZPLOORVEACN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFXXTYGQYWRHJP-UHFFFAOYSA-N 4,4'-azobis(4-cyanopentanoic acid) Chemical compound OC(=O)CCC(C)(C#N)N=NC(C)(CCC(O)=O)C#N VFXXTYGQYWRHJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVIDTCAFIMQJAZ-UHFFFAOYSA-N 4,5,6-tris(tert-butylperoxy)triazine Chemical compound CC(C)(C)OOC1=NN=NC(OOC(C)(C)C)=C1OOC(C)(C)C CVIDTCAFIMQJAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZXJPLGCUVUDN-UHFFFAOYSA-N 4-ethenyl-1,2-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1C PMZXJPLGCUVUDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKXAYLPDMSGWEV-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybutyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCCO YKXAYLPDMSGWEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDWUBGAGUCISDV-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybutyl prop-2-enoate Chemical compound OCCCCOC(=O)C=C NDWUBGAGUCISDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006181 4-methyl benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- YSWATWCBYRBYBO-UHFFFAOYSA-N 5-butylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1C2C(CCCC)CC1C=C2 YSWATWCBYRBYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBUKNUUCEXNJQC-UHFFFAOYSA-N 5-ethyl-1,3-bis(fluoromethyl)-2-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound FCC1=C(C(=C)C)C(=CC(=C1)CC)CF RBUKNUUCEXNJQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLQZWYZZWIBCA-UHFFFAOYSA-N 5-octylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1C2C(CCCCCCCC)CC1C=C2 GOLQZWYZZWIBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRYNAHDYCWUNMT-UHFFFAOYSA-N 6-ethenyl-1-methylnaphthalene Chemical compound CC1=CC=CC2=CC(C=C)=CC=C12 LRYNAHDYCWUNMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLJGZNNXIGNPLL-UHFFFAOYSA-N 7-ethenyl-1-methylnaphthalene Chemical compound C1=C(C=C)C=C2C(C)=CC=CC2=C1 CLJGZNNXIGNPLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUBISPJHNAJTAT-UHFFFAOYSA-N 7-ethenyl-6-methyl-1,2-bis(trifluoromethyl)naphthalene Chemical compound C(=C)C1=CC2=C(C(=CC=C2C=C1C)C(F)(F)F)C(F)(F)F AUBISPJHNAJTAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N AIBN Substances N#CC(C)(C)\N=N\C(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLHXMERGDKDUFG-UHFFFAOYSA-N C(C=C)(=O)OCCO.C(C=C)(=O)OCCC#N Chemical compound C(C=C)(=O)OCCO.C(C=C)(=O)OCCC#N LLHXMERGDKDUFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N Diacetyl Chemical group CC(=O)C(C)=O QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZRGKCOWNLSUDK-UHFFFAOYSA-N Iodochlorine Chemical compound ICl QZRGKCOWNLSUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N Lauroyl peroxide Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OOC(=O)CCCCCCCCCCC YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYCMBHHDWRMZGG-UHFFFAOYSA-N Methylacrylonitrile Chemical compound CC(=C)C#N GYCMBHHDWRMZGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108091005461 Nucleic proteins Proteins 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAXXETNIOYFMLW-COPLHBTASA-N [(1s,3s,4s)-4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C1C[C@]2(C)[C@@H](OC(=O)C(=C)C)C[C@H]1C2(C)C IAXXETNIOYFMLW-COPLHBTASA-N 0.000 description 1
- ZIZYIMBTYBHYGE-UHFFFAOYSA-N [(7-diazonioimino-9h-fluoren-2-ylidene)hydrazinylidene]azanide Chemical compound [N-]=[N+]=NC1=CC=C2C3=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C3CC2=C1 ZIZYIMBTYBHYGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOPKPONWNILMPL-UHFFFAOYSA-N [1-ethynyl-13-tri(propan-2-yl)silylpentacen-6-yl]-tri(propan-2-yl)silane Chemical compound C(C)(C)[Si](C1=C2C=C3C=CC=C(C3=CC2=C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C12)[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)C#C)(C(C)C)C(C)C OOPKPONWNILMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXEKPEMOWBOYRF-UHFFFAOYSA-N [2-[(1-azaniumyl-1-imino-2-methylpropan-2-yl)diazenyl]-2-methylpropanimidoyl]azanium;dichloride Chemical compound Cl.Cl.NC(=N)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(N)=N LXEKPEMOWBOYRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTPONRIHDUNNPD-UHFFFAOYSA-N [3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,10,10,10-hexadecafluoro-9-(trifluoromethyl)decyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)F KTPONRIHDUNNPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGIJZPXLSMRDCW-UHFFFAOYSA-N [3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,10,10,10-hexadecafluoro-9-(trifluoromethyl)decyl] prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCOC(=O)C=C QGIJZPXLSMRDCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAIYGCOTLRCBJP-UHFFFAOYSA-N [3,3,4,4,5,5,6,6,7,8,8,8-dodecafluoro-7-(trifluoromethyl)octyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)F SAIYGCOTLRCBJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVXKXDSDYDRTQ-UHFFFAOYSA-N [3,3,4,4,5,6,6,6-octafluoro-5-(trifluoromethyl)hexyl] prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)CCOC(=O)C=C UXVXKXDSDYDRTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGRFKLCROWBSJF-UHFFFAOYSA-N [4-(trifluoromethyl)phenyl]methyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1=CC=C(C(F)(F)F)C=C1 PGRFKLCROWBSJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRJOIXGOJZBDRA-UHFFFAOYSA-N [4-(trifluoromethyl)phenyl]methyl prop-2-enoate Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=C(COC(=O)C=C)C=C1 PRJOIXGOJZBDRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUGUHTGSMPZQIW-UHFFFAOYSA-N [[4-(4-diazonioiminocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]hydrazinylidene]azanide Chemical group C1=CC(N=[N+]=[N-])=CC=C1C1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 XUGUHTGSMPZQIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYIKRXIYLAGAKQ-UHFFFAOYSA-N abcn Chemical compound C1CCCCC1(C#N)N=NC1(C#N)CCCCC1 KYIKRXIYLAGAKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Natural products CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 125000004653 anthracenylene group Chemical group 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- AOJOEFVRHOZDFN-UHFFFAOYSA-N benzyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1=CC=CC=C1 AOJOEFVRHOZDFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- CHFBCXOSLARLKB-UHFFFAOYSA-N bis(4-azidophenyl)methanone Chemical compound C1=CC(N=[N+]=[N-])=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 CHFBCXOSLARLKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYHBFRJRBHMIQZ-UHFFFAOYSA-N bis[4-(diethylamino)phenyl]methanone Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(CC)CC)C=C1 VYHBFRJRBHMIQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- NSGQRLUGQNBHLD-UHFFFAOYSA-N butan-2-yl butan-2-yloxycarbonyloxy carbonate Chemical compound CCC(C)OC(=O)OOC(=O)OC(C)CC NSGQRLUGQNBHLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQEKAFQSVPLXON-UHFFFAOYSA-N butyl(trichloro)silane Chemical compound CCCC[Si](Cl)(Cl)Cl FQEKAFQSVPLXON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N butyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OC)(OC)OC SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKVNPHBNOWQYFE-UHFFFAOYSA-N carbamodithioic acid Chemical compound NC(S)=S DKVNPHBNOWQYFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000004976 cyclobutylene group Chemical group 0.000 description 1
- OIWOHHBRDFKZNC-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC1CCCCC1 OIWOHHBRDFKZNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBLWLMPSVYBVDK-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC1CCCCC1 KBLWLMPSVYBVDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004956 cyclohexylene group Chemical group 0.000 description 1
- MKNXBRLZBFVUPV-UHFFFAOYSA-L cyclopenta-1,3-diene;dichlorotitanium Chemical compound Cl[Ti]Cl.C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 MKNXBRLZBFVUPV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QOXHZZQZTIGPEV-UHFFFAOYSA-K cyclopenta-1,3-diene;titanium(4+);trichloride Chemical compound Cl[Ti+](Cl)Cl.C=1C=C[CH-]C=1 QOXHZZQZTIGPEV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000004980 cyclopropylene group Chemical group 0.000 description 1
- GTBGXKPAKVYEKJ-UHFFFAOYSA-N decyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C GTBGXKPAKVYEKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWLDHHJLVGRRHD-UHFFFAOYSA-N decyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCOC(=O)C=C FWLDHHJLVGRRHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N decyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000012933 diacyl peroxide Substances 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- HYYYTIDWAIQGHI-UHFFFAOYSA-L disodium;5-azido-2-[2-(4-azido-2-sulfonatophenyl)ethenyl]benzenesulfonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)C1=CC(N=[N+]=[N-])=CC=C1C=CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1S([O-])(=O)=O HYYYTIDWAIQGHI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- TXKMVPPZCYKFAC-UHFFFAOYSA-N disulfur monoxide Inorganic materials O=S=S TXKMVPPZCYKFAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCWQBZCTYWZZAX-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl 7,8-dioxabicyclo[4.2.0]octane-3,6-dicarboxylate Chemical compound C1C(C(=O)OC(C)(C)C)CCC2(C(=O)OC(C)(C)C)OOC21 YCWQBZCTYWZZAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012990 dithiocarbamate Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- NHOGGUYTANYCGQ-UHFFFAOYSA-N ethenoxybenzene Chemical compound C=COC1=CC=CC=C1 NHOGGUYTANYCGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPHRYEFAPDIEIZ-UHFFFAOYSA-N ethenyl 4-methylbenzoate Chemical compound CC1=CC=C(C(=O)OC=C)C=C1 HPHRYEFAPDIEIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEGHWIAOTJPCHQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl butanoate Chemical compound CCCC(=O)OC=C MEGHWIAOTJPCHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIWXSTHGICQLQT-UHFFFAOYSA-N ethenyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC=C UIWXSTHGICQLQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDLDYFCCDKENPD-UHFFFAOYSA-N ethenylcyclohexane Chemical compound C=CC1CCCCC1 LDLDYFCCDKENPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- LNCPIMCVTKXXOY-UHFFFAOYSA-N hexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCOC(=O)C(C)=C LNCPIMCVTKXXOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNMQRPPRQDGUDR-UHFFFAOYSA-N hexyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCOC(=O)C=C LNMQRPPRQDGUDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000002432 hydroperoxides Chemical class 0.000 description 1
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013847 iso-butane Nutrition 0.000 description 1
- 229940119545 isobornyl methacrylate Drugs 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012968 metallocene catalyst Substances 0.000 description 1
- FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N methacrylamide Chemical compound CC(=C)C(N)=O FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000013365 molecular weight analysis method Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N n-Octanol Natural products CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002848 norbornenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- SLYCYWCVSGPDFR-UHFFFAOYSA-N octadecyltrimethoxysilane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC SLYCYWCVSGPDFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZIDBRBFGPQCRY-UHFFFAOYSA-N octyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCOC(=O)C(C)=C NZIDBRBFGPQCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940065472 octyl acrylate Drugs 0.000 description 1
- ANISOHQJBAQUQP-UHFFFAOYSA-N octyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCOC(=O)C=C ANISOHQJBAQUQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- HDBWAWNLGGMZRQ-UHFFFAOYSA-N p-Vinylbiphenyl Chemical group C1=CC(C=C)=CC=C1C1=CC=CC=C1 HDBWAWNLGGMZRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXQOYLRVSVOCQT-UHFFFAOYSA-N palladium;tritert-butylphosphane Chemical compound [Pd].CC(C)(C)P(C(C)(C)C)C(C)(C)C.CC(C)(C)P(C(C)(C)C)C(C)(C)C MXQOYLRVSVOCQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVAMZGADVCBITI-UHFFFAOYSA-M pent-4-enoate Chemical compound [O-]C(=O)CCC=C HVAMZGADVCBITI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000538 pentafluorophenyl group Chemical group FC1=C(F)C(F)=C(*)C(F)=C1F 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000083 poly(allylamine) Polymers 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920003251 poly(α-methylstyrene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001088 polycarbazole Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229910000160 potassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011009 potassium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylbenzene Chemical compound C=CCC1=CC=CC=C1 HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOQSSGDQNWEFSX-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(C)OC(=O)C(C)=C BOQSSGDQNWEFSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYBIZMNPXTXVMV-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)OC(=O)C=C LYBIZMNPXTXVMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWJUFXUULUEGMA-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl propan-2-yloxycarbonyloxy carbonate Chemical compound CC(C)OC(=O)OOC(=O)OC(C)C BWJUFXUULUEGMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHARPDSAXCBDDR-UHFFFAOYSA-N propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCOC(=O)C(C)=C NHARPDSAXCBDDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- MYGFXCLXHGITIQ-UHFFFAOYSA-N quinolin-4-ylhydrazine Chemical compound C1=CC=C2C(NN)=CC=NC2=C1 MYGFXCLXHGITIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-N sodium;hydron;carbonate Chemical compound [Na+].OC(O)=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWGXHTXOZKVJDN-UHFFFAOYSA-M sodium;n,n-diethylcarbamodithioate;trihydrate Chemical compound O.O.O.[Na+].CCN(CC)C([S-])=S WWGXHTXOZKVJDN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052815 sulfur oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AKEJUJNQAAGONA-UHFFFAOYSA-N sulfur trioxide Inorganic materials O=S(=O)=O AKEJUJNQAAGONA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYKYCHHWIJXDAO-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-ethylhexaneperoxoate Chemical compound CCCCC(CC)C(=O)OOC(C)(C)C WYKYCHHWIJXDAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFBLRDXPNUJYJM-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-methylpropaneperoxoate Chemical compound CC(C)C(=O)OOC(C)(C)C PFBLRDXPNUJYJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEQHTYHLJYNSTG-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 9-tert-butylperoxy-9-oxononanoate Chemical compound CC(C)(C)OOC(=O)CCCCCCCC(=O)OC(C)(C)C VEQHTYHLJYNSTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJBRNHKUVLOCEB-UHFFFAOYSA-N tert-butyl benzenecarboperoxoate Chemical compound CC(C)(C)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 GJBRNHKUVLOCEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical class N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N tetrathiafulvalene Chemical class S1C=CSC1=C1SC=CS1 FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLWCOIUDOLYBGD-UHFFFAOYSA-N trichloro(decyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl HLWCOIUDOLYBGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethyl)silane Chemical compound CC[Si](Cl)(Cl)Cl ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLFPYUPGPBITMH-UHFFFAOYSA-N tritylium Chemical compound C1=CC=CC=C1[C+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 OLFPYUPGPBITMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOZCZZVUFDCZGG-UHFFFAOYSA-N vinyl benzoate Chemical compound C=COC(=O)C1=CC=CC=C1 KOZCZZVUFDCZGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
前記感光性組成物として、例えば、ビスアジド化合物とポリビニルフェノールとを含有する感光性組成物が報告されている(特許文献1)。
[1] 下記式(1)で表される繰り返し単位および式(2)で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも1つの繰り返し単位を含む高分子化合物とアジド基を少なくとも2つ有する化合物とを含有する感光性組成物であって、
前記高分子化合物に含まれる全ての繰り返し単位の合計量を100としたとき、l≧15かつl+m>90である感光性組成物。
(式(1)中、Ar1は、フェニル基又はナフチル基を表す。
Raは、下記式(3)で表される基である。Raが複数存在する場合、それらは同一であっても相異なっていてもよく、互いに結合して、それらが結合するAr1上の炭素原子とともに環を形成してもよい。
Rbは、水素原子、フッ素原子、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいナフチル基又は下記式(4)で表される基である。Rbが複数存在する場合、それらは同一であっても相異なっていてもよい。
Ar1がフェニル基のとき、iは1〜5の整数を表し、jは5−iの整数を表す。
Ar1がナフチル基のとき、iは1〜7の整数を表し、jは7−iの整数を表す。
X1は、水素原子又はメチル基を表す。
Rcは炭素原子数1〜20の2価の有機基、−O−で表される基又は−C(=O)−で表される基を表す。
kは0〜6の整数を表す。
式(2)中、Ar2は、フェニル基又はナフチル基を表す。
複数存在するRdは、水素原子、フッ素原子、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいナフチル基又は下記式(4)で表される基である。複数存在するRdは同一であっても相異なっていてもよい。
Ar2がフェニル基のとき、pは5を表す。
Ar2がナフチル基のとき、pは7を表す。
X2は、水素原子又はメチル基を表す。
Reは炭素原子数1〜20の2価の有機基、−O−で表される基又は−C(=O)−で表される基を表す。
qは0〜6の整数を表す。)
[2] 前記高分子化合物において、式(1)で表される繰り返し単位中のAr1がフェニル基である[1]に記載の感光性組成物。
[3] 前記高分子化合物において、式(2)で表される繰り返し単位中のAr2がフェニル基である[1]または[2]に記載の感光性組成物。
[4] 前記式(1)で表される繰り返し単位において、Raで表される基がメチル基である[1]〜[3]のいずれか一つに記載の感光性組成物。
[5] 前記式(1)で表される繰り返し単位において、kが0である[1]〜[4]のいずれか一つに記載の感光性組成物。
[6] 前記アジド基を2つ以上有する化合物が下記式(5)で表される化合物である[1]〜[5]のいずれか一つに記載の感光性組成物。
(式(5)中、
R1〜R8は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素原子数1〜5のアルキル基、炭素原子数1〜5のアルコキシ基又はSO3Mで表される基(Mは、水素原子、アルカリ金属原子、炭素原子数1〜10のアルキル基又はNRARBを表し、RAおよびRBは、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数1〜10のアルキル基、炭素原子数1〜10のヒドロキシアルキル基、炭素原子数1〜10のアルコキシアルキル基又は炭素原子数1〜10のヒドロキシアルコキシアルキル基を表す。)を表す。
Yは、単結合、−C(=O)−で表される基、−S−で表される基、炭素原子数1〜8のアルキレン基又は下記式(5−1)〜(5−4)のいずれか1つで表される二価の基(R9は、水素原子又は炭素原子数1〜10のアルキル基である。)を表す。)
[7] [1]〜[6]のいずれか一つに記載の感光性組成物および有機溶媒を含むインク。
[8] [1]〜[6]のいずれか一つに記載の感光性組成物を硬化した膜。
[9] [8]に記載の膜を含む、電子デバイス。
[10][8]に記載の膜を絶縁層として含む有機薄膜トランジスタ。
[11][8]に記載の膜をゲート絶縁層として含む有機薄膜トランジスタ。
[12][7]に記載のインクを対象材料に塗布し、膜を得る工程と、
前記膜を加熱し有機溶媒を除去する工程と、
前記有機溶媒を除去した膜を露光する工程と、を含む硬化膜の製造方法。
[13]絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
[12]
に記載の製造方法で得られる硬化膜からなる絶縁層を形成する工程と、
ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を形成する工程と、
有機半導体層を形成する工程と、を含む有機薄膜トランジスタの製造方法。
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。
これらの基に含まれる水素原子が、炭素原子数1〜20のアルキル基、炭素原子数3〜20のシクロアルキル基、炭素原子数1〜20のアルコキシ基、炭素原子数3〜20のシクロアルコキシ基、炭素原子数6〜20の1価の芳香族炭化水素基又はハロゲン原子で置換されていてもよい。
これらの基に含まれる水素原子が、炭素原子数1〜20のアルキル基、炭素原子数3〜20のシクロアルキル基、炭素原子数1〜20のアルコキシ基、炭素原子数3〜20のシクロアルコキシ基、炭素原子数6〜20の1価の芳香族炭化水素基又はハロゲン原子で置換されていてもよい。
本発明の感光性組成物は、前記式(1)で表される繰り返し単位および式(2)で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも1つの繰り返し単位を含む高分子化合物とアジド基を少なくとも2つ有する化合物とを含有する。
本発明の感光性組成物は、その他の成分として、高分子化合物を架橋させる際に通常用いられる添加剤などを含んでいてもよい。添加剤としては、架橋反応を促進するための触媒、レベリング剤、粘度調節剤、界面活性剤などが挙げられる。
本発明の感光性組成物に含まれる前記高分子化合物は、前記式(1)で表される繰り返し単位および式(2)で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも1つの繰り返し単位を含む高分子化合物である。
前記高分子化合物に含まれる全ての繰り返し単位の合計量を100としたとき、前記式(1)で表される繰り返し単位の含有量はl≧15であり、かつ、前記式(1)で表される繰り返し単位と式(2)で表される繰り返し単位との合計量はl+m>90である。式(2)で表される繰り返し単位の含有量は0≦m≦85である。
前記感光性組成物に含有される前記式(1)で表される繰り返し単位および式(2)で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも1つの繰り返し単位を含む高分子化合物は、2種類以上であってもよい。
前記式(1)で表される繰り返し単位の含有量が、上記範囲である前記高分子化合物を有する本発明の感光性組成物は、パターニング性に優れ、更に、該感光性組成物からなる絶縁層を用いてキャリア移動度の高い有機薄膜トランジスタを製造できる。
式(1)で表される繰り返し単位及び式(2)で表される繰り返し単位の合計量が、上記範囲である前記高分子化合物を有する感光性組成物を硬化した膜を用いてキャリア移動度の高い有機薄膜トランジスタを製造できる。
高分子化合物に含まれる前記繰り返し単位の含有量は、高分子化合物の製造時に使用される各繰り返し単位に対応する原料モノマーの使用量から求められる。
前記式(3)中、RfおよびRgは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はフッ素原子で置換されていてもよい炭化水素基であり、互いに結合して環を形成してもよい。
Rf及びRgの少なくとも一方が水素原子であることが好ましく、Rf及びRgともに水素原子であることがより好ましい。このような前記式(1)を繰り返し単位に有する前記高分子化合物を含む本発明の感光性組成物は、パターニング性に優れる。
式(1)で表される繰り返し単位および式(2)で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも1つの繰り返し単位を含む高分子化合物は、式(1)で表される繰り返し単位および式(2)で表される繰り返し単位以外の「その他の繰り返し単位」を含んでもよい。
高分子化合物中の「その他の繰り返し単位」の含有量は、該高分子化合物を含有する感光性組成物を硬化した膜を含む有機薄膜トランジスタのキャリア移動度を高くするという観点から、5モル%以下であることが好ましく、3モル%以下であることがより好ましく、1モル%以下であることがさらに好ましい。
高分子化合物に含まれる前記繰り返し単位の含有量は、高分子化合物の製造時に使用される各繰り返し単位に対応する原料モノマーの使用量から求められる。
なかでも、有機薄膜トランジスタのキャリア移動度を高くするという観点から、ノルボルネン及びその誘導体、芳香族基を有さないアクリル酸エステル、芳香族基を有さないメタクリル酸エステル、末端不飽和炭化水素及びその誘導体のうち、C、H、O、およびFから選ばれる元素で構成される繰り返し単位の原料となるモノマーであることが好ましく、芳香族基を有さないアクリル酸エステルおよび芳香族基を有さないメタクリル酸エステルのうち、C、H、O、およびFから選ばれる元素で構成される繰り返し単位の原料となるモノマーであることがより好ましい。
高分子化合物は、例えば、前記式(1)で表される繰り返し単位の原料となるモノマー(重合性モノマー)と、前記式(2)で表される繰り返し単位の原料となるモノマー(重合性モノマー)と、要すればそれ以外の前記高分子化合物が含み得る繰り返し単位の原料となる他のモノマー(重合性モノマー)とを、光重合開始剤、熱重合開始剤またはメタロセン触媒を用いて共重合させる方法により製造することができる。
本発明の感光性組成物は、アジド基を少なくとも2つ有する化合物を含有する。
アジド基を少なくとも2つ有する化合物は低分子化合物でも高分子化合物でもよい。
アジド基を少なくとも2つ有する化合物は低分子化合物が好ましく、例えば、下記式(5)で表される化合物が挙げられる。
R1〜R8は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素原子数1〜5のアルキル基、炭素原子数1〜5のアルコキシ基又はSO3Mで表される基(Mは、水素原子、アルカリ金属原子、炭素原子数1〜10のアルキル基又はNRARBを表し、RAおよびRBは、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数1〜10のアルキル基、炭素原子数1〜10のヒドロキシアルキル基、炭素原子数1〜10のアルコキシアルキル基又は炭素原子数1〜10のヒドロキシアルコキシアルキル基を表す。)を表す。
Yは、単結合、−C(=O)−で表される基、−S−で表される基、炭素原子数1〜8のアルキレン基又は下記式(5−1)〜(5−4)のいずれか1つで表される二価の基(R9は、水素原子又は炭素原子数1〜10のアルキル基である。)を表す。)
R9は、水素原子、メチル基またはエチル基であることが好ましい。
Yは、−C(=O)−で表される基、前記(5−1)又は前記(5−4)で表される2価の基であることが好ましい。
本発明の実施形態は、感光性組成物及び有機溶媒を含むインク(本明細書において、塗布溶液と記載することがある。)であってもよい。
例えば、前記式(1)で表される繰り返し単位および式(2)で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも1つの繰り返し単位を含む高分子化合物と前記アジド基を少なくとも2つ有する化合物と、有機溶媒とを含むインクであってもよい。
本発明のインクにおいて、前記式(1)で表される繰り返し単位および式(2)で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも1つの繰り返し単位を含む高分子化合物に対する、アジド基を少なくとも2つ有する化合物の好ましい含有量は、前記感光性組成物における好ましい含有量と同様である。
本発明の実施形態は、上述した本発明の感光性組成物を硬化した膜であってもよい。
本発明の感光性組成物は、パターニング性に優れることから、硬化膜は、パターンが形成された膜として得ることができる。
本発明の硬化膜は、好ましくは1nm〜100μm、より好ましくは10nm〜10μm、さらに好ましくは100nm〜5μmである。
本発明の硬化膜は、有機薄膜トランジスタのゲート絶縁層に採用することで、有機薄膜トランジスタのキャリア移動度を効果的に向上させることができる。
本発明の感光性組成物は、硬化したときに絶縁性、封止性、密着性及び耐溶剤性に優れるため、有機薄膜トランジスタの層間絶縁層、保護層(オーバーコート層)および下地層(アンダーコート層)の材料としても好適に用いることができる。
本発明の硬化膜の製造方法は、以下の(1)〜(5)の工程を含むことが好ましい。
(1)前記インクを対象材料に塗布し、膜を得る工程(塗布工程)
(2)得られた膜から有機溶媒を除去する工程(プリベーク工程)
(3)有機溶媒が除去された膜を露光する工程(露光工程)
(4)露光された膜と現像液とを接触させて現像する工程(現像工程)
(5)現像された膜を加熱する工程(ポストベーク工程)
パターニングが不要な場合(4)の工程は実施しなくてもよい。
以下に各工程を順に説明する。
インクを塗布する方法としては、スピンコート法、ダイコーター法、スクリーン印刷法、インクジェット法等が挙げられる。対象材料にインクを塗布することで、膜を形成することができる。
塗布工程で用いる対象材料としては、例えば、シリコンウエハー、セラミックス基板又は有機系基板が挙げられる。セラミックス基板としては、例えば、ソーダガラス、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス若しくは石英ガラス等のガラス基板、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板又は炭化ケイ素基板が挙げられる。有機系基板としては、例えば、エポキシ基板、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板、ポリイミドフィルム又はポリエステルフィルムが挙げられる。
(2)の工程では、上記の膜から、減圧(バキューム)および/または加熱等により、有機溶媒を除去して乾燥膜を形成させる。加熱条件は、インク中の高分子化合物の種類、含有量などに応じて適宜選択すればよいが、好ましくは40℃〜130℃で30〜600秒間の範囲、より好ましくは50℃〜110℃で30〜600秒間の範囲、さらに好ましくは80℃〜100℃未満で30〜600秒間の範囲で選択される。
これらの加熱は、ホットプレート、オーブン、赤外線ヒーターなど、公知の加熱方法を用いることができる。
温度と時間が上記範囲である場合、後述する(4)の工程を行う際に、パターンの密着性がより良好で、且つ溶解除去に伴う残渣もより低減できる傾向にある。
(3)の工程では、膜に所定のパターンの活性光線を照射する。
例えば、マスク(またはレティクル)に描かれた電子回路のパターンを、露光装置を使ってプリベーク後の乾燥膜に転写する。
露光装置としては、ミラープロジェクションアライナー、ステッパー、スキャナー、プロキシミティ、コンタクト、マイクロレンズアレイ、レンズスキャナ、レーザー露光、など各種方式の露光機を用いることができる。また、いわゆる超解像技術を用いた露光をすることもできる。超解像技術としては、複数回露光する多重露光や、位相シフトマスクを用いる方法、輪帯照明法などが挙げられる。
露光装置が備える活性光線の光源としては、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、発光ダイオード(LED)光源、エキシマレーザー発生装置などを用いることができ、i線(365nm)、h線(405nm)、g線(436nm)などの300nm以上450nm以下の波長を有する活性光線が好ましく使用できる。また、必要に応じて長波長カットフィルター、短波長カットフィルター、バンドパスフィルターのような分光フィルターを通して照射光を調整することもできる。露光量は1〜5000mJ/cm2であることが好ましく、より好ましくは10〜2000mJ/cm2であり、さらに好ましくは、50〜500mJ/cm2である。
活性光線を照射する際、膜の周囲に酸素等が存在すると、架橋反応が阻害されることがあるため、膜の周囲に窒素やアルゴン等の不活性ガスを供給し、不活性雰囲気下で活性光線を照射することが好ましい。
また、膜を加熱しながら活性光線を照射することもできる。例えば50〜150℃の範囲の温度を、適用することができる。50℃〜100℃未満の範囲がより好ましい。
必要に応じて露光工程の後に、(2)のベーク工程をおこなってもよい。
(4)の工程では、露光した乾燥膜と現像液とを接触させ、感光した領域又は未感光領域を溶解除去することにより、現像する。
現像の手法は液盛り法(パドル法)、シャワー法、ディップ法等の何れでもよい。
現像工程の後に、リンス工程を行うこともできる。リンス工程では、現像後の基板を純水、イソプロピルアルコールなどで洗うことで、付着している現像液除去、現像残渣除去を行う。リンス方法は公知の方法を用いることができる。例えばシャワーリンスやディップリンスなどを挙げる事ができる。
通常、現像液としては感光性組成物に含まれる高分子化合物を溶解する溶媒が選択される。活性光線が照射された部分(以降、露光部という)と活性光線が照射されなかった部分(以降、未露光部という)の現像液に対する溶解速度の差である溶解コントラストが現像時に重要となる。溶解コントラストが大きくなる現像液を用いることで、低い活性光線の照射量で、微細なパターンを形成することが可能となる。
溶解コントラストは、現像液が含有する高分子化合物の良溶媒と貧溶媒との質量比を変えることにより調整することができる。
前記良溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、2-ヘプタノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン等のエステル系溶媒、N,N,−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン等のアミド系溶媒、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル系溶媒が挙げられる。
前記貧溶媒としては、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、1−ブタノール、2-ブタノール、1-ペンタノール、2−ペンタノール、3-ペンタノール等が挙げられる。
現像液の良溶媒/貧溶媒の質量比は、100/0〜5/95が好ましく、より好ましくは、100/0〜10/90であり、さらに好ましくは、100/0〜20/80であり、更に好ましくは、100/0〜30/70である。
現像時間は、通常5秒〜300秒である。好ましくは、20秒〜250秒であり、より好ましくは、30秒〜200秒であり、さらに好ましくは、40秒〜150秒である。現像時間が短いと、残渣が残ることがあり、長いと、パターンが剥離することがある。
溶解コントラストは、高分子化合物のモノマー組成、分子量、必要に応じて実施される露光後のベーク条件(温度、時間)等により変わるため、現像液組成、現像時間および現像温度は、適宜最適となるように調整する。
(5)の工程では、上記現像工程終了後、得られた膜に対し加熱工程(ポストベーク工程)を行い、膜を乾燥させ感光性樹脂組成物を硬化した膜からなる層である絶縁層を形成する。加熱条件は、適宜選択すればよいが、好ましくは40℃〜150℃で1分間〜180分間の範囲、より好ましくは50℃〜120℃で3分間〜120分間の範囲、さらに好ましくは60℃〜100℃で5分間〜60分間の範囲、特に好ましくは60℃〜100℃未満で5分間〜60分間の範囲で選択される。これらの加熱は、ホットプレート、オーブン、赤外線ヒーターなど、公知の加熱方法を用いることができる。
なお、ポストベークに先立ち、パターンを形成した基板に活性光線により全面再露光(ポスト露光)した後、ポストベークすることにより膜の硬化反応を促進することができる。ポスト露光工程を含む場合の好ましい露光量としては、好ましくは100〜3000mJ/cm2が、より好ましくは100〜500mJ/cm2である。
感光性組成物のパターニング性は、感光性組成物を用いて硬化膜を製造する工程で、以下の測定をおこなうことで評価することができる。
塗布工程、プリベーク工程及び露光工程を実施し、露光部の膜の厚さを、触針式膜厚計を用いて測定し、d1とする。
また、塗布工程、プリベーク工程、露光工程及び現像工程を実施し、触針式膜厚計を用いて未露光部及び露光部の膜の厚さを測定し、それぞれd2及びd3とする。
(d2/d1)×100の値を、現像工程の後の未露光部の残膜率とする。
(d3/d1)×100の値を、現像工程の後の露光部の残膜率とする。
パターニング性が良好であるとは、未露光部の残膜率が低く、露光部の残膜率が高いことを意味する。
なお、d1、d2、d3は、それぞれ測定箇所が異なるため、現像液に全く溶解しない場合は残膜率が100%をわずかに超えることがあるが、この場合、実質的な残膜率は100%と見做すことができる。
上述の硬化膜を含む電子デバイスについて説明する。本実施形態の感光性組成物は、低温で硬化させることができるため、当該感光性組成物を用いた硬化膜は、有機薄膜トランジスタ、有機LED、センサーなどの種々の電子デバイスに用いることができる。
当該組成物を用いた硬化膜を含む電子デバイスとしては、有機薄膜トランジスタが好適である。有機薄膜トランジスタは、当該硬化膜を、有機薄膜トランジスタのゲート絶縁層として含むことが好適である。
有機薄膜トランジスタは、例えば、本発明の感光性組成物を硬化して得られる硬化膜をゲート絶縁層として備え、さらに該硬化膜を層間絶縁層、保護層(オーバーコート層)及び下地層(アンダーコート層)として備えていてもよい。
以下、本発明の硬化膜を含む有機薄膜トランジスタについて説明する。
本発明の有機薄膜トランジスタは、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び有機半導体層を有しており、上記本発明の前記感光性組成物又はそれを硬化した膜をもちいて絶縁層を形成する有機薄膜トランジスタである
本発明の有機薄膜トランジスタが備える絶縁層は、前記感光性組成物又はそれを硬化した膜からなる。本発明の有機薄膜トランジスタが備える絶縁層としては、ゲート絶縁層、保護層、下地層、層間絶縁層等が挙げられる。保護層は有機薄膜トランジスタ上に設けられ、これにより、有機薄膜トランジスタが大気から遮断され、有機薄膜トランジスタの特性の低下を抑制することができる。また、有機薄膜トランジスタの上に駆動する表示デバイス等を形成する場合、その形成工程における有機薄膜トランジスタへの影響も該保護層により低減することができる。下地層は有機薄膜トランジスタの下部に設けられ、基板の凹凸を平坦化することや、基板と有機薄膜トランジスタの密着性を改善したりすることができる。層間絶縁層は保護層の上に設けられ、有機薄膜トランジスタ上に形成する表示デバイス等が層間絶縁層の上に形成される。保護層が層間絶縁層を兼ねることができる。
ソース電極を構成する材料、ドレイン電極を構成する材料およびゲート電極を構成する材料としては、クロム、金、銀、アルミニウム等が挙げられる。
有機薄膜トランジスタが備える有機半導体層は、有機半導体化合物を含有する層である。
有機半導体層の材料である有機半導体化合物としては、π共役ポリマーが広く用いられ、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリアリルアミン類、フルオレン類、ポリカルバゾール類、ポリインドール類、ポリ(p−フェニレンビニレン)類などを用いることができる。
有機薄膜トランジスタは、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び有機半導体層以外に、基板などを備えてもよい。
通常、薄膜トランジスタは、最下層に基板を備える。基板としては、プラスチックフィルム、ガラス板、シリコン板などが挙げられる。
本発明の感光性組成物またはその硬化膜を、層間絶縁層、保護層または下地層として使用することが可能であるが、その他の物質を層間絶縁層、保護層または下地層として用いてもよい。層間絶縁層、保護層および下地層を構成する化合物は、有機化合物であってもよく、無機化合物であってもよい。層間絶縁層、保護層および下地層を構成する化合物としては、UV硬化樹脂、熱硬化樹脂、SiONx(x>0)等が挙げられる。
本発明の有機薄膜トランジスタは、ボトムゲート型構造であってもトップゲート型構造であってもよい。
有機薄膜トランジスタは、基板、有機半導体層、およびゲート絶縁層がこの順で配置されるトップゲート型構造が好ましい。
トップゲート型構造を有する有機薄膜トランジスタとしては、トップゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ、トップゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタが挙げられる。
図1は、本発明の一実施形態であるボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタ10は、基板1と、基板1の主表面に接合するように設けられたゲート電極2と、ゲート電極2を覆うように基板1に設けられたゲート絶縁層3と、ゲート絶縁層3に隣接して接合しており、ゲート電極2の直上を覆うように設けられた有機半導体層4と、有機半導体層4に接合しており、かつ基板1の厚さ方向に見たときに(平面視で)チャネル領域がゲート電極2と重なるように互いに離間させて設けられたソース電極5およびドレイン電極6と、有機半導体層4を覆うように設けられた保護層7とが、備えられている。
ボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタは、ゲート絶縁層3とゲート電極2との間に、ゲート絶縁層3とは異なるゲート絶縁層をさらに設けてもよい。
ボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタは、基板1を覆う下地層をさらに設けてもよい。
図2は、本発明の一実施形態であるボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタ10は、基板1と、基板1の主表面に接合するように設けられたゲート電極2と、ゲート電極2を覆うように基板1に設けられたゲート絶縁層3と、ゲート絶縁層3に接合しており、かつ基板1の厚さ方向に見たときに(平面視で)チャネル領域がゲート電極2と重なるように互いに離間させて設けられたソース電極5およびドレイン電極6と、ソース電極5およびドレイン電極6に接合し、かつゲート絶縁層3に隣接して接合しており、ゲート電極2の直上を覆うように設けられた有機半導体層4と、有機半導体層4を覆うように設けられた保護層7とを、備えている。
ボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタは、ゲート絶縁層3とゲート電極との間に、ゲート絶縁層3とは異なるゲート絶縁層をさらに設けてもよい。
ボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタは、基板1を覆う下地層をさらに設けてもよい。
図3は、本発明の一実施形態であるトップゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタ10には、基板1と、基板1に接合しており、かつ基板1の厚さ方向に見たときに(平面視で)チャネル領域がゲート電極2と重なるように互いに離間させて設けられたソース電極5およびドレイン電極6と、ソース電極5、ドレイン電極6および基板に接合し、ゲート電極2の直下を覆うように設けられた有機半導体層4と、有機半導体層4に隣接するゲート絶縁層3と、ゲート絶縁層3に接合するように設けられたゲート電極2と、ゲート電極2を覆うように設けられた保護層7とを、備えている。
トップゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタは、ゲート絶縁層3とゲート電極との間に、ゲート絶縁層3とは異なるゲート絶縁層をさらに設けてもよい。
トップゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタは、基板1を覆う下地層をさらに設けてもよい。
図4は、本発明の一実施形態であるトップゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタ10には、基板1と、基板1の主表面に接合するように設けられた有機半導体層4と、有機半導体層4に接合しており、かつ基板1の厚さ方向に見たときに(平面視で)チャネル領域がゲート電極2と重なるように互いに離間させて設けられたソース電極5およびドレイン電極6と、ソース電極5、ドレイン電極6、および有機半導体層4に接合し、ゲート電極2の直下を覆うように設けられたゲート絶縁層3と、ゲート絶縁層3に接合するように設けられたゲート電極2と、ゲート電極2を覆うように設けられた保護層7とを、備えている。
トップゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタは、ゲート絶縁層3とゲート電極との間に、ゲート絶縁層3とは異なるゲート絶縁層をさらに設けてもよい。
トップゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタは、基板1を覆う下地層をさらに設けてもよい。
本発明の有機薄膜トランジスタの製造方法は、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記硬化膜の製造方法に記載の方法で得られる硬化膜からなる絶縁層を形成する工程と、
ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を形成する工程と、
有機半導体層を形成する工程と、を含む方法により製造することができる。
ゲート電極2、ソース電極5及びドレイン電極6は、上述の材料を用いて、蒸着法、スパッタ法、インクジェット印刷法などの塗布法等の公知の方法により形成することができる。
ゲート絶縁層3には、既に説明した、硬化膜の製造方法と同様の方法で製造することができる。
自己組織化単分子層を形成するためのアルキルアルコキシシラン化合物としては、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン等が挙げられる。
当該有機溶媒としては、当該ゲート絶縁層を構成する材料を溶解させるものであれば特に制限はないが、好ましくは、常圧での沸点が100℃〜200℃のものである。当該有機溶媒としては、均一な塗布膜を形成しやすいという観点からは、2−ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、2−エトキシエタノール等が挙げられる。積層時に他の層を溶解しにくいという観点からは、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、アセトンなどのケトン溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートブチルアセテートなどのアセテート溶媒、2−エトキシエタノールなどのアルコール溶媒が好ましい。
保護層7(オーバーコート層)は、既に説明したゲート絶縁層3の形成工程と同様にして、例えば、既に説明した本発明の感光性組成物を用いて形成することができる。また、UV硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のSiONx膜等で覆う方法等も挙げられる。
また、図示されていない下地層(アンダーコート層)についても保護層7と同様にして形成することができる。
有機半導体層4の形成工程は、例えば、前記有機半導体化合物に要すれば溶媒などを添加して有機半導体層4の形成用の塗布液を調製し、これを塗布し、塗布層を乾燥させることにより行う。ゲート絶縁層3を構成する感光性組成物に含まれる前記高分子化合物が芳香族炭化水素基を有する場合、感光性組成物と有機半導体化合物との親和性が良好である。それゆえ、上記塗布ステップ及び乾燥ステップによって、有機半導体層4とゲート絶縁層3との間に均一で平坦な界面を形成することができる。
本発明の一実施態様であるボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタは、例えば以下の工程(I)〜工程(V)を含む方法により製造することができる。
(I) 基板の主表面にゲート電極を形成する工程、
(II) ゲート電極を覆うように、ゲート電極が設けられた基板の表面にゲート絶縁層を形成する工程、
(III)ゲート絶縁層上に、有機半導体層を形成する工程
(IV) 有機半導体層上にソース電極およびドレイン電極を形成する工程。
(V) 有機半導体層を覆うよう保護層形成する工程。
本発明の一実施態様であるボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタは、例えば以下の工程(I)〜工程(V)を含む方法により製造することができる。
(I) 基板の主表面にゲート電極を形成する工程、
(II) ゲート電極を覆うように、ゲート電極が設けられた基板の表面にゲート絶縁層を形成する工程、
(III)ゲート絶縁層上にソース電極およびドレイン電極を形成する工程、
(IV) ソース電極およびドレイン電極にまたがり、ソース電極、ドレイン電極およびチャネル領域を含むゲート絶縁層を覆うように、有機半導体層を形成する工程、
(V) 有機半導体層を覆うよう保護層形成する工程。
本発明の一実施態様であるトップゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタは、例えば以下の工程(I)〜工程(V)を含む方法により製造することができる。
(I) 基板上に、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程、
(II) ソース電極およびドレイン電極にまたがるように、基板上に有機半導体層を形成する工程、
(III)有機半導体層上に、ゲート絶縁層を形成する工程、
(IV) ゲート絶縁層上に、ゲート電極を形成する工程、
(V) ゲート電極と有機半導体層を覆うよう保護層形成する工程。
本発明の一実施態様であるトップゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタは、例えば以下の工程(I)〜工程(V)を含む方法により製造することができる。
(I) 基板上に有機半導体層を形成する工程、
(II) 有機半導体層をまたぐように、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程、
(III)有機半導体層上に、ゲート絶縁層を形成する工程、
(IV) ゲート絶縁層上に、ゲート電極を形成する工程。
(V) ゲート電極とゲート絶縁層を覆うよう保護層形成する工程。
本発明の有機薄膜トランジスタを用いて、有機薄膜トランジスタを含むディスプレイ用部材を製造することができる。また該有機薄膜トランジスタを含むディスプレイ用部材を用いて、ディスプレイ用部材を備えるディスプレイを製造することができる。
後述する高分子化合物Cの数平均分子量及び重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィ(GPC、Waters社製、商品名:Alliance GPC 2000)を用いて求めた。測定される高分子化合物Cは、THFに溶解させ、GPCに注入した。GPCの移動相にはTHFを用いた。カラムは、「PLgel 10μm MIXED−B,300×7.5mm(2本連結、ポリマーラボラトリーズ製)」を用いた。検出器にはUV検出器を用いた。
感光性組成物を用いて膜(絶縁層)を製造し、パターニング性を評価した。
塗布工程、プリベーク工程及び露光工程を実施することにより膜を製造し、得られた膜の露光部の膜の厚さを、触針式膜厚計(DEKTAK(登録商標))を用いて測定し、d1とした。
また、塗布工程、プリベーク工程、露光工程及び現像工程を実施し、触針式膜厚計(DEKTAK(登録商標))を用いて未露光部及び露光部の膜の厚さを測定し、それぞれd2及びd3とした。
(d2/d1)×100の値を、現像工程の後の未露光部の残膜率とした。
(d3/d1)×100の値を、現像工程の後の露光部の残膜率とした。
下記のスキームに沿って、高分子化合物Cを合成した。
反応容器内の気体を窒素ガスで置換した後に、下記化合物B−1(5.35g、3.73ミリモル)、下記化合物B−2(1.38g、3.56ミリモル)、テトラヒドロフラン(370mL)、ビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム(95.3mg、5.0モル%)を加え撹拌した。得られた反応溶液に、3モル/Lのリン酸カリウム水溶液を17.0mL滴下し、45℃で3時間反応させた。得られた反応溶液に、N,N−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物の10重量%水溶液を150g加えて、3時間還流させた。得られた反応溶液を水に注ぎ、トルエンを加え、トルエン層を抽出した。得られたトルエン溶液を、酢酸水溶液及び水で洗浄した後、シリカゲルカラムを用いて精製した。得られたトルエン溶液をアセトンに滴下したところ、析出物が得られた。得られた析出物を、アセトンを溶媒として用いてソックスレー洗浄し、下記式で表される繰り返し単位を含む高分子化合物Cを得た。高分子化合物Cの得量は4.28gであり、ポリスチレン換算の数平均分子量は9.5×104であり、重量平均分子量は2.6×105であった。
ビニルトルエン (m−,p−混合物)(東京化成製)11.82g(100mmol)、OTAZO−15(大塚化学製)0.079g(0.2mmol)およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)7.93gを50mL耐圧ガラス容器に入れ窒素ガス置換した後、60℃のオイルバス中で17時間重合させて、下記式の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物(2−1)が溶解している粘稠なPGMEA溶液を得た。得られたPGMEA溶液をさらにPGMEAで希釈しメタノールに滴下したところ、析出物が得られた。得られた析出物を、乾燥することで高分子化合物(2−1)(ポリ(m,p−mix)メチルスチレン) 3.92gを得た。得られた高分子化合物(2−1)のポリスチレン換算の数平均分子量は5.7×104であり、重量平均分子量は1.1×105であった。
スチレン(純正化学製)5.21g(50mmol)、4−メチルスチレン(東京化成製)5.91g(50mmol)、OTAZO−15(大塚化学製)0.079g(0.2mmol)およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)7.46gを50mL耐圧ガラス容器に入れ窒素ガス置換した後、60℃のオイルバス中で17時間重合させて、下記式の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物(2−2)が溶解している粘稠なPGMEA溶液を得た。得られたPGMEA溶液をさらにPGMEAで希釈しメタノールに滴下したところ、析出物が得られた。得られた析出物を、乾燥することで高分子化合物(2−2)2.49gを得た。得られた高分子化合物(2−2)のポリスチレン換算の数平均分子量は5.4×104であり、重量平均分子量は9.7×104であった。
4−メチルスチレン(東京化成製)4.73g(40mmol)、スチレン(純正化学製)6.25g(60mmol)、OTAZO−15(大塚化学製)0.079g(0.2mmol)およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)7.36gを50mL耐圧ガラス容器に入れ窒素ガス置換した後、60℃のオイルバス中で17時間重合させて、下記式の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物(2−3)が溶解している粘稠なPGMEA溶液を得た。得られたPGMEA溶液をさらにPGMEAで希釈しメタノールに滴下したところ、析出物が得られた。得られた析出物を、乾燥することで高分子化合物(2−3)3.03gを得た。得られた高分子化合物(2−3)のポリスチレン換算の数平均分子量は5.9×104であり、重量平均分子量は1.2×105であった。
4−メチルスチレン(東京化成製)3.55g(30mmol)、スチレン(純正化学製)7.29g(70mmol)、OTAZO−15(大塚化学製)0.079g(0.2mmol)およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)7.27gを50mL耐圧ガラス容器に入れ窒素ガス置換した後、60℃のオイルバス中で17時間重合させて、下記式の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物(2−4)が溶解している粘稠なPGMEA溶液を得た。得られたPGMEA溶液をさらにPGMEAで希釈しメタノールに滴下したところ、析出物が得られた。得られた析出物を、乾燥することで高分子化合物(2−4)2.44gを得た。得られた高分子化合物(2−4)のポリスチレン換算の数平均分子量は5.2×104であり、重量平均分子量は1.3×105であった。
4−メチルスチレン(東京化成製)2.36g(20mmol)、スチレン(純正化学製)8.34g(80mmol)、OTAZO−15(大塚化学製)0.079g(0.2mmol)およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)7.19gを50mL耐圧ガラス容器に入れ窒素ガス置換した後、60℃のオイルバス中で17時間重合させて、下記式の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物(2−5)が溶解している粘稠なPGMEA溶液を得た。得られたPGMEA溶液をさらにPGMEAで希釈しメタノールに滴下したところ、析出物が得られた。得られた析出物を、乾燥することで高分子化合物(2−5)2.29gを得た。得られた高分子化合物(2−5)のポリスチレン換算の数平均分子量は5.0×104であり、重量平均分子量は1.3×105であった。
4−メチルスチレン(東京化成製)2.13g(18mmol)、スチレン(純正化学製)10.62g(102mmol)、OTAZO−15(大塚化学製)0.085g(0.24mmol)およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)8.57gを50mL耐圧ガラス容器に入れ窒素ガス置換した後、60℃のオイルバス中で17時間重合させて、下記式の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物(2−6)が溶解している粘稠なPGMEA溶液を得た。得られたPGMEA溶液をさらにPGMEAで希釈しメタノールに滴下したところ、析出物が得られた。得られた析出物を、乾燥することで高分子化合物(2−6)4.61gを得た。得られた高分子化合物(2−6)のポリスチレン換算の数平均分子量は5.3×104であり、重量平均分子量は1.1×105であった。
4−メチルスチレン(東京化成製)8.51g(72mmol)、2,3,4,5,6−ペンタフルオロスチレン(P&M社製)3.49g(18mmol)、OTAZO−15(大塚化学製)0.064g(0.18mmol)およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)8.08gを50mL耐圧ガラス容器に入れ窒素ガス置換した後、60℃のオイルバス中で17時間重合させて、下記式の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物(2−7)が溶解している粘稠なPGMEA溶液を得た。得られたPGMEA溶液をさらにPGMEAで希釈しメタノールに滴下したところ、析出物が得られた。得られた析出物を、乾燥することで高分子化合物(2−7)4.79gを得た。得られた高分子化合物(2−7)のポリスチレン換算の数平均分子量は1.0×105であり、重量平均分子量は2.1×105であった。
4−メチルスチレン(東京化成製)7.57g(64mmol)、2,3,4,5,6−ペンタフルオロベンジルメタクリレート(P&M社製)4.26g(16mmol)、OTAZO−15(大塚化学製)0.057g(0.16mmol)およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)7.93gを50mL耐圧ガラス容器に入れ窒素ガス置換した後、60℃のオイルバス中で17時間重合させて、下記式の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物(2−8)が溶解している粘稠なPGMEA溶液を得た。得られたPGMEA溶液をさらにPGMEAで希釈しメタノールに滴下したところ、析出物が得られた。得られた析出物を、乾燥することで高分子化合物(2−8)4.03gを得た。得られた高分子化合物(2−8)のポリスチレン換算の数平均分子量は7.9×104であり、重量平均分子量は1.6×105であった。
2,3,4,5,6−ペンタフルオロベンジルメタクリレート(P&M社製)10.65g(40mmol)、AIBN(和光純薬製)0.052g(0.32mmol)およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)25.0gを50mL耐圧ガラス容器に入れ窒素ガス置換した後、70℃のオイルバス中で17時間重合させて、下記式の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物(polyF5BzM)が溶解している粘稠なPGMEA溶液(3−1)を得た。得られた高分子化合物(polyF5BzM)のポリスチレン換算の数平均分子量は4.4×104であり、重量平均分子量は1.7×105であった。
4−メチルスチレン(東京化成製)1.42g(12mmol)、スチレン(純正化学製)11.12g(108mmol)、OTAZO−15(大塚化学製)0.085g(0.24mmol)およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)8.50gを50mL耐圧ガラス容器に入れ窒素ガス置換した後、60℃のオイルバス中で17時間重合させて、下記式の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物(3−2)が溶解している粘稠なPGMEA溶液を得た。得られたPGMEA溶液をさらにPGMEAで希釈しメタノールに滴下したところ、析出物が得られた。得られた析出物を、乾燥することで高分子化合物(3−2)4.82gを得た。得られた高分子化合物(3−2)のポリスチレン換算の数平均分子量は5.1×104であり、重量平均分子量は1.0×105であった。
(塗布溶液aの調製)
ポリ(4−メチルスチレン)(シグマアルドリッチ社製:製品番号182273)1.50g、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン(BAC−M:東洋合成工業株式会社製)45mg及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)8.50gを、20mLのサンプル瓶に入れ、撹拌して溶解することにより均一な塗布溶液(a)を調整した。
まず、ガラス基板に対し、オゾンUVを照射した後、アルカリ洗浄液により洗浄し、純水によりリンスした。
次に、ガラス基板上に、スパッタリング法により、基板側からモリブデン、金の順で積層し、フォトリソグラフィによりパターニングすることで、ソース電極及びドレイン電極を形成した。このときのソース電極、及びドレイン電極のチャネル長は20μm、チャンネル幅は2mmとした。
次に、ガラス基板を、アセトンを用いて超音波洗浄した後、オゾンUVを照射した。
次に、2、3、5、6−テトラフルオロ−4−トリフルオロメチルベンゼンチオールのイソプロピルアルコール希釈液に、ガラス基板を2分間浸漬することにより、ガラス基板上に形成した電極(特に金)の表面を修飾した。
続いて合成例1−1で得られた0.5質量%の高分子化合物Cのトルエン溶液をソース電極およびドレイン電極側にスピンコートし、ホットプレートを用いて150℃で7分間加熱処理することで、有機半導体層を形成した。
この有機薄半導体層の上に、塗布溶液(a)を、孔径0.5μmのメンブレンフィルターを用いてろ過した後、スピンコート法により塗布し、ホットプレート上で90℃で1分間乾燥した。次に、アライナー(Canon製;PLA−521)を用いて200mJ/cm2のUV光(波長365nm)を照射した。次に70℃で1分間加熱処理し、さらに90℃で10分間加熱処理することで、ゲート絶縁層を形成した。形成されたゲート絶縁層の厚さは、1044nmであった。
さらに、このゲート絶縁層上に、蒸着法によりアルミニウムを成膜して、ゲート電極を形成することで有機薄膜トランジスタ(1)を得た。
具体的には、有機薄膜トランジスタ(1)のソース・ドレイン間電圧Vsdを−30Vに固定し、ゲート電圧Vgを20V〜−40Vに変化させ、キャリア移動度を半導体パラメータアナライザー(Keithley製;4200−SCS)を用いて測定し、評価した。
有機薄膜トランジスタ(1)のキャリア移動度は、0.45cm2/Vsであった。結果を表1に表す。
次に、ライン/スペースが100μm/100μmのマスク及びアライナー(Canon製;PLA−521)を用いて、200mJ/cm2のUV光(波長365nm)を膜に照射した(露光工程)。
次に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの現像液に膜を室温で120秒間浸漬して現像し(現像工程)、パターンが形成された絶縁層を得た。
得られた絶縁層について、マスクどおりのパターンが得られたことを目視により確認できた。
得られた絶縁層の未露光部の厚さ(d2)は、0nmであり、露光部の厚さ(d3)は、1040nmであった。
また、前記露光工程まで実施した膜の露光部の厚さ(d1)を測定した。厚さ(d1)は、1044nmであった。
未露光部の残膜率((d2/d1)×100)は、0%であり、露光部の残膜率((d3/d1)×100)は、99.6%であった。結果を表1に示す。
(塗布溶液bの調製)
合成例2−1で得られた高分子化合物(2−1)1.50g、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン(BAC−M:東洋合成工業株式会社製)45mg及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)8.50gを、20mLのサンプル瓶に入れ、撹拌して溶解することにより均一な塗布溶液(b)を調整した。
塗布溶液(a)に代えて塗布溶液(b)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタ(2)を作製し、キャリア移動度を測定した。キャリア移動度は、0.35cm2/Vsであった。結果を表1に表す。
次に、現像工程まで実施して得られた絶縁層の未露光部の厚さ(d2)及び露光部の厚さ(d3)、及び露光工程まで実施した膜の露光部の厚さ(d1)をそれぞれ測定した。
d2は、0nmであり、d3は、990nmであり、d1は、970nmであった。
すなわち、未露光部の残膜率((d2/d1)×100)は、0%であり、露光部の残膜率((d3/d1)×100)は、102.1%であった。結果を表1に表す。
(塗布溶液cの調製)
合成例2−2で得られた高分子化合物(2−2)1.50g、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン(BAC−M:東洋合成工業株式会社製)45mg及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)8.50gを、20mLのサンプル瓶に入れ、撹拌して溶解することにより均一な塗布溶液(c)を調整した。
塗布溶液(a)に代えて塗布溶液(c)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタ(3)を作製し、キャリア移動度を測定した。キャリア移動度は、0.33cm2/Vsであった。結果を表1に表す。
次に、現像工程まで実施して得られた絶縁層の未露光部の厚さ(d2)及び露光部の厚さ(d3)、及び露光工程まで実施した膜の露光部の厚さ(d1)をそれぞれ測定した。
d2は、0nmであり、d3は、930nmであり、d1は、979nmであった。
すなわち、未露光部の残膜率((d2/d1)×100)は、0%であり、露光部の残膜率((d3/d1)×100)は、95.0%であった。結果を表1に表す。
(塗布溶液dの調製)
合成例2−3で得られた高分子化合物(2−3)1.50g、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン(BAC−M:東洋合成工業株式会社製)45mg及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)8.50gを、20mLのサンプル瓶に入れ、撹拌して溶解することにより均一な塗布溶液(d)を調整した。
塗布溶液(a)に代えて塗布溶液(d)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタ(4)を作製し、キャリア移動度を測定した。キャリア移動度は、0.41cm2/Vsであった。結果を表1に表す。
次に、現像工程まで実施して得られた絶縁層の未露光部の厚さ(d2)及び露光部の厚さ(d3)、及び露光工程まで実施した膜の露光部の厚さ(d1)をそれぞれ測定した。
d2は、0nmであり、d3は、1015nmであり、d1は、1039nmであった。
すなわち、未露光部の残膜率((d2/d1)×100)は、0%であり、露光部の残膜率((d3/d1)×100)は、97.7%であった。結果を表1に表す。
(塗布溶液eの調製)
合成例2−4で得られた高分子化合物(2−4)1.50g、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン(BAC−M:東洋合成工業株式会社製)45mg及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)8.50gを、20mLのサンプル瓶に入れ、撹拌して溶解することにより均一な塗布溶液(e)を調整した。
塗布溶液(a)に代えて塗布溶液(e)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタ(5)を作製し、キャリア移動度を測定した。キャリア移動度は、0.47cm2/Vsであった。結果を表1に表す。
次に、現像工程まで実施して得られた絶縁層の未露光部の厚さ(d2)及び露光部の厚さ(d3)、及び露光工程まで実施した膜の露光部の厚さ(d1)をそれぞれ測定した。
d2は、0nmであり、d3は、1091nmであり、d1は、1059nmであった。
すなわち、未露光部の残膜率((d2/d1)×100)は、0%であり、露光部の残膜率((d3/d1)×100)は、103.0%であった。結果を表1に表す。
(塗布溶液fの調製)
合成例2−5で得られた高分子化合物(2−5)1.50g、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン(BAC−M:東洋合成工業株式会社製)45mg及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)8.50gを、20mLのサンプル瓶に入れ、撹拌して溶解することにより均一な塗布溶液(f)を調整した。
塗布溶液(a)に代えて塗布溶液(f)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタ(6)を作製し、キャリア移動度を測定した。キャリア移動度は、0.44cm2/Vsであった。結果を表1に表す。
次に、現像工程まで実施して得られた絶縁層の未露光部の厚さ(d2)及び露光部の厚さ(d3)、及び露光工程まで実施した膜の露光部の厚さ(d1)をそれぞれ測定した。
d2は、0nmであり、d3は、1061nmであり、d1は、1047nmであった。
すなわち、未露光部の残膜率((d2/d1)×100)は、0%であり、露光部の残膜率((d3/d1)×100)は、101.3%であった。結果を表1に表す。
(塗布溶液gの調製)
合成例2−6で得られた高分子化合物(2−6)1.50g、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン(BAC−M:東洋合成工業株式会社製)45mg及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)8.50gを、20mLのサンプル瓶に入れ、撹拌して溶解することにより均一な塗布溶液(g)を調整した。
塗布溶液(a)に代えて塗布溶液(g)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタ(7)を作製し、キャリア移動度を測定した。キャリア移動度は、0.30cm2/Vsであった。結果を表1に表す。
次に、現像工程まで実施して得られた絶縁層の未露光部の厚さ(d2)及び露光部の厚さ(d3)、及び露光工程まで実施した膜の露光部の厚さ(d1)をそれぞれ測定した。
d2は、0nmであり、d3は、1002nmであり、d1は、1051nmであった。
すなわち、未露光部の残膜率((d2/d1)×100)は、0%であり、露光部の残膜率((d3/d1)×100)は、95.3%であった。結果を表1に表す。
合成例2−7で得られた高分子化合物(2−7)1.50g、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン(BAC−M:東洋合成工業株式会社製)45mg及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)8.50gを、20mLのサンプル瓶に入れ、撹拌して溶解することにより均一な塗布溶液(h)を調整した。
塗布溶液(a)に代えて塗布溶液(h)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタ(8)を作製し、キャリア移動度を測定した。キャリア移動度は、0.42cm2/Vsであった。結果を表1に表す。
次に、現像工程まで実施して得られた絶縁層の未露光部の厚さ(d2)及び露光部の厚さ(d3)、及び露光工程まで実施した膜の露光部の厚さ(d1)をそれぞれ測定した。
d2は、0nmであり、d3は、1044nmであり、d1は、1019nmであった。
すなわち、未露光部の残膜率((d2/d1)×100)は、0%であり、露光部の残膜率((d3/d1)×100)は、102.5%であった。結果を表1に表す。
合成例2−8で得られた高分子化合物(2−8)1.50g、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン(BAC−M:東洋合成工業株式会社製)45mg及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)8.50gを、20mLのサンプル瓶に入れ、撹拌して溶解することにより均一な塗布溶液(i)を調整した。
塗布溶液(a)に代えて塗布溶液(i)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタ(9)を作製し、キャリア移動度を測定した。キャリア移動度は、0.28cm2/Vsであった。結果を表1に表す。
次に、現像工程まで実施して得られた絶縁層の未露光部の厚さ(d2)及び露光部の厚さ(d3)、及び露光工程まで実施した膜の露光部の厚さ(d1)をそれぞれ測定した。
d2は、0nmであり、d3は、1046nmであり、d1は、1026nmであった。
すなわち、未露光部の残膜率((d2/d1)×100)は、0%であり、露光部の残膜率((d3/d1)×100)は、101.9%であった。結果を表1に表す。
ポリ(4−メチルスチレン)(シグマアルドリッチ社製:製品番号182273)1.50g、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン(BAC−M:東洋合成工業株式会社製)15mg及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)8.50gを、20mLのサンプル瓶に入れ、撹拌して溶解することにより均一な塗布溶液(j)を調整した。
塗布溶液(a)に代えて塗布溶液(j)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタ(10)を作製し、キャリア移動度を測定した。キャリア移動度は、1.16cm2/Vsであった。結果を表1に表す。
次に、現像工程まで実施して得られた絶縁層の未露光部の厚さ(d2)及び露光部の厚さ(d3)、及び露光工程まで実施した膜の露光部の厚さ(d1)をそれぞれ測定した。
d2は、0nmであり、d3は、1015nmであり、d1は、1027nmであった。
すなわち、未露光部の残膜率((d2/d1)×100)は、0%であり、露光部の残膜率((d3/d1)×100)は、98.8%であった。結果を表1に表す。
合成例2−7で得られた高分子化合物(2−7)1.50g、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン(BAC−M:東洋合成工業株式会社製)15mg及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)8.50gを、20mLのサンプル瓶に入れ、撹拌して溶解することにより均一な塗布溶液(k)を調整した。
塗布溶液(a)に代えて塗布溶液(k)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタ(11)を作製し、キャリア移動度を測定した。キャリア移動度は、0.92cm2/Vsであった。結果を表1に表す。
次に、現像工程まで実施して得られた絶縁層の未露光部の厚さ(d2)及び露光部の厚さ(d3)、及び露光工程まで実施した膜の露光部の厚さ(d1)をそれぞれ測定した。
d2は、0nmであり、d3は、987nmであり、d1は、1001nmであった。
すなわち、未露光部の残膜率((d2/d1)×100)は、0%であり、露光部の残膜率((d3/d1)×100)は、98.6%であった。結果を表1に表す。
合成例2−8で得られた高分子化合物(2−8)1.50g、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン(BAC−M:東洋合成工業株式会社製)15mg及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)8.50gを、20mLのサンプル瓶に入れ、撹拌して溶解することにより均一な塗布溶液(l)を調整した。
塗布溶液(a)に代えて塗布溶液(l)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタ(12)を作製し、キャリア移動度を測定した。キャリア移動度は、0.83cm2/Vsであった。結果を表1に表す。
次に、現像工程まで実施して得られた絶縁層の未露光部の厚さ(d2)及び露光部の厚さ(d3)、及び露光工程まで実施した膜の露光部の厚さ(d1)をそれぞれ測定した。
d2は、0nmであり、d3は、995nmであり、d1は、1014nmであった。
すなわち、未露光部の残膜率((d2/d1)×100)は、0%であり、露光部の残膜率((d3/d1)×100)は、98.1%であった。結果を表1に表す。
ポリスチレン(アルドリッチ社製:製品番号331651)1.50g、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン(BAC−M:東洋合成工業株式会社製)45mg及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)8.50gを、20mLのサンプル瓶に入れ、撹拌して溶解することにより均一な塗布溶液(m)を調整した。
塗布溶液(a)に代えて塗布溶液(m)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタ(13)を作製し、キャリア移動度を測定した。キャリア移動度は、0.25cm2/Vsであった。結果を表1に表す。
露光工程まで実施した膜の露光部の厚さ(d1)を測定したところ、d1は、1004nmであった。
すなわち、未露光部の残膜率((d2/d1)×100)は、0%であり、露光部の残膜率((d3/d1)×100)は、0%であった。結果を表1に表す。
ポリビニルフェノール(アルドリッチ社製:製品番号436224)1.50g、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン(BAC−M:東洋合成工業株式会社製)45mg及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)8.50gを、20mLのサンプル瓶に入れ、撹拌して溶解することにより均一な塗布溶液(n)を調整した。
塗布溶液(a)に代えて塗布溶液(n)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタ(14)を作製し、キャリア移動度を測定した。キャリア移動度は、0.11cm2/Vsであった。結果を表1に表す。
次に、現像工程まで実施して得られた絶縁層の未露光部の厚さ(d2)及び露光部の厚さ(d3)、及び露光工程まで実施した膜の露光部の厚さ(d1)をそれぞれ測定した。
d2は、0nmであり、d3は、603nmであり、d1は、1021nmであった。
すなわち、未露光部の残膜率((d2/d1)×100)は、0%であり、露光部の残膜率((d3/d1)×100)は、59.1%であった。結果を表1に表す。
ポリ(4−メトキシスチレン)(Scientific Polymer Products,inc.製:製品番号314)1.50g、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン(BAC−M:東洋合成工業株式会社製)45mg及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)8.50gを、20mLのサンプル瓶に入れ、撹拌して溶解することにより均一な塗布溶液(o)を調整した。
塗布溶液(a)に代えて塗布溶液(o)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタ(15)を作製し、キャリア移動度を測定した。キャリア移動度は、0.073cm2/Vsであった。結果を表1に表す。
次に、現像工程まで実施して得られた絶縁層の未露光部の厚さ(d2)及び露光部の厚さ(d3)、及び露光工程まで実施した膜の露光部の厚さ(d1)をそれぞれ測定した。
d2は、0nmであり、d3は、994nmであり、d1は、1017nmであった。
すなわち、未露光部の残膜率((d2/d1)×100)は、0%であり、露光部の残膜率((d3/d1)×100)は、97.7%であった。結果を表1に表す。
ポリ(4−tert−ブチルスチレン)(アルドリッチ社製:製品番号369705)1.50g、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン(BAC−M:東洋合成工業株式会社製)45mg及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)8.50gを、20mLのサンプル瓶に入れ、撹拌して溶解することにより均一な塗布溶液(p)を調整した。
塗布溶液(a)に代えて塗布溶液(p)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタ(16)を作製し、キャリア移動度を測定した。キャリア移動度は、1.11cm2/Vsであった。結果を表1に表す。
露光工程まで実施した膜の露光部の厚さ(d1)を測定したところ、d1は、1147nmであった。
すなわち、未露光部の残膜率((d2/d1)×100)は、0%であり、露光部の残膜率((d3/d1)×100)は、0%であった。結果を表1に表す。
ポリ(α−メチルスチレン)(アルドリッチ社製:製品番号81520)1.50g、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン(BAC−M:東洋合成工業株式会社製)45mg及びトルエン(関東化学株式会社製)8.50gを、20mLのサンプル瓶に入れ、撹拌して溶解することにより均一な塗布溶液(q)を調整した。
塗布溶液(a)に代えて塗布溶液(q)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタ(17)を作製し、キャリア移動度を測定した。キャリア移動度は、0.66cm2/Vsであった。結果を表1に表す。
露光工程まで実施した膜の露光部の厚さ(d1)を測定したところ、d1は、980nmであった。
すなわち、未露光部の残膜率((d2/d1)×100)は、0%であり、露光部の残膜率((d3/d1)×100)は、0%であった。結果を表1に表す。
合成例3−1で得られた溶液(3−1)5.00g、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン(BAC−M:東洋合成工業株式会社製)45mg及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)5.00gを、20mLのサンプル瓶に入れ、撹拌して溶解することにより均一な塗布溶液(r)を調整した。
塗布溶液(a)に代えて塗布溶液(r)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタ(18)を作製し、キャリア移動度を測定した。キャリア移動度は、0.16cm2/Vsであった。結果を表1に表す。
露光工程まで実施した膜の露光部の厚さ(d1)を測定したところ、d1は、1055nmであった。
すなわち、未露光部の残膜率((d2/d1)×100)は、0%であり、露光部の残膜率((d3/d1)×100)は、0%であった。結果を表1に表す。
合成例3−2で得られた高分子化合物(3−2)1.50g、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン(BAC−M:東洋合成工業株式会社製)45mg及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)8.50gを、20mLのサンプル瓶に入れ、撹拌して溶解することにより均一な塗布溶液(s)を調整した。
塗布溶液(a)に代えて塗布溶液(s)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタ(19)を作製し、キャリア移動度を測定した。キャリア移動度は、0.29cm2/Vsであった。結果を表1に表す。
露光工程まで実施した膜の露光部の厚さ(d1)を測定したところ、d1は、1060nmであった。
すなわち、未露光部の残膜率((d2/d1)×100)は、0%であり、露光部の残膜率((d3/d1)×100)は、0%であった。結果を表1に表す。
ポリ(4−メトキシスチレン)(Scientific Polymer Products,inc.製:製品番号314)1.50g、2,6−ビス(4’−アジドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン(BAC−M:東洋合成工業株式会社製)15mg及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)(Alfa Aesar製)8.50gを、20mLのサンプル瓶に入れ、撹拌して溶解することにより均一な塗布溶液(t)を調整した。
塗布溶液(a)に代えて塗布溶液(t)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタ(20)を作製し、キャリア移動度を測定した。キャリア移動度は、0.22cm2/Vsであった。結果を表1に表す。
次に、現像工程まで実施して得られた絶縁層の未露光部の厚さ(d2)及び露光部の厚さ(d3)、及び露光工程まで実施した膜の露光部の厚さ(d1)をそれぞれ測定した。
d2は、0nmであり、d3は、608nmであり、d1は、963nmであった。
すなわち、未露光部の残膜率((d2/d1)×100)は、0%であり、露光部の残膜率((d3/d1)×100)は、63.1%であった。結果を表1に表す。
2…ゲート電極、
3…ゲート絶縁層、
4…有機半導体層、
5…ソース電極、
6…ドレイン電極、
7…オーバーコート層(保護層)、
10…有機薄膜トランジスタ。
Claims (13)
- 下記式(1)で表される繰り返し単位および式(2)で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも1つの繰り返し単位を含む高分子化合物とアジド基を少なくとも2つ有する化合物とを含有する感光性組成物であって、
前記高分子化合物に含まれる全ての繰り返し単位の合計量を100としたとき、l≧15かつl+m>90である感光性組成物。
(式(1)中、Ar1は、フェニル基又はナフチル基を表す。
Raは、下記式(3)で表される基である。Raが複数存在する場合、それらは同一であっても相異なっていてもよく、互いに結合して、それらが結合するAr1上の炭素原子とともに環を形成してもよい。
Rbは、水素原子、フッ素原子、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいナフチル基又は下記式(4)で表される基である。Rbが複数存在する場合、それらは同一であっても相異なっていてもよい。
Ar1がフェニル基のとき、iは1〜5の整数を表し、jは5−iの整数を表す。
Ar1がナフチル基のとき、iは1〜7の整数を表し、jは7−iの整数を表す。
X1は、水素原子又はメチル基を表す。
Rcは炭素原子数1〜20の2価の有機基、−O−で表される基又は−C(=O)−で表される基を表す。
kは0〜6の整数を表す。
式(2)中、Ar2は、フェニル基又はナフチル基を表す。
複数存在するRdは、水素原子、フッ素原子、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいナフチル基又は下記式(4)で表される基である。複数存在するRdは同一であっても相異なっていてもよい。
Ar2がフェニル基のとき、pは5を表す。
Ar2がナフチル基のとき、pは7を表す。
X2は、水素原子又はメチル基を表す。
Reは炭素原子数1〜20の2価の有機基、−O−で表される基又は−C(=O)−で表される基を表す。
qは0〜6の整数を表す。)
- 前記高分子化合物において、式(1)で表される繰り返し単位中のAr1がフェニル基である請求項1に記載の感光性組成物。
- 前記高分子化合物において、式(2)で表される繰り返し単位中のAr2がフェニル基である請求項1又は2に記載の感光性組成物。
- 前記式(1)で表される繰り返し単位において、Raで表される基がメチル基である請求項1〜3のいずれか一項に記載の感光性組成物。
- 前記式(1)で表される繰り返し単位において、kが0である請求項1〜4のいずれか一項に記載の感光性組成物。
- 前記アジド基を2つ以上有する化合物が下記式(5)で表される化合物である請求項1〜5のいずれか一項に記載の感光性組成物。
R1〜R8は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素原子数1〜5のアルキル基、炭素原子数1〜5のアルコキシ基又はSO3Mで表される基(Mは、水素原子、アルカリ金属原子、炭素原子数1〜10のアルキル基又はNRARBを表し、RAおよびRBは、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数1〜10のアルキル基、炭素原子数1〜10のヒドロキシアルキル基、炭素原子数1〜10のアルコキシアルキル基又は炭素原子数1〜10のヒドロキシアルコキシアルキル基を表す。)を表す。
Yは、単結合、−C(=O)−で表される基、−S−で表される基、炭素原子数1〜8のアルキレン基又は下記式(5−1)〜(5−4)のいずれか1つで表される二価の基(R9は、水素原子又は炭素原子数1〜10のアルキル基である。)を表す。)
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の感光性組成物および有機溶媒を含むインク。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の感光性組成物を硬化した膜。
- 請求項8に記載の膜を含む、電子デバイス。
- 請求項8に記載の膜を絶縁層として含む有機薄膜トランジスタ。
- 請求項8に記載の膜をゲート絶縁層として含む有機薄膜トランジスタ。
- 請求項7に記載のインクを対象材料に塗布し、膜を得る工程と、
前記膜を加熱し有機溶媒を除去する工程と、
前記有機溶媒を除去した膜を露光する工程と、を含む硬化膜の製造方法。 - 絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
請求項12に記載の製造方法で得られる硬化膜からなる絶縁層を形成する工程と、
ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を形成する工程と、
有機半導体層を形成する工程と、を含む有機薄膜トランジスタの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018021797A JP7013911B2 (ja) | 2018-02-09 | 2018-02-09 | 感光性組成物及び有機薄膜トランジスタ |
US16/269,165 US20190250510A1 (en) | 2018-02-09 | 2019-02-06 | Photosensitive composition and organic thin-film transistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018021797A JP7013911B2 (ja) | 2018-02-09 | 2018-02-09 | 感光性組成物及び有機薄膜トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019139052A true JP2019139052A (ja) | 2019-08-22 |
JP7013911B2 JP7013911B2 (ja) | 2022-02-01 |
Family
ID=67542294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018021797A Active JP7013911B2 (ja) | 2018-02-09 | 2018-02-09 | 感光性組成物及び有機薄膜トランジスタ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190250510A1 (ja) |
JP (1) | JP7013911B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58122531A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-21 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
JPS60165649A (ja) * | 1984-02-08 | 1985-08-28 | Sumitomo Chem Co Ltd | ネガ型フオトレジスト組成物 |
JPS61295548A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-26 | Toshiba Corp | ネガ型レジスト組成物 |
WO2017169866A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 日本ゼオン株式会社 | 感放射線性樹脂組成物及びレジスト |
-
2018
- 2018-02-09 JP JP2018021797A patent/JP7013911B2/ja active Active
-
2019
- 2019-02-06 US US16/269,165 patent/US20190250510A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58122531A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-21 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
JPS60165649A (ja) * | 1984-02-08 | 1985-08-28 | Sumitomo Chem Co Ltd | ネガ型フオトレジスト組成物 |
JPS61295548A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-26 | Toshiba Corp | ネガ型レジスト組成物 |
WO2017169866A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 日本ゼオン株式会社 | 感放射線性樹脂組成物及びレジスト |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190250510A1 (en) | 2019-08-15 |
JP7013911B2 (ja) | 2022-02-01 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211026 |
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