KR100732285B1 - 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물 - Google Patents

포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 신규의 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 하기 화학식 3으로 표시되는 포토레지스트 중합체 및 이 중합체를 함유하는 본 발명의 포토레지스트 조성물은 에칭 내성, 내열성 및 기판에 대한 접착성이 우수하고, 현상액인 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 수용액에 현상 가능할 뿐만 아니라 193nm 및 157nm 파장에서의 광흡수도가 낮아 고집적 반도체 소자의 미세 회로를 제조할 때 원자외선 영역의 광원, 특히 VUV (157nm) 및 EUV (13nm) 광원을 이용한 리소그래피 공정에 매우 유용하게 사용될 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112000027895601-pat00001
상기 식에서,
R1은 산에 민감한 보호기 (acid labile protecting group)이고, R2는 알리사이클릭 (alicyclic group) 그룹이며, a : b = 10∼90mol% : 10∼90mol%이다.

Description

포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물 {Photoresist monomer, polymer thereof and photoresist composition containing the same}
도 1 내지 도 3은 각각 실시예 8 내지 10에서 형성된 패턴 사진이다.
본 발명은 신규의 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고집적 반도체 소자의 미세 회로 제조시 원자외선 영역의 광원, 특히 VUV (Vacuum Ultra Violet; 157nm) 및 EUV (Extreme Ultra Violet; 13nm) 광원을 이용한 리소그래피 공정에 사용하기에 적합한 포토레지스트용 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유한 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
ArF 및 VUV용 감광막으로 이용되기 위해서는 193nm 및 157nm 파장에서 광흡수도가 낮아야 하고, 에칭 내성과 기판에 대한 접착성이 우수하여야 하며, 2.38wt% 및 2.6wt% 테트라메틸암모늄히드록사이드 (TMAH) 수용액으로 현상이 가능해야 하는 등의 많은 요건을 충족시켜야 한다.
현재까지의 주된 연구방향은 193nm 에서 높은 투명성이 있으며, 에칭 내성이 노볼락 수지와 같은 수준의 수지를 탐색하는 것이었다. 그러나 대부분의 이들 레지스트들은 157nm의 파장 영역에서 강한 흡광도를 보이므로 VUV용 레지스트로서는 부적합하다.
이를 보완하기 위하여 플루오린 및 실리콘을 포함하는 레지스트를 개발하는 연구가 집중적으로 수행되고 있는 실정이다.
플루오린을 포함하는 레지스트의 경우는 중합체의 주쇄 (main chain) 내에 플루오린이 함유되어 있을 때 특히 낮은 흡광도를 지니는 것으로 알려져 있으나, 단순히 플루오린만을 함유한 아크릴레이트 계통의 중합체는 에칭 내성이 낮고, TMAH 수용액에서 용해도가 낮아 현상이 어려우며, 실리콘 기판에 대한 접착력이 크게 떨어지기 때문에 실제로 상용화하기에는 많은 문제점을 안고 있다.
또한 실리콘을 포함하는 감광제의 경우는 식각시 불산-산소 처리와 같은 2단계 처리가 요구되며, 처리후에 불산을 완벽하게 제거하기가 어렵기 때문에 실제 반도체 소자의 생산에 적용하기 곤란하였다.
그러나 현재, 좋은 용해 특성을 보이는 플루오린을 포함하는 폴리에틸렌, 폴리아크릴레이트계 수지가 등장하여 포토레지스트로서의 가능성을 보이고 있다. 그러나 아직 이들 수지의 경우 기판에 대한 접착성이 부족하고 에칭 내성이 부족하며 광흡수도 또한 여전히 높은 실정이다.
이에 본 발명자들은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 노력하여 오던 중, 노광후 또는 베이킹후 현상액에 좋은 용해 특성을 보이고 에칭 내성이 뛰 어나며 광흡수도가 낮은 포토레지스트 단량체 및 그의 중합체를 합성하여 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 VUV (157nm) 및 EUV (13nm) 광원에서 사용할 수 있는 신규의 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 상기 중합체를 함유하는 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 플루오린을 함유하는 신규의 포토레지스트 단량체 및 그의 중합체; 상기 포토레지스트 중합체를 함유하는 포토레지스트 조성물; 및 상기 포토레지스트 조성물을 이용하여 제조된 반도체 소자를 제공한다.
이하 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명에서는 우선, 하기 화학식 1 또는 화학식 2의 화합물 중에서 선택되는 포토레지스트 단량체를 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112000027895601-pat00002
상기 식에서, R1은 산에 민감한 보호기 (acid labile protecting group)이 다.
[화학식 2]
Figure 112000027895601-pat00003
상기 식에서, R2는 알리사이클릭 (alicyclic group) 그룹이다.
상기 산에 민감한 보호기인 R1은 치환 또는 비치환된 C1-C15의 알킬기 또는 아릴기이거나, 알콕시알킬 또는 사이클로알콕시알킬이며, 구체적인 예로는 tert-부틸, 테트라히드로피란-2-일, 2-메틸 테트라히드로피란-2-일, 테트라히드로퓨란-2-일, 2-메틸 테트라히드로퓨란-2-일, 1-메톡시프로필, 1-메톡시-1-메틸에틸, 1-에톡시프로필, 1-에톡시-1-메틸에틸, 1-메톡시에틸, 1-에톡시에틸, tert-부톡시에틸, 1-이소부톡시에틸 또는 2-아세틸멘트-1-일 등이 있다.
또한 상기 알리사이클릭 그룹인 R2에는 이소보닐 (isobornyl), 노르보닐 (norbornyl) 또는 아다만틸 (adamantyl) 등이 있다.
상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식 1a 내지 화학식 1c의 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
[화학식 1a]
Figure 112000027895601-pat00004
[화학식 1b]
Figure 112000027895601-pat00005
[화학식 1c]
Figure 112000027895601-pat00006
또한, 상기 화학식 2의 화합물은 하기 화학식 2a 내지 2d의 화합물인 것이 바람직하다.
[화학식 2a]
Figure 112000027895601-pat00007
[화학식 2b]
Figure 112000027895601-pat00008
[화학식 2c]
Figure 112000027895601-pat00009
[화학식 2d]
Figure 112000027895601-pat00010
본 발명에서는 또한, 상기 포토레지스트 단량체를 포함하는 포토레지스트 중합체를 제공한다.
상기 중합체는 하기 화학식 3으로 나타낼 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112000027895601-pat00011
상기 식에서,
R1은 산에 민감한 보호기이고, R2는 알리사이클릭 그룹이며, a : b = 10∼90mol% : 10∼90mol%이다.
상기 포토레지스트 중합체는 하기 화학식 3a 내지 화학식 3c의 화합물로 이 루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
[화학식 3a]
Figure 112000027895601-pat00012
[화학식 3b]
Figure 112000027895601-pat00013
[화학식 3c]
Figure 112000027895601-pat00014
본 발명의 포토레지스트 중합체는 단량체들을 통상의 라디칼 중합개시제로 라디칼 중합하여 제조할 수 있는데 그 과정은 하기와 같은 단계로 이루어진다:
(a) 상기 화학식 1의 단량체와, 상기 화학식 2의 단량체와, 중합개시제를 혼합하는 단계와
(b) 상기 용액을 불활성 기체 분위기 하에서 중합시키는 단계.
상기 (a) 단계에서의 혼합은 테트라히드로퓨란, 디메틸포름아미드, 디메틸술폭사이드, 디옥산, 벤젠, 톨루엔 및 자일렌으로 이루어진 군으로부터 선택된 유기용매 중에서 하는 것이 바람직하며; 중합 개시제는 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 (AIBN), 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드, t-부틸퍼아세테이트, t-부틸하이드로퍼옥사이드, 디-t-부틸퍼옥사이드 및 벤조일퍼옥사이드로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 사용하는 것이 바람직하다.
한편, 생성된 중합체를 결정 정제하는 용매로는 디에틸에테르; 석유에테르 (petroleum ether); 메탄올, 에탄올 또는 이소프로판올을 포함하는 저급 알코올; 및 물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
또한 본 발명에서는 (i) 전술한 본 발명의 포토레지스트 중합체와, (ii) 광산 발생제와, (iii) 유기용매를 포함하는 포토레지스트 조성물을 제공한다.
상기 광산 발생제는 157nm 및 193nm에서 상대적으로 흡광도가 적은 프탈이미도트리플루오로메탄술포네이트, 디니트로벤질토실레이트, n-데실디술폰 및 나프틸이미도트리플루오로메탄술포네이트로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 사용하는 것이 바람직하고, 이와 함께, 디페닐요도염 헥사플루오르포스페이트, 디페닐요도염 헥사플루오르 아르세네이트, 디페닐요도염 헥사플루오르 안티모네이트, 디페닐파라메톡시페닐 트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐 트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐 트리플레이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 아르세네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트 및 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 광산 발생제를 겸용할 수 있다.
이러한 광산 발생제는 포토레지스트 중합체에 대해 0.1 내지 10 중량% 비율로 사용되는 것이 바람직하다.
또한 상기 포토레지스트 조성물에 사용되는 유기용매는 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시 프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트, n-헵타논, 에틸 락테이트, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜 디메틸에테르, 에틸렌글리콜 디에틸에테르 및 에틸렌글리콜 디프로필에테르로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
상기 유기용매는 상기 포토레지스트 중합체에 대해 400 내지 1500 중량%의 양으로 사용되는데, 이는 원하는 두께의 포토레지스트를 얻기 위해서이며, 본 발명에서는 1000 중량%의 양으로 사용될 때 포토레지스트의 두께가 0.2㎛ 였다.
본 발명에서는 또한 하기와 같은 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴 형성방법을 제공한다:
(a) 전술한 본 발명의 포토레지스트 조성물을 피식각층 상부에 도포하여 포토레지스트 막을 형성하는 단계;
(b) 상기 포토레지스트 막을 노광하는 단계; 및
(c) 상기 결과물을 현상하여 패턴을 얻는 단계.
상기 과정에서, (b)단계의 노광전 및/또는 노광후에 각각 베이크 공정을 실시하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 이러한 베이크 공정은 70 내지 200℃에서 수행된다.
상기 노광 공정은 VUV, ArF, KrF, EUV, E-빔, X-선 또는 이온 빔을 이용하여, 0.1 내지 50 mJ/cm2의 노광에너지로 수행되는 것이 바람직하다.
본 발명에서는 또한 전술한 패턴 형성방법을 이용하여 제조된 반도체 소자를 제공한다.
이하 본 발명을 실시예에 의하여 상세히 설명한다. 단 실시예는 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
Ⅰ. 포토레지스트 단량체의 제조
실시예 1. t-부틸트리플루오로메틸아크릴레이트의 합성
트리플루오로메틸아크릴산 (0.2M)과 t-부틸알콜 (0.2M), 디시클로헥실카보이미드 (0.2M)를 완전히 탈수한 50ml의 테트라하이드로퓨란에서 혼합한 후 상온에서 12시간 동안 반응시켰다. 반응 후 생성된 흰색의 염을 여과한 후 에틸에테르를 이용하여 추출한 후 여러 번 순수로 세척하고 이 용액을 모아 진공증류하여 상기 화학식 1a의 표제 화합물을 얻었다 (수율 : 78%).
실시예 2. 에톡시에틸트리플루오로메틸아크릴레이트의 합성
트리플루오로메틸아크릴산 (0.2M), 에틸비닐에테르 (0.2M), p-톨루엔술폰산 (10mg)을 탈수한 테트라하이드로퓨란 100ml에 녹인 후 저온 (10℃)에서 12시간 동안 반응시켰다. 반응후 결과 용액을 증류하여 테트라하이드로퓨란을 제거한 후 에틸에테르를 이용하여 추출한 후 약염기 (5% Na2CO3 수용액)로 수지를 씻어준 후 다시 증류수로 깨끗이 씻어 염기를 완전히 제거하였다. 이 용액을 모아 진공증류하여 상기 화학식 1b의 표제 화합물을 얻었다 (수율 : 84%).
실시예 3. 시클로헥실옥시에틸트리플루오로메틸아크릴레이트의 합성
트리플루오로메틸아크릴산 (0.2M), 시클로헥실비닐에테르 (0.2M), p-톨루엔술폰산 (10mg)을 탈수한 테트라하이드로퓨란 100ml에 녹인 후 저온 (10℃)에서 12시간 동안 반응시켰다. 반응후 결과 용액을 증류하여 테트라하이드로퓨란을 제거한 후 에틸에테르를 이용하여 추출한 후 약염기 (5% Na2CO3 수용액)로 수지를 씻어준 후 다시 증류수로 깨끗이 씻어 염기를 완전히 제거하였다. 이 용액을 모아 진공증류하여 상기 화학식 1c의 표제 화합물을 얻었다 (수율 : 80%).
실시예 4. 이소보닐트리플루오로메틸아크릴레이트의 합성
트리플루오로메틸아크릴산 (0.2M)과 이소보네올 (isoborneol, 0.2M), 디시클로헥실카보이미드 (0.2M)를 완전히 탈수한 50ml의 테트라하이드로퓨란에서 혼합한 후 상온에서 12시간 동안 반응시켰다. 반응 후 생성된 흰색의 염을 여과한 후 에틸에테르를 이용하여 추출한 후 여러 번 순수로 세척하고 이 용액을 모아 진공증류하여 상기 화학식 2a의 표제 화합물을 얻었다 (수율 : 78%).
Ⅱ. 포토레지스트 중합체의 제조방법
실시예 5. 화학식 3a의 중합체의 합성
상기 실시예 1에서 제조한 화학식 1a의 단량체 (0.05mol), 실시예 4에서 제조한 화학식 2a의 단량체 (0.05mol)와 AIBN을 테트라하이드로퓨란 (100ml)에 녹인 후 70℃에서 6시간 동안 반응시켰다. 반응후 결과의 용액을 증류하여 테트라하이드로퓨란을 제거한 후 석유 에테르에서 침전시키고 여과하였다. 결과의 수지를 진공 건조시켜 상기 화학식 3a의 중합체를 얻었다 (수율 : 80%).
실시예 6. 화학식 3b의 중합체의 합성
상기 실시예 3에서 제조한 화학식 1c의 단량체 (0.05mol), 실시예 4에서 제조한 화학식 2a의 단량체 (0.05mol)와 AIBN을 테트라하이드로퓨란 (100ml)에 녹인 후 70℃에서 6시간 동안 반응시켰다. 반응후 결과의 용액을 증류하여 테트라하이드로퓨란을 제거한 후 석유 에테르에서 침전시키고 여과하였다. 결과의 수지를 진공 건조시켜 상기 화학식 3b의 중합체를 얻었다 (수율 : 82%).
실시예 7. 화학식 3c의 중합체의 합성
상기 실시예 2에서 제조한 화학식 1b의 단량체 (0.05mol), 실시예 4에서 제조한 화학식 2a의 단량체 (0.05mol)와 AIBN을 테트라하이드로퓨란 (100ml)에 녹인 후 70℃에서 6시간 동안 반응시켰다. 반응후 결과의 용액을 증류하여 테트라하이드로퓨란을 제거한 후 석유 에테르에서 침전시키고 여과하였다. 결과의 수지를 진공 건조시켜 상기 화학식 3c의 중합체를 얻었다 (수율 : 81%).
Ⅲ. 포토레지스트 조성물의 제조 및 패턴 형성
실시예 8.
실시예 5에서 제조한 중합체 (10g)와 광산 발생제인 프탈이미도트리플루오로메탄술포네이트 0.06g과 트리페닐설포늄 트리플레이트 0.06g을 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 (PGMEA) 용매 150g에 녹인후 0.20㎛ 필터로 여과시켜 포토레지스트 조성물을 얻었다.
이렇게 얻은 포토레지스트 조성물을 실리콘 웨이퍼의 피식각층 상부에 도포하여 포토레지스트 박막을 제조한 다음, 130℃의 오븐 또는 열판에서 90초간 소프트 베이크를 하고, ArF 레이저 노광장비로 노광한 후 130℃에서 90초간 노광후 베이크하였다. 이렇게 노광한 웨이퍼를 2.38 wt% TMAH 수용액에서 40초간 침지하여 현상함으로써 120nm L/S의 초미세 포토레지스트 패턴을 형성하였다 (도 1 참조).
실시예 9.
실시예 6에서 제조한 중합체 (10g)와 광산 발생제인 프탈이미도트리플루오로메탄술포네이트 0.06g과 트리페닐설포늄 트리플레이트 0.06g을 PGMEA 용매 150g에 녹인후 0.20㎛ 필터로 여과시켜 포토레지스트 조성물을 얻었다.
이렇게 얻은 포토레지스트 조성물을 실리콘 웨이퍼의 피식각층 상부에 도포하여 포토레지스트 박막을 제조한 다음, 130℃의 오븐 또는 열판에서 90초간 소프트 베이크를 하고, ArF 레이저 노광장비로 노광한 후 130℃에서 90초간 노광후 베이크하였다. 이렇게 노광한 웨이퍼를 2.38 wt% TMAH 수용액에서 40초간 침지하여 현상함으로써 120nm L/S의 초미세 포토레지스트 패턴을 형성하였다 (도 2 참조).
실시예 10.
실시예 7에서 제조한 중합체 (10g)와 광산 발생제인 프탈이미도트리플루오로 메탄술포네이트 0.06g과 트리페닐설포늄 트리플레이트 0.06g을 PGMEA 용매 150g에 녹인후 0.20㎛ 필터로 여과시켜 포토레지스트 조성물을 얻었다.
이렇게 얻은 포토레지스트 조성물을 실리콘 웨이퍼의 피식각층 상부에 도포하여 포토레지스트 박막을 제조한 다음, 130℃의 오븐 또는 열판에서 90초간 소프트 베이크를 하고, ArF 레이저 노광장비로 노광한 후 130℃에서 90초간 노광후 베이크하였다. 이렇게 노광한 웨이퍼를 2.38 wt% TMAH 수용액에서 40초간 침지하여 현상함으로써 120nm L/S의 초미세 포토레지스트 패턴을 형성하였다 (도 3 참조).
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 포토레지스트 중합체는 플루오린이 함유되어 있을 뿐만 아니라 알리사이클릭 그룹도 함유되어 있어 157nm 파장에서의 흡광도가 낮으며 에칭 내성 또한 우수하다.
본 발명의 중합체를 함유하는 포토레지스트 조성물을 이용하여, ArF 노광 장비로 노광한 결과, 알칼리 현상액에 성공적으로 현상되어 패턴이 형성되었다.
따라서 포토레지스트 조성물은 ArF (193nm) 뿐만 아니라 VUV (157nm) 및 EUV (13nm) 영역의 광원에 대한 감광제로 유용하게 사용할 수 있다.

Claims (22)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
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  5. 삭제
  6. 하기 화학식 3의 중합반복단위를 포함하는 포토레지스트 중합체.
    [화학식 3]
    Figure 112006005939624-pat00024
    상기 식에서,
    R1은 산에 민감한 보호기이고, R2는 이소보닐 (isobornyl) 그룹이며, a : b = 10∼90mol% : 10∼90mol%이다.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 화학식 3의 중합반복단위는 하기 화학식 3a 내지 화학식 3c의 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 중합체.
    [화학식 3a]
    Figure 712006001719958-pat00025
    [화학식 3b]
    Figure 712006001719958-pat00026
    [화학식 3c]
    Figure 712006001719958-pat00027
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 산에 민감한 보호기는 tert-부틸, 테트라히드로피란-2-일, 2-메틸 테트라히드로피란-2-일, 테트라히드로퓨란-2-일, 2-메틸 테트라히드로퓨란-2-일, 1-메톡시프로필, 1-메톡시-1-메틸에틸, 1-에톡시프로필, 1-에톡시-1-메틸에틸, 1-메톡시에틸, 1-에톡시에틸, tert-부톡시에틸, 1-이소부톡시에틸 및 2-아세틸멘트-1-일로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 중합체.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. (i) 제 6 항의 포토레지스트 중합체와, (ii) 광산 발생제와, (iii) 유기용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 광산 발생제는 프탈이미도트리플루오로메탄술포네이트, 디니트로벤질토실레이트, n-데실디술폰 및 나프틸이미도트리플루오로메탄술포네이트로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    상기 유기용매는 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시 프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트, n-헵타논, 에틸 락테이트, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜 디메틸에테르, 에틸렌글리콜 디에틸에테르 및 에틸렌글리콜 디프로필에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 광산 발생제에 더하여 디페닐요도염 헥사플루오르포스페이트, 디페닐요도염 헥사플루오르 아르세네이트, 디페닐요도염 헥사플루오르 안티모네이트, 디페닐파라메톡시페닐 트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐 트리플레이트, 디페닐파라이 소부틸페닐 트리플레이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 아르세네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트 및 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 광산 발생제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 광산 발생제는 포토레지스트 중합체에 대해 0.1 내지 10 중량%의 비율로 사용되고,
    상기 유기용매는 상기 포토레지스트 중합체에 대해 400 내지 1500 중량% 의 양으로 사용되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. (a) 제 11 항 기재의 포토레지스트 조성물을 피식각층 상부에 도포하여 포토레지스트 막을 형성하는 단계;
    (b) 상기 포토레지스트 막을 EUV (Extreme Ultra Violet), VUV (Vacuum Ultra Violet), ArF, KrF, E-빔, X-선 및 이온 빔으로 이루어진 군에서 선택된 노광원을 이용하여 노광하는 단계;
    (c) 상기 노광된 포토레지스트 막을 100 내지 200℃ 온도에서 베이크 하는 단계; 및
    (d) 상기 결과물을 현상하여 패턴을 얻는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 제 17 항 기재의 방법에 의해 제조된 반도체 소자.
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