JPS60165649A - ネガ型フオトレジスト組成物 - Google Patents
ネガ型フオトレジスト組成物Info
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- JPS60165649A JPS60165649A JP2248684A JP2248684A JPS60165649A JP S60165649 A JPS60165649 A JP S60165649A JP 2248684 A JP2248684 A JP 2248684A JP 2248684 A JP2248684 A JP 2248684A JP S60165649 A JPS60165649 A JP S60165649A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- methylstyrene
- type photoresist
- negative type
- alpha
- compd
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
- G03C1/73—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705 containing organic compounds
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ネガ型フォトレジスト組成物に関するもので
ある。さらに詳しくは高感度、高解像度でかつ耐ドライ
エツチング性の高いネガ型フォトレジスト組成物に関す
るものである。
ある。さらに詳しくは高感度、高解像度でかつ耐ドライ
エツチング性の高いネガ型フォトレジスト組成物に関す
るものである。
アジド基を有する化合物を含む感光性樹脂組成物は８０
０〜５００ ｎｍの光照射によりアジド基が分解して生
じるナイトレンの反応により、光照射部の溶解度が変化
することをオリ用してネガ型フォトレジストとして用い
られている。この場合、通常環化ゴムが組み合わせて用
いられる。このネガ型フォトレジストはプリント配線用
銅張積層板、ＩＣやＬＳＩなどの集積回路製作を行なう
ときの写真食刻法のエツチング保護膜として利用されて
いる。
０〜５００ ｎｍの光照射によりアジド基が分解して生
じるナイトレンの反応により、光照射部の溶解度が変化
することをオリ用してネガ型フォトレジストとして用い
られている。この場合、通常環化ゴムが組み合わせて用
いられる。このネガ型フォトレジストはプリント配線用
銅張積層板、ＩＣやＬＳＩなどの集積回路製作を行なう
ときの写真食刻法のエツチング保護膜として利用されて
いる。
このうち集積回路については高集積化に伴なムを用いｔ
こネガ型フォトレジストは、有機溶媒による現像を行な
うｔこめ得られｒコバターンは膨潤が避けられず微細パ
ターン特に２μｍ以下の解像度を得るのは難かしい。
こネガ型フォトレジストは、有機溶媒による現像を行な
うｔこめ得られｒコバターンは膨潤が避けられず微細パ
ターン特に２μｍ以下の解像度を得るのは難かしい。
これに対してポジ型フォトレジスト特にナフトキノンジ
アジド化合物とノホラック樹脂を主成分とするポジ型フ
ォトレジストはこの解像力が著しく優れているという特
長を有するため集損回路の製作には、従来の環化ゴム系
ネガ型フォトレジストにかわり、広く用いられつつある
。
アジド化合物とノホラック樹脂を主成分とするポジ型フ
ォトレジストはこの解像力が著しく優れているという特
長を有するため集損回路の製作には、従来の環化ゴム系
ネガ型フォトレジストにかわり、広く用いられつつある
。
しかしながら、このようなポジ型フォトレジストにも種
々の欠点がある。基板との密着性に乏しいこと、レジス
ト皮膜がか１こくてもろい１こめ柔軟かつ緻密な薄膜を
得に＜＜、ピンホールが発生しやすいこと、ノボラック
樹脂の品質（力子量、分子量分布、構造など）のコント
ロールが難しく、このためレジスト性能のロット聞のバ
ラツキを規制しにくいことなどの他に、耐ドライエツチ
ング性の問題がある。
々の欠点がある。基板との密着性に乏しいこと、レジス
ト皮膜がか１こくてもろい１こめ柔軟かつ緻密な薄膜を
得に＜＜、ピンホールが発生しやすいこと、ノボラック
樹脂の品質（力子量、分子量分布、構造など）のコント
ロールが難しく、このためレジスト性能のロット聞のバ
ラツキを規制しにくいことなどの他に、耐ドライエツチ
ング性の問題がある。
一般に、レジストに要求される８大特性として「感度１
「解像度」「耐ドライエツチング性」か挙げられる。感
度はスルーブツトの向上に重要であり、解像度、耐ドラ
イエツチング性は集積度の向上に重要である。これらの
うちいずれの１つが欠けてももはやレジストとしては使
用できす、８者とも優れている必要がある。ポジ型フォ
］・レジストの場合、「感度」と１耐ドライエツチンク
性」は一般に相反する傾向にある。
「解像度」「耐ドライエツチング性」か挙げられる。感
度はスルーブツトの向上に重要であり、解像度、耐ドラ
イエツチング性は集積度の向上に重要である。これらの
うちいずれの１つが欠けてももはやレジストとしては使
用できす、８者とも優れている必要がある。ポジ型フォ
］・レジストの場合、「感度」と１耐ドライエツチンク
性」は一般に相反する傾向にある。
即ち例えば、感度を上げるｆこめにノボラック樹脂の分
子量を低くするとレジスト皮膜の耐熱性が急くなりその
結果、耐ドライエツチング性が損なわれる。逆に耐ドラ
イエツチング性を改良一方、こうしたポジ型フォトレジ
ストに対しテ前述の環化ゴム系のネガ型フォトレジスト
の場合「感度」と「解像度」が相反する傾向にある。即
ち環化ゴムの分子量の上昇と共に感度は上がるが、現像
時の膨潤による解像度の低下が著しくなる。逆に環化ゴ
ムの分子量が低いと膨潤は少ないが感度は低い。
子量を低くするとレジスト皮膜の耐熱性が急くなりその
結果、耐ドライエツチング性が損なわれる。逆に耐ドラ
イエツチング性を改良一方、こうしたポジ型フォトレジ
ストに対しテ前述の環化ゴム系のネガ型フォトレジスト
の場合「感度」と「解像度」が相反する傾向にある。即
ち環化ゴムの分子量の上昇と共に感度は上がるが、現像
時の膨潤による解像度の低下が著しくなる。逆に環化ゴ
ムの分子量が低いと膨潤は少ないが感度は低い。
こういった［感度」と「解像度」の相反現象を除けば、
一般にネガ型フォトレジストはポジ型フォトレジストに
比べ感度や耐ドライエツチング性は良好であり、また基
板との密着性もよく、かつ柔軟な皮膜のため艮好な皮膜
性能を有する。
一般にネガ型フォトレジストはポジ型フォトレジストに
比べ感度や耐ドライエツチング性は良好であり、また基
板との密着性もよく、かつ柔軟な皮膜のため艮好な皮膜
性能を有する。
本発明者らはこれらの点に鑑み、現状のネガ型フォトレ
ジストのもつ数々の優れた特性を保持しつつ、その欠点
、特に解像度を改良することを目的に鋭意検討し１こ結
果、ポリヒドロキシ−α−メチルスチレンおよびＡたは
ヒドロキシ−α−メチルスチレン共重合体と、感光剤と
して８００〜５ Ｑ Ｑ ｎｎｉの紫外光に感度を有す
る芳香族アジド化合物を組み合わせることにより、これ
らの目的が達成しうろことを見い出し、本発明に至った
。
ジストのもつ数々の優れた特性を保持しつつ、その欠点
、特に解像度を改良することを目的に鋭意検討し１こ結
果、ポリヒドロキシ−α−メチルスチレンおよびＡたは
ヒドロキシ−α−メチルスチレン共重合体と、感光剤と
して８００〜５ Ｑ Ｑ ｎｎｉの紫外光に感度を有す
る芳香族アジド化合物を組み合わせることにより、これ
らの目的が達成しうろことを見い出し、本発明に至った
。
本発明のネガ型フォトレジストはアルカリ性水溶液で現
像することにより、レジスト膜の非照射部分を除去して
フォトレジストパターン）ｒ形成する。現像に有機溶剤
を用いないため、膨潤がおさえられ、高解像度のシャー
プなパターンが得られる。
像することにより、レジスト膜の非照射部分を除去して
フォトレジストパターン）ｒ形成する。現像に有機溶剤
を用いないため、膨潤がおさえられ、高解像度のシャー
プなパターンが得られる。
即ち本発明はポリヒドロキシ−ａ−メチルスチレンおよ
び／ま１こはポリヒドロキシ−α−メチルスチレン共重
合体、並びに感光剤として８００〜５００ ｕｍの紫外
光に感度を有する芳香族アジド化合物を含むネガ型フォ
トレジスト組成物に関するものである。
び／ま１こはポリヒドロキシ−α−メチルスチレン共重
合体、並びに感光剤として８００〜５００ ｕｍの紫外
光に感度を有する芳香族アジド化合物を含むネガ型フォ
トレジスト組成物に関するものである。
本発明に用いられるポリヒドロキシ−α−メチルスチレ
ンとは下肥式で表わされる繰り返し単位を有するイソプ
ロペニルフェノールの重合体である。イソプロペニルフ
ェノールを単量体とする Ｈ３ 鵞 ０■ 重合体は例えば特公昭４８−１６０６１号公報、特開昭
５２−５０８９８号公報あるいはドイツ特許第１，００
４，１６８号などに開示されている。
ンとは下肥式で表わされる繰り返し単位を有するイソプ
ロペニルフェノールの重合体である。イソプロペニルフ
ェノールを単量体とする Ｈ３ 鵞 ０■ 重合体は例えば特公昭４８−１６０６１号公報、特開昭
５２−５０８９８号公報あるいはドイツ特許第１，００
４，１６８号などに開示されている。
それらはいずれも分子量が３００乃至８０００程度の低
分子量重合体である。さらに特開昭５６−１６１４１２
では重量平均分子量が５Ｘ１０’乃至５×１０ の高分
子量重合体について記述されている。このうち本発明に
用いるのに好適なポリヒドロキシ−α−メチルスチレン
は、単分散ポリスチレンを標準とするゲル／”Ｐ−ｉニ
ージョンクロマト法によりめ１こ重量平均分子量がａ、
ｏ ｏ ｏ Ｎｔ ｏ ｏ、ｏ ｏ ｏのものである。
分子量重合体である。さらに特開昭５６−１６１４１２
では重量平均分子量が５Ｘ１０’乃至５×１０ の高分
子量重合体について記述されている。このうち本発明に
用いるのに好適なポリヒドロキシ−α−メチルスチレン
は、単分散ポリスチレンを標準とするゲル／”Ｐ−ｉニ
ージョンクロマト法によりめ１こ重量平均分子量がａ、
ｏ ｏ ｏ Ｎｔ ｏ ｏ、ｏ ｏ ｏのものである。
この範囲のものを用いると「感度」「解像度」など良好
なレジスト性能をもつネガ型フォトレジストが得られる
。才たヒドロキシ−α−メチルスチレン共重合体中のヒ
ドロキシ−α−メチルスチレンの含１Ｍは一般に２０モ
ル饅以上の範囲が好ましい。共重合可能な相手モノマー
（コモノマー）としては、共重合体かアルカリ現像可能
であり、レジスト組成物に用いられる溶剤に可溶であり
、まＴこレジスト組成物の他の成分と相溶性のよいもの
であればいかなる組み合わせでもまい。このようなコモ
ノマーの例としては、スチレン、ヒドロキシスチレン、
α−メチルスチレン等のスチレン糸誘導体、アクリル酸
、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブ
チル等のアクリル酸誘導体、メタアクリル酸メチル、メ
タアクリル酸エチル、メタアクリル酸ブチル等のメタア
クリル酸誘導体などがあげられる。またヒドロキシ−ａ
−メチルスチレン共重合体としても、単分散ポリスチレ
ンを標準とするゲルパーミェーションクロマト法により
め１こ重量平均分子量がａ、ｏｏｏ〜１００，０００の
ものが好ましい。
なレジスト性能をもつネガ型フォトレジストが得られる
。才たヒドロキシ−α−メチルスチレン共重合体中のヒ
ドロキシ−α−メチルスチレンの含１Ｍは一般に２０モ
ル饅以上の範囲が好ましい。共重合可能な相手モノマー
（コモノマー）としては、共重合体かアルカリ現像可能
であり、レジスト組成物に用いられる溶剤に可溶であり
、まＴこレジスト組成物の他の成分と相溶性のよいもの
であればいかなる組み合わせでもまい。このようなコモ
ノマーの例としては、スチレン、ヒドロキシスチレン、
α−メチルスチレン等のスチレン糸誘導体、アクリル酸
、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブ
チル等のアクリル酸誘導体、メタアクリル酸メチル、メ
タアクリル酸エチル、メタアクリル酸ブチル等のメタア
クリル酸誘導体などがあげられる。またヒドロキシ−ａ
−メチルスチレン共重合体としても、単分散ポリスチレ
ンを標準とするゲルパーミェーションクロマト法により
め１こ重量平均分子量がａ、ｏｏｏ〜１００，０００の
ものが好ましい。
ポリヒドロキシ−α−メチルスチレンおよび／またはヒ
ドロキシ−ａ−メチルスチレン共重合体は、その重合形
態から見ても品質安定性の面で優ねている。即ちフェノ
ールポルムアルデヒドノボラック樹脂などと異なり、ビ
ニル重合であるｔこめ品質のコントロールがより容易で
ある。
ドロキシ−ａ−メチルスチレン共重合体は、その重合形
態から見ても品質安定性の面で優ねている。即ちフェノ
ールポルムアルデヒドノボラック樹脂などと異なり、ビ
ニル重合であるｔこめ品質のコントロールがより容易で
ある。
次に感光剤について述べる。本発明に用いられる芳香族
アジド化合物としては１分子中に少なくとも１個の芳香
族アジド基をもつもので、かつ８００〜５υｌ ｎｍの
紫外光照射にぼりアジド基が分解し、効率よくナイトレ
ンが生成するものが好適である。具体的にはアジドピレ
ン、４−アジドベンサルアセトフェノン、４−アジドベ
ンサル−４−メチルアセトフェノン、４゜４−ジアジド
カルコン、２．６−ヒス（４−アジドベンサル）シクロ
ヘキサノン、２，６−ビス（４−アシドベンザル）４−
メチルシクロヘキサノン、２．６−ビス（４−アジドベ
ンザル）アセトフェノン、ｌ、８−ヒス（４−アジドベ
ンサル）２−プロパノン、ｔ、ａ−ビス（４′−アジド
シンナミリテ゛ン）２−プロパノン、１Ｉａ−ヒス（４
−アジドベンザル）２−プロパノン−２−スルホン酸、
４ 、４’−ジアジドスチルベン−２，２−ジスルホン
酸、ｔ、ａ−ビス（４−アジドベンザル）２−プロパノ
ン−２′２′−ジスルホン＆、２．６−ヒス（４′−ア
ジドベンザル）シクロへキサノン−２，２′−ジスルホ
ン酸などが挙げられる。
アジド化合物としては１分子中に少なくとも１個の芳香
族アジド基をもつもので、かつ８００〜５υｌ ｎｍの
紫外光照射にぼりアジド基が分解し、効率よくナイトレ
ンが生成するものが好適である。具体的にはアジドピレ
ン、４−アジドベンサルアセトフェノン、４−アジドベ
ンサル−４−メチルアセトフェノン、４゜４−ジアジド
カルコン、２．６−ヒス（４−アジドベンサル）シクロ
ヘキサノン、２，６−ビス（４−アシドベンザル）４−
メチルシクロヘキサノン、２．６−ビス（４−アジドベ
ンザル）アセトフェノン、ｌ、８−ヒス（４−アジドベ
ンサル）２−プロパノン、ｔ、ａ−ビス（４′−アジド
シンナミリテ゛ン）２−プロパノン、１Ｉａ−ヒス（４
−アジドベンザル）２−プロパノン−２−スルホン酸、
４ 、４’−ジアジドスチルベン−２，２−ジスルホン
酸、ｔ、ａ−ビス（４−アジドベンザル）２−プロパノ
ン−２′２′−ジスルホン＆、２．６−ヒス（４′−ア
ジドベンザル）シクロへキサノン−２，２′−ジスルホ
ン酸などが挙げられる。
これらの感光剤の、ポリヒドロキシ−α−メチルスチレ
ンおよび／４ｒこはヒドロキシ−α−メチルそチレン共
重合体に対する混合割合は感光剤の糧類やポリヒドロキ
シ−α−メチルスチレンおよび／まｔこはヒドロキシ−
α−メチルスチレン共重合体との組み合わせにもよるが
、概ね１〜５０重量％の範囲で用いるのがよい。
ンおよび／４ｒこはヒドロキシ−α−メチルそチレン共
重合体に対する混合割合は感光剤の糧類やポリヒドロキ
シ−α−メチルスチレンおよび／まｔこはヒドロキシ−
α−メチルスチレン共重合体との組み合わせにもよるが
、概ね１〜５０重量％の範囲で用いるのがよい。
以上の各成分を溶剤に溶かしてレジスト液を調製する。
ここで用いる溶剤はレジスト中の各成分を均一に溶解し
、がっ適当な乾燥速度で溶剤が蒸発した後、均一で平清
な塗膜を与えるものがよい。そのようなものとしてはメ
チルセロソルフ、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ
アセテ−１・、エチルセロソルフアセテート、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルゲトン、シクロヘキサノン等があげられる。あるいは
これらの混合物も用いられる。
、がっ適当な乾燥速度で溶剤が蒸発した後、均一で平清
な塗膜を与えるものがよい。そのようなものとしてはメ
チルセロソルフ、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ
アセテ−１・、エチルセロソルフアセテート、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルゲトン、シクロヘキサノン等があげられる。あるいは
これらの混合物も用いられる。
以上のネカ型フォトレジスト組成物は、レジスト性能に
悪影智を及ぼさない範囲で少量の付加的な樹脂、可塑剤
、染料などが添加されていてもよい。
悪影智を及ぼさない範囲で少量の付加的な樹脂、可塑剤
、染料などが添加されていてもよい。
以上説明し１こ本発明のフォトレジスト組成物は高感度
で耐ドライエツチング性に優れ、かつ現像にアルカリ性
水溶液を用いることにより膨潤がおさえられ、シャープ
なレジストパターンか高解像度で得られる。この優れ１
こ特性をオリ用して１μｍ程度のパターンを刊する大規
模集和回路のほか、シャドーマスク加工、ＣＯＤ用カラ
ーフィルター加工、プリント配線加工、ＰＳ平版をはじ
め各種用途に用いることができる。
で耐ドライエツチング性に優れ、かつ現像にアルカリ性
水溶液を用いることにより膨潤がおさえられ、シャープ
なレジストパターンか高解像度で得られる。この優れ１
こ特性をオリ用して１μｍ程度のパターンを刊する大規
模集和回路のほか、シャドーマスク加工、ＣＯＤ用カラ
ーフィルター加工、プリント配線加工、ＰＳ平版をはじ
め各種用途に用いることができる。
以下に本発明を実権例により具体的に説明するが、もち
ろん本発明はこれらに限定されるものではない。
ろん本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１
■ポリメタヒドロキシーα−メチルスチレン １１（Ｍ
量平均分子量：約８０００） ■２．６−ヒス（４′−アジドベンサル）４−メチルシ
クロへキサノン ０．０７Ｆｆ ■工チルセロソルブアセテート８５’ 上記組成物を０２μｍのフィルターで沖過しレジスト液
を調製した。これを常法によって洗浄したシリコンウニ
／）−に回転塗布機を用いて塗布した。これを８０℃の
クリーンオーブンに入れ８０分間乾燥しｔこ。得られり
塗膜の膜厚は１．０μｍであった。ついで８５０Ｗの超
高圧水銀灯を光源とするコンタクトマスクアライナ−を
用い最小線幅１．０μｍを有するマスクを通して５秒間
露光しｔこ。これをテトラメチルアンモニウムノＡイド
ロオキサイドの２．８８ ％水溶液で現像し、非露光部
分を溶解除去し１こ。現像後顕微鏡によりパターン観察
したところ１．０７１ｍのパターンが再現性よく高精度
で形成されてい１こ。
量平均分子量：約８０００） ■２．６−ヒス（４′−アジドベンサル）４−メチルシ
クロへキサノン ０．０７Ｆｆ ■工チルセロソルブアセテート８５’ 上記組成物を０２μｍのフィルターで沖過しレジスト液
を調製した。これを常法によって洗浄したシリコンウニ
／）−に回転塗布機を用いて塗布した。これを８０℃の
クリーンオーブンに入れ８０分間乾燥しｔこ。得られり
塗膜の膜厚は１．０μｍであった。ついで８５０Ｗの超
高圧水銀灯を光源とするコンタクトマスクアライナ−を
用い最小線幅１．０μｍを有するマスクを通して５秒間
露光しｔこ。これをテトラメチルアンモニウムノＡイド
ロオキサイドの２．８８ ％水溶液で現像し、非露光部
分を溶解除去し１こ。現像後顕微鏡によりパターン観察
したところ１．０７１ｍのパターンが再現性よく高精度
で形成されてい１こ。
実姫例２
■ポリメタヒドロキシーα−メチルスチレン １５４（
Ｍ量平均分子量：約５０００） Ｌ’ｌ！＞ ２ 、６−ビス（４−アジドベンサルコシ
クロヘキサノン ０．１１ ■シクロヘキサノン ５ｙ− 上記組成物を０．２μｍのフィルターで沖過し、実権例
１と同様の方法でシリコンウェハー）上に塗布し１こと
ころ膜厚０．９μｍの、ヒンホールのない柔軟な皮膜が
得られた。その後露光、現像を行なつＴごところ１．０
μｍのパターンが高精度で形成されていた。
Ｍ量平均分子量：約５０００） Ｌ’ｌ！＞ ２ 、６−ビス（４−アジドベンサルコシ
クロヘキサノン ０．１１ ■シクロヘキサノン ５ｙ− 上記組成物を０．２μｍのフィルターで沖過し、実権例
１と同様の方法でシリコンウェハー）上に塗布し１こと
ころ膜厚０．９μｍの、ヒンホールのない柔軟な皮膜が
得られた。その後露光、現像を行なつＴごところ１．０
μｍのパターンが高精度で形成されていた。
実施例８
■ポリメタヒドロキシ−ミーメチルスチレン １１（ｌ
量平均分子量：約ｔｏ、ｏｏｏ） （♀）２，６−ビス（４−アシドベンサル）４−メチル
シクロへキサノン ０．０１’ 上記組成物を０．２μｍのフィルターで沖過し、実施例
１と同様の方法でシリコンウエノ１−．ｈ−に塗布し露
光、現像した。１．０μｍのツマターンが高精度で形成
されていた。
量平均分子量：約ｔｏ、ｏｏｏ） （♀）２，６−ビス（４−アシドベンサル）４−メチル
シクロへキサノン ０．０１’ 上記組成物を０．２μｍのフィルターで沖過し、実施例
１と同様の方法でシリコンウエノ１−．ｈ−に塗布し露
光、現像した。１．０μｍのツマターンが高精度で形成
されていた。
実権例４
■メタヒドロキシーα−メチルスチレン共Ｍ合体 ｔｙ
（ｙ ２ ＋ ６−ビス（４′−アジドベンサル）シク
ロヘキサ、２ ０．０５Ｐ ■エチルセ１〕ソルブアセテート １（１上記組成物を
０．２μｍのフィルターで沖過し、実権例１と同様の方
法でシリコンウエノ１−．ｈに塗布し、無光、現像し１
こ。１．０μｍ（Ｄパターンが高精度で形成されていた
。
（ｙ ２ ＋ ６−ビス（４′−アジドベンサル）シク
ロヘキサ、２ ０．０５Ｐ ■エチルセ１〕ソルブアセテート １（１上記組成物を
０．２μｍのフィルターで沖過し、実権例１と同様の方
法でシリコンウエノ１−．ｈに塗布し、無光、現像し１
こ。１．０μｍ（Ｄパターンが高精度で形成されていた
。
Claims (1)
- ポリヒドロキシ−α−メチルスチレンおよび／ｉｆこは
ヒドロキシ−α−メチルスチレン共重合体、並びに感光
剤として８００〜５００ ｎｍの紫外光に感度を有する
芳香族アジド化合物を含むネガ型フォトレジスト組成物
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2248684A JPS60165649A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | ネガ型フオトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2248684A JPS60165649A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | ネガ型フオトレジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60165649A true JPS60165649A (ja) | 1985-08-28 |
Family
ID=12084055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2248684A Pending JPS60165649A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | ネガ型フオトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60165649A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019139052A (ja) * | 2018-02-09 | 2019-08-22 | 住友化学株式会社 | 感光性組成物及び有機薄膜トランジスタ |
-
1984
- 1984-02-08 JP JP2248684A patent/JPS60165649A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019139052A (ja) * | 2018-02-09 | 2019-08-22 | 住友化学株式会社 | 感光性組成物及び有機薄膜トランジスタ |
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