JPH0943848A - レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジスト材料及びレジストパターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH0943848A JPH0943848A JP7197475A JP19747595A JPH0943848A JP H0943848 A JPH0943848 A JP H0943848A JP 7197475 A JP7197475 A JP 7197475A JP 19747595 A JP19747595 A JP 19747595A JP H0943848 A JPH0943848 A JP H0943848A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- derivative
- resist
- repeating unit
- resist material
- acrylate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 特に短波長露光光源を用いて、大気成分の環
境制御や時間管理等に煩わされることなく微細パターン
を形成することができる、化学増幅型レジストに代わる
新しいレジスト材料を提供し、併せてこの新しいレジス
ト材料を使ってレジストパターンを形成する方法を提供
する。 【解決手段】 本発明のレジスト材料は、トリフルオロ
メチル置換基又はトリフルオロメチル基を末端に有する
置換基と、脂環族又は芳香族炭化水素置換基とを有する
アクリレート系の繰り返し単位を含む樹脂を含む。
境制御や時間管理等に煩わされることなく微細パターン
を形成することができる、化学増幅型レジストに代わる
新しいレジスト材料を提供し、併せてこの新しいレジス
ト材料を使ってレジストパターンを形成する方法を提供
する。 【解決手段】 本発明のレジスト材料は、トリフルオロ
メチル置換基又はトリフルオロメチル基を末端に有する
置換基と、脂環族又は芳香族炭化水素置換基とを有する
アクリレート系の繰り返し単位を含む樹脂を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレジスト材料及びそ
れを用いたレジストパターンの形成方法に関し、更に詳
しく述べると、高解像性、高感度、そして優れたドライ
エッチング耐性を有するポジ型レジストと、それを使用
してレジストパターンを形成する方法とに関する。本発
明は、高性能のレジストを提供し、このレジストは半導
体集積回路等の半導体装置の製造に有利に使用すること
ができる。
れを用いたレジストパターンの形成方法に関し、更に詳
しく述べると、高解像性、高感度、そして優れたドライ
エッチング耐性を有するポジ型レジストと、それを使用
してレジストパターンを形成する方法とに関する。本発
明は、高性能のレジストを提供し、このレジストは半導
体集積回路等の半導体装置の製造に有利に使用すること
ができる。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路は集積化が進んで
大規模集積回路（ＬＳＩ）や超大規模集積回路（ＶＬＳ
Ｉ）が実用化されており、また、これとともに、集積回
路の最少パターンはサブミクロン領域に及び、今後更に
微細化する傾向にある。微細パターンの形成には、薄膜
を形成した被処理基板上をレジストで被覆し、選択露光
を行って所望パターンの潜像を形成した後に、現像して
レジストパターンを作り、これをマスクとしてドライエ
ッチングを行い、その後にレジストを除去することによ
り所望のパターンを得るリソグラフィ技術の使用が必須
である。
大規模集積回路（ＬＳＩ）や超大規模集積回路（ＶＬＳ
Ｉ）が実用化されており、また、これとともに、集積回
路の最少パターンはサブミクロン領域に及び、今後更に
微細化する傾向にある。微細パターンの形成には、薄膜
を形成した被処理基板上をレジストで被覆し、選択露光
を行って所望パターンの潜像を形成した後に、現像して
レジストパターンを作り、これをマスクとしてドライエ
ッチングを行い、その後にレジストを除去することによ
り所望のパターンを得るリソグラフィ技術の使用が必須
である。
【０００３】このリソグラフィ技術において使用される
露光光源としてｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３
６５ｎｍ）の紫外線光が使用されているが、パターンの
微細化に伴い、より波長の短い遠紫外線光、真空紫外線
光、電子線（ＥＢ）、Ｘ線などが光源として使用される
ようになってきている。特に最近では、エキシマレーザ
（波長２４８ｎｍのＫｒＦレーザー、波長１９３ｎｍの
ＡｒＦレーザー）が露光光源として注目されており、微
細パターンの形成に有効であると期待されている。な
お、この明細書では、「放射線」なる語を用いた場合、
これらの様々の光源からの光、すなわち、紫外線、遠紫
外線、真空紫外線、電子線、Ｘ線、各種レーザー光等を
意味するものである。
露光光源としてｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３
６５ｎｍ）の紫外線光が使用されているが、パターンの
微細化に伴い、より波長の短い遠紫外線光、真空紫外線
光、電子線（ＥＢ）、Ｘ線などが光源として使用される
ようになってきている。特に最近では、エキシマレーザ
（波長２４８ｎｍのＫｒＦレーザー、波長１９３ｎｍの
ＡｒＦレーザー）が露光光源として注目されており、微
細パターンの形成に有効であると期待されている。な
お、この明細書では、「放射線」なる語を用いた場合、
これらの様々の光源からの光、すなわち、紫外線、遠紫
外線、真空紫外線、電子線、Ｘ線、各種レーザー光等を
意味するものである。
【０００４】より短波長である真空紫外領域の露光光を
用いてサブミクロンパターンを形成するレジスト材料と
しては、例えば、エステル部にアダマンタン骨格及び酸
により脱離する保護基を有するアクリル酸エステル又は
α置換アクリル酸エステルの重合体又は共重合体と、光
酸発生剤とを混合して用いる化学増幅型放射線感光材料
（特開平４−３９６６５号公報参照）や、エステル部に
ノルボルナン骨格及び酸により脱離する保護基を有する
アクリル酸エステル又はα置換アクリル酸エステルの重
合体又は共重合体と、光酸発生剤とを混合して用いる化
学増幅型放射線感光材料（特開平５−２５７２８１号公
報参照）や、シクロヘキシルマレイミドの重合体又は共
重合体と光酸発生剤との混合物を使用する化学増幅型放
射線感光材料（特開平５−２５７２８５号公報参照）等
がある。
用いてサブミクロンパターンを形成するレジスト材料と
しては、例えば、エステル部にアダマンタン骨格及び酸
により脱離する保護基を有するアクリル酸エステル又は
α置換アクリル酸エステルの重合体又は共重合体と、光
酸発生剤とを混合して用いる化学増幅型放射線感光材料
（特開平４−３９６６５号公報参照）や、エステル部に
ノルボルナン骨格及び酸により脱離する保護基を有する
アクリル酸エステル又はα置換アクリル酸エステルの重
合体又は共重合体と、光酸発生剤とを混合して用いる化
学増幅型放射線感光材料（特開平５−２５７２８１号公
報参照）や、シクロヘキシルマレイミドの重合体又は共
重合体と光酸発生剤との混合物を使用する化学増幅型放
射線感光材料（特開平５−２５７２８５号公報参照）等
がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これらの化学増幅型放
射線感光性材料（化学増幅型レジスト）は高感度、高解
像性を容易に達成できた。ところが、化学増幅型レジス
トには、光酸発生剤から生じた酸が、基板表面に存在す
ることがあるアルカリ性物質のためにレジスト表面と基
板との界面において失活することや、化学増幅型レジス
トの塗布前に基板上に塗布することがある反射防止膜中
へ拡散して酸濃度が低下してしまうといった問題があ
り、そのため半導体装置の生産の実工程に適用するに
は、大気成分の環境制御や時間管理等のように制御の必
要な項目が多かった。そして従来の化学増幅型レジスト
においては、大気成分の環境制御や時間管理のために、
環境制御コーターのように特別な装置を使用すること
や、レジスト膜上にトップコートを形成するための余分
な工程を設けることが必要であった。
射線感光性材料（化学増幅型レジスト）は高感度、高解
像性を容易に達成できた。ところが、化学増幅型レジス
トには、光酸発生剤から生じた酸が、基板表面に存在す
ることがあるアルカリ性物質のためにレジスト表面と基
板との界面において失活することや、化学増幅型レジス
トの塗布前に基板上に塗布することがある反射防止膜中
へ拡散して酸濃度が低下してしまうといった問題があ
り、そのため半導体装置の生産の実工程に適用するに
は、大気成分の環境制御や時間管理等のように制御の必
要な項目が多かった。そして従来の化学増幅型レジスト
においては、大気成分の環境制御や時間管理のために、
環境制御コーターのように特別な装置を使用すること
や、レジスト膜上にトップコートを形成するための余分
な工程を設けることが必要であった。
【０００６】本発明は、特に短波長露光光源を用いて、
大気成分の環境制御や時間管理等に煩わされることなく
微細パターンを形成することができる新しいレジスト材
料の提供を目的とする。本発明のもう一つの目的は、こ
の新しいレジスト材料を使ってレジストパターンを形成
する方法を提供することである。
大気成分の環境制御や時間管理等に煩わされることなく
微細パターンを形成することができる新しいレジスト材
料の提供を目的とする。本発明のもう一つの目的は、こ
の新しいレジスト材料を使ってレジストパターンを形成
する方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のレジスト材料
は、トリフルオロメチル置換基又はトリフルオロメチル
基を末端に有する置換基と、脂環族又は芳香族炭化水素
置換基とを有するアクリレート系の繰り返し単位を含む
樹脂を含むレジスト材料である。
は、トリフルオロメチル置換基又はトリフルオロメチル
基を末端に有する置換基と、脂環族又は芳香族炭化水素
置換基とを有するアクリレート系の繰り返し単位を含む
樹脂を含むレジスト材料である。
【０００８】トリフルオロメチル置換基は、繰り返し単
位を構成するアクリレートのα位にあることができ、そ
してトリフルオロメチル基を末端に有する置換基は、ア
クリレート系繰り返し単位のエステル位にあることがで
きる。脂環族又は芳香族置換基は、アクリレート系繰り
返し単位のエステル位に存在することができる。トリフ
ルオロメチル基を末端に有する置換基がアクリレート系
繰り返し単位のエステル位にある場合には、脂環族又は
芳香族置換基はこのアクリレート系繰り返し単位とは別
の繰り返し単位のエステル位に存在する。従って、この
場合には、レジスト材料を構成する樹脂は、エステル位
にトリフルオロメチル基を末端に有する置換基を持つア
クリレート系繰り返し単位と、エステル位に脂環族又は
芳香族置換基を持つアクリート系繰り返し単位との共重
合体となる。トリフルオロメチル置換基が繰り返し単位
のアクリレートのα位にある場合には、レジスト材料を
構成する樹脂は単独重合体であってもよく、あるいは共
重合体であってもよい。後者の場合、両方の置換基を有
するアクリレート系繰返し単位とともに共重合体を形成
する繰り返し単位は、アクリル酸、アクリル酸エステル
及びこれらのα置換体を含む誘導体、スチレン及びその
誘導体、又はビニルケトン及びその誘導体から得られる
単位等でよいが、とは言えこれらに限定されるものでは
ない。
位を構成するアクリレートのα位にあることができ、そ
してトリフルオロメチル基を末端に有する置換基は、ア
クリレート系繰り返し単位のエステル位にあることがで
きる。脂環族又は芳香族置換基は、アクリレート系繰り
返し単位のエステル位に存在することができる。トリフ
ルオロメチル基を末端に有する置換基がアクリレート系
繰り返し単位のエステル位にある場合には、脂環族又は
芳香族置換基はこのアクリレート系繰り返し単位とは別
の繰り返し単位のエステル位に存在する。従って、この
場合には、レジスト材料を構成する樹脂は、エステル位
にトリフルオロメチル基を末端に有する置換基を持つア
クリレート系繰り返し単位と、エステル位に脂環族又は
芳香族置換基を持つアクリート系繰り返し単位との共重
合体となる。トリフルオロメチル置換基が繰り返し単位
のアクリレートのα位にある場合には、レジスト材料を
構成する樹脂は単独重合体であってもよく、あるいは共
重合体であってもよい。後者の場合、両方の置換基を有
するアクリレート系繰返し単位とともに共重合体を形成
する繰り返し単位は、アクリル酸、アクリル酸エステル
及びこれらのα置換体を含む誘導体、スチレン及びその
誘導体、又はビニルケトン及びその誘導体から得られる
単位等でよいが、とは言えこれらに限定されるものでは
ない。
【０００９】また、本発明のレジストパターン形成方法
は、本発明のレジスト材料の溶液を被処理基板上に塗布
し、形成したレジスト膜をプリベークし、次いでこのレ
ジスト膜を放射線に選択的に露光して所定のパターンの
潜像を形成後、現像液でこのレジストパターンを現像す
ることを含む。
は、本発明のレジスト材料の溶液を被処理基板上に塗布
し、形成したレジスト膜をプリベークし、次いでこのレ
ジスト膜を放射線に選択的に露光して所定のパターンの
潜像を形成後、現像液でこのレジストパターンを現像す
ることを含む。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明のレジスト材料の一つの態
様は、下記の式（Ｉ）で表される繰返し単位を有する樹
脂を含むものである。
様は、下記の式（Ｉ）で表される繰返し単位を有する樹
脂を含むものである。
【００１１】
【化３】
【００１２】この式のＲ1 は脂環族又は芳香族炭化水素
基である。Ｒ1 で表される脂肪族炭化水素基の例は、次
のような化合物を骨格とするものである。
基である。Ｒ1 で表される脂肪族炭化水素基の例は、次
のような化合物を骨格とするものである。
【００１３】（１）アダマンタン又はその誘導体 （２）ノルボルナン又はその誘導体 （３）シクロヘキサン又はその誘導体 （４）パーヒドロアントラセン又はその誘導体 （５）パーヒドロナフタレン又はその誘導体 （６）トリシクロ〔５．２．１．０2.6 〕デカン又はそ
の誘導体 （７）ビシクロヘキサン又はその誘導体 （８）スピロ〔４，４〕ノナン又はその誘導体 （９）スピロ〔４，５〕デカン又はその誘導体
の誘導体 （７）ビシクロヘキサン又はその誘導体 （８）スピロ〔４，４〕ノナン又はその誘導体 （９）スピロ〔４，５〕デカン又はその誘導体
【００１４】これらの化合物は、それぞれ次の構造式で
表される。
表される。
【００１５】
【化４】
【００１６】
【化５】
【００１７】
【化６】
【００１８】またＲ1 で表される芳香族炭化水素基の例
は、次のような化合物を骨格とするものである。
は、次のような化合物を骨格とするものである。
【００１９】（１）ベンゼン又はその誘導体 （２）ナフタレン又はその誘導体 （３）アントラセン又はその誘導体 （４）トリシクロペンタジエン又はその誘導体 （５）フローレン又はその誘導体
【００２０】これらの化合物は、それぞれ次の構造式で
表される。
表される。
【００２１】
【化７】
【００２２】
【化８】
【００２３】上記の式（Ｉ）の繰り返し単位を有する樹
脂は、単独重合体であってもよく、あるいはほかの繰り
返し単位をも含む共重合体であってもよい。式（Ｉ）の
繰り返し単位と別の繰返し単位とからなる樹脂である場
合には、その別の繰返し単位は、例えば、アクリル酸、
アクリル酸エステル及びこれらのα置換体を含む誘導
体、スチレン及びその誘導体、ビニルケトン及びその誘
導体から得られる単位等でよい。これらの共重合体にお
いては、式（Ｉ）で表される繰返し単位は全繰返し単位
のうちの５〜１００％、好ましくは２０〜１００％を占
めることができる。
脂は、単独重合体であってもよく、あるいはほかの繰り
返し単位をも含む共重合体であってもよい。式（Ｉ）の
繰り返し単位と別の繰返し単位とからなる樹脂である場
合には、その別の繰返し単位は、例えば、アクリル酸、
アクリル酸エステル及びこれらのα置換体を含む誘導
体、スチレン及びその誘導体、ビニルケトン及びその誘
導体から得られる単位等でよい。これらの共重合体にお
いては、式（Ｉ）で表される繰返し単位は全繰返し単位
のうちの５〜１００％、好ましくは２０〜１００％を占
めることができる。
【００２４】式（Ｉ）の繰返し単位を有する樹脂の重量
平均分子量は、一般には２０００〜３５０万である。重
量平均分子量が２０００未満では、現像時に露光部と未
露光部の現像液への溶解レート差がとれにくく、３５０
万を超えると、露光部が現像液に溶けるようにするには
露光量が多くかかり、感度が低下する。重量平均分子量
の好ましい範囲は、５万〜１００万である。
平均分子量は、一般には２０００〜３５０万である。重
量平均分子量が２０００未満では、現像時に露光部と未
露光部の現像液への溶解レート差がとれにくく、３５０
万を超えると、露光部が現像液に溶けるようにするには
露光量が多くかかり、感度が低下する。重量平均分子量
の好ましい範囲は、５万〜１００万である。
【００２５】本発明のレジスト材料のもう一つの態様
は、下記の式（II）で示される構造を有する樹脂を含む
ものである。
は、下記の式（II）で示される構造を有する樹脂を含む
ものである。
【００２６】
【化９】
【００２７】この式のＲ1 は先に定義されたとおりであ
り、ｐは０〜５の整数、ｒは０〜５の整数であり、Ｒ3
とＲ4 は炭素数１〜４の炭化水素基、ハロゲン化炭化水
素基、水素又はハロゲンであって、Ｒ3 とＲ4 は同一で
あっても異なっていてもよく、ｍとｎは正の整数であ
る。
り、ｐは０〜５の整数、ｒは０〜５の整数であり、Ｒ3
とＲ4 は炭素数１〜４の炭化水素基、ハロゲン化炭化水
素基、水素又はハロゲンであって、Ｒ3 とＲ4 は同一で
あっても異なっていてもよく、ｍとｎは正の整数であ
る。
【００２８】式（II）の共重合体の重量平均分子量は、
一般には２０００〜３５０万である。重量平均分子量が
２０００未満では、現像時に露光部と未露光部の現像液
への溶解レート差がとれにくく、３５０万を超えると、
露光部が現像液に溶けるようにするには露光量が多くか
かり、感度が低下する。重量平均分子量の好ましい範囲
は、５万〜１００万である。また、式（II）の共重合体
においては、ｍ：ｎの比は好ましくは２：８から８：２
までであり、より好ましくは４：６から６：４までであ
る。
一般には２０００〜３５０万である。重量平均分子量が
２０００未満では、現像時に露光部と未露光部の現像液
への溶解レート差がとれにくく、３５０万を超えると、
露光部が現像液に溶けるようにするには露光量が多くか
かり、感度が低下する。重量平均分子量の好ましい範囲
は、５万〜１００万である。また、式（II）の共重合体
においては、ｍ：ｎの比は好ましくは２：８から８：２
までであり、より好ましくは４：６から６：４までであ
る。
【００２９】このように、本発明のレジスト材料の樹脂
は、トリフルオロメチル置換基又はトリフルオロメチル
基を末端に有する置換基と、脂環族又は芳香族炭化水素
置換基の両方を有することを特徴としている。トリフル
オロメチル基は電子吸引性であることから、この基が存
在することにより、樹脂の主鎖の電子密度が低くなり、
そのため放射線の露光によって主鎖の分解がより起こり
やすくなる。このことから、露光量を多くしなくても、
微細なレジストパターンの形成が可能になり、すなわち
レジスト材料の感度が高くなる。また、脂環族又は芳香
族炭化水素基は、放射線、特にＡｒＦエキシマレーザー
光に代表される真空紫外線や、電子線のように、より波
長の短い放射線の透過を向上させ、更にエッチング耐性
も向上させる。こうして、本発明のレジスト材料は、高
感度で、高解像性であって、且つエッチング耐性の良好
なものとなる。
は、トリフルオロメチル置換基又はトリフルオロメチル
基を末端に有する置換基と、脂環族又は芳香族炭化水素
置換基の両方を有することを特徴としている。トリフル
オロメチル基は電子吸引性であることから、この基が存
在することにより、樹脂の主鎖の電子密度が低くなり、
そのため放射線の露光によって主鎖の分解がより起こり
やすくなる。このことから、露光量を多くしなくても、
微細なレジストパターンの形成が可能になり、すなわち
レジスト材料の感度が高くなる。また、脂環族又は芳香
族炭化水素基は、放射線、特にＡｒＦエキシマレーザー
光に代表される真空紫外線や、電子線のように、より波
長の短い放射線の透過を向上させ、更にエッチング耐性
も向上させる。こうして、本発明のレジスト材料は、高
感度で、高解像性であって、且つエッチング耐性の良好
なものとなる。
【００３０】下記の実施例において例示されるように、
本発明のレジスト材料の樹脂は、適当な出発物質を使用
して、通常の有機合成の手法により容易に調製すること
ができる。
本発明のレジスト材料の樹脂は、適当な出発物質を使用
して、通常の有機合成の手法により容易に調製すること
ができる。
【００３１】本発明のレジスト材料は、架橋剤としてア
ジド化合物を含有することもできる。アジド化合物が存
在すると、レジスト材料を基板に塗布後、形成されたレ
ジスト膜を露光前に加熱して樹脂を硬化させることによ
って、露光部と未露光部との樹脂の分子量差をより大き
くすることができ、感度を更に向上させるのが可能にな
る。本発明で使用するのに適当なアジド化合物の例とし
ては、次式で示される４，４’−ジアジドカルコンや、
ジド化合物を含有することもできる。アジド化合物が存
在すると、レジスト材料を基板に塗布後、形成されたレ
ジスト膜を露光前に加熱して樹脂を硬化させることによ
って、露光部と未露光部との樹脂の分子量差をより大き
くすることができ、感度を更に向上させるのが可能にな
る。本発明で使用するのに適当なアジド化合物の例とし
ては、次式で示される４，４’−ジアジドカルコンや、
【００３２】
【化１０】
【００３３】次式で示される２，６−ビス（４’−アジ
ドベンザル）４−メチルシクロヘキサノン、
ドベンザル）４−メチルシクロヘキサノン、
【００３４】
【化１１】
【００３５】等を挙げることができる。
【００３６】本発明のレジスト材料を使用してレジスト
パターンを形成する際には、まずレジストの溶液を被処
理基板上に塗布する。ここで使用する被処理基板は、半
導体装置及びその他の装置において通常用いられている
いかなる基板であってもよく、具体的には、シリコン基
板、あるいは表面に酸化膜、ポリシリコン膜、窒化膜、
アルミニウム膜等を設けたものなどを挙げることができ
る。これらの基板は、すでに回路が作りこまれていて
も、あるいは作りこまれていなくてもよい。これらの基
板は場合によっては、レジストとの密着性を向上させる
ために、例えば、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）
などのような密着促進剤で前処理しておくことが好まし
い。
パターンを形成する際には、まずレジストの溶液を被処
理基板上に塗布する。ここで使用する被処理基板は、半
導体装置及びその他の装置において通常用いられている
いかなる基板であってもよく、具体的には、シリコン基
板、あるいは表面に酸化膜、ポリシリコン膜、窒化膜、
アルミニウム膜等を設けたものなどを挙げることができ
る。これらの基板は、すでに回路が作りこまれていて
も、あるいは作りこまれていなくてもよい。これらの基
板は場合によっては、レジストとの密着性を向上させる
ために、例えば、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）
などのような密着促進剤で前処理しておくことが好まし
い。
【００３７】レジスト溶液の塗布は、スピンコータ、デ
ィップコータ、ローラコータなどのような常用の塗布装
置を使用して行うことができる。形成されるレジスト膜
の膜厚は、そのレジスト膜の使途などのファクタに応じ
て広く変更し得るとはいうものの、通常約０．３〜２．
０μｍの範囲である。
ィップコータ、ローラコータなどのような常用の塗布装
置を使用して行うことができる。形成されるレジスト膜
の膜厚は、そのレジスト膜の使途などのファクタに応じ
て広く変更し得るとはいうものの、通常約０．３〜２．
０μｍの範囲である。
【００３８】次いで、形成されたレジスト膜を、放射線
を選択的に露光する前に約４０〜２３０℃の温度で約６
０〜１８０秒間にわたってプリベークする。このプリベ
ークには、例えば、ホットプレートのような加熱手段を
用いることができる。
を選択的に露光する前に約４０〜２３０℃の温度で約６
０〜１８０秒間にわたってプリベークする。このプリベ
ークには、例えば、ホットプレートのような加熱手段を
用いることができる。
【００３９】レジスト膜のプリベーク後、そのレジスト
膜を常用の露光装置の放射線で選択的に露光する。適当
な露光装置は、市販の紫外線（遠紫外線・真空紫外線）
露光装置、Ｘ線露光装置、電子ビーム露光装置、エキシ
マステッパ、その他であるが、特にアルゴンフッ素レー
ザー光又は電子線を光源とする露光が好ましい。露光条
件は、その都度適当な条件を選択することができる。こ
の選択露光の結果、レジストの主成分である樹脂自体が
分解して、現像液に対して溶解可能になる。
膜を常用の露光装置の放射線で選択的に露光する。適当
な露光装置は、市販の紫外線（遠紫外線・真空紫外線）
露光装置、Ｘ線露光装置、電子ビーム露光装置、エキシ
マステッパ、その他であるが、特にアルゴンフッ素レー
ザー光又は電子線を光源とする露光が好ましい。露光条
件は、その都度適当な条件を選択することができる。こ
の選択露光の結果、レジストの主成分である樹脂自体が
分解して、現像液に対して溶解可能になる。
【００４０】その後、このレジスト膜を適当な有機溶剤
系現像液で、常法にしたがって現像する。現像の結果、
レジスト膜の露光域が溶解除去せしめられてレジストパ
ターンが形成される。最後に、常法に従って乾燥し、レ
ジストパターンが得られる。
系現像液で、常法にしたがって現像する。現像の結果、
レジスト膜の露光域が溶解除去せしめられてレジストパ
ターンが形成される。最後に、常法に従って乾燥し、レ
ジストパターンが得られる。
【００４１】本発明のレジスト材料は、耐ドライエッチ
ング性に優れていることから、例えばシリコン酸化膜を
四フッ化炭素等のプラズマでドライエッチングする際
に、レジストパターンをマスクとして使用して基板加工
を行うことができる。
ング性に優れていることから、例えばシリコン酸化膜を
四フッ化炭素等のプラズマでドライエッチングする際
に、レジストパターンをマスクとして使用して基板加工
を行うことができる。
【００４２】
【実施例】次に、実施例を参照して本発明を更に説明す
る。なお、下記の実施例はほんの一例であって、これに
よって本発明が限定されるものではないことは言うまで
もない。
る。なお、下記の実施例はほんの一例であって、これに
よって本発明が限定されるものではないことは言うまで
もない。
【００４３】（実施例１）開始剤のカリウム−ｔ−ブト
キシド（モノマーの０．１モル％）を重合容器に仕込
み、モノマーの５倍量の溶剤テトラヒドロフランを加え
た。−７８℃にしたこの反応容器中にα−トリフルオロ
メチル−１−アダマンチルアクリレートを加え、反応容
器内が再び−７８℃になってから１８−クラウン−６を
カリウム−ｔ−ブトキシドと等量加え、−７８℃で約４
時間にわたって重合させた。重合の完結後、n-ヘキサン
を沈殿剤として精製を行なった。次式により表わされる
α−トリフルオロメチル−１−アダマンチルアクリレー
ト単独重合体が得られた。
キシド（モノマーの０．１モル％）を重合容器に仕込
み、モノマーの５倍量の溶剤テトラヒドロフランを加え
た。−７８℃にしたこの反応容器中にα−トリフルオロ
メチル−１−アダマンチルアクリレートを加え、反応容
器内が再び−７８℃になってから１８−クラウン−６を
カリウム−ｔ−ブトキシドと等量加え、−７８℃で約４
時間にわたって重合させた。重合の完結後、n-ヘキサン
を沈殿剤として精製を行なった。次式により表わされる
α−トリフルオロメチル−１−アダマンチルアクリレー
ト単独重合体が得られた。
【００４４】
【化１２】
【００４５】得られた重合体は、重量平均分子量（Ｍ
ｗ）が２２０，０００、分散度 (Ｍｗ／Ｍｎ）が１．２
１であった。
ｗ）が２２０，０００、分散度 (Ｍｗ／Ｍｎ）が１．２
１であった。
【００４６】（実施例２）実施例１において調製したα
−トリフルオロメチル−１−アダマンチルアクリレート
重合体をシクロヘキサノンに溶解した。得られた溶液
を、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）で前処理した
シリコン基板上に膜厚１．０μｍでスピンコートし、ホ
ットプレート上で１５０℃で１００秒間プリベークし
た。プリベークの完了後、得られたレジスト膜をＡｒＦ
エキシマ露光装置で波長１９３ｎｍのＡｒＦレーザー光
のパターンに選択露光した。続いて、レジスト膜をヘプ
タンで１２０秒間現像し、現像液をスピンオフした。露
光に用いたレーザー光パターンに相当する所望のレジス
トパターンが、パターンの剥がれを生じることなく得ら
れた。なお、本例での照射線量のしきいエネルギーＥth
は３５０ｍＪ／ｃｍ2 であり、０．２５μｍライン・ア
ンド・スペースを解像した。
−トリフルオロメチル−１−アダマンチルアクリレート
重合体をシクロヘキサノンに溶解した。得られた溶液
を、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）で前処理した
シリコン基板上に膜厚１．０μｍでスピンコートし、ホ
ットプレート上で１５０℃で１００秒間プリベークし
た。プリベークの完了後、得られたレジスト膜をＡｒＦ
エキシマ露光装置で波長１９３ｎｍのＡｒＦレーザー光
のパターンに選択露光した。続いて、レジスト膜をヘプ
タンで１２０秒間現像し、現像液をスピンオフした。露
光に用いたレーザー光パターンに相当する所望のレジス
トパターンが、パターンの剥がれを生じることなく得ら
れた。なお、本例での照射線量のしきいエネルギーＥth
は３５０ｍＪ／ｃｍ2 であり、０．２５μｍライン・ア
ンド・スペースを解像した。
【００４７】（実施例３）実施例２の手順に従ってホッ
トプレート上で１５０℃で１００秒間プリベークした試
料を、２週間大気中に放置した後に、実施例２と同様に
パターン化した。得られた結果は実施例２と同じであっ
た。
トプレート上で１５０℃で１００秒間プリベークした試
料を、２週間大気中に放置した後に、実施例２と同様に
パターン化した。得られた結果は実施例２と同じであっ
た。
【００４８】（実施例４）実施例２の手順に従ってレジ
スト膜を形成し、露光後に、トップコートを施さずに２
日間大気中に放置してから、実施例２と同様に現像を行
ってレジストパターンを形成した。この場合にも、得ら
れた結果は実施例２と同じであった。
スト膜を形成し、露光後に、トップコートを施さずに２
日間大気中に放置してから、実施例２と同様に現像を行
ってレジストパターンを形成した。この場合にも、得ら
れた結果は実施例２と同じであった。
【００４９】（実施例５）表面に反射防止用の有機膜を
設けたシリコン基板を使用し、実施例２と同じ手順で処
理を行った。この場合においても、得られた結果はやは
り実施例２と同じであった。反射防止膜を用いると化学
増幅型レジストの場合に認められるレジストパターンの
裾引きは、観測されなかった。
設けたシリコン基板を使用し、実施例２と同じ手順で処
理を行った。この場合においても、得られた結果はやは
り実施例２と同じであった。反射防止膜を用いると化学
増幅型レジストの場合に認められるレジストパターンの
裾引きは、観測されなかった。
【００５０】（比較例１）下式で表されるメタクリル酸
３−オキソシクロヘキシル−メタクリル酸アダマンチル
共重合体（Ｍｗ＝１５，０００、式中のｍ／ｎ比は５０
／５０）
３−オキソシクロヘキシル−メタクリル酸アダマンチル
共重合体（Ｍｗ＝１５，０００、式中のｍ／ｎ比は５０
／５０）
【００５１】
【化１３】
【００５２】と、下式で示される光酸発生剤
【００５３】
【化１４】
【００５４】からなる、既に知られている化学増幅型レ
ジストを、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）で前処
理したシリコン基板上に膜厚０．７μｍになるようにス
ピンコートし、ホットプレート上で１００℃で１００秒
間プリベークした。更にその上に飽和炭化水素樹脂から
なるトップコート膜を塗布し、レジスト膜を先の実施例
と同じＡｒＦエキシマ露光装置で波長１９３ｎｍのＡｒ
Ｆレーザー光のパターンに選択露光した。露光後１分３
０秒以内に１００℃で６０秒間ベークし、そしてトップ
コート膜を溶剤で剥離した。レジスト膜を０．２７Ｎの
テトラメチルブチルアンモニウムハイドロキシド（ＴＢ
ＡＨ）水溶液で１２０秒間現像し、更に純水で30秒間リ
ンスした。露光に用いたレーザー光パターンに相当する
所望のレジストパターンが、パターンの剥がれを生じる
ことなく得られた。本例での照射線量のしきいエネルギ
ーＥthは１３．５ｍＪ／ｃｍ2 であり、０．２５ライン
・アンド・スペースを解像した。
ジストを、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）で前処
理したシリコン基板上に膜厚０．７μｍになるようにス
ピンコートし、ホットプレート上で１００℃で１００秒
間プリベークした。更にその上に飽和炭化水素樹脂から
なるトップコート膜を塗布し、レジスト膜を先の実施例
と同じＡｒＦエキシマ露光装置で波長１９３ｎｍのＡｒ
Ｆレーザー光のパターンに選択露光した。露光後１分３
０秒以内に１００℃で６０秒間ベークし、そしてトップ
コート膜を溶剤で剥離した。レジスト膜を０．２７Ｎの
テトラメチルブチルアンモニウムハイドロキシド（ＴＢ
ＡＨ）水溶液で１２０秒間現像し、更に純水で30秒間リ
ンスした。露光に用いたレーザー光パターンに相当する
所望のレジストパターンが、パターンの剥がれを生じる
ことなく得られた。本例での照射線量のしきいエネルギ
ーＥthは１３．５ｍＪ／ｃｍ2 であり、０．２５ライン
・アンド・スペースを解像した。
【００５５】ここで、レジスト塗布後トップコートなし
で２週間大気中に放置した試料を用いたところ、上記と
同じ結果は得られず、パターンは解像しなかった。ま
た、レジスト膜を塗布後に、トップコートを塗布しない
で直ちに露光を行ってから２時間大気中に放置すると、
やはり上記と同じ結果は得られず、パターンは解像しな
かった。更に、表面に反射防止用有機膜を設けたシリコ
ン基板を使用した場合には、形成したレジストパターン
に裾引きが観察された。
で２週間大気中に放置した試料を用いたところ、上記と
同じ結果は得られず、パターンは解像しなかった。ま
た、レジスト膜を塗布後に、トップコートを塗布しない
で直ちに露光を行ってから２時間大気中に放置すると、
やはり上記と同じ結果は得られず、パターンは解像しな
かった。更に、表面に反射防止用有機膜を設けたシリコ
ン基板を使用した場合には、形成したレジストパターン
に裾引きが観察された。
【００５６】この比較例１と実施例２〜５とを比べる
と、従来の化学増幅型レジストを用いた場合には、本発
明のレジストを用いた場合よりも感度が高いとは言うも
のの、大気成分の環境制御や時間管理を厳しくするのが
不可欠であることが分かる。また、化学増幅型レジスト
の場合には基板表面に反射防止膜を設けると、酸発生剤
から生じた酸がこの膜へ拡散してレジスト膜中の酸濃度
が低下し、そのため形成したレジストパターンに裾引き
の現象が認められるのに対して、本発明のレジストを用
いればそのような有害な現象は認められないことが分か
る。
と、従来の化学増幅型レジストを用いた場合には、本発
明のレジストを用いた場合よりも感度が高いとは言うも
のの、大気成分の環境制御や時間管理を厳しくするのが
不可欠であることが分かる。また、化学増幅型レジスト
の場合には基板表面に反射防止膜を設けると、酸発生剤
から生じた酸がこの膜へ拡散してレジスト膜中の酸濃度
が低下し、そのため形成したレジストパターンに裾引き
の現象が認められるのに対して、本発明のレジストを用
いればそのような有害な現象は認められないことが分か
る。
【００５７】（比較例２）下式で示されるように、α位
にトリフルオロメチル基ではなく、メチル基を有する、
１−アダマンチルメタクリレート単独重合体を、実施例
１のα−トリフルオロメチル−１−アダマンチルアクリ
レートの代わりに１−アダマンチルメタクリレートを用
いて実施例１と同様のやり方でもって調製した。この重
合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は３００，０００、分散
度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．８６であった。
にトリフルオロメチル基ではなく、メチル基を有する、
１−アダマンチルメタクリレート単独重合体を、実施例
１のα−トリフルオロメチル−１−アダマンチルアクリ
レートの代わりに１−アダマンチルメタクリレートを用
いて実施例１と同様のやり方でもって調製した。この重
合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は３００，０００、分散
度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．８６であった。
【００５８】
【化１５】
【００５９】この重合体を使って、実施例２と同じ手順
によりレジストパターンを形成した。この場合の照射線
量のしきいエネルギーＥthは６８００ｍＪ／ｃｍ2 、
０．６０μｍライン・アンド・スペースを解像した。こ
のように、α位にトリフルオロメチル置換基のないアク
リレート樹脂のレジスト材料にあっては、感度、解像力
ともに本発明のレジスト材料より格段に劣ることが分か
る。
によりレジストパターンを形成した。この場合の照射線
量のしきいエネルギーＥthは６８００ｍＪ／ｃｍ2 、
０．６０μｍライン・アンド・スペースを解像した。こ
のように、α位にトリフルオロメチル置換基のないアク
リレート樹脂のレジスト材料にあっては、感度、解像力
ともに本発明のレジスト材料より格段に劣ることが分か
る。
【００６０】（実施例６）実施例１におけるモノマーの
α−トリフルオロメチル−１−アダマンチルアクリレー
トを、α−トリフルオロメチル−２−アダマンチルアク
リレートに替えたことを除いて、実施例１の手順を繰り
返し、次式で表されるα−トリフルオロメチル−２−ア
ダマンチルアクリレート単独重合体（Ｍｗ＝２００，０
００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．２４）を得た。
α−トリフルオロメチル−１−アダマンチルアクリレー
トを、α−トリフルオロメチル−２−アダマンチルアク
リレートに替えたことを除いて、実施例１の手順を繰り
返し、次式で表されるα−トリフルオロメチル−２−ア
ダマンチルアクリレート単独重合体（Ｍｗ＝２００，０
００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．２４）を得た。
【００６１】
【化１６】
【００６２】次に、この重合体を用いて、実施例２〜５
を繰り返した。いずれの場合にも、照射線量のしきいエ
ネルギーＥthは３５０ｍＪ／ｃｍ2 であり、０．２５μ
ｍライン・アンド・スペースを解像し、実施例２〜５の
場合と同じ性能であることが示された。また、反射防止
膜を使用した場合にも、レジストパターンの裾引きは認
められなかった。
を繰り返した。いずれの場合にも、照射線量のしきいエ
ネルギーＥthは３５０ｍＪ／ｃｍ2 であり、０．２５μ
ｍライン・アンド・スペースを解像し、実施例２〜５の
場合と同じ性能であることが示された。また、反射防止
膜を使用した場合にも、レジストパターンの裾引きは認
められなかった。
【００６３】（実施例７）実施例１におけるモノマーの
α−トリフルオロメチル−１−アダマンチルアクリレー
トを、α−トリフルオロメチル−１−メチルアダマンチ
ルアクリレートに替えたことを除き、実施例１の手順を
繰り返して、次式で表されるα−トリフルオロメチル−
１−メチルアダマンチルアクリレート単独重合体（Ｍｗ
＝３１０，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．１５）を得た。
α−トリフルオロメチル−１−アダマンチルアクリレー
トを、α−トリフルオロメチル−１−メチルアダマンチ
ルアクリレートに替えたことを除き、実施例１の手順を
繰り返して、次式で表されるα−トリフルオロメチル−
１−メチルアダマンチルアクリレート単独重合体（Ｍｗ
＝３１０，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．１５）を得た。
【００６４】
【化１７】
【００６５】次に、この重合体を用いて、実施例２〜５
を繰り返した。いずれの場合にも、照射線量のしきいエ
ネルギーＥthは３５０ｍＪ／ｃｍ2 、０．２５μｍライ
ン・アンド・スペースを解像し、実施例２〜５の場合と
同じ性能であることが示された。また、反射防止膜を使
用した場合にも、レジストパターンの裾引きは観測され
なかった。
を繰り返した。いずれの場合にも、照射線量のしきいエ
ネルギーＥthは３５０ｍＪ／ｃｍ2 、０．２５μｍライ
ン・アンド・スペースを解像し、実施例２〜５の場合と
同じ性能であることが示された。また、反射防止膜を使
用した場合にも、レジストパターンの裾引きは観測され
なかった。
【００６６】（実施例８）開始剤のカリウム−ｔ−ブト
キシド（モノマーの０．１モル％）を重合容器に仕込
み、モノマーの５倍量の溶剤テトラヒドロフランを加え
た。−７８℃にしたこの反応容器中にα−トリフルオロ
メチルノルボルニルアクリレートを加え、反応容器内が
再び−７８℃になってから１８−クラウン−６をカリウ
ム−ｔ−ブトキシドと等量加え、−７８℃で約４時間に
わたって重合させた。重合の完結後、ｎ−ヘキサンを沈
殿剤として精製を行なった。これにより、次式で表わさ
れるα−トリフルオロメチルノルボルニルアクリレート
単独重合体が得られた。
キシド（モノマーの０．１モル％）を重合容器に仕込
み、モノマーの５倍量の溶剤テトラヒドロフランを加え
た。−７８℃にしたこの反応容器中にα−トリフルオロ
メチルノルボルニルアクリレートを加え、反応容器内が
再び−７８℃になってから１８−クラウン−６をカリウ
ム−ｔ−ブトキシドと等量加え、−７８℃で約４時間に
わたって重合させた。重合の完結後、ｎ−ヘキサンを沈
殿剤として精製を行なった。これにより、次式で表わさ
れるα−トリフルオロメチルノルボルニルアクリレート
単独重合体が得られた。
【００６７】
【化１８】
【００６８】得られた重合体は、重量平均分子量（Ｍ
ｗ）が２５０，０００、分散度 (Ｍｗ／Ｍｎ）が１．２
７であった。
ｗ）が２５０，０００、分散度 (Ｍｗ／Ｍｎ）が１．２
７であった。
【００６９】（実施例９）実施例８で調製したα−トリ
フルオロメチルノルボルニルアクリレート重合体をシク
ロヘキサノンに溶解した。得られた溶液を、ヘキサメチ
ルジシラザン（ＨＭＤＳ）で前処理したシリコン基板上
に膜厚１．０μｍでスピンコートし、ホットプレート上
で１５０℃で１００秒間プリベークした。プリベーク完
了後、得られたレジスト膜を実施例２で使用したの同じ
ＡｒＦエキシマ露光装置で波長１９３ｎｍのＡｒＦレー
ザー光のパターンに選択露光した。続いて、レジスト膜
をヘプタンで１２０秒間現像し、現像液をスピンオフし
た。露光に用いたレーザー光パターンに相当する所望の
レジストパターンが、パターンの剥がれを生じることな
く得られた。本例での照射線量のしきいエネルギーＥth
は３６０ｍＪ／ｃｍ2であり、０．２５μｍライン・ア
ンド・スペースを解像した。
フルオロメチルノルボルニルアクリレート重合体をシク
ロヘキサノンに溶解した。得られた溶液を、ヘキサメチ
ルジシラザン（ＨＭＤＳ）で前処理したシリコン基板上
に膜厚１．０μｍでスピンコートし、ホットプレート上
で１５０℃で１００秒間プリベークした。プリベーク完
了後、得られたレジスト膜を実施例２で使用したの同じ
ＡｒＦエキシマ露光装置で波長１９３ｎｍのＡｒＦレー
ザー光のパターンに選択露光した。続いて、レジスト膜
をヘプタンで１２０秒間現像し、現像液をスピンオフし
た。露光に用いたレーザー光パターンに相当する所望の
レジストパターンが、パターンの剥がれを生じることな
く得られた。本例での照射線量のしきいエネルギーＥth
は３６０ｍＪ／ｃｍ2であり、０．２５μｍライン・ア
ンド・スペースを解像した。
【００７０】（実施例１０）実施例９の手順に従ってホ
ットプレート上で１５０℃で１００秒間プリベークした
試料を、２週間大気中に放置した後に、実施例９と同様
にパターン化した。得られた結果は実施例９と同じであ
った。
ットプレート上で１５０℃で１００秒間プリベークした
試料を、２週間大気中に放置した後に、実施例９と同様
にパターン化した。得られた結果は実施例９と同じであ
った。
【００７１】（実施例１１）実施例９の手順に従ってレ
ジスト膜を形成し、露光後に、トップコートを施さずに
２日間大気中に放置してから、実施例９と同様に現像を
行ってレジストパターンを形成した。この場合にも、得
られた結果は実施例９と同じであった。
ジスト膜を形成し、露光後に、トップコートを施さずに
２日間大気中に放置してから、実施例９と同様に現像を
行ってレジストパターンを形成した。この場合にも、得
られた結果は実施例９と同じであった。
【００７２】（実施例１２）表面に反射防止用の有機膜
を設けたシリコン基板を用いて、実施例９と同じ手順に
従って処理を行った。この場合にも、得られた結果はや
はり実施例９と同じであった。レジストパターンの裾引
きも認められなかった。
を設けたシリコン基板を用いて、実施例９と同じ手順に
従って処理を行った。この場合にも、得られた結果はや
はり実施例９と同じであった。レジストパターンの裾引
きも認められなかった。
【００７３】（実施例１３）開始剤のカリウム−ｔ−ブ
トキシド（モノマーの０．１モル％）を重合容器に仕込
み、モノマーの５倍量の溶剤テトラヒドロフランを加え
た。−７８℃にしたこの反応容器中にα−トリフルオロ
メチルナフチルアクリレートを加え、反応容器内が再び
−７８℃になってから１８−クラウン−６をカリウム−
ｔ−ブトキシドと等量加え、−７８℃で約４時間にわた
って重合させた。重合の完結後、ｎ−ヘキサンを沈殿剤
として精製を行なった。これにより、次式で表わされる
α−トリフルオロメチルナフチルアクリレート単独重合
体が得られた。
トキシド（モノマーの０．１モル％）を重合容器に仕込
み、モノマーの５倍量の溶剤テトラヒドロフランを加え
た。−７８℃にしたこの反応容器中にα−トリフルオロ
メチルナフチルアクリレートを加え、反応容器内が再び
−７８℃になってから１８−クラウン−６をカリウム−
ｔ−ブトキシドと等量加え、−７８℃で約４時間にわた
って重合させた。重合の完結後、ｎ−ヘキサンを沈殿剤
として精製を行なった。これにより、次式で表わされる
α−トリフルオロメチルナフチルアクリレート単独重合
体が得られた。
【００７４】
【化１９】
【００７５】この重合体は、重量平均分子量（Ｍｗ）が
３２０，０００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．３０であ
った。
３２０，０００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．３０であ
った。
【００７６】（実施例１４）実施例１３で調製したα−
トリフルオロメチルナフチルアクリレート重合体をシク
ロヘキサノンに溶解した。この溶液を、ヘキサメチルジ
シラザン（ＨＭＤＳ）で前処理したシリコン基板上に膜
厚１．０μｍでスピンコートし、ホットプレート上で１
５０℃で１００秒間プリベークした。プリベークの完了
後、得られたレジスト膜をＡｒＦエキシマ露光装置で波
長１９３ｎｍのＡｒＦレーザー光のパターンに選択露光
した。続いて、レジスト膜をヘプタンで１２０秒間現像
し、現像液をスピンオフした。露光に用いたレーザー光
パターンに相当する所望のレジストパターンが、パター
ンの剥がれを生じることなく得られた。照射線量のしき
いエネルギーＥthは６００ｍＪ／ｃｍ2 であり、０．２
５μｍライン・アンド・スペースを解像した。
トリフルオロメチルナフチルアクリレート重合体をシク
ロヘキサノンに溶解した。この溶液を、ヘキサメチルジ
シラザン（ＨＭＤＳ）で前処理したシリコン基板上に膜
厚１．０μｍでスピンコートし、ホットプレート上で１
５０℃で１００秒間プリベークした。プリベークの完了
後、得られたレジスト膜をＡｒＦエキシマ露光装置で波
長１９３ｎｍのＡｒＦレーザー光のパターンに選択露光
した。続いて、レジスト膜をヘプタンで１２０秒間現像
し、現像液をスピンオフした。露光に用いたレーザー光
パターンに相当する所望のレジストパターンが、パター
ンの剥がれを生じることなく得られた。照射線量のしき
いエネルギーＥthは６００ｍＪ／ｃｍ2 であり、０．２
５μｍライン・アンド・スペースを解像した。
【００７７】（実施例１５）実施例１４の手順に従って
ホットプレート上で１５０℃で１００秒間プリベークし
た試料を、２週間大気中に放置した後に、実施例１４と
同じようにパターン化した。得られた結果は実施例１４
と同じであった。
ホットプレート上で１５０℃で１００秒間プリベークし
た試料を、２週間大気中に放置した後に、実施例１４と
同じようにパターン化した。得られた結果は実施例１４
と同じであった。
【００７８】（実施例１６）実施例１４の手順に従って
レジスト膜を形成し、露光後に、トップコートを施さず
に２日間大気中に放置してから、実施例１４と同様に現
像を行ってレジストパターンを形成した。この場合に
も、得られた結果は実施例１４と同じであった。
レジスト膜を形成し、露光後に、トップコートを施さず
に２日間大気中に放置してから、実施例１４と同様に現
像を行ってレジストパターンを形成した。この場合に
も、得られた結果は実施例１４と同じであった。
【００７９】（実施例１７）表面に反射防止用有機膜を
設けたシリコン基板を使用して、実施例１４と同じ手順
に従って処理を行った。この場合にも、得られた結果は
やはり実施例１４と同じであった。レジストパターンの
裾引きも認められなかった。
設けたシリコン基板を使用して、実施例１４と同じ手順
に従って処理を行った。この場合にも、得られた結果は
やはり実施例１４と同じであった。レジストパターンの
裾引きも認められなかった。
【００８０】（実施例１８）反応容器中でナフチルメタ
クリレートと２，２，２−トリフルオロエチルメタクリ
レートを１：１のモル比で混合し、これらのモノマーの
０．１モル％の量の開始剤２，２’−アゾビス（イソブ
チロニトリル）（ＡＩＢＮ）を加え、そしてモノマーの
２倍量の溶剤トルエンに溶かした。この反応系を80℃に
し、約８時間にわたって重合させた。重合の完結後、ｎ
−ヘキサンを沈殿剤として精製を行なった。次式により
表わされるナフチルメタクリレート−２，２，２−トリ
フルオロエチルメタクリレート共重合体が得られた。
クリレートと２，２，２−トリフルオロエチルメタクリ
レートを１：１のモル比で混合し、これらのモノマーの
０．１モル％の量の開始剤２，２’−アゾビス（イソブ
チロニトリル）（ＡＩＢＮ）を加え、そしてモノマーの
２倍量の溶剤トルエンに溶かした。この反応系を80℃に
し、約８時間にわたって重合させた。重合の完結後、ｎ
−ヘキサンを沈殿剤として精製を行なった。次式により
表わされるナフチルメタクリレート−２，２，２−トリ
フルオロエチルメタクリレート共重合体が得られた。
【００８１】
【化２０】
【００８２】得られた重合体は、共重合比１：１、重量
平均分子量（Ｍｗ）が２１０，０００、分散度（Ｍｗ／
Ｍｎ）が２．３８であった。
平均分子量（Ｍｗ）が２１０，０００、分散度（Ｍｗ／
Ｍｎ）が２．３８であった。
【００８３】（実施例１９）実施例１８において調製し
たナフチルメタクリレート−２，２，２−トリフルオロ
エチルメタクリレート重合体をシクロヘキサノンに溶解
した。得られた溶液を、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭ
ＤＳ）で前処理したシリコン基板上に膜厚１．０μｍで
スピンコートし、ホットプレート上で１５０℃で１００
秒間プリベークした。プリベークの完了後、得られたレ
ジスト膜をＡｒＦエキシマ露光装置で波長１９３ｎｍの
ＡｒＦレーザー光のパターンに選択露光した。続いて、
レジスト膜をヘプタンで１２０秒間現像し、現像液をス
ピンオフした。露光に用いたレーザー光パターンに相当
する所望のレジストパターンが、パターンの剥がれを生
じることなく得られた。なお、本例での照射線量のしき
いエネルギーＥthは７８０ｍＪ／ｃｍ2 であり、０．２
５μｍライン・アンド・スペースを解像した。
たナフチルメタクリレート−２，２，２−トリフルオロ
エチルメタクリレート重合体をシクロヘキサノンに溶解
した。得られた溶液を、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭ
ＤＳ）で前処理したシリコン基板上に膜厚１．０μｍで
スピンコートし、ホットプレート上で１５０℃で１００
秒間プリベークした。プリベークの完了後、得られたレ
ジスト膜をＡｒＦエキシマ露光装置で波長１９３ｎｍの
ＡｒＦレーザー光のパターンに選択露光した。続いて、
レジスト膜をヘプタンで１２０秒間現像し、現像液をス
ピンオフした。露光に用いたレーザー光パターンに相当
する所望のレジストパターンが、パターンの剥がれを生
じることなく得られた。なお、本例での照射線量のしき
いエネルギーＥthは７８０ｍＪ／ｃｍ2 であり、０．２
５μｍライン・アンド・スペースを解像した。
【００８４】（実施例２０）実施例１９の手順に従って
ホットプレート上で１５０℃で１００秒間プリベークし
た試料を、２週間大気中に放置した後に、実施例１９と
同様にパターン化した。得られた結果は実施例１９と同
じであった。
ホットプレート上で１５０℃で１００秒間プリベークし
た試料を、２週間大気中に放置した後に、実施例１９と
同様にパターン化した。得られた結果は実施例１９と同
じであった。
【００８５】（実施例２１）実施例１９の手順に従って
レジスト膜を形成し、露光後に、トップコートを施さず
に２日間大気中に放置してから、実施例１９と同様に現
像を行ってレジストパターンを形成した。この場合に
も、得られた結果は実施例１９と同じであった。
レジスト膜を形成し、露光後に、トップコートを施さず
に２日間大気中に放置してから、実施例１９と同様に現
像を行ってレジストパターンを形成した。この場合に
も、得られた結果は実施例１９と同じであった。
【００８６】（実施例２２）表面に反射防止用有機膜を
設けたシリコン基板を使用して、実施例１９と同じ手順
に従って処理を行った。この場合にも、得られた結果は
やはり実施例１９と同じであった。レジストパターンの
裾引きも認められなかった。
設けたシリコン基板を使用して、実施例１９と同じ手順
に従って処理を行った。この場合にも、得られた結果は
やはり実施例１９と同じであった。レジストパターンの
裾引きも認められなかった。
【００８７】（実施例２３）反応容器中で１：１のモル
比の２−アダマンチルメタクリレートと２，２，２−ト
リフルオロエチルメタクリレートを混合し、開始剤のＡ
ＩＢＮをモノマーの０．１モル％加えて、モノマーの２
倍量の溶剤トルエンに溶かした。この反応系を８０℃に
し、約８時間にわたって重合させた。重合の完結後、ｎ
−ヘキサンを沈殿剤として精製を行なった。これによ
り、次式で表わされる２−アダマンチルメタクリレート
−２，２，２−トリフルオロエチルメタクリレート共重
合体が得られた。
比の２−アダマンチルメタクリレートと２，２，２−ト
リフルオロエチルメタクリレートを混合し、開始剤のＡ
ＩＢＮをモノマーの０．１モル％加えて、モノマーの２
倍量の溶剤トルエンに溶かした。この反応系を８０℃に
し、約８時間にわたって重合させた。重合の完結後、ｎ
−ヘキサンを沈殿剤として精製を行なった。これによ
り、次式で表わされる２−アダマンチルメタクリレート
−２，２，２−トリフルオロエチルメタクリレート共重
合体が得られた。
【００８８】
【化２１】
【００８９】この重合体は、共重合比１：１、重量平均
分子量（Ｍｗ）が２４０，０００、分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）が２．６２であった。
分子量（Ｍｗ）が２４０，０００、分散度（Ｍｗ／Ｍ
ｎ）が２．６２であった。
【００９０】（実施例２４）実施例２３で調製した２−
アダマンチルメタクリレート−２，２，２−トリフルオ
ロエチルメタクリレート重合体をシクロヘキサノンに溶
解した。この溶液を、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤ
Ｓ）で前処理したシリコン基板上に膜厚１．０μｍでス
ピンコートし、ホットプレート上で１５０℃で１００秒
間プリベークした。プリベークの完了後、得られたレジ
スト膜をＡｒＦエキシマ露光装置で波長１９３ｎｍのＡ
ｒＦレーザー光のパターンに選択露光した。続いて、レ
ジスト膜をヘプタンで１２０秒間現像し、現像液をスピ
ンオフした。露光に用いたレーザー光パターンに相当す
る所望のレジストパターンが、パターンの剥がれを生じ
ることなく得られた。照射線量のしきいエネルギーＥth
は７２０ｍＪ／ｃｍ2 であり、０．２５μｍライン・ア
ンド・スペースを解像した。
アダマンチルメタクリレート−２，２，２−トリフルオ
ロエチルメタクリレート重合体をシクロヘキサノンに溶
解した。この溶液を、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤ
Ｓ）で前処理したシリコン基板上に膜厚１．０μｍでス
ピンコートし、ホットプレート上で１５０℃で１００秒
間プリベークした。プリベークの完了後、得られたレジ
スト膜をＡｒＦエキシマ露光装置で波長１９３ｎｍのＡ
ｒＦレーザー光のパターンに選択露光した。続いて、レ
ジスト膜をヘプタンで１２０秒間現像し、現像液をスピ
ンオフした。露光に用いたレーザー光パターンに相当す
る所望のレジストパターンが、パターンの剥がれを生じ
ることなく得られた。照射線量のしきいエネルギーＥth
は７２０ｍＪ／ｃｍ2 であり、０．２５μｍライン・ア
ンド・スペースを解像した。
【００９１】（実施例２５）実施例２４の手順に従って
ホットプレート上で１５０℃で１００秒間プリベークし
た試料を、２週間大気中に放置した後に、実施例２４と
同様にパターン化した。得られた結果は実施例２４と同
じであった。
ホットプレート上で１５０℃で１００秒間プリベークし
た試料を、２週間大気中に放置した後に、実施例２４と
同様にパターン化した。得られた結果は実施例２４と同
じであった。
【００９２】（実施例２６）実施例２４の手順に従って
レジスト膜を形成し、露光後に、トップコートを施さず
に２日間大気中に放置してから、実施例２４と同様に現
像を行ってレジストパターンを形成した。この場合に
も、得られた結果は実施例２４と同じであった。
レジスト膜を形成し、露光後に、トップコートを施さず
に２日間大気中に放置してから、実施例２４と同様に現
像を行ってレジストパターンを形成した。この場合に
も、得られた結果は実施例２４と同じであった。
【００９３】（実施例２７）表面に反射防止用有機膜を
設けたシリコン基板を使用して、実施例２４と同じ手順
に従って処理を行った。この場合にも、得られた結果は
やはり実施例２４と同じであった。レジストパターンの
裾引きも認められなかった。
設けたシリコン基板を使用して、実施例２４と同じ手順
に従って処理を行った。この場合にも、得られた結果は
やはり実施例２４と同じであった。レジストパターンの
裾引きも認められなかった。
【００９４】（実施例２８）実施例２３で調製した２−
アダマンチルメタクリレート−２，２，２−トリフルオ
ロエチルメタクリレート重合体にこの重合体の５重量％
の量の４，４’−ジアジドカルコンを加え、そしてシク
ロヘキサノンに溶解した。この溶液を、ヘキサメチルジ
シラザン（ＨＭＤＳ）で前処理したシリコン基板上に膜
厚１．０μｍでスピンコートし、ホットプレート上で２
００℃で１５０秒間プリベークした。プリベークの完了
後、得られたレジスト膜をＡｒＦエキシマ露光装置で波
長１９３ｎｍのＡｒＦレーザー光のパターンに選択露光
した。続いて、レジスト膜をキシレンで１８０秒間現像
し、現像液をスピンオフした。露光に用いたレーザー光
パターンに相当する所望のレジストパターンが、パター
ンの剥がれを生じることなく得られた。照射線量のしき
いエネルギーＥthは８０ｍＪ／ｃｍ2 であり、０．２５
μｍライン・アンド・スペースを解像した。
アダマンチルメタクリレート−２，２，２−トリフルオ
ロエチルメタクリレート重合体にこの重合体の５重量％
の量の４，４’−ジアジドカルコンを加え、そしてシク
ロヘキサノンに溶解した。この溶液を、ヘキサメチルジ
シラザン（ＨＭＤＳ）で前処理したシリコン基板上に膜
厚１．０μｍでスピンコートし、ホットプレート上で２
００℃で１５０秒間プリベークした。プリベークの完了
後、得られたレジスト膜をＡｒＦエキシマ露光装置で波
長１９３ｎｍのＡｒＦレーザー光のパターンに選択露光
した。続いて、レジスト膜をキシレンで１８０秒間現像
し、現像液をスピンオフした。露光に用いたレーザー光
パターンに相当する所望のレジストパターンが、パター
ンの剥がれを生じることなく得られた。照射線量のしき
いエネルギーＥthは８０ｍＪ／ｃｍ2 であり、０．２５
μｍライン・アンド・スペースを解像した。
【００９５】（実施例２９）実施例２８の手順に従って
ホットプレート上で２００℃で１５０秒間プリベークし
た試料を、２週間大気中に放置した後に、実施例２８と
同様にパターン化した。得られた結果は実施例２８と同
じであった。
ホットプレート上で２００℃で１５０秒間プリベークし
た試料を、２週間大気中に放置した後に、実施例２８と
同様にパターン化した。得られた結果は実施例２８と同
じであった。
【００９６】（実施例３０）実施例２８の手順に従って
レジスト膜を形成し、露光後に、トップコートを施さず
に２日間大気中に放置してから、実施例２８と同様に現
像を行ってレジストパターンを形成した。この場合に
も、得られた結果は実施例２８と同じであった。
レジスト膜を形成し、露光後に、トップコートを施さず
に２日間大気中に放置してから、実施例２８と同様に現
像を行ってレジストパターンを形成した。この場合に
も、得られた結果は実施例２８と同じであった。
【００９７】（実施例３１）表面に反射防止用有機膜を
設けたシリコン基板を使用して、実施例２８と同じ手順
に従って処理を行った。この場合にも、得られた結果は
やはり実施例２８と同じであった。レジストパターンの
裾引きも認められなかった。
設けたシリコン基板を使用して、実施例２８と同じ手順
に従って処理を行った。この場合にも、得られた結果は
やはり実施例２８と同じであった。レジストパターンの
裾引きも認められなかった。
【００９８】
【発明の効果】従来の短波長露光用の化学増幅型レジス
ト材料が、大気成分の環境制御や時間管理のために環境
制御コーターやトップコートのように特別な装置や膜の
使用を必要としていたのと対照的に、本発明のレジスト
材料は、基板への塗布後及び現像前等の工程間での放置
時間や環境雰囲気に左右されずに、微細パターンを安定
して形成するのを可能にする。そしてこのように優れた
特性を備えたレジスト材料を用いる本発明のレジストパ
ターン形成方法によれば、環境制御コーターのような特
別な装置を使用せずに、しかも簡単な工程管理によっ
て、安定な微細パターンを形成するのが可能になる。
ト材料が、大気成分の環境制御や時間管理のために環境
制御コーターやトップコートのように特別な装置や膜の
使用を必要としていたのと対照的に、本発明のレジスト
材料は、基板への塗布後及び現像前等の工程間での放置
時間や環境雰囲気に左右されずに、微細パターンを安定
して形成するのを可能にする。そしてこのように優れた
特性を備えたレジスト材料を用いる本発明のレジストパ
ターン形成方法によれば、環境制御コーターのような特
別な装置を使用せずに、しかも簡単な工程管理によっ
て、安定な微細パターンを形成するのが可能になる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｆ
Claims (10)
- 【請求項１】 トリフルオロメチル置換基又はトリフル
オロメチル基を末端に有する置換基と、脂環族又は芳香
族炭化水素置換基とを有するアクリレート系の繰り返し
単位を含む樹脂を含むレジスト材料。 - 【請求項２】 前記アクリレート系繰り返し単位が下式
で表される、請求項１記載のレジスト材料。 【化１】 （この式のＲ1 は脂環族又は芳香族炭化水素基である） - 【請求項３】 前記アクリレート系繰り返し単位を含む
樹脂が単独重合体である、請求項２記載のレジスト材
料。 - 【請求項４】 前記アクリレート系繰り返し単位を含む
樹脂が共重合体である、請求項２記載のレジスト材料。 - 【請求項５】 前記共重合体の前記アクリレート系繰り
返し単位以外の繰返し単位が、アクリル酸、アクリル酸
エステル及びこれらのα置換体を含む誘導体、スチレン
及びその誘導体、又はビニルケトン及びその誘導体から
得られたものである、請求項４記載のレジスト材料。 - 【請求項６】 前記樹脂が下式で示される構造を有す
る、請求項１記載のレジスト材料。 【化２】 （この式のＲ1 は脂環族又は芳香族炭化水素基であり、
ｐは０〜５の整数、ｒは０〜５の整数であり、Ｒ3 とＲ
4 は炭素数１〜４の炭化水素基、ハロゲン化炭化水素
基、水素又はハロゲンであって、Ｒ3 とＲ4 は同一であ
っても異なっていてもよく、ｍとｎは正の整数である） - 【請求項７】 前記脂環族炭化水素置換基が、アダマン
タンもしくはその誘導体、ノルボルナンもしくはその誘
導体、シクロヘキサンもしくはその誘導体、パーヒドロ
アントラセンもしくはその誘導体、パーヒドロナフタレ
ンもしくはその誘導体、トリシクロ〔５．２．１．０
2.6 〕デカンもしくはその誘導体、ビシクロヘキサンも
しくはその誘導体、スピロ〔４，４〕ノナンもしくはそ
の誘導体、又はスピロ〔４，５〕デカンもしくはその誘
導体を骨格とする基である、請求項１から６までのいず
れか一つに記載のレジスト材料。 - 【請求項８】 前記芳香族炭化水素置換基が、ベンゼン
もしくはその誘導体、ナフタレンもしくはその誘導体、
アントラセンもしくはその誘導体、トリシクロペンタジ
エンもしくはその誘導体、又はフローレンもしくはその
誘導体を骨格とする基である、請求項１から６までのい
ずれか一つに記載のレジスト材料。 - 【請求項９】 アジド化合物を更に含む、請求項１から
８までのいずれか一つに記載のレジスト材料。 - 【請求項１０】 請求項１から９までのいずれか一つに
記載のレジスト材料の溶液を被処理基板上に塗布し、形
成したレジスト膜をプリベークし、次いでこのレジスト
膜を放射線に選択的に露光して所定のパターンの潜像を
形成後、現像液でこのレジストパターンを現像すること
を含む、レジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19747595A JP3748596B2 (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19747595A JP3748596B2 (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0943848A true JPH0943848A (ja) | 1997-02-14 |
| JP3748596B2 JP3748596B2 (ja) | 2006-02-22 |
Family
ID=16375108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19747595A Expired - Lifetime JP3748596B2 (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3748596B2 (ja) |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1103856A1 (en) * | 1999-11-29 | 2001-05-30 | Central Glass Company, Limited | Positive resist composition & process for forming resist pattern using same |
| JP2002006501A (ja) * | 1999-11-09 | 2002-01-09 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化学増幅型レジスト組成物 |
| JP2003186197A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-03 | Sony Corp | レジスト材料及び露光方法 |
| US6683202B2 (en) | 2001-02-22 | 2004-01-27 | Tokyo Ohka, Kogyo Co., Ltd. | Fluorine-containing monomeric ester compound for base resin in photoresist composition |
| WO2004052832A1 (ja) * | 2002-12-11 | 2004-06-24 | Asahi Glass Company, Limited | フッ素化されたアダマンタン誘導体 |
| KR100452415B1 (ko) * | 2001-10-16 | 2004-10-12 | 주식회사 켐써치 | 포토레지스트용 감광성 고분자 |
| US6864037B2 (en) | 2001-06-25 | 2005-03-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymers, resist compositions and patterning process |
| JP2005509176A (ja) * | 2001-03-22 | 2005-04-07 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | フォトレジスト組成物 |
| WO2005033752A1 (ja) * | 2003-10-06 | 2005-04-14 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 防眩フィルム |
| US6887644B1 (en) | 1997-06-23 | 2005-05-03 | Fujitsu Limited | Polymer compound for a chemical amplification resist and a fabrication process of a semiconductor device using such a chemical amplification resist |
| KR100498464B1 (ko) * | 2002-11-22 | 2005-07-01 | 삼성전자주식회사 | 불소 함유 감광성 폴리머, 이를 포함하는 레지스트 조성물및 레지스트 조성물을 이용한 패턴 형성 방법 |
| KR100732285B1 (ko) * | 2000-12-26 | 2007-06-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물 |
| JP2007291397A (ja) * | 2001-06-25 | 2007-11-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2008116496A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| US7402714B2 (en) | 2004-06-16 | 2008-07-22 | Asahi Glass Company, Limited | Fluoroadamantane derivative |
| US7425646B2 (en) | 2004-06-16 | 2008-09-16 | Asahi Glass Company, Limited | Fluorinated adamantane derivative |
| US7488847B2 (en) | 2002-12-11 | 2009-02-10 | Asahi Glass Company, Limited | Fluorinated adamantane and its derivatives |
| EP2019334A3 (en) * | 2005-07-26 | 2009-07-29 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition and method of pattern formation with the same |
| JP2010204672A (ja) * | 1999-11-09 | 2010-09-16 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化学増幅型レジスト組成物 |
| KR101021860B1 (ko) * | 2003-12-03 | 2011-03-17 | 주식회사 동진쎄미켐 | 말로네이트가 결합된 펜던트기를 가지는 고분자와 그제조방법, 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
| KR101032042B1 (ko) * | 2011-01-19 | 2011-05-02 | 주식회사 동진쎄미켐 | 말로네이트가 결합된 펜던트기를 가지는 고분자와 그 제조방법, 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
| US8519073B2 (en) | 2006-10-31 | 2013-08-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Compound and polymeric compound |
| KR101420527B1 (ko) * | 2012-11-30 | 2014-07-17 | 인하대학교 산학협력단 | 광이합체화 반응을 이용하는 포토레지스트 및 이를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법 |
-
1995
- 1995-08-02 JP JP19747595A patent/JP3748596B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6887644B1 (en) | 1997-06-23 | 2005-05-03 | Fujitsu Limited | Polymer compound for a chemical amplification resist and a fabrication process of a semiconductor device using such a chemical amplification resist |
| JP2010204672A (ja) * | 1999-11-09 | 2010-09-16 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化学増幅型レジスト組成物 |
| JP2002006501A (ja) * | 1999-11-09 | 2002-01-09 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化学増幅型レジスト組成物 |
| JP4711018B2 (ja) * | 1999-11-09 | 2011-06-29 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物 |
| US6723485B1 (en) | 1999-11-29 | 2004-04-20 | Central Glass Company, Limited | Positive resist composition and process for forming resist pattern using same |
| EP1103856A1 (en) * | 1999-11-29 | 2001-05-30 | Central Glass Company, Limited | Positive resist composition & process for forming resist pattern using same |
| KR100732285B1 (ko) * | 2000-12-26 | 2007-06-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물 |
| US6683202B2 (en) | 2001-02-22 | 2004-01-27 | Tokyo Ohka, Kogyo Co., Ltd. | Fluorine-containing monomeric ester compound for base resin in photoresist composition |
| US6846949B2 (en) | 2001-02-22 | 2005-01-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Fluorine-containing monomeric ester compound for base resin in photoresist composition |
| JP2005509176A (ja) * | 2001-03-22 | 2005-04-07 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | フォトレジスト組成物 |
| JP2007291397A (ja) * | 2001-06-25 | 2007-11-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| US6864037B2 (en) | 2001-06-25 | 2005-03-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymers, resist compositions and patterning process |
| KR100452415B1 (ko) * | 2001-10-16 | 2004-10-12 | 주식회사 켐써치 | 포토레지스트용 감광성 고분자 |
| JP2003186197A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-03 | Sony Corp | レジスト材料及び露光方法 |
| KR100498464B1 (ko) * | 2002-11-22 | 2005-07-01 | 삼성전자주식회사 | 불소 함유 감광성 폴리머, 이를 포함하는 레지스트 조성물및 레지스트 조성물을 이용한 패턴 형성 방법 |
| US7314952B2 (en) | 2002-12-11 | 2008-01-01 | Asahi Glass Company, Limited | Fluorinated adamantane derivatives |
| JP4534765B2 (ja) * | 2002-12-11 | 2010-09-01 | 旭硝子株式会社 | フッ素化されたアダマンタン誘導体およびその製造方法 |
| WO2004052832A1 (ja) * | 2002-12-11 | 2004-06-24 | Asahi Glass Company, Limited | フッ素化されたアダマンタン誘導体 |
| JPWO2004052832A1 (ja) * | 2002-12-11 | 2006-04-13 | 旭硝子株式会社 | フッ素化されたアダマンタン誘導体 |
| US7488847B2 (en) | 2002-12-11 | 2009-02-10 | Asahi Glass Company, Limited | Fluorinated adamantane and its derivatives |
| US7645502B2 (en) | 2003-10-06 | 2010-01-12 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Anti-dazzling film |
| WO2005033752A1 (ja) * | 2003-10-06 | 2005-04-14 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 防眩フィルム |
| KR101021860B1 (ko) * | 2003-12-03 | 2011-03-17 | 주식회사 동진쎄미켐 | 말로네이트가 결합된 펜던트기를 가지는 고분자와 그제조방법, 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
| US7402714B2 (en) | 2004-06-16 | 2008-07-22 | Asahi Glass Company, Limited | Fluoroadamantane derivative |
| US7511177B2 (en) | 2004-06-16 | 2009-03-31 | Asahi Glass Company, Limited | Fluoroadamantane derivative |
| US7425646B2 (en) | 2004-06-16 | 2008-09-16 | Asahi Glass Company, Limited | Fluorinated adamantane derivative |
| EP2019334A3 (en) * | 2005-07-26 | 2009-07-29 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition and method of pattern formation with the same |
| US8871421B2 (en) | 2005-07-26 | 2014-10-28 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition and method of pattern formation with the same |
| US9057952B2 (en) | 2005-07-26 | 2015-06-16 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition and method of pattern formation with the same |
| US9541831B2 (en) | 2005-07-26 | 2017-01-10 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition and method of pattern formation with the same |
| US9835945B2 (en) | 2005-07-26 | 2017-12-05 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition and method of pattern formation with the same |
| JP2008116496A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| US8519073B2 (en) | 2006-10-31 | 2013-08-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Compound and polymeric compound |
| KR101032042B1 (ko) * | 2011-01-19 | 2011-05-02 | 주식회사 동진쎄미켐 | 말로네이트가 결합된 펜던트기를 가지는 고분자와 그 제조방법, 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
| KR101420527B1 (ko) * | 2012-11-30 | 2014-07-17 | 인하대학교 산학협력단 | 광이합체화 반응을 이용하는 포토레지스트 및 이를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3748596B2 (ja) | 2006-02-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3748596B2 (ja) | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 | |
| KR100257456B1 (ko) | 레지스트패턴 형성방법 | |
| JP3751065B2 (ja) | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 | |
| JP3380128B2 (ja) | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 | |
| JP3676918B2 (ja) | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 | |
| TWI680989B (zh) | 圖案形成方法 | |
| KR0153807B1 (ko) | 방사선 감광재료 및 패턴형성방법 | |
| KR20000047909A (ko) | 이타콘산 무수물 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트조성물 | |
| JP2004504635A (ja) | 深紫外線用フォトレジスト組成物及びそれの製造方法 | |
| JP3945741B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
| KR100235209B1 (ko) | 레지스트패턴의 형성방법 | |
| JP3584968B2 (ja) | ネガ型フォトレジスト・パターンの形成方法 | |
| JP4527827B2 (ja) | フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、および半導体素子 | |
| JP3979726B2 (ja) | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 | |
| JP2000212221A (ja) | 酸感応性共重合体、レジスト組成物及びレジストパタ―ンの形成方法 | |
| JP3221909B2 (ja) | フォトレジスト材料およびそれを用いるパターン形成方法 | |
| JP3724890B2 (ja) | 化学増幅型レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法 | |
| KR20000047910A (ko) | 단파장 이미지화에 특히 적합한 포토레지스트 조성물 | |
| JP2001215710A (ja) | 感光性ポリマーおよびこれを含む化学増幅型レジスト組成物とその製造方法 | |
| JPH11338151A (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
| JP3815844B2 (ja) | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 | |
| JP6741540B2 (ja) | 基板の表面物性を制御する方法 | |
| JP3770694B2 (ja) | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 | |
| JP3803313B2 (ja) | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 | |
| JP3919806B2 (ja) | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040813 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050222 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050421 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050802 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050930 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051101 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051129 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081209 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091209 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091209 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101209 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111209 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111209 Year of fee payment: 6 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111209 Year of fee payment: 6 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111209 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121209 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121209 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131209 Year of fee payment: 8 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |