JPS60138541A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS60138541A JPS60138541A JP58244525A JP24452583A JPS60138541A JP S60138541 A JPS60138541 A JP S60138541A JP 58244525 A JP58244525 A JP 58244525A JP 24452583 A JP24452583 A JP 24452583A JP S60138541 A JPS60138541 A JP S60138541A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydroxystyrene
- pattern
- resist
- acrylic acid
- formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
- G03F7/012—Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子線（以下、ＥＢと記す）リソグラフィーに
関する。本発明は、さらに詳しく述べるト、重合体レジ
ストをＥＢでパターニングしてネガパターンを形成する
方法に関する。
関する。本発明は、さらに詳しく述べるト、重合体レジ
ストをＥＢでパターニングしてネガパターンを形成する
方法に関する。
技術の背景
半導体装置の製造において、サブミクロンのオーダーの
加工技術が注目され、そしてかかる微細加工のためにＥ
Ｂ リソグラフィーが多用されている。ＥＢクリソラ
フィーでは、種々の重合体レジストを使用して、ポジも
しくはネガのパターンが形成されている。
加工技術が注目され、そしてかかる微細加工のためにＥ
Ｂ リソグラフィーが多用されている。ＥＢクリソラ
フィーでは、種々の重合体レジストを使用して、ポジも
しくはネガのパターンが形成されている。
現在、ネガパターンを形成するだめのレジスト。
すなわち、ネガレジストとしているいろなレジスト材料
が開発され、そして実用化されている。ところが、これ
らのレジスト材料には、共通的に、ポジレジストに較べ
て解像力が低いという最大の欠点がある。低い解像力が
リソグラフィー技術にとって重要な問題となることは周
知の通シである。
が開発され、そして実用化されている。ところが、これ
らのレジスト材料には、共通的に、ポジレジストに較べ
て解像力が低いという最大の欠点がある。低い解像力が
リソグラフィー技術にとって重要な問題となることは周
知の通シである。
低い解像力は現像時のパターンの膨潤（現像液の有機溶
剤がこれをひきおこす）に起因し、したがって、これを
回避するため、アルカリ現像液が検討されてきた。
剤がこれをひきおこす）に起因し、したがって、これを
回避するため、アルカリ現像液が検討されてきた。
アルカリ現像液を使用するとなると、今度はそれに耐え
得るレジスト（ペースポリマー）が必要になりてくる。
得るレジスト（ペースポリマー）が必要になりてくる。
適当なベースポリマーは、耐プラズマ性が良好なことや
、入手容易性、保存安定性。
、入手容易性、保存安定性。
膜質等の面を考慮して、ヒドロキシスチレンである。実
際、特にｐ−ヒドロキシスチレンが多く用いられている
。しかしながら、ヒドロキシスチレンは、それ自体感度
が極めて低いという欠点を有する（特にＦＢ感度が低く
、約３〜４×１Ｏ−４Ｃ／ｃｒｎ２である）。感度を高
めるため、ヒドロキシスチレンにアジド化合物、例えば
４，４′−ジアジドカルコンを組み合わせて使用するこ
とも提案された（例えばＸＴ、Ｍａｔａｕｚａｗａ及び
Ｈ，Ｔｏｍｉｏｋａ 、 ＬＥＩＩＪＴｒａｎｓａｃｔ
ｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ
、 Ｖｏｌ、 ＥＤ−２８゜Ａｌ ｌ 、 Ｎｏｖ、
１９８１． Ｐ 、 １２８４−１２８８ 、及びＴ、
Ｉｗａｙａｈａｇｉ ｅｔ ａｌ 、 １ｂｉｄ、 、
Ｐ、 １３０６１３１０を参照されたい）。これらの
提案によれば、確かにある程度の感度上昇を保証し得る
というものの、それは紫外線（ＵＶ）に対してのみであ
り、ＥＢ感度は依然として低レベル（約２〜３ Ｘ １
０−５Ｃ／ｃｍ２）である。
際、特にｐ−ヒドロキシスチレンが多く用いられている
。しかしながら、ヒドロキシスチレンは、それ自体感度
が極めて低いという欠点を有する（特にＦＢ感度が低く
、約３〜４×１Ｏ−４Ｃ／ｃｒｎ２である）。感度を高
めるため、ヒドロキシスチレンにアジド化合物、例えば
４，４′−ジアジドカルコンを組み合わせて使用するこ
とも提案された（例えばＸＴ、Ｍａｔａｕｚａｗａ及び
Ｈ，Ｔｏｍｉｏｋａ 、 ＬＥＩＩＪＴｒａｎｓａｃｔ
ｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ
、 Ｖｏｌ、 ＥＤ−２８゜Ａｌ ｌ 、 Ｎｏｖ、
１９８１． Ｐ 、 １２８４−１２８８ 、及びＴ、
Ｉｗａｙａｈａｇｉ ｅｔ ａｌ 、 １ｂｉｄ、 、
Ｐ、 １３０６１３１０を参照されたい）。これらの
提案によれば、確かにある程度の感度上昇を保証し得る
というものの、それは紫外線（ＵＶ）に対してのみであ
り、ＥＢ感度は依然として低レベル（約２〜３ Ｘ １
０−５Ｃ／ｃｍ２）である。
発明の目的
本発明の目的は、重合体レジストをＥＢで７４ターニン
グしてネガパターンを形成する方法であって、Ｕｖによ
るネガノＪ？ターン形成に有利に用いられているヒドロ
キシスチレンの奏する耐プラズマ性をはじめとした種々
の利点を損なわないで、しかも高められたＥＢ感度を保
証し得る；：うな改良されたパターン形成方法を提供す
ることにある。
グしてネガパターンを形成する方法であって、Ｕｖによ
るネガノＪ？ターン形成に有利に用いられているヒドロ
キシスチレンの奏する耐プラズマ性をはじめとした種々
の利点を損なわないで、しかも高められたＥＢ感度を保
証し得る；：うな改良されたパターン形成方法を提供す
ることにある。
発明の構成
本発明者は、このたび、ヒドロキシスチレンの単独使用
に代えてそれとアクリル酸の共重合体をネガレジストと
して使用しかつこれと組み合わせて架橋剤としてのカル
？ニル基含有又はカル？キシル基含有モノ−又はビスア
ジド化合物を使用することによって所期の目的を達成し
得るということを見い出した。
に代えてそれとアクリル酸の共重合体をネガレジストと
して使用しかつこれと組み合わせて架橋剤としてのカル
？ニル基含有又はカル？キシル基含有モノ−又はビスア
ジド化合物を使用することによって所期の目的を達成し
得るということを見い出した。
本発明者は、多くのヒドロキシスチレン系ネガレジスト
及びアジド化合物についての検討を重ね、次のような知
見を得たうえで本発明を完成するに至った： （１）アジドの構造とＥＢ感度との間に相関関係はない
。
及びアジド化合物についての検討を重ね、次のような知
見を得たうえで本発明を完成するに至った： （１）アジドの構造とＥＢ感度との間に相関関係はない
。
（ｌｉ）Ｆ、Ｂ感度は固相のアット基の密度に比例する
。
。
（ｉｉＤ したがって、ネガレジストの重合体とアジド
の間の相溶性を高めることが必要であるが、このために
はアジド化合物中にカルブニル基又はカルボキシル基を
含ませるのが有利である。
の間の相溶性を高めることが必要であるが、このために
はアジド化合物中にカルブニル基又はカルボキシル基を
含ませるのが有利である。
Ｑψ 相溶性にすぐれたアジド化合物を用いても、得ら
れる感度は１〜２ Ｘ １０− ” Ｃ７ｃｍ２が限度
である。さらにアジドの密度を上げたところで、現像後
にアジドがパターン上又はノソターン間に析出する等の
不都合が生じるだけである。
れる感度は１〜２ Ｘ １０− ” Ｃ７ｃｍ２が限度
である。さらにアジドの密度を上げたところで、現像後
にアジドがパターン上又はノソターン間に析出する等の
不都合が生じるだけである。
すなわち、ヒドロキシスチレンを単独重合体の形ではな
くて、共重合体の形で使用するのが適当であるとの知見
を基礎として本発明を完成するに至ったものである。
くて、共重合体の形で使用するのが適当であるとの知見
を基礎として本発明を完成するに至ったものである。
本発明においてネガレジストとして使用するヒドロキシ
スチレン／アクリル酸共重合体は、次のような一般式に
よシ表わすこと薦下きる：ここで、アクリル酸は、約５
〜３０重量％の導入率であるのが有利である。実際、こ
のようなアクリル酸導入率を適用した場合、はぼ１桁の
メーーダーでＥＢ感度を増大させることが出来、最終的
に実用域に属する１〜３×１Ｏ−６ｃ／ｃｒｎ２の感度
を得ることができる。
スチレン／アクリル酸共重合体は、次のような一般式に
よシ表わすこと薦下きる：ここで、アクリル酸は、約５
〜３０重量％の導入率であるのが有利である。実際、こ
のようなアクリル酸導入率を適用した場合、はぼ１桁の
メーーダーでＥＢ感度を増大させることが出来、最終的
に実用域に属する１〜３×１Ｏ−６ｃ／ｃｒｎ２の感度
を得ることができる。
上記したネガレジストと組み合わせて有利に使用するこ
とのできるアット化合物の一例として、例えば、次式に
よシ表わされる４−ア・シトカルコン： 次式により表わされる４、４′−ジアジドカルコ、ン：
リ をあげることができる。その他の有用なアジド化合物に
は、例えば、ｐ−アジドアセトフェノン、４−スルホニ
ルアジド安息香酸、ｐ−アジド安息香酸などがある。
とのできるアット化合物の一例として、例えば、次式に
よシ表わされる４−ア・シトカルコン： 次式により表わされる４、４′−ジアジドカルコ、ン：
リ をあげることができる。その他の有用なアジド化合物に
は、例えば、ｐ−アジドアセトフェノン、４−スルホニ
ルアジド安息香酸、ｐ−アジド安息香酸などがある。
上記したアジド化合物は、通常、約５〜３５重量％の量
で有利に使用することができる。この範囲外の量は、ス
ピンコード時の析出などの不都合をひ酋おこすので好ま
しくない。
で有利に使用することができる。この範囲外の量は、ス
ピンコード時の析出などの不都合をひ酋おこすので好ま
しくない。
本発明によるネガパターン形成方法は常法に従って米施
することかできる。例えば： 最初に、選ばれたネガレジストをアジド化合物とともに
例えばＭＣＡ （メチルセロソルブアセテート）のよう
な適当な溶剤に溶解してその溶液を得る。次いで、この
レジスト溶液をエツチングしようとしている基板に浸漬
法やスピンコード法で塗布する。塗布の完了後、基板を
ベークしてレジスト膜中の残留溶剤を除去する。ベーク
温度戊び時間は任意に選択することができる。レジスト
塗布基板をベークし終えた後、そのレジストをＥＢによ
υノ臂ターニングする。ＥＢ露光後、未露光域のレジス
ト膜を適当な現像液で溶解除去する。ここで使用するこ
とのできる現像液には、例えば、■゛−３１２（商品名
） 、メチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート
などがある。現像後、適当な溶剤で洗浄した後にネガの
レジスト・リーンが得られる。
することかできる。例えば： 最初に、選ばれたネガレジストをアジド化合物とともに
例えばＭＣＡ （メチルセロソルブアセテート）のよう
な適当な溶剤に溶解してその溶液を得る。次いで、この
レジスト溶液をエツチングしようとしている基板に浸漬
法やスピンコード法で塗布する。塗布の完了後、基板を
ベークしてレジスト膜中の残留溶剤を除去する。ベーク
温度戊び時間は任意に選択することができる。レジスト
塗布基板をベークし終えた後、そのレジストをＥＢによ
υノ臂ターニングする。ＥＢ露光後、未露光域のレジス
ト膜を適当な現像液で溶解除去する。ここで使用するこ
とのできる現像液には、例えば、■゛−３１２（商品名
） 、メチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート
などがある。現像後、適当な溶剤で洗浄した後にネガの
レジスト・リーンが得られる。
実施例
次に、下記の実施例によυ本発明方法をさらに説明する
。
。
例１：
ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレンーコーアクリル酸） （
ｍ ；ｎ＝７ ： ３ ） （ＭＷ＃１７，０００ ）
に２５重量−の４．４′−ジアジドカルコンヲ併用して
その２０重量％ＭＣＡ溶液を調製した。この溶液をシリ
コンウェーハー上に約０．９１Ｊ／ｒＩＬの膜厚でスピ
ンコードシ、さらに窒素雰囲気中で８５．０℃で６０分
間にわたってベークした。ベーク後、通常のＥＢ露光装
置を用いてパターニングを行ない、しかる後に１５％Ｍ
Ｆ−３１２溶液で現像した。現像条件は、２０℃、そし
て１分間であった。感度Ｄｇ−１、２Ｘ １０ ’ Ｃ
７ｃｍ２で良好なネガノリ―ンが得られた。耐プラズマ
性も良好であることがＣＦ４１０２ガスによる実験から
認められた。
ｍ ；ｎ＝７ ： ３ ） （ＭＷ＃１７，０００ ）
に２５重量−の４．４′−ジアジドカルコンヲ併用して
その２０重量％ＭＣＡ溶液を調製した。この溶液をシリ
コンウェーハー上に約０．９１Ｊ／ｒＩＬの膜厚でスピ
ンコードシ、さらに窒素雰囲気中で８５．０℃で６０分
間にわたってベークした。ベーク後、通常のＥＢ露光装
置を用いてパターニングを行ない、しかる後に１５％Ｍ
Ｆ−３１２溶液で現像した。現像条件は、２０℃、そし
て１分間であった。感度Ｄｇ−１、２Ｘ １０ ’ Ｃ
７ｃｍ２で良好なネガノリ―ンが得られた。耐プラズマ
性も良好であることがＣＦ４１０２ガスによる実験から
認められた。
発明の効果
本発明によれば、ＥＢリソグラフィーによシネガパター
ンを形成するに際して、耐プラズマ性及び感度の両方に
すぐれたパターンを困難を伴なわずに得ることができる
。また、本発明によれば、パターン膨潤の原因である有
機溶剤を使用する必要がないので、高められた解像力を
得ることができる。
ンを形成するに際して、耐プラズマ性及び感度の両方に
すぐれたパターンを困難を伴なわずに得ることができる
。また、本発明によれば、パターン膨潤の原因である有
機溶剤を使用する必要がないので、高められた解像力を
得ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、重合体レノストを電子線でパターニングしてネガパ
ターンを形成する方法であって、前記レジストとしてヒ
ドロキシスチレンとアクリル酸の共重合体を使用しかつ
これに架橋剤としてのカルボニル基含有又はカルボニル
基含有モノ−又はビスアジド化合物を併用することを特
徴とするパターン形成方法。 ２、前記アジド化合物が４，４′−ジアジドカルコンで
ある。特許請求の範囲第１項に記載の７９ターン形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58244525A JPS60138541A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58244525A JPS60138541A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60138541A true JPS60138541A (ja) | 1985-07-23 |
Family
ID=17119980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58244525A Pending JPS60138541A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60138541A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009061473A2 (en) * | 2007-11-07 | 2009-05-14 | Mallinckrodt Inc. | Photonic shell-core cross linked and functionalized nanostructures for biological applications |
| US9295650B2 (en) | 2010-05-14 | 2016-03-29 | Mallinckrodt Llc | Functional, cross-linked nanostructures for tandem optical imaging and therapy |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP58244525A patent/JPS60138541A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009061473A2 (en) * | 2007-11-07 | 2009-05-14 | Mallinckrodt Inc. | Photonic shell-core cross linked and functionalized nanostructures for biological applications |
| WO2009061473A3 (en) * | 2007-11-07 | 2009-11-05 | Mallinckrodt Inc. | Photonic shell-core cross linked and functionalized nanostructures for biological applications |
| US9295650B2 (en) | 2010-05-14 | 2016-03-29 | Mallinckrodt Llc | Functional, cross-linked nanostructures for tandem optical imaging and therapy |
| US9662387B2 (en) | 2010-05-14 | 2017-05-30 | Mallinckrodt Llc | Functional, cross-linked nanostructures for tandem optical imaging and therapy |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3092609B2 (ja) | 電子線リソグラフィに適した化学増幅レジスト及び同レジスト・システム | |
| JPH06184311A (ja) | 酸感応ポリマおよびホトレジスト構造の作成方法 | |
| JPH07181679A (ja) | 化学的に増幅されたレジストの製造方法 | |
| JPH0943848A (ja) | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 | |
| US6436605B1 (en) | Plasma resistant composition and use thereof | |
| JP3471335B2 (ja) | 半導体素子の微細パターンの形成方法 | |
| JP2001158810A (ja) | 有機反射防止膜用組成物とその製造方法 | |
| JPH08262717A (ja) | レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法 | |
| JPS5949536A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| JPH11186243A (ja) | 酸化シリコン層のエッチング方法 | |
| US4701342A (en) | Negative resist with oxygen plasma resistance | |
| JPS60138541A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH1069072A (ja) | リソグラフィー用下地材 | |
| US4556619A (en) | Negative-type acetalized polyvinyl alcohol resist sensitive to ionizing radiation | |
| JP2001318472A5 (ja) | ||
| JPS59198446A (ja) | 感光性樹脂組成物及びその使用方法 | |
| JPH0480377B2 (ja) | ||
| JP4023867B2 (ja) | レジスト用感光性樹脂組成物 | |
| EP0077057B2 (en) | Negative-type resist sensitive to ionizing radiation | |
| JPS60138543A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| EP0334906B1 (en) | Silicon-containing negative resist material, and process for its use in patterning substrates | |
| US4520097A (en) | Negative-type resist sensitive to ionizing radiation | |
| JPS60140234A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS608842A (ja) | パタ−ン形成法 | |
| JPH01161336A (ja) | ケイ素含有レジスト |