JPS60140234A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS60140234A JPS60140234A JP58245286A JP24528683A JPS60140234A JP S60140234 A JPS60140234 A JP S60140234A JP 58245286 A JP58245286 A JP 58245286A JP 24528683 A JP24528683 A JP 24528683A JP S60140234 A JPS60140234 A JP S60140234A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- cross
- methylstyrene
- methacrylic acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は電子線（以下、ＥＢと記す）リソグラフィーに
関する。本発明線、さらに詳しく述べると、特に熱架橋
分解型の重合体レジストをＥＢでノ９ターニングしてポ
ジＩ４ターンを形成する方法に関する。
関する。本発明線、さらに詳しく述べると、特に熱架橋
分解型の重合体レジストをＥＢでノ９ターニングしてポ
ジＩ４ターンを形成する方法に関する。
技術の背景
半導体装置の製造において、サラミクロンのオーダーの
加工技術が注目され、そしてかかる微細加工のためにＩ
Ｂリソグラフィーが多用されていることは周知の通シで
ある。ＥＢリソグラフィーでは、種々の重合体レジスト
を用いて／４ターン形成が行なわれている。
加工技術が注目され、そしてかかる微細加工のためにＩ
Ｂリソグラフィーが多用されていることは周知の通シで
ある。ＥＢリソグラフィーでは、種々の重合体レジスト
を用いて／４ターン形成が行なわれている。
現在、ポジパターンを形成するだめのレジスト、すなわ
ち、ポジレジストとして広く研究され、実用化されてい
るものに熱架橋分解型のポジレジストがある。このタイ
プのレジストは、一般に、耐プラズマ性にすぐれ、強い
現像液を用いることができるので見かけの感度を上げや
すく、そして高い解像力を有する。ところが、このよう
なレジストを実際に使用するとなると、架橋剤として組
み合わせ使用する共重合体又は三成分共重合体との相溶
性が問題となシ、いきおい使用することのできるレジス
ト−架橋剤の組み合わせが限定されてしまう。さらに加
えて、レジストを基板に塗布する際に使用する塗布溶剤
の選択も難かしく、レジストの分子量、共重合比等の正
確なコントロールも必要である。
ち、ポジレジストとして広く研究され、実用化されてい
るものに熱架橋分解型のポジレジストがある。このタイ
プのレジストは、一般に、耐プラズマ性にすぐれ、強い
現像液を用いることができるので見かけの感度を上げや
すく、そして高い解像力を有する。ところが、このよう
なレジストを実際に使用するとなると、架橋剤として組
み合わせ使用する共重合体又は三成分共重合体との相溶
性が問題となシ、いきおい使用することのできるレジス
ト−架橋剤の組み合わせが限定されてしまう。さらに加
えて、レジストを基板に塗布する際に使用する塗布溶剤
の選択も難かしく、レジストの分子量、共重合比等の正
確なコントロールも必要である。
発明の目的
本発明の目的は、熱架橋分解屋重合体レジストをＥＢで
ノ４ターニングしてポジツヤターンを形成する方法であ
って、使用する架橋剤や塗布溶剤の選択が容易であシ、
レジストの分子量や共重合比のコントロールも特に要求
されないような改良されたパターン形成方法を提供する
ことにおる。
ノ４ターニングしてポジツヤターンを形成する方法であ
って、使用する架橋剤や塗布溶剤の選択が容易であシ、
レジストの分子量や共重合比のコントロールも特に要求
されないような改良されたパターン形成方法を提供する
ことにおる。
発明の構成
本発明者は、このたび、α−メチルスチレンとメタクリ
ル酸の共重合体を熱架橋分解型重合体レジストとして使
用しかつこれと組み合わせて架橋剤としてのカル？ニル
基含有又はカルボキシル基含有モノ−又はビスアジド化
合物を使用することによって所期の目的を達成し得ると
いうことを見い出した。
ル酸の共重合体を熱架橋分解型重合体レジストとして使
用しかつこれと組み合わせて架橋剤としてのカル？ニル
基含有又はカルボキシル基含有モノ−又はビスアジド化
合物を使用することによって所期の目的を達成し得ると
いうことを見い出した。
本発明において重合体レジストとして使用するα−メチ
ルスチレン／メタクリル酸共重合体ハ、次のような一般
式によシ表わすことができる：ここで、メタクリル酸は
、約２０〜３０重量％の導入率であるのが有利である。
ルスチレン／メタクリル酸共重合体ハ、次のような一般
式によシ表わすことができる：ここで、メタクリル酸は
、約２０〜３０重量％の導入率であるのが有利である。
上記した共重合体と組み合わせて有利に使用することの
できるアジド化合物の一例として、例えば、次式によ）
表わされる４、４′−ジアジドカルコンをあげることが
できる： す その他の有用なアクト化合物には、例えば、４．４′−
ジアジドスチルベン−２，２′−ジスルホン酸；１．３
−ビス（４′−アジドベンザル）−２−プロパノン−２
′−スルホン酸：２，６−ビス（４′−アジドペンザル
）−４−メチルシクロヘキサン： ３，３’−ジアジド
ジフェニルスルホンなどがある。
できるアジド化合物の一例として、例えば、次式によ）
表わされる４、４′−ジアジドカルコンをあげることが
できる： す その他の有用なアクト化合物には、例えば、４．４′−
ジアジドスチルベン−２，２′−ジスルホン酸；１．３
−ビス（４′−アジドベンザル）−２−プロパノン−２
′−スルホン酸：２，６−ビス（４′−アジドペンザル
）−４−メチルシクロヘキサン： ３，３’−ジアジド
ジフェニルスルホンなどがある。
上記したアジド化合物は、通常、約５〜２５重量％、特
に約１０重量−の量で有利に使用することができる。こ
の化合物の量が上記下限を下廻ると、感度が低すぎて好
ましくなく、また、反対に上記上限を１廻ると、完全に
溶解しなくなるので望ましくない。
に約１０重量−の量で有利に使用することができる。こ
の化合物の量が上記下限を下廻ると、感度が低すぎて好
ましくなく、また、反対に上記上限を１廻ると、完全に
溶解しなくなるので望ましくない。
本発明によるパターン形成方法は常法に従って実施する
ことができる； 最初に、重合体レジストを適当な溶剤に溶解して重合体
−溶剤溶液、例えばＭＣＡ （メチルセロソルブアセテ
ート）溶液を得る。次いで、このレジスト溶液をエツチ
ングしようとしている適当な基板に浸漬法やスピンコー
ド法などのような塗布法によって塗布する。塗布の完了
後、基板をベークしてレジスト膜中の残留溶剤を除去す
る＠ベークの温度及び時間は、使用する重合体レジスト
が熱架橋分解型のそれであるので、約１６０〜２１０℃
、そして約３０〜７０分間であるのが好ましい。レジス
ト塗布基板をベークし終えた後、そのレジストをＥＢに
よシバターニングする。ＥＢ露光後、露光域のレジスト
膜を適当人現像液で溶解除去する。ここで使用すること
のできる現像液には、前出のＭＣＡのほか、メチルセル
ソルブ（ＭＯ）、エチルセロソルブアセテート（ＥＣＡ
）、エチルセーソルゾ（ｇｃ）などがある。現像後、適
当な溶剤で洗浄した後にポジのレジストノ臂ターンが得
られる。
ことができる； 最初に、重合体レジストを適当な溶剤に溶解して重合体
−溶剤溶液、例えばＭＣＡ （メチルセロソルブアセテ
ート）溶液を得る。次いで、このレジスト溶液をエツチ
ングしようとしている適当な基板に浸漬法やスピンコー
ド法などのような塗布法によって塗布する。塗布の完了
後、基板をベークしてレジスト膜中の残留溶剤を除去す
る＠ベークの温度及び時間は、使用する重合体レジスト
が熱架橋分解型のそれであるので、約１６０〜２１０℃
、そして約３０〜７０分間であるのが好ましい。レジス
ト塗布基板をベークし終えた後、そのレジストをＥＢに
よシバターニングする。ＥＢ露光後、露光域のレジスト
膜を適当人現像液で溶解除去する。ここで使用すること
のできる現像液には、前出のＭＣＡのほか、メチルセル
ソルブ（ＭＯ）、エチルセロソルブアセテート（ＥＣＡ
）、エチルセーソルゾ（ｇｃ）などがある。現像後、適
当な溶剤で洗浄した後にポジのレジストノ臂ターンが得
られる。
実施例
次に、下記の実施例によ）本発明方法をさらに説明する
。
。
例１：
ポリ（α−メチルスチレンーコーメタクリル酸）（ｍ
： ｎ ＃ ８ ： ２ ） （Ｍｗ＃１００，０００
）に１０重量−の４，４′−ジアジドカルコンを併用し
てその２０重量％ ＭＣＡ溶液を調製した。この溶液を
シリコンウェーハー上に約０．８ＮＬの膜厚でスピンコ
ード法、さらに窒素雰囲気中で約１８０℃で５０分間に
わたってベークした。ベーク後、通常のＥＢ露光装置を
使用してＥＢによジノやターニングを行ない、しかる後
にＭＣＡにて現像した。現像条件は、１５℃、そして１
．５分間であった。感度Ｄｇ −５，２Ｘ １０−’
Ｃ７ｃｍ２、解像力０．４１ｂｍの孤立ポジノ９ターン
が得られた。このパターンのプロファイルは良好でアシ
、膜減シは認められなかった。
： ｎ ＃ ８ ： ２ ） （Ｍｗ＃１００，０００
）に１０重量−の４，４′−ジアジドカルコンを併用し
てその２０重量％ ＭＣＡ溶液を調製した。この溶液を
シリコンウェーハー上に約０．８ＮＬの膜厚でスピンコ
ード法、さらに窒素雰囲気中で約１８０℃で５０分間に
わたってベークした。ベーク後、通常のＥＢ露光装置を
使用してＥＢによジノやターニングを行ない、しかる後
にＭＣＡにて現像した。現像条件は、１５℃、そして１
．５分間であった。感度Ｄｇ −５，２Ｘ １０−’
Ｃ７ｃｍ２、解像力０．４１ｂｍの孤立ポジノ９ターン
が得られた。このパターンのプロファイルは良好でアシ
、膜減シは認められなかった。
例２：
前記例１に記載の手法を繰り返した。但し、本例の場合
、例１のジアジドカルコンに代えて１５重量％の次式に
よシ表わされる３、３′−ジアジドジフェニルスルホン
ヲ使用Ｌ７’ｃ ： 膜厚及びベーク条件は前記例１と同様にし、Ｅ、Ｂ、露
光後、ＭＦ−３１２の２０％水浴液にて現像した。Ｄｇ
Ｏ°８＝６．ＯＸ １０−’ Ｃ７ｃｍ２で同等の解像
力を示した。なお、パターンプロファイルは良好であっ
た０ 発明の効果 本発明によれば、熱架橋分解型ポジレジストの奏する代
表的な効果でおるところのすぐれた耐プラズマ性、良好
な（見かけ）感度、そして高解像力を何らの困難を伴な
わず得ることができる。特に、塗布溶剤やレジスト、架
橋剤等の選択が容易になる点で注目に値する。また、ペ
ースポリマーも安価なモノマーの共重合で容易に入手で
きる。
、例１のジアジドカルコンに代えて１５重量％の次式に
よシ表わされる３、３′−ジアジドジフェニルスルホン
ヲ使用Ｌ７’ｃ ： 膜厚及びベーク条件は前記例１と同様にし、Ｅ、Ｂ、露
光後、ＭＦ−３１２の２０％水浴液にて現像した。Ｄｇ
Ｏ°８＝６．ＯＸ １０−’ Ｃ７ｃｍ２で同等の解像
力を示した。なお、パターンプロファイルは良好であっ
た０ 発明の効果 本発明によれば、熱架橋分解型ポジレジストの奏する代
表的な効果でおるところのすぐれた耐プラズマ性、良好
な（見かけ）感度、そして高解像力を何らの困難を伴な
わず得ることができる。特に、塗布溶剤やレジスト、架
橋剤等の選択が容易になる点で注目に値する。また、ペ
ースポリマーも安価なモノマーの共重合で容易に入手で
きる。
特許出願人
富士通株式会社
特許出願代理人
弁理士 青 木 朗
弁理士 西 舘 和 之
弁理士 内 １）幸 男
弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、熱架橋分解型重合体レジストを電子線でパターニン
グしてポジＩ４ターンを形成する方法であって、前記レ
ジストとしてα−メチルスチレンとメタクリル酸の共重
合体を使用しかつこれに架橋剤としての力Ａ／ケニル基
含有又はカル？キシル基含有モノーキ又はビスアジド化
合物を併用することを特徴とするｔ４ターン形成方法。 ２、前記アジド化合物が４，４′−ジアジドカルコンで
ある。特許請求の範囲第１項に記載のパターン形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58245286A JPS60140234A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58245286A JPS60140234A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140234A true JPS60140234A (ja) | 1985-07-25 |
Family
ID=17131403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58245286A Pending JPS60140234A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140234A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01163737A (ja) * | 1987-12-19 | 1989-06-28 | Fujitsu Ltd | レジスト材料 |
| JP2001318472A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 現像方法、パターン形成方法およびこれらを用いたフォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法 |
| JP2005292160A (ja) * | 2003-03-26 | 2005-10-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物並びに半導体装置及び表示素子 |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP58245286A patent/JPS60140234A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01163737A (ja) * | 1987-12-19 | 1989-06-28 | Fujitsu Ltd | レジスト材料 |
| JP2001318472A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 現像方法、パターン形成方法およびこれらを用いたフォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法 |
| JP2005292160A (ja) * | 2003-03-26 | 2005-10-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物並びに半導体装置及び表示素子 |
| JP4622282B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2011-02-02 | 住友ベークライト株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物並びに半導体装置及び表示素子 |
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