JP2003186197A - レジスト材料及び露光方法 - Google Patents
レジスト材料及び露光方法Info
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- JP2003186197A JP2003186197A JP2001385901A JP2001385901A JP2003186197A JP 2003186197 A JP2003186197 A JP 2003186197A JP 2001385901 A JP2001385901 A JP 2001385901A JP 2001385901 A JP2001385901 A JP 2001385901A JP 2003186197 A JP2003186197 A JP 2003186197A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空紫外線（ＶＵＶ）の波長領域での吸収の
低い高分子材料を使用することにより、これまで以上の
極微細加工を可能とする。 【解決手段】 レジスト層に選択的に紫外線で露光して
所定の形状にパターニングする露光方法において、上記
レジスト層を構成する高分子材料として、２以上の水素
原子がフッ素原子、トリフロロメチル基、ジフロロメチ
レン基から選ばれる少なくとも１種により置換されたア
ダマンタン基が導入された高分子材料を用いる。
低い高分子材料を使用することにより、これまで以上の
極微細加工を可能とする。 【解決手段】 レジスト層に選択的に紫外線で露光して
所定の形状にパターニングする露光方法において、上記
レジスト層を構成する高分子材料として、２以上の水素
原子がフッ素原子、トリフロロメチル基、ジフロロメチ
レン基から選ばれる少なくとも１種により置換されたア
ダマンタン基が導入された高分子材料を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体分野
において微細加工を行うためのレジスト材料及び露光方
法に関する。
において微細加工を行うためのレジスト材料及び露光方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体の分野においては、半導体
素子の高集積化に伴い、例えば０．１μｍ以下の極微細
パターンの加工を可能にする新たなプロセス技術の確立
が急務となっている。
素子の高集積化に伴い、例えば０．１μｍ以下の極微細
パターンの加工を可能にする新たなプロセス技術の確立
が急務となっている。
【０００３】微細パターンの加工には、いわゆるリソグ
ラフィ技術が不可欠であり、露光波長の短波長化により
光学的な解像度を向上し極微細加工に対応するために、
従来の水銀ランプのｇ線、ｉ線やＫｒＦ（クリプトン・
フッ素：波長２４８ｎｍ）及びＡｒＦ（アルゴン・フッ
素：波長１９３ｎｍ）エキシマレーザによる紫外線によ
るリソグラフィの技術が産業応用なされてきた。これら
の技術は、その波長による解像度の制約から、デザイン
ルール０．１３μｍ以上の素子の作製に適用されてい
る。
ラフィ技術が不可欠であり、露光波長の短波長化により
光学的な解像度を向上し極微細加工に対応するために、
従来の水銀ランプのｇ線、ｉ線やＫｒＦ（クリプトン・
フッ素：波長２４８ｎｍ）及びＡｒＦ（アルゴン・フッ
素：波長１９３ｎｍ）エキシマレーザによる紫外線によ
るリソグラフィの技術が産業応用なされてきた。これら
の技術は、その波長による解像度の制約から、デザイン
ルール０．１３μｍ以上の素子の作製に適用されてい
る。
【０００４】一方、デザインルール０．１μｍ以下の素
子の作製を可能とする新しいリソグラフィの技術を開発
することが急務となっている。このため、従来のリソグ
ラフィ技術で用いられてきた露光光源波長をさらに短波
長化した、波長１７０ｎｍ以下の真空紫外線（ＶＵＶ：
vacuum ultraviolet）を用いた新しい露光技術の開発が
精力的に進められている。具体的な光源としては、Ｆ２
（フッ素ダイマ）エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）を
用いたリソグラフィ技術の開発が、既存のリソグラフィ
技術であるＡｒＦリソグラフィの後継として進められて
いる。また、さらに、Ｆ２リソグラフィの後継として、
Ａｒ２（アルゴンダイマ）エキシマレーザ（波長１２６
ｎｍ）を用いたリソグラフィ技術が提案されている。
子の作製を可能とする新しいリソグラフィの技術を開発
することが急務となっている。このため、従来のリソグ
ラフィ技術で用いられてきた露光光源波長をさらに短波
長化した、波長１７０ｎｍ以下の真空紫外線（ＶＵＶ：
vacuum ultraviolet）を用いた新しい露光技術の開発が
精力的に進められている。具体的な光源としては、Ｆ２
（フッ素ダイマ）エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）を
用いたリソグラフィ技術の開発が、既存のリソグラフィ
技術であるＡｒＦリソグラフィの後継として進められて
いる。また、さらに、Ｆ２リソグラフィの後継として、
Ａｒ２（アルゴンダイマ）エキシマレーザ（波長１２６
ｎｍ）を用いたリソグラフィ技術が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記真
空紫外線（ＶＵＶ）の波長領域では、レジスト材料とし
てこれまで用いられてきた通常の有機材料は、その光学
的な吸収が大きく、照射した光がレジスト層の下部にま
で到達せずに良好な矩形のレジストパターンを作製する
ことができず、レジストパターンが劣化するという問題
がある。すなわち、例えば既存のレジスト材料を構成す
る高分子の主骨格となる、ノボラック樹脂（ｉ線リソグ
ラフィ用）、ポリヒドロキシスチレン樹脂（ＫｒＦリソ
グラフィ用）、アクリル樹脂（ＡｒＦリソグラフィ用）
等の樹脂は、真空紫外線の領域での吸収が大きく、ＶＵ
Ｖリソグラフィ用のレジスト材料として用いることはで
きないのである。
空紫外線（ＶＵＶ）の波長領域では、レジスト材料とし
てこれまで用いられてきた通常の有機材料は、その光学
的な吸収が大きく、照射した光がレジスト層の下部にま
で到達せずに良好な矩形のレジストパターンを作製する
ことができず、レジストパターンが劣化するという問題
がある。すなわち、例えば既存のレジスト材料を構成す
る高分子の主骨格となる、ノボラック樹脂（ｉ線リソグ
ラフィ用）、ポリヒドロキシスチレン樹脂（ＫｒＦリソ
グラフィ用）、アクリル樹脂（ＡｒＦリソグラフィ用）
等の樹脂は、真空紫外線の領域での吸収が大きく、ＶＵ
Ｖリソグラフィ用のレジスト材料として用いることはで
きないのである。
【０００６】このために、これまではレジストパターン
劣化の対策として、７０ｎｍ程度以下にレジスト膜厚を
薄くすることによりレジスト層の膜全体での透過率を向
上させていたが、レジスト膜厚が薄いために充分なエッ
チング耐性をとることができないという問題、及び薄膜
化によりレジスト層の欠陥数が増大してしまうという問
題があった。
劣化の対策として、７０ｎｍ程度以下にレジスト膜厚を
薄くすることによりレジスト層の膜全体での透過率を向
上させていたが、レジスト膜厚が薄いために充分なエッ
チング耐性をとることができないという問題、及び薄膜
化によりレジスト層の欠陥数が増大してしまうという問
題があった。
【０００７】また、レジストパターン劣化の別の対策と
して、透過率が低くてもパターニングの可能なシリル化
反応等を伴う表面イメージング法が適用されてきたが、
表面イメージング法には、レジストパターンのエッジ部
の荒れが顕著であること、及び寸法制御性が充分ではな
いこと等の問題があった。
して、透過率が低くてもパターニングの可能なシリル化
反応等を伴う表面イメージング法が適用されてきたが、
表面イメージング法には、レジストパターンのエッジ部
の荒れが顕著であること、及び寸法制御性が充分ではな
いこと等の問題があった。
【０００８】そこで本発明はこのような従来の実情に鑑
みて提案されたものであり、真空紫外線（ＶＵＶ）の波
長領域での吸収の低い高分子材料を用いたレジスト材料
を提供することを目的とする。また、本発明は、上記レ
ジスト材料を使用することによりこれまで以上の極微細
加工が可能な露光方法を提供することを目的とする。
みて提案されたものであり、真空紫外線（ＶＵＶ）の波
長領域での吸収の低い高分子材料を用いたレジスト材料
を提供することを目的とする。また、本発明は、上記レ
ジスト材料を使用することによりこれまで以上の極微細
加工が可能な露光方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、エッチング耐
性を維持するための基である芳香族環及び脂環族基のう
ち、より透明な傾向のある脂環族基の真空紫外線の領域
での吸収をより効率的に低下させる方法に関するもので
ある。特に脂環族基として、アダマンタン基を用いた場
合の、効率的な吸収の低下方法に関するものである。
性を維持するための基である芳香族環及び脂環族基のう
ち、より透明な傾向のある脂環族基の真空紫外線の領域
での吸収をより効率的に低下させる方法に関するもので
ある。特に脂環族基として、アダマンタン基を用いた場
合の、効率的な吸収の低下方法に関するものである。
【００１０】すなわち、本発明に係るレジスト材料は、
脂環族基としてアダマンタン基を有する高分子材料を含
有してなり、上記アダマンタン基の２以上の水素原子が
フッ素原子、トリフロロメチル基、ジフロロメチレン基
から選ばれる少なくとも１種により置換されていること
を特徴とする。
脂環族基としてアダマンタン基を有する高分子材料を含
有してなり、上記アダマンタン基の２以上の水素原子が
フッ素原子、トリフロロメチル基、ジフロロメチレン基
から選ばれる少なくとも１種により置換されていること
を特徴とする。
【００１１】また、本発明に係る露光方法は、レジスト
層に選択的に紫外線で露光して所定の形状にパターニン
グする露光方法において、上記レジスト層を構成する高
分子材料として、２以上の水素原子がフッ素原子、トリ
フロロメチル基、ジフロロメチレン基から選ばれる少な
くとも１種により置換されたアダマンタン基が導入され
た高分子材料を用いることを特徴とする。
層に選択的に紫外線で露光して所定の形状にパターニン
グする露光方法において、上記レジスト層を構成する高
分子材料として、２以上の水素原子がフッ素原子、トリ
フロロメチル基、ジフロロメチレン基から選ばれる少な
くとも１種により置換されたアダマンタン基が導入され
た高分子材料を用いることを特徴とする。
【００１２】本発明では、２以上の水素原子が、フッ素
原子、トリフロロメチル基又はジフロロメチレン基に置
換されてなるアダマンタン基を有する特定の高分子材料
を用いることにより、充分透明な脂環族基が得られ、密
着性及びエッチング耐性の劣化を抑えつつ真空紫外線の
領域で吸収の小さいレジスト材料を得ることが可能とな
る。このようなレジスト材料を用いて露光して所定の形
状にパターニングすることで、良好な矩形のレジストパ
ターンが得られる。
原子、トリフロロメチル基又はジフロロメチレン基に置
換されてなるアダマンタン基を有する特定の高分子材料
を用いることにより、充分透明な脂環族基が得られ、密
着性及びエッチング耐性の劣化を抑えつつ真空紫外線の
領域で吸収の小さいレジスト材料を得ることが可能とな
る。このようなレジスト材料を用いて露光して所定の形
状にパターニングすることで、良好な矩形のレジストパ
ターンが得られる。
【００１３】この理由を以下に説明する。通常、レジス
ト材料を構成する高分子材料中には、エッチング耐性を
維持するため、芳香族環若しくは脂環族基が導入されて
いる。すなわち、ｉ線用リソグラフィ用の樹脂であるノ
ボラック樹脂、及び、ＫｒＦリソグラフィ用の樹脂であ
るポリヒドロキシスチレン樹脂は、いずれも芳香族環を
有する樹脂であり、また、ＡｒＦリソグラフィ用のアク
リル樹脂には、芳香族環がＡｒＦリソグラフィの露光波
長である１９３ｎｍに大きな吸収を有するため芳香族環
に代わり脂環族基が導入されている。しかしながら、こ
れらの芳香族環及び脂環族基は、真空紫外線の領域では
大きな吸収を有し、そのままＶＵＶリソグラフィ用のレ
ジスト材料を構成する高分子材料に含有させることがで
きない。
ト材料を構成する高分子材料中には、エッチング耐性を
維持するため、芳香族環若しくは脂環族基が導入されて
いる。すなわち、ｉ線用リソグラフィ用の樹脂であるノ
ボラック樹脂、及び、ＫｒＦリソグラフィ用の樹脂であ
るポリヒドロキシスチレン樹脂は、いずれも芳香族環を
有する樹脂であり、また、ＡｒＦリソグラフィ用のアク
リル樹脂には、芳香族環がＡｒＦリソグラフィの露光波
長である１９３ｎｍに大きな吸収を有するため芳香族環
に代わり脂環族基が導入されている。しかしながら、こ
れらの芳香族環及び脂環族基は、真空紫外線の領域では
大きな吸収を有し、そのままＶＵＶリソグラフィ用のレ
ジスト材料を構成する高分子材料に含有させることがで
きない。
【００１４】一方、芳香族環及び脂環族基に含有される
水素原子をフッ素原子、トリフロロメチル基又はジフロ
ロメチレン基に置換すると、置換された芳香族環及び脂
環族基は、無置換の場合よりも、より真空紫外線の領域
での吸収が減少することが知られている。真空紫外線の
領域での吸収を低下させるという見地のみから考えた場
合、芳香族環及び脂環族基に含有される全ての水素原子
をフッ素原子、トリフロロメチル基又はジフロロメチレ
ン基に置換することが最も望ましいのであるが、パーフ
ロロ化された有機材料は、レジスト層の下地となる酸化
シリコン膜、有機若しくは無機反射防止膜等との密着性
が著しく劣化し、レジスト材料として用いるには不適当
である。すなわち、密着性低下を回避するという観点か
らは、芳香族環及び脂環族基に含有される水素原子をフ
ッ素原子、トリフロロメチル基又はジフロロメチレン基
で置換する比率をなるべく抑えることが望ましい。ま
た、有機材料には、これに含有される水素原子をフッ素
原子、トリフロロメチル基又はジフロロメチレン基で置
換する比率が上昇するほど、エッチング耐性が劣化する
という傾向があり、この観点からも、芳香族環及び脂環
族基に含有される水素原子をフッ素原子、トリフロロメ
チル基又はジフロロメチレン基で置換する比率をなるべ
く抑えることが望ましい。
水素原子をフッ素原子、トリフロロメチル基又はジフロ
ロメチレン基に置換すると、置換された芳香族環及び脂
環族基は、無置換の場合よりも、より真空紫外線の領域
での吸収が減少することが知られている。真空紫外線の
領域での吸収を低下させるという見地のみから考えた場
合、芳香族環及び脂環族基に含有される全ての水素原子
をフッ素原子、トリフロロメチル基又はジフロロメチレ
ン基に置換することが最も望ましいのであるが、パーフ
ロロ化された有機材料は、レジスト層の下地となる酸化
シリコン膜、有機若しくは無機反射防止膜等との密着性
が著しく劣化し、レジスト材料として用いるには不適当
である。すなわち、密着性低下を回避するという観点か
らは、芳香族環及び脂環族基に含有される水素原子をフ
ッ素原子、トリフロロメチル基又はジフロロメチレン基
で置換する比率をなるべく抑えることが望ましい。ま
た、有機材料には、これに含有される水素原子をフッ素
原子、トリフロロメチル基又はジフロロメチレン基で置
換する比率が上昇するほど、エッチング耐性が劣化する
という傾向があり、この観点からも、芳香族環及び脂環
族基に含有される水素原子をフッ素原子、トリフロロメ
チル基又はジフロロメチレン基で置換する比率をなるべ
く抑えることが望ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した露光方法
について、図面を参照しながら詳細に説明する。
について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１６】本発明の露光方法は、例えば半導体素子に
おける極微細パターンの加工に応用されるものであり、
具体的には、基板上に感光作用を有するレジスト材料を
塗布してレジスト層を形成する工程と、レジスト層に真
空紫外線を選択的に露光して感光される工程と、レジス
ト層を現像によって所定のパターンにする工程とからな
る。
おける極微細パターンの加工に応用されるものであり、
具体的には、基板上に感光作用を有するレジスト材料を
塗布してレジスト層を形成する工程と、レジスト層に真
空紫外線を選択的に露光して感光される工程と、レジス
ト層を現像によって所定のパターンにする工程とからな
る。
【００１７】感光用の真空紫外線としては、任意の波長
の真空紫外線を使用することができるが、特に、特定の
波長（１１０ｎｍ〜１７０ｎｍ）の真空紫外線を使用す
ることで、これまで以上の解像性能が得られる。さらに
望ましくは、露光波長が１２０ｎｍ〜１６５ｎｍの範囲
にあるとより好適である。具体的には、Ｆ２（フッ素ダ
イマ）エキシマレーザを光源とした波長１５７ｎｍや、
Ａｒ２（アルゴンダイマ）エキシマレーザを光源とした
波長１２６ｎｍの真空紫外線を使用できる。
の真空紫外線を使用することができるが、特に、特定の
波長（１１０ｎｍ〜１７０ｎｍ）の真空紫外線を使用す
ることで、これまで以上の解像性能が得られる。さらに
望ましくは、露光波長が１２０ｎｍ〜１６５ｎｍの範囲
にあるとより好適である。具体的には、Ｆ２（フッ素ダ
イマ）エキシマレーザを光源とした波長１５７ｎｍや、
Ａｒ２（アルゴンダイマ）エキシマレーザを光源とした
波長１２６ｎｍの真空紫外線を使用できる。
【００１８】上記レジスト層に使用する高分子材料は、
アダマンタン基を含む高分子材料であり、例えばアダマ
ンタン基を含むノボラック樹脂、アダマンタン基を含む
ポリヒドロキシスチレン樹脂、アダマンタン基を含むア
クリル樹脂、アダマンタン基を含むシロキサン樹脂、ア
ダマンタン基を含むシルセスキオキサン樹脂、アダマン
タン基を含むポリシクロオレフィン樹脂等を基本骨格と
するものである。
アダマンタン基を含む高分子材料であり、例えばアダマ
ンタン基を含むノボラック樹脂、アダマンタン基を含む
ポリヒドロキシスチレン樹脂、アダマンタン基を含むア
クリル樹脂、アダマンタン基を含むシロキサン樹脂、ア
ダマンタン基を含むシルセスキオキサン樹脂、アダマン
タン基を含むポリシクロオレフィン樹脂等を基本骨格と
するものである。
【００１９】本発明では、上記のような高分子材料に含
有されるアダマンタン基の２以上の水素原子がフッ素原
子、トリフロロメチル基、ジフロロメチレン基から選ば
れる少なくとも１種により置換されている。
有されるアダマンタン基の２以上の水素原子がフッ素原
子、トリフロロメチル基、ジフロロメチレン基から選ば
れる少なくとも１種により置換されている。
【００２０】なお、アダマンタン基の残りの水素原子
は、レジスト層全体の露光用の真空紫外線の波長におけ
る吸収係数が５μｍ−１以下となる範囲で、他の基、例
えばアルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子、アミ
ノ基、ニトロ基、メチレン基及びその誘導体等で置換さ
れていてもよい。また、アダマンタン基の残りの水素原
子のうちの２以上がフッ素原子以外の置換基により置換
されている場合、これら置換基は異なっていても同一で
あってもよく、互いに結合していてもよい。さらに、こ
れら置換基は互いに結合していてもよい。
は、レジスト層全体の露光用の真空紫外線の波長におけ
る吸収係数が５μｍ−１以下となる範囲で、他の基、例
えばアルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子、アミ
ノ基、ニトロ基、メチレン基及びその誘導体等で置換さ
れていてもよい。また、アダマンタン基の残りの水素原
子のうちの２以上がフッ素原子以外の置換基により置換
されている場合、これら置換基は異なっていても同一で
あってもよく、互いに結合していてもよい。さらに、こ
れら置換基は互いに結合していてもよい。
【００２１】また、レジスト層に使用する高分子とし
て、これらアダマンタン基を含む高分子材料単独を使用
しても良いし、場合により、露光感度向上のための光酸
発生剤、現像特性向上のための溶解抑制剤、解像特性の
ための架橋剤等を添加しても良い。これらの添加剤は、
レジスト層全体の露光用の真空紫外線の波長における吸
収係数が５μｍ−１以下となる範囲で、どのような分率
で含有させても良い。ただし、好ましくは、レジスト層
に使用する高分子材料に対する重量比で、２５％以下で
ある。これ以上含有させると、レジスト材料全体として
の解像性能が低下する場合がある。
て、これらアダマンタン基を含む高分子材料単独を使用
しても良いし、場合により、露光感度向上のための光酸
発生剤、現像特性向上のための溶解抑制剤、解像特性の
ための架橋剤等を添加しても良い。これらの添加剤は、
レジスト層全体の露光用の真空紫外線の波長における吸
収係数が５μｍ−１以下となる範囲で、どのような分率
で含有させても良い。ただし、好ましくは、レジスト層
に使用する高分子材料に対する重量比で、２５％以下で
ある。これ以上含有させると、レジスト材料全体として
の解像性能が低下する場合がある。
【００２２】アダマンタン基を含む高分子材料には、光
照射により化学反応を生じ、もって解像性能をもたらす
ためのエステル基、フェノール基、アルコール基、カル
ボキシル基、フッ化エステル基、フッ化フェノール基、
フッ化アルコール基、フッ化カルボキシル基等、若しく
はこれらの基の誘導体よりなる基が含有されていても良
いし、また、これらの基が含有されていない場合は、ア
ダマンタン基自体の光照射による化学反応、または、高
分子材料の主骨格における光照射による化学反応を利用
して、解像性能を得ても良い。
照射により化学反応を生じ、もって解像性能をもたらす
ためのエステル基、フェノール基、アルコール基、カル
ボキシル基、フッ化エステル基、フッ化フェノール基、
フッ化アルコール基、フッ化カルボキシル基等、若しく
はこれらの基の誘導体よりなる基が含有されていても良
いし、また、これらの基が含有されていない場合は、ア
ダマンタン基自体の光照射による化学反応、または、高
分子材料の主骨格における光照射による化学反応を利用
して、解像性能を得ても良い。
【００２３】なお、本発明では、上記レジスト層とシリ
コン等からなる基板との間に、有機若しくは無機の反射
防止膜、又はハードマスク等、シリコン若しくは酸化シ
リコン以外の材料よりなる膜があってもよい。
コン等からなる基板との間に、有機若しくは無機の反射
防止膜、又はハードマスク等、シリコン若しくは酸化シ
リコン以外の材料よりなる膜があってもよい。
【００２４】上記レジスト層の膜厚は、７０ｎｍ以上、
好ましくは１００ｎｍ以上である。これにより、エッチ
ング耐性を確実に確保し、欠陥の少ない良質なレジスト
層となる。レジスト層の膜厚が７０ｎｍ以下であって
も、本発明による材料を用いることによりレジスト層の
パターニングは勿論可能であるが、レジスト層のパター
ニングの後工程であるエッチングの工程において、レジ
スト層の膜厚が薄すぎるため良好なエッチングができな
くなるおそれがある。
好ましくは１００ｎｍ以上である。これにより、エッチ
ング耐性を確実に確保し、欠陥の少ない良質なレジスト
層となる。レジスト層の膜厚が７０ｎｍ以下であって
も、本発明による材料を用いることによりレジスト層の
パターニングは勿論可能であるが、レジスト層のパター
ニングの後工程であるエッチングの工程において、レジ
スト層の膜厚が薄すぎるため良好なエッチングができな
くなるおそれがある。
【００２５】本発明によるフッ化、トリフロロメチル化
又はジフロロメチレン化されたアダマンタン基が、そう
ではないアダマンタン基に比べてより透明となる理由
を、以下に説明する。本発明によるフッ化、トリフロロ
メチル化又はジフロロメチレン化されたアダマンタン基
の例として、１，２−ジフロロアダマンタン、１，３−
ジフロロアダマンタン、１，４−ジフロロアダマンタ
ン、２，２−ジフロロアダマンタン、そうではないアダ
マンタン基の例として、１−フロロアダマンタン、２−
フロロアダマンタン、アダマンタンを採用する。なお、
アダマンタンの構造を下記の化１に示す。
又はジフロロメチレン化されたアダマンタン基が、そう
ではないアダマンタン基に比べてより透明となる理由
を、以下に説明する。本発明によるフッ化、トリフロロ
メチル化又はジフロロメチレン化されたアダマンタン基
の例として、１，２−ジフロロアダマンタン、１，３−
ジフロロアダマンタン、１，４−ジフロロアダマンタ
ン、２，２−ジフロロアダマンタン、そうではないアダ
マンタン基の例として、１−フロロアダマンタン、２−
フロロアダマンタン、アダマンタンを採用する。なお、
アダマンタンの構造を下記の化１に示す。
【００２６】
【化１】
【００２７】上記７種類の分子について、そのエネルギ
ーを、理論計算により導出した。計算は、各々の分子の
構造最適化を、先ず、ａｂ ｉｎｉｔｉｏ分子軌道法を
適用して行った。これにより、各々の分子の最適化構造
を得た。なお、ａｂ ｉｎｉｔｉｏ分子軌道法として
は、Ｈａｒｔｒｅｅ−Ｆｏｃｋ法を用い、計算に必要な
基底関数としては、６−３１Ｇ＊基底関数（参考文献：
Ｐ．Ｃ．Ｈａｒｉｈａｒａｎ、 Ｊ．Ａ．Ｐｏｐｌｅ、
Ｔｈｅｏｒｅｔ．Ｃｈｉｍ．Ａｃｔａ、２８、１９７
３、２１３、及びＭ．Ｍ．Ｆｒａｎｃｌ、Ｗ．Ｊ．Ｐｅ
ｔｒｏ、Ｗ．Ｊ．Ｈｅｒｈｒｅ、Ｊ．Ｓ．Ｂｉｎｋｌｅ
ｙ、Ｍ．Ｓ．Ｇｏｒｄｏｎ、Ｄ．Ｊ．ＤｅＦｒｅｅ、
Ｊ．Ａ．Ｐｏｐｌｅ、Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．、７
７、１９８２、３６５４）を用いた。
ーを、理論計算により導出した。計算は、各々の分子の
構造最適化を、先ず、ａｂ ｉｎｉｔｉｏ分子軌道法を
適用して行った。これにより、各々の分子の最適化構造
を得た。なお、ａｂ ｉｎｉｔｉｏ分子軌道法として
は、Ｈａｒｔｒｅｅ−Ｆｏｃｋ法を用い、計算に必要な
基底関数としては、６−３１Ｇ＊基底関数（参考文献：
Ｐ．Ｃ．Ｈａｒｉｈａｒａｎ、 Ｊ．Ａ．Ｐｏｐｌｅ、
Ｔｈｅｏｒｅｔ．Ｃｈｉｍ．Ａｃｔａ、２８、１９７
３、２１３、及びＭ．Ｍ．Ｆｒａｎｃｌ、Ｗ．Ｊ．Ｐｅ
ｔｒｏ、Ｗ．Ｊ．Ｈｅｒｈｒｅ、Ｊ．Ｓ．Ｂｉｎｋｌｅ
ｙ、Ｍ．Ｓ．Ｇｏｒｄｏｎ、Ｄ．Ｊ．ＤｅＦｒｅｅ、
Ｊ．Ａ．Ｐｏｐｌｅ、Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．、７
７、１９８２、３６５４）を用いた。
【００２８】こうして得られた最適化構造を用いて、ａ
ｂ ｉｎｉｔｉｏ分子軌道法の一種である密度汎関数法
を適用して、各種分子の吸収スペクトルの理論計算を行
った。密度汎関数法の計算では、Ｖｏｓｋｏ−Ｗｉｌｋ
−Ｎｕｓａｉｒの相関ポテンシャル（参考文献：Ｓ．
Ｈ．Ｖｏｓｋｏ、Ｌ．Ｗｉｌｋ、Ｍ．Ｎｕｓａｉｒ、Ｃ
ａｎ．Ｊ．Ｐｈｙｓ．、５８、１９８０、１２００）を
適用した。また、用いた基底関数は、ＤＺ基底関数（参
考文献：Ｔ．Ｈ．Ｄｕｎｎｉｎｇ Ｊｒ．、 Ｊ．Ｃｈ
ｅｍ．Ｐｈｙｓ．、５３、１９７０、２８２３）にＲｙ
ｄｂｅｒｇ基底関数（参考文献：Ｔ．Ｈ．Ｄｕｎｎｉｎ
ｇ Ｊｒ．、Ｐ．Ｊ．Ｈａｒｒｉｓｏｎ、Ｉｎ Ｍｏｄ
ｅｒｎ Ｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒ
ｙ、Ｖｏｌ．２、Ｅｄ．：Ｈ．Ｆ．Ｓｃｈａｅｆｅｒ
ＩＩＩ、Ｐｌｅｎｕｍ Ｐｒｅｓｓ、Ｎｅｗ Ｙｏｒ
ｋ、１９７７）を付加したものである。また、吸収スペ
クトル計算に当たっては、時間依存密度汎関数理論（参
考文献：Ｒ．Ｂａｕｅｒｎｓｃｈｍｉｔｔ、Ｒ．Ａｈｌ
ｒｉｃｈｓ、Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、２５
６、１９９６、４５４、及びＭ．Ｅ．Ｃａｓｉｄａ、
Ｃ．Ｊａｍｏｒｓｋｉ、Ｋ．Ｃ．Ｃａｓｉｄａ、Ｄ．
Ｒ．Ｓａｌａｈｕｂ、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．、１０
８、１９９８、４４３９）を適用した。
ｂ ｉｎｉｔｉｏ分子軌道法の一種である密度汎関数法
を適用して、各種分子の吸収スペクトルの理論計算を行
った。密度汎関数法の計算では、Ｖｏｓｋｏ−Ｗｉｌｋ
−Ｎｕｓａｉｒの相関ポテンシャル（参考文献：Ｓ．
Ｈ．Ｖｏｓｋｏ、Ｌ．Ｗｉｌｋ、Ｍ．Ｎｕｓａｉｒ、Ｃ
ａｎ．Ｊ．Ｐｈｙｓ．、５８、１９８０、１２００）を
適用した。また、用いた基底関数は、ＤＺ基底関数（参
考文献：Ｔ．Ｈ．Ｄｕｎｎｉｎｇ Ｊｒ．、 Ｊ．Ｃｈ
ｅｍ．Ｐｈｙｓ．、５３、１９７０、２８２３）にＲｙ
ｄｂｅｒｇ基底関数（参考文献：Ｔ．Ｈ．Ｄｕｎｎｉｎ
ｇ Ｊｒ．、Ｐ．Ｊ．Ｈａｒｒｉｓｏｎ、Ｉｎ Ｍｏｄ
ｅｒｎ Ｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒ
ｙ、Ｖｏｌ．２、Ｅｄ．：Ｈ．Ｆ．Ｓｃｈａｅｆｅｒ
ＩＩＩ、Ｐｌｅｎｕｍ Ｐｒｅｓｓ、Ｎｅｗ Ｙｏｒ
ｋ、１９７７）を付加したものである。また、吸収スペ
クトル計算に当たっては、時間依存密度汎関数理論（参
考文献：Ｒ．Ｂａｕｅｒｎｓｃｈｍｉｔｔ、Ｒ．Ａｈｌ
ｒｉｃｈｓ、Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、２５
６、１９９６、４５４、及びＭ．Ｅ．Ｃａｓｉｄａ、
Ｃ．Ｊａｍｏｒｓｋｉ、Ｋ．Ｃ．Ｃａｓｉｄａ、Ｄ．
Ｒ．Ｓａｌａｈｕｂ、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．、１０
８、１９９８、４４３９）を適用した。
【００２９】なお、Ｈａｒｔｒｅｅ−Ｆｏｃｋ法計算及
び密度汎関数計算のいずれとも、プログラムＧａｕｓｓ
ｉａｎ ９８（Ｇａｕｓｓｉａｎ ９８、Ｒｅｖｉｓｉ
ｏｎＡ．７、Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ、Ｇ．Ｗ．Ｔｒｕｃ
ｋｓ、Ｈ．Ｂ．Ｓｃｈｌｅｇｅｌ、Ｇ．Ｅ．Ｓｃｕｓｅ
ｒｉａ、Ｍ．Ａ．Ｒｏｂｂ、Ｊ．Ｒ．Ｃｈｅｅｓｅｍａ
ｎ、Ｖ．Ｇ．Ｚａｋｒｚｅｗｓｋｉ、Ｊ．Ａ．Ｍｏｎｔ
ｏｇｏｍｅｒｙ Ｊｒ．、Ｒ．Ｅ．Ｓｔｒａｔｍａｎ
ｎ、Ｊ．Ｃ．Ｂｕｒａｎｔ、Ｓ．Ｄａｐｐｉｃｈ、Ｊ．
Ｍ．Ｍｉｌｌａｍ、Ａ．Ｄ．Ｄａｎｉｅｌｓ、Ｋ．Ｎ．
Ｋｕｄｉｎ、Ｍ．Ｃ．Ｓｔｒａｉｎ、Ｏ．Ｆａｒｋａ
ｓ、Ｊ．Ｔｏｍａｓｉ、Ｖ．Ｂａｒｏｎｅ、Ｍ．Ｃｏｓ
ｓｉ、Ｒ．Ｃａｍｍｉ、Ｂ．Ｍｅｎｎｕｃｃｉ、Ｃ．Ｐ
ｏｍｅｌｌｉ、Ｃ．Ａｄａｍｏ、Ｓ．Ｃｌｉｆｆｏｒ
ｄ、Ｊ．Ｏｃｈｔｅｒｓｋｉ、Ｇ．Ａ．Ｐｅｔｅｒｓｓ
ｏｎ、Ｐ．Ｙ．Ａｙａｌａ、Ｑ．Ｃｕｉ、Ｋ．Ｍｏｒｏ
ｋｕｍａ、Ｄ．Ｋ．Ｍａｌｉｃｋ、Ａ．Ｄ．Ｒａｂｕｃ
ｋ、Ｋ．Ｒａｇｈａｖａｃｈａｒｉ、Ｊ．Ｂ．Ｆｏｒｅ
ｓｍａｎ、Ｊ．Ｃｉｏｓｌｏｗｓｋｉ、Ｊ．Ｖ．Ｏｒｔ
ｉｚ、Ａ．Ｇ．Ｂａｂｏｕｌ、Ｂ．Ｂ．Ｓｔｅｆａｎｏ
ｖ、Ｇ．Ｌｉｕ、Ａ．Ｌｉａｓｈｅｎｋｏ、Ｐ．Ｐｉｓ
ｋｏｒｚ、Ｉ．Ｋｏｍａｒｏｍｉ、Ｒ．Ｇｏｍｐｅｒｔ
ｓ、Ｒ．Ｌ．Ｍａｒｔｉｎ、Ｄ．Ｊ．Ｆｏｘ、Ｔ．Ｋｅ
ｉｔｈ、Ｍ．Ａ．Ａｌ−Ｌａｈａｍ、Ｃ．Ｙ．Ｐｅｎ
ｇ、Ａ．Ｎａｎａｙａｋｋａｒａ、Ｃ．Ｇｏｎｚａｌｅ
ｚ、Ｍ．Ｃｈａｌｌａｃｏｍｂｅ、Ｐ．Ｍ．Ｗ．Ｇｉｌ
ｌ、Ｂ．Ｊｏｈｎｓｏｎ、Ｗ．Ｃｈｅｎ、Ｍ．Ｗ．Ｗｏ
ｎｇ、Ｊ．Ｌ．Ａｎｄｒｅｓ、Ｃ．Ｇｏｎｚａｌｅｚ、
Ｍ．Ｈｅａｄ−Ｇｏｒｄｏｎ、Ｅ．Ｓ．Ｒｅｐｌｏｇｌ
ｅ、Ｊ．Ａ．Ｐｅｏｐｌｅ、Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎ
ｃ．， ＰｉｔｔｓｂｕｒｇｈＰＡ、１９８８）を用い
て行った。使用した計算機は、ダイキン工業株式会社製
ワークステーション（ＣＯＭＴＥＣ Ｏｃｔａｎｅワー
クステーション）である。
び密度汎関数計算のいずれとも、プログラムＧａｕｓｓ
ｉａｎ ９８（Ｇａｕｓｓｉａｎ ９８、Ｒｅｖｉｓｉ
ｏｎＡ．７、Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ、Ｇ．Ｗ．Ｔｒｕｃ
ｋｓ、Ｈ．Ｂ．Ｓｃｈｌｅｇｅｌ、Ｇ．Ｅ．Ｓｃｕｓｅ
ｒｉａ、Ｍ．Ａ．Ｒｏｂｂ、Ｊ．Ｒ．Ｃｈｅｅｓｅｍａ
ｎ、Ｖ．Ｇ．Ｚａｋｒｚｅｗｓｋｉ、Ｊ．Ａ．Ｍｏｎｔ
ｏｇｏｍｅｒｙ Ｊｒ．、Ｒ．Ｅ．Ｓｔｒａｔｍａｎ
ｎ、Ｊ．Ｃ．Ｂｕｒａｎｔ、Ｓ．Ｄａｐｐｉｃｈ、Ｊ．
Ｍ．Ｍｉｌｌａｍ、Ａ．Ｄ．Ｄａｎｉｅｌｓ、Ｋ．Ｎ．
Ｋｕｄｉｎ、Ｍ．Ｃ．Ｓｔｒａｉｎ、Ｏ．Ｆａｒｋａ
ｓ、Ｊ．Ｔｏｍａｓｉ、Ｖ．Ｂａｒｏｎｅ、Ｍ．Ｃｏｓ
ｓｉ、Ｒ．Ｃａｍｍｉ、Ｂ．Ｍｅｎｎｕｃｃｉ、Ｃ．Ｐ
ｏｍｅｌｌｉ、Ｃ．Ａｄａｍｏ、Ｓ．Ｃｌｉｆｆｏｒ
ｄ、Ｊ．Ｏｃｈｔｅｒｓｋｉ、Ｇ．Ａ．Ｐｅｔｅｒｓｓ
ｏｎ、Ｐ．Ｙ．Ａｙａｌａ、Ｑ．Ｃｕｉ、Ｋ．Ｍｏｒｏ
ｋｕｍａ、Ｄ．Ｋ．Ｍａｌｉｃｋ、Ａ．Ｄ．Ｒａｂｕｃ
ｋ、Ｋ．Ｒａｇｈａｖａｃｈａｒｉ、Ｊ．Ｂ．Ｆｏｒｅ
ｓｍａｎ、Ｊ．Ｃｉｏｓｌｏｗｓｋｉ、Ｊ．Ｖ．Ｏｒｔ
ｉｚ、Ａ．Ｇ．Ｂａｂｏｕｌ、Ｂ．Ｂ．Ｓｔｅｆａｎｏ
ｖ、Ｇ．Ｌｉｕ、Ａ．Ｌｉａｓｈｅｎｋｏ、Ｐ．Ｐｉｓ
ｋｏｒｚ、Ｉ．Ｋｏｍａｒｏｍｉ、Ｒ．Ｇｏｍｐｅｒｔ
ｓ、Ｒ．Ｌ．Ｍａｒｔｉｎ、Ｄ．Ｊ．Ｆｏｘ、Ｔ．Ｋｅ
ｉｔｈ、Ｍ．Ａ．Ａｌ−Ｌａｈａｍ、Ｃ．Ｙ．Ｐｅｎ
ｇ、Ａ．Ｎａｎａｙａｋｋａｒａ、Ｃ．Ｇｏｎｚａｌｅ
ｚ、Ｍ．Ｃｈａｌｌａｃｏｍｂｅ、Ｐ．Ｍ．Ｗ．Ｇｉｌ
ｌ、Ｂ．Ｊｏｈｎｓｏｎ、Ｗ．Ｃｈｅｎ、Ｍ．Ｗ．Ｗｏ
ｎｇ、Ｊ．Ｌ．Ａｎｄｒｅｓ、Ｃ．Ｇｏｎｚａｌｅｚ、
Ｍ．Ｈｅａｄ−Ｇｏｒｄｏｎ、Ｅ．Ｓ．Ｒｅｐｌｏｇｌ
ｅ、Ｊ．Ａ．Ｐｅｏｐｌｅ、Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎ
ｃ．， ＰｉｔｔｓｂｕｒｇｈＰＡ、１９８８）を用い
て行った。使用した計算機は、ダイキン工業株式会社製
ワークステーション（ＣＯＭＴＥＣ Ｏｃｔａｎｅワー
クステーション）である。
【００３０】実際に密度汎関数法を用いて１，２−ジフ
ロロアダマンタン、１，３−ジフロロアダマンタン、
１，４−ジフロロアダマンタン、２，２−ジフロロアダ
マンタン、１−フロロアダマンタン、２−フロロアダマ
ンタン及びアダマンタンの真空紫外線の領域での吸収ス
ペクトルを計算した結果を図１に示す。
ロロアダマンタン、１，３−ジフロロアダマンタン、
１，４−ジフロロアダマンタン、２，２−ジフロロアダ
マンタン、１−フロロアダマンタン、２−フロロアダマ
ンタン及びアダマンタンの真空紫外線の領域での吸収ス
ペクトルを計算した結果を図１に示す。
【００３１】図１によりわかるように、フッ素ダイマエ
キシマレーザの波長である波長１５７ｎｍにおける各分
子の吸収は、２つのフッ素原子で置換された１，２−ジ
フロロアダマンタン、１，３−ジフロロアダマンタン、
１，４−ジフロロアダマンタン及び２，２−ジフロロア
ダマンタンのいずれも約０．０６以下と低い値を示し
た。これに対して、フッ化されていないアダマンタン及
び１つのフッ素原子で置換されたアダマンタンの吸収
は、約０．１２と大きな値を示した。これらの結果か
ら、２つのフッ素原子による置換によって、アダマンタ
ンの吸収を大きく低下させることが可能であるとわか
る。
キシマレーザの波長である波長１５７ｎｍにおける各分
子の吸収は、２つのフッ素原子で置換された１，２−ジ
フロロアダマンタン、１，３−ジフロロアダマンタン、
１，４−ジフロロアダマンタン及び２，２−ジフロロア
ダマンタンのいずれも約０．０６以下と低い値を示し
た。これに対して、フッ化されていないアダマンタン及
び１つのフッ素原子で置換されたアダマンタンの吸収
は、約０．１２と大きな値を示した。これらの結果か
ら、２つのフッ素原子による置換によって、アダマンタ
ンの吸収を大きく低下させることが可能であるとわか
る。
【００３２】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、実験結果に基づいて説明する。
いて、実験結果に基づいて説明する。
【００３３】アダマンタン、１−フロロアダマンタン、
２，２−ジフロロアダマンタン及び２，２−ジテトラフ
ロロメチルアダマンタンの真空紫外線の領域での吸収ス
ペクトルの実測を行った。吸収スペクトルの測定装置
は、自家製作の装置であり、光源は重水素ランプ（３０
Ｗ）であり、光源光学系には、ＭｇＦ２レンズを用い
た。分光器部としては、刻線数１２００本／ｍｍ（Ｍｇ
Ｆ２コーティング）の凹面回折格子を使用した。逆線分
数は約４ｎｍであり、波長測定範囲は、１２５ｎｍ〜３
００ｎｍである。真空に保たれた試料室部は、セミダブ
ルビーム測定可能であり、ＭｇＦ２の窓付きガスセルが
設置されている。このガスセル内に温度、圧力とも制御
された試料分子のガスを導入することにより測定を行っ
た。集光鏡はトロイダル鏡である。試料室の真空部の圧
力は、４×１０−５Ｔｏｒｒ程度である。検出器として
は、日本分光製６１９９型フォトマルを用いた。
２，２−ジフロロアダマンタン及び２，２−ジテトラフ
ロロメチルアダマンタンの真空紫外線の領域での吸収ス
ペクトルの実測を行った。吸収スペクトルの測定装置
は、自家製作の装置であり、光源は重水素ランプ（３０
Ｗ）であり、光源光学系には、ＭｇＦ２レンズを用い
た。分光器部としては、刻線数１２００本／ｍｍ（Ｍｇ
Ｆ２コーティング）の凹面回折格子を使用した。逆線分
数は約４ｎｍであり、波長測定範囲は、１２５ｎｍ〜３
００ｎｍである。真空に保たれた試料室部は、セミダブ
ルビーム測定可能であり、ＭｇＦ２の窓付きガスセルが
設置されている。このガスセル内に温度、圧力とも制御
された試料分子のガスを導入することにより測定を行っ
た。集光鏡はトロイダル鏡である。試料室の真空部の圧
力は、４×１０−５Ｔｏｒｒ程度である。検出器として
は、日本分光製６１９９型フォトマルを用いた。
【００３４】測定結果として、波長１５７ｎｍにおける
アダマンタン、１−フロロアダマンタン、２，２−ジフ
ロロアダマンタン及び２，２−ジテトラフロロメチルア
ダマンタンの吸光度を固体膜、膜厚１μｍあたりで規格
化した値を表１に示す。
アダマンタン、１−フロロアダマンタン、２，２−ジフ
ロロアダマンタン及び２，２−ジテトラフロロメチルア
ダマンタンの吸光度を固体膜、膜厚１μｍあたりで規格
化した値を表１に示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】表１より明らかなとおり、本発明による
２，２−ジフロロアダマンタン及び２，２−ジテトラフ
ロロメチルアダマンタンの吸光度は、本発明によらない
アダマンタン及び１−フロロアダマンタンに比べて確か
に低下しており、レジスト材料として必要な５μｍ−１
以下の吸光度が得られていることがわかる。
２，２−ジフロロアダマンタン及び２，２−ジテトラフ
ロロメチルアダマンタンの吸光度は、本発明によらない
アダマンタン及び１−フロロアダマンタンに比べて確か
に低下しており、レジスト材料として必要な５μｍ−１
以下の吸光度が得られていることがわかる。
【００３７】すなわち、本発明により、脂環族の真空紫
外線の領域での光吸収を効率的に低下させることが可能
となり、例えば０．１μｍ以下の極微細パターンの加工
を可能とする新たなプロセス技術のためのレジスト材料
を提供することが可能となるのである。
外線の領域での光吸収を効率的に低下させることが可能
となり、例えば０．１μｍ以下の極微細パターンの加工
を可能とする新たなプロセス技術のためのレジスト材料
を提供することが可能となるのである。
【００３８】なお、上記の実施例においては、脂環族と
してアダマンタンを例に挙げて説明したが、これに限ら
れるものではなく、例えばその他のアダマンタン基部分
を含む脂環族等についても、適用可能である。
してアダマンタンを例に挙げて説明したが、これに限ら
れるものではなく、例えばその他のアダマンタン基部分
を含む脂環族等についても、適用可能である。
【００３９】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、脂環族の真空紫外線の領域での光吸収を効
率的に低下させることが可能となり、良好な矩形のレジ
ストパターンが得られ、例えば０．１μｍ以下の極微細
パターンを実現する等、これまで以上の極微細加工が可
能となる。
明によれば、脂環族の真空紫外線の領域での光吸収を効
率的に低下させることが可能となり、良好な矩形のレジ
ストパターンが得られ、例えば０．１μｍ以下の極微細
パターンを実現する等、これまで以上の極微細加工が可
能となる。
【図１】１，２−ジフロロアダマンタン、１，３−ジフ
ロロアダマンタン、１，４−ジフロロアダマンタン、
２，２−ジフロロアダマンタン、１−フロロアダマンタ
ン、２−フロロアダマンタン及びアダマンタンについ
て、密度汎関数法を用いて真空紫外線の領域での吸収ス
ペクトルを計算した結果の特性図である。
ロロアダマンタン、１，４−ジフロロアダマンタン、
２，２−ジフロロアダマンタン、１−フロロアダマンタ
ン、２−フロロアダマンタン及びアダマンタンについ
て、密度汎関数法を用いて真空紫外線の領域での吸収ス
ペクトルを計算した結果の特性図である。
Claims (23)
- 【請求項１】 脂環族基としてアダマンタン基を有する
高分子材料を含有してなり、上記アダマンタン基の２以
上の水素原子がフッ素原子、トリフロロメチル基、ジフ
ロロメチレン基から選ばれる少なくとも１種により置換
されていることを特徴とするレジスト材料。 - 【請求項２】 上記アダマンタン基の残りの水素原子の
うち１以上の水素原子が、フッ素原子以外の置換基によ
り置換されていることを特徴とする請求項１記載のレジ
スト材料。 - 【請求項３】 上記アダマンタン基の残りの水素原子の
うちの２以上の水素原子が、フッ素原子以外の置換基に
より置換されていることを特徴とする請求項２記載のレ
ジスト材料。 - 【請求項４】 上記置換基が同一の置換基であることを
特徴とする請求項３記載のレジスト材料。 - 【請求項５】 上記置換基がメチレン基又はその誘導体
であることを特徴とする請求項３記載のレジスト材料。 - 【請求項６】 上記置換基が異なる置換基であることを
特徴とする請求項３記載のレジスト材料。 - 【請求項７】 上記置換基が互いに結合していることを
特徴とする請求項３記載のレジスト材料。 - 【請求項８】 上記高分子材料は、ノボラック樹脂、ポ
リヒドロキシスチレン樹脂、アクリル樹脂、シロキサン
樹脂、シルセスキオキサン樹脂、ポリシクロオレフィン
樹脂から選ばれる少なくとも１種を基本骨格として含む
ことを特徴とする請求項１記載のレジスト材料。 - 【請求項９】 上記高分子材料は、光照射により化学反
応を生ずる基を含有することを特徴とする請求項１記載
のレジスト材料。 - 【請求項１０】 光酸発生剤、溶解抑制剤、架橋剤から
選ばれる少なくとも１種を添加剤として含有することを
特徴とする請求項１記載のレジスト材料。 - 【請求項１１】 上記添加剤の含有量が２５重量％以下
であることを特徴とする請求項１０記載のレジスト材
料。 - 【請求項１２】 上記高分子材料の真空紫外線波長にお
ける吸収係数が５μｍ −１以下であることを特徴とする
請求項１記載のレジスト材料。 - 【請求項１３】 真空紫外線波長における吸収係数が５
μｍ−１以下であることを特徴とする請求項１記載のレ
ジスト材料。 - 【請求項１４】 レジスト層に選択的に紫外線で露光し
て所定の形状にパターニングする露光方法において、上
記レジスト層を構成する高分子材料として、２以上の水
素原子がフッ素原子、トリフロロメチル基、ジフロロメ
チレン基から選ばれる少なくとも１種により置換された
アダマンタン基が導入された高分子材料を用いることを
特徴とする露光方法。 - 【請求項１５】 上記高分子材料は、ノボラック樹脂、
ポリヒドロキシスチレン樹脂、アクリル樹脂、シロキサ
ン樹脂、シルセスキオキサン樹脂、ポリシクロオレフィ
ン樹脂から選ばれる少なくとも１種を基本骨格として含
むことを特徴とする請求項１４記載の露光方法。 - 【請求項１６】 上記高分子材料は、光照射により化学
反応を生ずる基を含有することを特徴とする請求項１４
記載の露光方法。 - 【請求項１７】 上記レジスト層は、光酸発生剤、溶解
抑制剤、架橋剤から選ばれる少なくとも１種を添加剤と
して含有することを特徴とする請求項１４記載の露光方
法。 - 【請求項１８】 上記添加剤の含有量が２５重量％以下
であることを特徴とする請求項１７記載の露光方法。 - 【請求項１９】 上記高分子材料の真空紫外線波長にお
ける吸収係数が５μｍ −１以下であることを特徴とする
請求項１４記載の露光方法。 - 【請求項２０】 上記レジスト層の真空紫外線波長にお
ける吸収係数が５μｍ −１以下であることを特徴とする
請求項１４記載の露光方法。 - 【請求項２１】 上記紫外線として真空紫外線を用いる
ことを特徴とする請求項１４記載の露光方法。 - 【請求項２２】 上記真空紫外線の波長が１１０ｎｍ〜
１７０ｎｍであることを特徴とする請求項２１記載の露
光方法。 - 【請求項２３】 上記真空紫外線の光源として、フッ素
ダイマエキシマレーザを用いることを特徴とする請求項
２１記載の露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001385901A JP2003186197A (ja) | 2001-12-19 | 2001-12-19 | レジスト材料及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001385901A JP2003186197A (ja) | 2001-12-19 | 2001-12-19 | レジスト材料及び露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003186197A true JP2003186197A (ja) | 2003-07-03 |
Family
ID=27595189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001385901A Pending JP2003186197A (ja) | 2001-12-19 | 2001-12-19 | レジスト材料及び露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003186197A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006037059A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 印刷インキ組成物、凸版反転オフセット法、レジストパターンの形成法、電子部品の製造法及び電子部品 |
| JP2006037058A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 印刷インキ組成物、凸版反転オフセット法、レジストパターンの形成法、電子部品の製造法及び電子部品 |
Citations (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05323611A (ja) * | 1992-05-18 | 1993-12-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 放射線感応性樹脂組成物 |
| JPH0943848A (ja) * | 1995-08-02 | 1997-02-14 | Fujitsu Ltd | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 |
| JPH10274845A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
| JP2000122295A (ja) * | 1998-05-25 | 2000-04-28 | Daicel Chem Ind Ltd | フォトレジスト用化合物およびフォトレジスト用樹脂組成物 |
| JP2000187330A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-07-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| JP2000302735A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-10-31 | Mitsubishi Chemicals Corp | メチルアミン類の製造方法 |
| WO2000067072A1 (en) * | 1999-05-04 | 2000-11-09 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Fluorinated polymers, photoresists and processes for microlithography |
| JP2000321774A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JP2000347409A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物 |
| WO2001037047A2 (en) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Nitrile/fluoroalcohol polymer-containing photoresists and associated processes for microlithography |
| JP2001142217A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-05-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 感光性基材、それを用いたレジストパターンの形成方法およびポジ型レジスト組成物 |
| JP2001154362A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-08 | Central Glass Co Ltd | ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法 |
| JP2001166481A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-06-22 | Daicel Chem Ind Ltd | フォトレジスト用重合性不飽和化合物、及びフォトレジスト用樹脂組成物 |
| JP2001174997A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-06-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2001215705A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JP2001215714A (ja) * | 2000-02-02 | 2001-08-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP2001226432A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2001233917A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-08-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2001272781A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
| WO2001074916A1 (fr) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Daikin Industries, Ltd. | Fluoropolymere renfermant un groupe qui reagit aux acides et composition photoresist a amplification chimique contenant ledit fluoropolymere |
| JP2001302728A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-10-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2001302735A (ja) * | 2000-02-17 | 2001-10-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| WO2001086352A2 (en) * | 2000-05-05 | 2001-11-15 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Polymers for photoresist compositions for microlithography |
| JP2001330955A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Central Glass Co Ltd | ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法 |
| JP2002201219A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-07-19 | Toshiba Corp | フォトレジスト用高分子化合物、単量体化合物、感光性樹脂組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品の製造方法 |
| JP2002322132A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-11-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 新規不飽和カルボン酸エステル及びそれを用いたホトレジスト組成物 |
-
2001
- 2001-12-19 JP JP2001385901A patent/JP2003186197A/ja active Pending
Patent Citations (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05323611A (ja) * | 1992-05-18 | 1993-12-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 放射線感応性樹脂組成物 |
| JPH0943848A (ja) * | 1995-08-02 | 1997-02-14 | Fujitsu Ltd | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 |
| JPH10274845A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
| JP2000122295A (ja) * | 1998-05-25 | 2000-04-28 | Daicel Chem Ind Ltd | フォトレジスト用化合物およびフォトレジスト用樹脂組成物 |
| JP2000187330A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-07-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| JP2000321774A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JP2000302735A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-10-31 | Mitsubishi Chemicals Corp | メチルアミン類の製造方法 |
| WO2000067072A1 (en) * | 1999-05-04 | 2000-11-09 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Fluorinated polymers, photoresists and processes for microlithography |
| JP2000347409A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JP2001142217A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-05-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 感光性基材、それを用いたレジストパターンの形成方法およびポジ型レジスト組成物 |
| WO2001037047A2 (en) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Nitrile/fluoroalcohol polymer-containing photoresists and associated processes for microlithography |
| JP2001154362A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-08 | Central Glass Co Ltd | ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法 |
| JP2001166481A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-06-22 | Daicel Chem Ind Ltd | フォトレジスト用重合性不飽和化合物、及びフォトレジスト用樹脂組成物 |
| JP2001233917A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-08-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2001174997A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-06-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2001215714A (ja) * | 2000-02-02 | 2001-08-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP2001215705A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JP2001226432A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2001302728A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-10-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2001302735A (ja) * | 2000-02-17 | 2001-10-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2001272781A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
| WO2001074916A1 (fr) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Daikin Industries, Ltd. | Fluoropolymere renfermant un groupe qui reagit aux acides et composition photoresist a amplification chimique contenant ledit fluoropolymere |
| WO2001086352A2 (en) * | 2000-05-05 | 2001-11-15 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Polymers for photoresist compositions for microlithography |
| JP2001330955A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Central Glass Co Ltd | ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法 |
| JP2002201219A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-07-19 | Toshiba Corp | フォトレジスト用高分子化合物、単量体化合物、感光性樹脂組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品の製造方法 |
| JP2002322132A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-11-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 新規不飽和カルボン酸エステル及びそれを用いたホトレジスト組成物 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006037059A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 印刷インキ組成物、凸版反転オフセット法、レジストパターンの形成法、電子部品の製造法及び電子部品 |
| JP2006037058A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 印刷インキ組成物、凸版反転オフセット法、レジストパターンの形成法、電子部品の製造法及び電子部品 |
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