JPS62299841A - レジスト - Google Patents
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- JPS62299841A JPS62299841A JP14139186A JP14139186A JPS62299841A JP S62299841 A JPS62299841 A JP S62299841A JP 14139186 A JP14139186 A JP 14139186A JP 14139186 A JP14139186 A JP 14139186A JP S62299841 A JPS62299841 A JP S62299841A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
- G03F7/012—Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0125—Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binder or the macromolecular additives other than the macromolecular azides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔概 要〕
α−メチルスチレン／無水マレイン酸交互共重合体に熱
架橋剤としてのアジド化合物を混合することによって、
得られるレジストの高感度化を計ることができる。この
レジストは解像性がすぐれているので、半導体装置製造
の微細加工プロセスにおいて有利に使用することができ
る。
架橋剤としてのアジド化合物を混合することによって、
得られるレジストの高感度化を計ることができる。この
レジストは解像性がすぐれているので、半導体装置製造
の微細加工プロセスにおいて有利に使用することができ
る。
本発明はレジストに関する。本発明は、さらに詳しく述
べると、特に電子線などのような高エネルギ輻射線に対
して感度を有している、換言すると、高エネルギ輻射線
露光用のレジストに関する。
べると、特に電子線などのような高エネルギ輻射線に対
して感度を有している、換言すると、高エネルギ輻射線
露光用のレジストに関する。
集積回路、大規模集積回路等の半導体装置を製造するた
め、いろいろなタイプの高エネルギ輻射線露光用のレジ
ストが開発及び使用されている。
め、いろいろなタイプの高エネルギ輻射線露光用のレジ
ストが開発及び使用されている。
なかんずく、電子線露光用のα−メチルスチレン／無水
マレイン酸交互共重合体は、その無秩序共重合体に比べ
て感度及び解像性がすぐれていることが確かめられてい
る（Ｐｏｌｙｍｅｒ、 ２５．１０８７−１０８９（１
，９８４）） 、このレジストは、電子線照射の結果と
して、感度は低いが高解像性のポジのレジストパターン
を形成することができる。
マレイン酸交互共重合体は、その無秩序共重合体に比べ
て感度及び解像性がすぐれていることが確かめられてい
る（Ｐｏｌｙｍｅｒ、 ２５．１０８７−１０８９（１
，９８４）） 、このレジストは、電子線照射の結果と
して、感度は低いが高解像性のポジのレジストパターン
を形成することができる。
α−メチルスチレン／無水マレイン酸交互共重合体から
なるレジストは高集積化に対し十分に満足し得る解像性
を有している。しかし、パターンの微細化が進むにつれ
てスルーブツトが問題となっており、高解像性をそのま
一保持し、かつ高感度のポジレジストが望まれている。
なるレジストは高集積化に対し十分に満足し得る解像性
を有している。しかし、パターンの微細化が進むにつれ
てスルーブツトが問題となっており、高解像性をそのま
一保持し、かつ高感度のポジレジストが望まれている。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明者らは、この技術分野においてフォトレジスト用
の感光側あるいは増感剤として屡々用いられているアジ
ド化合物を熱架橋剤として上記α−メチルスチレン／無
水マレイン酸交互共重合体に加えた場合、得られるポジ
レジストの解像性を損なうことなく高感度化を計り得る
ということを見い出した。
の感光側あるいは増感剤として屡々用いられているアジ
ド化合物を熱架橋剤として上記α−メチルスチレン／無
水マレイン酸交互共重合体に加えた場合、得られるポジ
レジストの解像性を損なうことなく高感度化を計り得る
ということを見い出した。
本発明において使用するα−メチルスチレン／無水マレ
イン酸交互共重合体は通常の技法に従って製造すること
ができる。例えば、重合容器にα−メチルスチレンと無
水マレイン酸を装ｆｌし、＾ＩＢＮ；２．２’−アゾビ
ス（２−メチルプロピオニトリル）を開始剤としてＤＭ
Ｆ 、ジメチルボルムアミド中で重合させることができ
る。重合温度は好ましくは７０℃の近傍であり、１００
”ｃを−Ｆ廻ると共重合体のランダム化がひきおこされ
るであろう。
イン酸交互共重合体は通常の技法に従って製造すること
ができる。例えば、重合容器にα−メチルスチレンと無
水マレイン酸を装ｆｌし、＾ＩＢＮ；２．２’−アゾビ
ス（２−メチルプロピオニトリル）を開始剤としてＤＭ
Ｆ 、ジメチルボルムアミド中で重合させることができ
る。重合温度は好ましくは７０℃の近傍であり、１００
”ｃを−Ｆ廻ると共重合体のランダム化がひきおこされ
るであろう。
熱架橋剤として有利に使用することのできるアジド化合
物は、例えば、次のような化合物である。
物は、例えば、次のような化合物である。
４．４′−ジアジドジフェニルスルボン：（〕
４．４′−ジアジドベンゾフェノン：
υ
４．４′−ジアジドカルコン
〔〕
２．６−ビス（４′−アジドベンザル）シクロヘキサノ
ンＣＨ。
ンＣＨ。
１．３−ビス（４′−アジドベンザル）−２−プロパノ
ン２．６−ピスー←４′−アジドシンナマル→−シクロ
へキザノンさらに、アジドポリマーも必要に応じて使用
可能である。
ン２．６−ピスー←４′−アジドシンナマル→−シクロ
へキザノンさらに、アジドポリマーも必要に応じて使用
可能である。
これら以外のアジド化合物も必要に応じて使用し得るこ
とはもちろんである。このようなアジド化金物は、レジ
スト組成物の全量を基準にして約５〜２０重量％の量で
使用するのが好ましい。アジド化合物の添加量が少なす
ぎると所期の高感度化を達成することができず、また、
反対にアジド化金物が多すぎると、レジストのネガ化が
起こるであろう、また十分な相溶性が得られず、アジド
が析出することもある。
とはもちろんである。このようなアジド化金物は、レジ
スト組成物の全量を基準にして約５〜２０重量％の量で
使用するのが好ましい。アジド化合物の添加量が少なす
ぎると所期の高感度化を達成することができず、また、
反対にアジド化金物が多すぎると、レジストのネガ化が
起こるであろう、また十分な相溶性が得られず、アジド
が析出することもある。
レジスト組成物は、上記の２成分に加えて、常用の添加
剤、例えば染料、顔料、表面活性剤、可塑剤、安定剤等
を任意に含有することができ、そして適当な塗布溶媒に
溶解することができる。
剤、例えば染料、顔料、表面活性剤、可塑剤、安定剤等
を任意に含有することができ、そして適当な塗布溶媒に
溶解することができる。
本発明のレジストでは、それを塗布後、約２００℃の温
度でベータすることによって架橋させることができる。
度でベータすることによって架橋させることができる。
架橋密度が大となると、不溶化し、より強い現像剤を使
用できるので、露光域及び非霞光域の差をとりやすくな
り、したがって、感度を増大させることができる。
用できるので、露光域及び非霞光域の差をとりやすくな
り、したがって、感度を増大させることができる。
以下、本発明の好ましい例のいくつかを説明する。
重合体の製造
４１３．５ ｇのα−メチルスチレン及び３４３ｇの無
水マレイン酸を重合容器に装填した。この混合物に０．
３ｇのＡＩＢＮをさらに添加し、ＤＭＦ中で７０℃で重
合させた。重合時間は２４時間であった。得られた共重
合体は上記の交互共重合体に一致し、そしてＭｗ−２０
，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝４．５であった。
水マレイン酸を重合容器に装填した。この混合物に０．
３ｇのＡＩＢＮをさらに添加し、ＤＭＦ中で７０℃で重
合させた。重合時間は２４時間であった。得られた共重
合体は上記の交互共重合体に一致し、そしてＭｗ−２０
，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝４．５であった。
例λ−（、比２較−例）
前記例１で製造した共重合体を塗布溶媒、ＭＣＡ（メチ
ルセロソルブアセテート）に溶解してレジスト溶液を調
製し、シリコンウェハ上に１μ−の膜厚でスピンコード
し、２００℃で６０分間にわたってベークし、電子線（
２０にＶ）で露光した。その後、１．４−ジオキサンで
パターニングしたところ、感度６Ｘ１０−’Ｃ／−のポ
ジレジストパターンが得られた。解像度は１．０μ麺ラ
イン＆スペースであった。
ルセロソルブアセテート）に溶解してレジスト溶液を調
製し、シリコンウェハ上に１μ−の膜厚でスピンコード
し、２００℃で６０分間にわたってベークし、電子線（
２０にＶ）で露光した。その後、１．４−ジオキサンで
パターニングしたところ、感度６Ｘ１０−’Ｃ／−のポ
ジレジストパターンが得られた。解像度は１．０μ麺ラ
イン＆スペースであった。
例の場合、前記例１の共重合体に組み合わせて５〜１０
重量％の４，４′−ジアジドジフェニルスルホンを使用
し、また、電子線露光後、ＭＥＫ （メチルエチルケト
ン）／１．４−ジオキサン（３／７）でパターニングし
た。感度３〜５Ｘ１０−’Ｃ／ｃｄのポジレジストパタ
ーンが得られた。解像度は１．０μ麺ライン＆スペース
であった。
重量％の４，４′−ジアジドジフェニルスルホンを使用
し、また、電子線露光後、ＭＥＫ （メチルエチルケト
ン）／１．４−ジオキサン（３／７）でパターニングし
た。感度３〜５Ｘ１０−’Ｃ／ｃｄのポジレジストパタ
ーンが得られた。解像度は１．０μ麺ライン＆スペース
であった。
貫−↓
前記例２に記載の手法を繰り返した。但し、本例の場合
、前記例１の共重合体に組み合わせて５〜１５重量％の
４．４′−ジアジドベンゾフェノンを使用し、また、電
子線露光後、ＭＥＫ／１．４−ジオキサン（４／６）で
パターニングした。感度２〜５ Ｘ １０−’ Ｃ／ａ
ｄのポジレジストパターンが得られた。解像度は１．０
μ麺ライン＆スペースであった。
、前記例１の共重合体に組み合わせて５〜１５重量％の
４．４′−ジアジドベンゾフェノンを使用し、また、電
子線露光後、ＭＥＫ／１．４−ジオキサン（４／６）で
パターニングした。感度２〜５ Ｘ １０−’ Ｃ／ａ
ｄのポジレジストパターンが得られた。解像度は１．０
μ麺ライン＆スペースであった。
本発明によれば、解像性を損なうことなく高感度化する
ことが可能になり、実用に適したポジ型のレジストパタ
ーンを得ることができる。
ことが可能になり、実用に適したポジ型のレジストパタ
ーンを得ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、α−メチルスチレン／無水マレイン酸交互共重合体
と、熱架橋剤としてのアジド化合物とを含んでなること
を特徴とするレジスト。 ２、前記アジド化合物が４、４′−ジアジドジフェニル
スルホンである、特許請求の範囲第１項に記載のレジス
ト。 ３、前記アジド化合物が４、４′−ジアジドベンゾフェ
ノンである、特許請求の範囲第１項に記載のレジスト。 ４、電子線露光用レジストである、特許請求の範囲第１
項〜第３項のいずれか１項に記載のレジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14139186A JPS62299841A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | レジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14139186A JPS62299841A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | レジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62299841A true JPS62299841A (ja) | 1987-12-26 |
Family
ID=15290900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14139186A Pending JPS62299841A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | レジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62299841A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03271744A (ja) * | 1990-03-22 | 1991-12-03 | Chisso Corp | 光硬化性樹脂組成物 |
| CN106632921A (zh) * | 2015-10-31 | 2017-05-10 | 罗门哈斯电子材料有限责任公司 | 嵌段共聚物和图案处理组合物以及方法 |
-
1986
- 1986-06-19 JP JP14139186A patent/JPS62299841A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03271744A (ja) * | 1990-03-22 | 1991-12-03 | Chisso Corp | 光硬化性樹脂組成物 |
| CN106632921A (zh) * | 2015-10-31 | 2017-05-10 | 罗门哈斯电子材料有限责任公司 | 嵌段共聚物和图案处理组合物以及方法 |
| CN106632921B (zh) * | 2015-10-31 | 2019-08-20 | 罗门哈斯电子材料有限责任公司 | 嵌段共聚物和图案处理组合物以及方法 |
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