JP2000187330A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents

ポジ型レジスト組成物

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高解像力を有し、矩形状の優れたパターンプ
ロファイルを与えることができ、しかも現像欠陥か改善
されたポジ型電子線またはX線レジスト組成物を提供す
ること。 【解決手段】 (a)電子線またはX線の照射により酸
を発生する化合物、(b)酸の作用により分解し、アル
カリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂、
および(c)フッ素系および/またはシリコン系界面活
性剤を含有するポジ型電子線またはX線レジスト組成物
において、電子線またはX線の照射により酸を発生する
化合物が少なくとも1つのフッ素原子及び/又はフッ素
原子を有する基で置換されたベンゼンスルホン酸、ナフ
タレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸を発生する
化合物であるポジ型電子線またはX線レジスト組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ポジ型電子線およ
びX線レジスト組成物に関し電子線およびX線で露光し
て得られるパターンプロファイルに優れ、特に、現像欠
陥の少ないポジ型電子線およびX線レジスト組成物に関
する。
【0002】
【従来の技術】i線レジスト、KrFエキシマレーザー
レジスト、ArFエキシマレーザーレジスト等では、レ
ジストが露光波長に吸収を持っているために露光表面と
底部では底部の方が露光量が少なくなってしまい、ポジ
型レジストの場合、テーパー形状と呼ばれるパターンプ
ロファイルになるのが一般的である。しかしながら、電
子線およびX線レジストの場合、入射する電子が電荷を
持ち、レジストを構成する物質の原子核や電子と相互作
用を及ぼしあうため、電子線およびX線がレジスト膜に
入射すれば必ず散乱が起こる。そのため露光部では、レ
ジスト膜表面よりも底部のほうが露光面積が大きくなっ
てしまい、ポジ型レジストの場合、逆テーパー形状と呼
ばれるパターンプロファイルになるという問題があっ
た。また、微細パターンを解像するためにビーム径を絞
って露光しても、この散乱によって露光面積が広がり、
解像力が劣化するという問題もあった。さらに、近年加
工パターンの微細化に伴い、現像欠陥が大きな問題とな
ってきており、より現像欠陥の少ないレジストが求めら
れている。また、従来のレジストでは感度が低く、集積
回路の製造においてはスループトが問題となっていた。
この観点から従来の電子線、X線よりもさらに高い感度
のレジストが求められている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高解
像力を有し、矩形状の優れたパターンプロファイルを与
えることができ、しかも現像欠陥か改善されたポジ型電
子線およびX線レジスト組成物を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下記の
ポジ型電子線およびX線レジスト組成物が提供されて、
本発明の上記目的が達成される。
【0005】1.(a)電子線の照射により酸を発生す
る化合物 (b)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶
解度を増大させる基を有する樹脂 (c)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有
するポジ型電子線レジスト組成物において、該(a)電
子線の照射により酸を発生する化合物が少なくとも1つ
のフッ素原子及び/又は少なくとも1つのフッ素原子を
有する基で置換されたベンゼンスルホン酸、ナフタレン
スルホン酸、アントラセンスルホン酸を発生する化合物
であることを特徴とするポジ型電子線レジスト組成物。
【0006】2.(a)X線の照射により酸を発生する
化合物 (b)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶
解度を増大させる基を有する樹脂 (c)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有
するポジ型X線レジスト組成物において、該(a)X線
の照射により酸を発生する化合物が少なくとも1つのフ
ッ素原子及び/又は少なくとも1つのフッ素原子を有す
る基で置換されたベンゼンスルホン酸、ナフタレンスル
ホン酸、アントラセンスルホン酸を発生する化合物であ
ることを特徴とするポジ型X線レジスト組成物。 3.(d)酸により分解しうる基を有し、アルカリ現像
液中での溶解速度が酸の作用により増大する、分子量3
000以下の低分子溶解阻止化合物を更に含有すること
を特徴とする前記1または2に記載のポジ型電子線また
はX線レジスト組成物。
【0007】4.(a)電子線の照射により酸を発生す
る化合物 (c)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤 (d)酸により分解しうる基を有し、アルカリ現像液中
での溶解速度が酸の作用により増大する、分子量300
0以下の低分子溶解阻止化合物 (e)水に不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂を含有す
るポジ型電子線レジスト組成物において、該(a)電子
線の照射により酸を発生する化合物が少なくとも1つの
フッ素原子及び/又は少なくとも1つのフッ素原子を有
する基で置換されたベンゼンスルホン酸、ナフタレンス
ルホン酸、アントラセンスルホン酸を発生する化合物で
あることを特徴とするポジ型電子線レジスト組成物。
【0008】5.(a)X線の照射により酸を発生する
化合物 (c)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤 (d)酸により分解しうる基を有し、アルカリ現像液中
での溶解速度が酸の作用により増大する、分子量300
0以下の低分子溶解阻止化合物 (e)水に不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂を含有す
るポジ型X線レジスト組成物において、該(a)X線の
照射により酸を発生する化合物が少なくとも1つのフッ
素原子及び/又は少なくとも1つのフッ素原子を有する
基で置換されたベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホ
ン酸、アントラセンスルホン酸を発生する化合物である
ことを特徴とするポジ型X線レジスト組成物。 6. 該(a)電子線またはX線の照射により酸を発生
する化合物が、下記一般式(I)〜(III)で表される
化合物の少なくとも1種であることを特徴とする前記1
〜5のいずれかに記載のポジ型電子線またはX線レジス
ト組成物。
【0009】
【化2】
【0010】(式中、R1〜R37は、同一又は異なっ
て、水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル
基、直鎖状、分岐状あるいは環状アルコキシ基、ヒドロ
キシル基、ハロゲン原子、又は−S−R38基を表す。R
38は、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基又はアリ
ール基を表す。また、R1〜R15、R16〜R27、R28
37のうち、2つ以上が結合して、単結合、炭素、酸
素、イオウ、及び窒素から選択される1種又は2種以上
を含む環を形成していてもよい。X-は、少なくとも1
個のフッ素原子、少なくとも1個のフッ素原子で置換さ
れた直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、少なくと
も1個のフッ素原子で置換された直鎖状、分岐状あるい
は環状アルコキシ基、少なくとも1個のフッ素原子で置
換されたアシル基、少なくとも1個のフッ素原子で置換
されたアシロキシ基、少なくとも1個のフッ素原子を含
有するアルキルまたはアリールスルホニル基、少なくと
も1個のフッ素原子を含有するアルキルまたはアリール
スルホニルオキシ基、少なくとも1個のフッ素原子を含
有するアルキルまたはアリールスルホニルアミノ基、少
なくとも1個のフッ素原子で置換されたアリール基、少
なくとも1個のフッ素原子で置換されたアラルキル基、
及び少なくとも1個のフッ素原子で置換されたアルコキ
シカルボニル基、から選択された少なくとも1種を有す
るベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、又はア
ントラセンスルホン酸のアニオンを示す。)7.(f)
有機塩基性化合物をさらに含有することを特徴とする請
求項1〜6のいずれかに記載のポジ型電子線またはX線
レジスト組成物。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明のポジ型電子線およ
びX線レジスト組成物について詳細に説明する。 〔I〕(a)一般式(I)〜(III)で表される化合物
(以下、「成分(a)」ともいう) 成分(a)は、電子線またはX線の照射により酸を発生
する化合物であり、好ましくは少なくとも1つのフッ素
原子及び/又は少なくとも1つうのフッ素原子を有する
基で置換されたベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホ
ン酸、アントラセンスルホン酸を発生する化合物であ
り、さらに好ましくは一般式(I)〜(III)で表され
る化合物である。成分(a)を表す一般式(I)〜(II
I)において、R1〜R38の直鎖状、分岐状アルキル基と
しては、置換基を有してもよい、メチル基、エチル基、
プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブ
チル基のような炭素数1〜4個のものが挙げられる。環
状アルキル基としては、置換基を有してもよい、シクロ
プロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基のよ
うな炭素数3〜8個のものが挙げられる。R1〜R37
直鎖状、分岐状アルコキシ基としては、例えば、メトキ
シ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ
基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキ
シ基、t−ブトキシ基のような炭素数1〜4個のものが
挙げられる。環状アルコキシ基としては、シクロペンチ
ルオキシ基、例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロ
ヘキシルオキシ基が挙げられる。R1〜R37のハロゲン
原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素
原子を挙げることができる。R38のアリール基として
は、例えば、フェニル基、トリル基、メトキシフェニル
基、ナフチル基のような置換基を有してもよい炭素数6
〜14個のものが挙げられる。これらの置換基として好
ましくは、炭素数1〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原
子(フッ素原子、塩素原子、沃素原子)、炭素数6〜1
0個のアリール基、炭素数2〜6個のアルケニル基、シ
アノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシカル
ボニル基、ニトロ基等が挙げられる。
【0012】また、R1〜R15、R16〜R27、R28〜R
37のうち、2つ以上が結合して形成する、単結合、炭
素、酸素、イオウ、及び窒素から選択される1種又は2
種以上を含む環としては、例えば、フラン環、ジヒドロ
フラン環、ピラン環、トリヒドロピラン環、チオフェン
環、ピロール環等を挙げることができる。
【0013】一般式(I)〜(III)において、X-は下
記基から選択される少なくとも1種を有するベンゼンス
ルホン酸、ナフタレンスルホン酸、又はアントラセンス
ルホン酸のアニオンである。 少なくとも1個のフッ素原子 少なくとも1個のフッ素原子で置換された直鎖状、分岐
状あるいは環状アルキル基 少なくとも1個のフッ素原子で置換された直鎖状、分岐
状あるいは環状アルコキシ基 少なくとも1個のフッ素原子で置換されたアシル基 少なくとも1個のフッ素原子で置換されたアシロキシ基 少なくとも1個のフッ素原子を含有するアルキルまたは
アリールスルホニル基 少なくとも1個のフッ素原子を含有するアルキルまたは
アリールスルホニルオキシ基 少なくとも1個のフッ素原子を含有するアルキルまたは
アリールスルホニルアミノ基 少なくとも1個のフッ素原子で置換されたアリール基 少なくとも1個のフッ素原子で置換されたアラルキル基
及び 少なくとも1個のフッ素原子で置換されたアルコキシカ
ルボニル基
【0014】上記直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル
基としては、炭素数が1〜12であって、1〜25個の
フッ素原子で置換されているものが好ましい。具体的に
はフロロメチル基、ジフロロメチル基、トリフロロメチ
ル基、ペンタフロロエチル基、2,2,2−トリフロロ
エチル基、ヘプタフロロプロピル基、ヘプタフロロイソ
プロピル基、パーフロロブチル基、パーフロロオクチル
基、パーフロロドデシル基、パーフロロシクロヘキシル
基等を挙げることができる。なかでも、全てフッ素で置
換された炭素数1〜4のパーフロロアルキル基が好まし
い。
【0015】上記直鎖状、分岐状あるいは環状アルコキ
シ基としては、炭素数が1〜12であって、1〜25個
のフッ素原子で置換されているものが好ましい。具体的
にはトリフロロメトキシ基、ペンタフロロエトキシ基、
ヘプタフロロイソプロピルオキシ基、パーフロロブトキ
シ基、パーフロロオクチルオキシ基、パーフロロドデシ
ルオキシ基、パーフロロシクロヘキシルオキシ基等を挙
げることができる。なかでも、全てフッ素で置換された
炭素数1〜4のパーフロロアルコキシ基が好ましい。
【0016】上記アシル基としては、炭素数が2〜12
であって、1〜23個のフッ素原子で置換されているも
のが好ましい。具体的にはトリフロロアセチル基、フロ
ロアセチル基、ペンタフロロプロピオニル基、ペンタフ
ロロベンゾイル基等を挙げることができる。
【0017】上記アシロキシ基としては、炭素数が2〜
12であって、1〜23個のフッ素原子で置換されてい
るものが好ましい。具体的にはトリフロロアセトキシ
基、フロロアセトキシ基、ペンタフロロプロピオニルオ
キシ基、ペンタフロロベンゾイルオキシ基等を挙げるこ
とができる。
【0018】上記アルキルまたはアリールスルホニル基
としては、炭素数が1〜12であって、1〜25個のフ
ッ素原子を含有するものが好ましい。具体的にはトリフ
ロロメタンスルホニル基、ペンタフロロエタンスルホニ
ル基、パーフロロブタンスルホニル基、パーフロロオク
タンスルホニル基、ペンタフロロベンゼンスルホニル
基、4−トリフロロメチルベンゼンスルホニル基等を挙
げることができる。
【0019】上記アルキルまたはアリールスルホニルオ
キシ基としては、炭素数が1〜12であって、1〜25
個のフッ素原子を含有するものが好ましい。具体的には
トリフロロメタンスルホニルオキシ、パーフロロブタン
スルホニルオキシ基、4−トリフロロメチルベンゼンス
ルホニルオキシ基等を挙げることができる。
【0020】上記アルキルまたはアリールスルホニルア
ミノ基としては、炭素数が1〜12であって、1〜25
個のフッ素原子を含有するものが好ましい。具体的には
トリフロロメタンスルホニルアミノ基、パーフロロブタ
ンスルホニルアミノ基、パーフロロオクタンスルホニル
アミノ基、ペンタフロロベンゼンスルホニルアミノ基等
を挙げることができる。
【0021】上記アリール基としては、炭素数が6〜1
4であって、1〜9個のフッ素原子で置換されているも
のが好ましい。具体的にはペンタフロロフェニル基、4
−トリフロロメチルフェニル基、ヘプタフロロナフチル
基、ノナフロロアントラニル基、4−フロロフェニル
基、2,4−ジフロロフェニル基等を挙げることができ
る。
【0022】上記アラルキル基としては、炭素数が7〜
10であって、1〜15個のフッ素原子で置換されてい
るものが好ましい。具体的にはペンタフロロフェニルメ
チル基、ペンタフロロフェニルエチル基、パーフロロベ
ンジル基、パーフロロフェネチル基等を挙げることがで
きる。
【0023】上記アルコキシカルボニル基としては、炭
素数が2〜13であって、1〜25個のフッ素原子で置
換されているものが好ましい。具体的にはトリフロロメ
トキシカルボニル基、ペンタフロロエトキシカルボニル
基、ペンタフロロフェノキシカルボニル基、パーフロロ
ブトキシカルボニル基、パーフロロオクチルオキシカル
ボニル基等を挙げることができる。
【0024】最も好ましいX-としてはフッ素置換ベン
ゼンスルホン酸アニオンであり、中でもペンタフルオロ
ベンゼンスルホン酸アニオンが特に好ましい。
【0025】また、上記含フッ素置換基を有するベンゼ
ンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、又はアントラセ
ンスルホン酸は、さらに直鎖状、分岐状あるいは環状ア
ルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、スルホニル基、
スルホニルオキシ基、スルホニルアミノ基、アリール
基、アラルキル基、アルコキシカルボニル基(これらの
炭素数範囲は前記のものと同様)、ハロゲン(フッ素を
除く)、水酸基、ニトロ基等で置換されてもよい。
【0026】一般式(I)で表される成分(a)の具体
例を以下に示す。
【0027】
【化3】
【0028】
【化4】
【0029】
【化5】
【0030】一般式(II)で表される成分(a)の具体
例を以下に示す。
【0031】
【化6】
【0032】一般式(III)で表される成分(a)の具
体例を以下に示す。
【0033】
【化7】
【0034】また、一般式(IV)〜(VII)で表さ
れる化合物も本発明の成分(a)として好ましい。
【0035】
【化8】
【0036】式中、Ra,Rbは、同一でも異なってい
てもよく、置換していてもよい直鎖、分岐、または環状
アルキル基、置換していてもよいアリール基、置換して
いてもよいヘテロアリール基、置換していてもよいアラ
ルキル基を示す。ただしRa,Rbのうちの少なくとも
一方は少なくとも1つのフッ素原子及び/又は少なくと
も1つのフッ素原子を有する基で置換されたフェニル
基、ナフタレン基、またはアントラセン基を示す。Rc
は、少なくとも1つのフッ素原子及び/又は少なくとも
1つのフッ素原子を有する基で置換されたフェニル基、
ナフタレン基、またはアントラセン基を示す。Rdは、
置換していてもよい直鎖、分岐、環状アルキル基、置換
していてもよいアリール基、置換していてもよいヘテロ
アリール基、置換していてもよいアラルキル基を示す。
Rは、水素原子、置換していてもよい直鎖、分岐、環状
アルキル基、ニトロ基、アルコキシ基を示す。Aは置換
または無置換のアルキレン基、アリーレン基、またはア
ルケニレン基を表す。一般式(I)〜(VII)で表され
る成分(a)の具体例を以下に示す。
【0037】
【化9】
【0038】
【化10】
【0039】
【化11】
【0040】一般式(I)〜(VII)で表される成分
(a)は、1種あるいは2種以上を併用して用いてもよ
い。成分(a)の含量は、本発明のポジ型電子線または
X線レジスト組成物全組成物の固形分に対し、通常0.
1〜20重量%、好ましくは0.5〜10重量%、更に
好ましくは1〜7重量%である。
【0041】一般式(I)、(II)の化合物は、例えば
アリールマグネシウムブロミド等のアリールグリニャー
ル試薬と、置換又は無置換のフェニルスルホキシドとを
反応させ、得られたトリアリールスルホニウムハライド
を対応するスルホン酸と塩交換する方法、置換あるいは
無置換のフェニルスルホキシドと対応する芳香族化合物
とをメタンスルホン酸/五酸化二リンあるいは塩化アル
ミニウム等の酸触媒を用いて縮合、塩交換する方法、又
はジアリールヨードニウム塩とジアリールスルフィドを
酢酸銅等の触媒を用いて縮合、塩交換する方法等によっ
て合成することができる。式(III)の化合物は過ヨウ
素酸塩を用いて芳香族化合物を反応させることにより合
成することができる。また、塩交換に用いるスルホン酸
あるいはスルホン酸塩は、市販のスルホン酸クロリドを
加水分解する方法、芳香族化合物とクロロスルホン酸と
を反応する方法、芳香族化合物とスルファミン酸とを反
応する方法等によって得ることができる。
【0042】以下具体的に、一般式(I)〜(III)の
具体的化合物の合成方法を以下に示す。 (ぺンタフロロベンゼンスルホン酸テトラメチルアンモ
ニウム塩の合成)ペンタフロロペンセンスルホニルクロ
リド25gを氷冷下メタノール100m1に溶解させ、
これに25%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液100gをゆっくり加えた。室温で3時間撹伴する
とペンタフロロベンゼンスルホン酸テトラメチルアンモ
ニウム塩の溶液が得られた。この溶液をスルホニウム
塩、ヨードニウム塩との塩交換に用いた。
【0043】(トリフェニルスルホニウムペンタフロロ
ベンセンスルホネートの合成:具体例(I−1)の合
成)ジフェニルスルホキシド509をベンゼン800m
1に溶解させ、これに塩化アルミニウム200gを加
え、24時間還流した。反応液を水2Lにゆっくりと注
ぎ、これに濃塩酸400m1を加えて70℃で10分加
熱した。この水溶液を酢酸エチル500m1で洗浄し、
ろ過した後にヨウ化アンモニウム200gを水400m
1に溶解したものを加えた。析出した粉体をろ取、水洗
した後酢酸エチルで洗浄、乾燥するとトリフェニルスル
ホニウムヨージドが70g得られた。トリフェニルスル
ホニウムヨージド30.5gをメタノール1000m1
に溶解させ、この溶液に酸化銀19.1gを加え、室温
で4時間撹伴した。溶液をろ過し、これに過剰量の上記
で合成したペンタフロロベンゼンスルホン酸テトラメチ
ルアンモニウム塩の溶液を加えた。反応液を濃縮し、こ
れをジクロロメタン500m1に溶解し、この溶液を5
%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、及び
水で洗浄した。有機相を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、
濃縮するとトリフェニルスルホニウムペンタフロロベン
センスルホネートが得られた。
【0044】(トリアリールスルホニウムペンタフロロ
ベンセンスルホネートの合成:具体例(I−9)と(II
−1)との混合物の合成)トリアリールスルホニウムク
ロリド50g(Fluka製、トリフェニルスルホニウムク
ロリド50%水溶液)を水500m1に溶解させこれに
過剰量のペンタフロロベンゼンスルホン酸テトラメチル
アンモニウム塩の溶液を加えると油状物質が析出してき
た。上澄みをデカントで除き、得られた油状物質を水
洗、乾燥するとトリアリールスルホニウムペンタフロロ
べンセンスルホネート(具体例(I−9)、(II−1)
を主成分とする)が得られた。
【0045】(ジ(4−t−アミルフェニル)ヨードニ
ウムペンタフロロベンセンスルホネートの合成:具体例
(III−1)の合成)t−アミルベンゼン60g、ヨウ
素酸カリウム39.5g、無水酢酸81g、ジクロロメ
タン170m1を混合し、これに氷冷下濃硫酸66.8
gをゆっくり滴下した。氷冷下2時間撹伴した後、室温
で10時間撹伴した。反応液に氷冷下、水500m1を
加え、これをジクロロメタンで抽出、有機相を炭酸水素
ナトリウム、水で洗浄した後濃縮するとジ(4−t−ア
ミルフェニル)ヨードニウム硫酸塩が得られた。この硫
酸塩を、過剰量のペンタフロロベンゼンスルホン酸テト
ラメチルアンモニウム塩の溶液に加えた。この溶液に水
500m1を加え、これをジクロロメタンで抽出、有機
相を5%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液、及び水で洗浄した後濃縮するとジ(4−t−アミル
フェニル)ヨードニウムペンタフロロベンセンスルホネ
ートが得られた。その他の化合物についても同様の方法
を用いることで合成できる。
【0046】〔II〕成分(a)以外の併用しうる酸発生
化合物 本発明においては、成分(a)以外に、電子線またはX
線の照射により分解して酸を発生する化合物を併用して
もよい。本発明の成分(a)と併用しうる光酸発生剤の
使用量は、モル比(成分(a)/その他の酸発生剤)
で、通常100/0〜20/80、好ましくは100/
0〜40/60、更に好ましくは100/0〜50/5
0である。そのような併用可能な光酸発生剤としては、
光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始
剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレ
ジスト等に使用されている電子線またはX線の照射によ
り酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜
に選択して使用することができる。
【0047】たとえば、ジアゾニウム塩、アンモニウム
塩、ホスホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム
塩、セレノニウム塩、アルソニウム塩等のオニウム塩、
有機ハロゲン化合物、有機金属/有機ハロゲン化物、o
−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、イミノ
スルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン酸を
発生する化合物、ジスルホン化合物を挙げることができ
る。
【0048】また、これらの電子線またはX線の照射に
より酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖
又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第3,84
9,137号、独国特許第3914407号、特開昭63-26653号、特
開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038
号、特開昭63-163452 号、特開昭62-153853号、特開昭
63-146029号等に記載の化合物を用いることができる。
【0049】さらに米国特許第3,779,778号、欧州特許
第126,712号等に記載の光により酸を発生する化合物も
使用することができる。
【0050】上記併用可能な電子線またはX線の照射に
より分解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用
いられるものについて以下に説明する。 (1)トリハロメチル基が置換した下記一般式(PAG
1)で表されるオキサゾール誘導体又は一般式(PAG
2)で表されるS−トリアジン誘導体。
【0051】
【化12】
【0052】式中、R201は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、R202は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−C(Y)3
をしめす。Yは塩素原子又は臭素原子を示す。具体的に
は以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定さ
れるものではない。
【0053】
【化13】
【0054】
【化14】
【0055】
【化15】
【0056】(2)下記の一般式(PAG3)で表され
るヨードニウム塩、又は一般式(PAG4)で表される
スルホニウム塩。
【0057】
【化16】
【0058】ここで式Ar1、Ar2は各々独立に置換も
しくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基とし
ては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカ
プト基及びハロゲン原子が挙げられる。
【0059】R203、R204、R205は各々独立に、置換
もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好ま
しくは、炭素数6〜14のアリール基、炭素数1〜8の
アルキル基及びそれらの置換誘導体である。好ましい置
換基としては、アリール基に対しては炭素数1〜8のア
ルコキシ基、炭素数1〜8のアルキル基、ニトロ基、カ
ルボキシル基、ヒロドキシ基及びハロゲン原子であり、
アルキル基に対しては炭素数1〜8のアルコキシ基、カ
ルボキシル基、アルコシキカルボニル基である。
【0060】Z-は対アニオンを示し、例えばBF4 -
AsF6-、PF6-、SbF6-、SiF6 2-、Cl
4 -、CF3SO3 -等のパーフルオロアルカンスルホン
酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオ
ン、ナフタレン−1−スルホン酸アニオン等の縮合多核
芳香族スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸
アニオン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができ
るがこれらに限定されるものではない。
【0061】またR203、R204、R205のうちの2つ及
びAr1、Ar2はそれぞれの単結合又は置換基を介して
結合してもよい。
【0062】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
【0063】
【化17】
【0064】
【化18】
【0065】
【化19】
【0066】
【化20】
【0067】
【化21】
【0068】
【化22】
【0069】
【化23】
【0070】
【化24】
【0071】
【化25】
【0072】
【化26】
【0073】
【化27】
【0074】一般式(PAG3)、(PAG4)で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、例えば米国特許第2,
807,648 号及び同4,247,473号、特開昭53-101,331号等
に記載の方法により合成することができる。
【0075】(3)下記一般式(PAG5)で表される
ジスルホン誘導体又は一般式(PAG6)で表されるイ
ミノスルホネート誘導体。
【0076】
【化28】
【0077】式中、Ar3、Ar4は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。R 206は置換もしくは
未置換のアルキル基、アリール基を示す。Aは置換もし
くは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレ
ン基を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
【0078】
【化29】
【0079】
【化30】
【0080】
【化31】
【0081】
【化32】
【0082】
【化33】
【0083】〔III〕(b)酸の作用により分解し、ア
ルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂
(以下、「成分(b)」ともいう) 本発明のポジ型電子線またはX線レジスト組成物におい
て用いられる酸により分解し、アルカリ現像液中での溶
解性を増大させる基を有する樹脂(成分(b))として
は、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両
方に、酸で分解し得る基を有する樹脂である。この内、
酸で分解し得る基を側鎖に有する樹脂がより好ましい。
酸で分解し得る基として好ましい基は、−COOA0
−O−B0基であり、更にこれらを含む基としては、−
0−COOA0、又は−Ar−O−B0で示される基が
挙げられる。ここでA0は、−C(R01)(R02)(R
03)、−Si(R01)(R02)(R0 3)もしくは−C
(R04)(R05)−O−R06基を示す。B0は、A0又は
−CO−O−A0基を示す(R0、R01〜R06、及びAr
は後述のものと同義)。
【0084】酸分解性基としては好ましくは、シリルエ
ーテル基、クミルエステル基、アセタール基、テトラヒ
ドロピラニルエーテル基、エノールエーテル基、エノー
ルエステル基、第3級のアルキルエーテル基、第3級の
アルキルエステル基、第3級のアルキルカーボネート基
等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル
基、第3級アルキルカーボネート基、クミルエステル
基、アセタール基、テトラヒドロピラニルエーテル基で
ある。
【0085】次に、これら酸で分解し得る基が側鎖とし
て結合する場合の母体樹脂としては、側鎖に−OHもし
くは−COOH、好ましくは−R0−COOHもしくは
−Ar−OH基を有するアルカリ可溶性樹脂である。例
えば、後述するアルカリ可溶性樹脂を挙げることができ
る。
【0086】これらアルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解
速度は、0.261Nテトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド(TMAH)で測定(23℃)して170
A/秒以上のものが好ましい。特に好ましくは330A
/秒以上のものである(Aはオングストローム)。この
ような観点から、特に好ましいアルカリ可溶性樹脂は、
o−,m−,p−ポリ(ヒドロキシスチレン)及びこれ
らの共重合体、水素化ポリ(ヒドロキシスチレン)、ハ
ロゲンもしくはアルキル置換ポリ(ヒドロキシスチレ
ン)、ポリ(ヒドロキシスチレン)の一部、O−アルキ
ル化もしくはO−アシル化物、スチレン−ヒドロキシス
チレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチ
レン共重合体及び水素化ノボラック樹脂である。
【0087】本発明に用いられる成分(b)は、欧州特
許254853号、特開平2−25850号、同3−2
23860号、同4−251259号等に開示されてい
るように、アルカリ可溶性樹脂に酸で分解し得る基の前
駆体を反応させる、もしくは、酸で分解し得る基の結合
したアルカリ可溶性樹脂モノマーを種々のモノマーと共
重合して得ることができる。
【0088】本発明に使用される成分(b)の具体例を
以下に示すが、これらに限定されるものではない。
【0089】
【化34】
【0090】
【化35】
【0091】
【化36】
【0092】
【化37】
【0093】
【化38】
【0094】
【化39】
【0095】
【化40】
【0096】酸で分解し得る基の含有率は、樹脂中の酸
で分解し得る基の数(B)と酸で分解し得る基で保護さ
れていないアルカリ可溶性基の数(S)をもって、B/
(B+S)で表される。含有率は好ましくは0.01〜
0.7、より好ましくは0.05〜0.50、更に好ま
しくは0.05〜0.40である。B/(B+S)>
0.7ではPEB後の膜収縮、基板への密着不良やスカ
ムの原因となり好ましくない。一方、B/(B+S)<
0.01では、パターン側壁に顕著に定在波が残ること
があるので好ましくない。
【0097】成分(b)の重量平均分子量(Mw)は、
2,000〜200,000の範囲であることが好まし
い。2,000未満では未露光部の現像により膜減りが
大きく、200,000を越えるとアルカリ可溶性樹脂
自体のアルカリに対する溶解速度が遅くなり感度が低下
してしまう。より好ましくは、5,000〜100,0
00の範囲であり、更に好ましくは8,000〜50,
000の範囲である。また、分子量分布(Mw/Mn)
は、好ましくは1.0〜4.0、より好ましくは1.0
〜2.0、特に好ましくは1.0〜1.6であり、分散
度が小さいほど、耐熱性、画像形成性(パターンプロフ
ァイル、デフォーカスラチチュード等)が良好となる。
ここで、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロ
マトグラフィーのポリスチレン換算値をもって定義され
る。
【0098】また、成分(b)は、2種類以上組み合わ
せて使用してもよい。本発明におけるこれら成分の使用
量は全組成物の固形分に対し、40〜99重量%、好ま
しくは60〜95重量%である。更に、アルカリ溶解性
を調節するために、酸で分解し得る基を有さないアルカ
リ可溶性樹脂を混合してもよい。
【0099】同様に後記する(d)酸分解性低分子溶解
阻止化合物を本発明の組成物に配合してもよい。この場
合、該溶解阻止化合物の含量は、全組成物の固形分に対
し、3〜45重量%、好ましくは5〜30重量%、より
好ましくは10〜20重量%である。
【0100】〔IV〕(c)フッ素及び/又はシリコン
系界面活性剤(以下「(c)成分」ともいう。 次に本発明のポジ型電子線およびX線レジスト組成物に
含有される(c)成分であるフッ素系界面活性剤とシリ
コン系界面活性剤について説明する。本発明の組成物に
は、フッ素系界面活性剤及びシリコン系界面活性剤のい
ずれか、あるいは両方を含有することができる。これら
の(c)成分として、例えば特開昭62-36663号、特開昭
61-226746号、特開昭61-226745号、特開昭62-170950
号、特開昭63-34540号、特開平7-230165号、特開平8-62
834号、特開平9-54432号、特開平9-5988号記載の界面活
性剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をその
まま用いることもできる。使用できる市販の界面活性剤
として、例えばエフトップEF301、EF303、(新秋田化成
(株)製)、フロラードFC430、431(住友スリーエム(株)
製)、メガファックF171、F173、F176、F189、R08(大日
本インキ(株)製)、サーフロンS−382、SC101、102、
103、104、105、106(旭硝子(株)製)等のフッ素系界
面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができ
る。またポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工
業(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル
(株)製)もシリコン系界面活性剤として用いることが
できる。
【0101】(c)成分の配合量は、本発明の組成物中
の全組成物の固形分に対し、通常0.00001〜2重
量%、好ましくは0.0001〜1重量%である。これ
らの界面活性剤は1種単独であるいは2種以上を組み合
わせて用いることができる。
【0102】〔V〕(d)低分子酸分解性溶解阻止化合
物(以下「(d)成分」ともいう) 本発明において、(d)成分を用いてもよい。(d)成
分は、酸により分解し得る基を有し、アルカリ現像液中
での溶解速度が酸の作用により増大する、分子量300
0以下の低分子溶解阻止化合物である。本発明の組成物
に配合される好ましい(d)成分は、その構造中に酸で
分解し得る基を少なくとも2個有し、該酸分解性基間の
距離が最も離れた位置において、酸分解性基を除く結合
原子を少なくとも8個経由する化合物である。より好ま
しい(d)成分は、その構造中に酸で分解し得る基を少
なくとも2個有し、該酸分解性基間の距離が最も離れた
位置において、酸分解性基を除く結合原子を少なくとも
10個、好ましくは少なくとも11個、更に好ましくは
少なくとも12個経由する化合物、又は酸分解性基を少
なくとも3個有し、該酸分解性基間の距離が最も離れた
位置において、酸分解性基を除く結合原子を少なくとも
9個、好ましくは少なくとも10個、更に好ましくは少
なくとも11個経由する化合物である。又、上記結合原
子の好ましい上限は50個、更に好ましくは30個であ
る。(d)成分である酸分解性溶解阻止化合物が、酸分
解性基を3個以上、好ましくは4個以上有する場合、ま
た酸分解性基を2個有するものにおいても、該酸分解性
基が互いにある一定の距離以上離れている場合、アルカ
リ可溶性樹脂に対する溶解阻止性が著しく向上する。な
お、酸分解性基間の距離は、酸分解性基を除く、経由結
合原子数で示される。例えば、以下の化合物(1),
(2)の場合、酸分解性基間の距離は、各々結合原子4
個であり、化合物(3)では結合原子12個である。
【0103】
【化41】
【0104】また、(d)成分である酸分解性溶解阻止
化合物は、1つのベンゼン環上に複数個の酸分解性基を
有していてもよいが、好ましくは、1つのベンゼン環上
に1個の酸分解性基を有する骨格から構成される化合物
である。更に、本発明の酸分解性溶解阻止化合物の分子
量は3,000以下であり、好ましくは300〜3,0
00、更に好ましくは500〜2,500である。
【0105】本発明の好ましい実施態様においては、酸
により分解し得る基、即ち−COO−A0、−O−B0
を含む基としては、−R0−COO−A0、又は−Ar−
O−B0で示される基が挙げられる。ここでA0は、−C
(R01)(R02)(R03)、−Si(R01)(R02
(R0 3)もしくは−C(R04)(R05)−O−R06基を
示す。B0は、A0又は−CO−O−A0基を示す。
01、R02、R03、R04及びR05は、それぞれ同一でも
相異していてもよく、水素原子、アルキル基、シクロア
ルキル基、アルケニル基もしくはアリール基を示し、R
06はアルキル基もしくはアリール基を示す。但し、R01
〜R03の内少なくとも2つは水素原子以外の基であり、
又、R01〜R03、及びR04〜R06の内の2つの基が結合
して環を形成してもよい。R0は置換基を有していても
よい2価以上の脂肪族もしくは芳香族炭化水素基を示
し、−Ar−は単環もしくは多環の置換基を有していて
もよい2価以上の芳香族基を示す。
【0106】ここで、アルキル基としてはメチル基、エ
チル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル
基、t−ブチル基の様な炭素数1〜4個のものが好まし
く、シクロアルキル基としてはシクロプロピル基、シク
ロブチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基の様な
炭素数3〜10個のものが好ましく、アルケニル基とし
てはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基の
様な炭素数2〜4個のものが好ましく、アリール基とし
てはフエニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル
基、ナフチル基、アントラセニル基の様な炭素数6〜1
4個のものが好ましい。また、置換基としては水酸基、
ハロゲン原子(フツ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ
基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基・エトキ
シ基・ヒドロキシエトキシ基・プロポキシ基・ヒドロキ
シプロポキシ基・n−ブトキシ基・イソブトキシ基・s
ec−ブトキシ基・t−ブトキシ基等のアルコキシ基、
メトキシカルボニル基・エトキシカルボニル基等のアル
コキシカルボニル基、ベンジル基・フエネチル基・クミ
ル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル
基・アセチル基・ブチリル基・ベンゾイル基・シアナミ
ル基・バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等の
アシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキシ基・
プロペニルオキシ基・アリルオキシ基・ブテニルオキシ
基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、フエノ
キシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等の
アリールオキシカルボニル基を挙げることができる。
【0107】好ましくは、シリルエーテル基、クミルエ
ステル基、アセタール基、テトラヒドロピラニルエーテ
ル基、エノールエーテル基、エノールエステル基、第3
級のアルキルエーテル基、第3級のアルキルエステル
基、第3級のアルキルカーボネート基等である。更に好
ましくは、第3級アルキルエステル基、第3級アルキル
カーボネート基、クミルエステル基、テトラヒドロピラ
ニルエーテル基である。
【0108】(d)成分としては、好ましくは、特開平
1−289946号、特開平1−289947号、特開
平2−2560号、特開平3−128959号、特開平
3−158855号、特開平3−179353号、特開
平3−191351号、特開平3−200251号、特
開平3−200252号、特開平3−200253号、
特開平3−200254号、特開平3−200255
号、特開平3−259149号、特開平3−27995
8号、特開平3−279959号、特開平4−1650
号、特開平4−1651号、特開平4−11260号、
特開平4−12356号、特開平4−12357号、特
願平3−33229号、特願平3−230790号、特
願平3−320438号、特願平4−25157号、特
願平4−52732号、特願平4−103215号、特
願平4−104542号、特願平4−107885号、
特願平4−107889号、同4−152195号等の
明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物のフエノール
性OH基の一部もしくは全部を上に示した基、−R0
OO−A0もしくはB0基で結合し、保護した化合物が含
まれる。
【0109】更に好ましくは、特開平1−289946
号、特開平3−128959号、特開平3−15885
5号、特開平3−179353号、特開平3−2002
51号、特開平3−200252号、特開平3−200
255号、特開平3−259149号、特開平3−27
9958号、特開平4−1650号、特開平4−112
60号、特開平4−12356号、特開平4−1235
7号、特願平4−25157号、特願平4−10321
5号、特願平4−104542号、特願平4−1078
85号、特願平4−107889号、同4−15219
5号の明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物を用い
たものが挙げられる。
【0110】より具体的には、一般式[I]〜[XV
I]で表される化合物が挙げられる。
【0111】
【化42】
【0112】
【化43】
【0113】
【化44】
【0114】
【化45】
【0115】ここで、 R101、R102、R108、R130:同一でも異なっていても
よく、水素原子、−R 0−COO−C(R01)(R02
(R03)又は−CO−O−C(R01)(R02
(R03)、但し、R0、R01、R02及びR03の定義は前
記と同じである。
【0116】R100:−CO−,−COO−,−NHC
ONH−,−NHCOO−,−O−、−S−,−SO
−,−SO2−,−SO3−,もしくは
【0117】
【化46】
【0118】ここで、G=2〜6 但し、G=2の時は
150、R151のうち少なくとも一方はアルキル基、 R150、R151:同一でも異なっていてもよく、水素原
子,アルキル基,アルコキシ基、−OH,−COOH,
−CN,ハロゲン原子,−R152−COOR153もしくは
−R154−OH、 R152、R154:アルキレン基、 R153:水素原子,アルキル基,アリール基,もしくは
アラルキル基、 R99、R103〜R107、R109、R111〜R118、R121〜R
123、R128〜R129、R131〜R134、R138〜R141及び
143:同一でも異なってもよく、水素原子,水酸基,
アルキル基,アルコキシ基,アシル基,アシロキシ基,
アリール基,アリールオキシ基,アラルキル基,アラル
キルオキシ基,ハロゲン原子,ニトロ基,カルボキシル
基,シアノ基,もしくは−N(R155)(R156)(ここ
で、R155、 R156:H,アルキル基,もしくはアリール基) R110:単結合,アルキレン基,もしくは
【0119】
【化47】
【0120】R157、R159:同一でも異なってもよく、
単結合,アルキレン基,−O−,−S−,−CO−,も
しくはカルボキシル基、 R158:水素原子,アルキル基,アルコキシ基,アシル
基,アシロキシ基,アリール基,ニトロ基,水酸基,シ
アノ基,もしくはカルボキシル基、但し、水酸基が酸分
解性基(例えば、t−ブトキシカルボニルメチル基、テ
トラヒドロピラニル基、1−エトキシ−1−エチル基、
1−t−ブトキシ−1−エチル基)で置き換ってもよ
い。
【0121】R119、R120:同一でも異なってもよく、
メチレン基,低級アルキル置換メチレン基,ハロメチレ
ン基,もしくはハロアルキル基、但し本願において低級
アルキル基とは炭素数1〜4のアルキル基を指す、 R124〜R127:同一でも異なってもよく、水素原子もし
くはアルキル基、 R135〜R137:同一でも異なってもよく、水素原子,ア
ルキル基,アルコキシ基,アシル基,もしくはアシロキ
シ基、 R142:水素原子,−R0−COO−C(R01)(R02
(R03)又は−CO−O−C(R01)(R02
(R03)、もしくは
【0122】
【化48】
【0123】R144、R145:同一でも異なってもよく、
水素原子,低級アルキル基,低級ハロアルキル基,もし
くはアリール基、 R146〜R149:同一でも異なっていてもよく、水素原
子,水酸基,ハロゲン原子,ニトロ基,シアノ基,カル
ボニル基,アルキル基,アルコキシ基,アルコキシカル
ボニル基,アラルキル基,アラルキルオキシ基,アシル
基,アシロキシ基,アルケニル基,アルケニルオキシ
基,アリール基、アリールオキシ基,もしくはアリール
オキシカルボニル基、但し、各4個の同一記号の置換基
は同一の基でなくてもよい、 Y:−CO−,もしくは−SO2−、 Z,B:単結合,もしくは−O−、 A:メチレン基,低級アルキル置換メチレン基,ハロメ
チレン基,もしくはハロアルキル基、 E:単結合,もしくはオキシメチレン基、 a〜z,a1〜y1:複数の時、()内の基は同一又は異なっ
ていてもよい、 a〜q、s,t,v,g1〜i1,k1〜m1,o1,q1,s1,u1:0もしくは
1〜5の整数、 r,u,w,x,y,z,a1〜f1,p1,r1,t1,v1〜x1:0もしくは1〜
4の整数、 j1,n1,z1,a2,b2,c2,d2:0もしくは1〜3の整数、 z1,a2,c2,d2のうち少なくとも1つは1以上、 y1:3〜8の整数、 (a+b),(e+f+g),(k+l+m),(q+r+s),(w+x+y),(c1+d1),(g1+
h1+i1+j1),(o1+p1), (s1+t1)≧2、 (j1+n1)≦3、 (r+u),(w+z),(x+a1),(y+b1),(c1+e1),(d1+f1),(p1+r1),
(t1+v1),(x1+w1)≦4、但し一般式[V]の場合は(w+
z),(x+a1)≦5、 (a+c),(b+d),(e+h),(f+i),(g+j),(k+n),(l+o),(m+p),(q
+t),(s+v),(g1+k1),(h1+l1),(i1+m1),(o1+q1),(s1+u1)
≦5、 を表す。
【0124】
【化49】
【0125】
【化50】
【0126】
【化51】
【0127】
【化52】
【0128】好ましい化合物骨格の具体例を以下に示
す。
【0129】
【化53】
【0130】
【化54】
【0131】
【化55】
【0132】
【化56】
【0133】
【化57】
【0134】
【化58】
【0135】
【化59】
【0136】
【化60】
【0137】
【化61】
【0138】
【化62】
【0139】
【化63】
【0140】
【化64】
【0141】
【化65】
【0142】化合物(1)〜(44)中のRは、水素原
子、
【0143】
【化66】
【0144】を表す。但し、少なくとも2個、もしくは
構造により3個は水素原子以外の基であり、各置換基R
は同一の基でなくてもよい。
【0145】〔V〕(e)水に不要で、アルカリ現像液
に可溶な樹脂(以下、「(e)成分」あるいは「(e)
アルカリ可溶性樹脂」ともいう) 本発明のポジ型電子線およびX線レジスト組成物におい
て、(e)成分として、水に不溶でアルカリ水溶液に可
溶な樹脂を用いることができる。(e)成分を用いる場
合、上記(b)成分である酸の作用により分解し、アル
カリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂を
配合する必要は必ずしもない。勿論、(b)成分との併
用を排除するものではない。本発明に用いられる(e)
アルカリ可溶性樹脂としては、例えばノボラック樹脂、
水素化ノボラツク樹脂、アセトン−ピロガロール樹脂、
o−ポリヒドロキシスチレン、m−ポリヒドロキシスチ
レン、p−ポリヒドロキシスチレン、水素化ポリヒドロ
キシスチレン、ハロゲンもしくはアルキル置換ポリヒド
ロキシスチレン、ヒドロキシスチレン−N−置換マレイ
ミド共重合体、o/p−及びm/p−ヒドロキシスチレ
ン共重合体、ポリヒドロキシスチレンの水酸基に対する
一部O−アルキル化物(例えば、5〜30モル%のO−
メチル化物、O−(1−メトキシ)エチル化物、O−
(1−エトキシ)エチル化物、O−2−テトラヒドロピ
ラニル化物、O−(t−ブトキシカルボニル)メチル化
物等)もしくはO−アシル化物(例えば、5〜30モル
%のo−アセチル化物、O−(t−ブトキシ)カルボニ
ル化物等)、スチレン−無水マレイン酸共重合体、スチ
レン−ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレ
ン−ヒドロキシスチレン共重合体、カルボキシル基含有
メタクリル系樹脂及びその誘導体、ポリビニルアルコー
ル誘導体を挙げることができるが、これらに限定される
ものではない。特に好ましい(e)アルカリ可溶性樹脂
はノボラック樹脂及びo−ポリヒドロキシスチレン、m
−ポリヒドロキシスチレン、p−ポリヒドロキシスチレ
ン及びこれらの共重合体、アルキル置換ポリヒドロキシ
スチレン、ポリヒドロキシスチレンの一部O−アルキル
化、もしくはO−アシル化物、スチレン−ヒドロキシス
チレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチ
レン共重合体である。該ノボラック樹脂は所定のモノマ
ーを主成分として、酸性触媒の存在下、アルデヒド類と
付加縮合させることにより得られる。
【0146】所定のモノマーとしては、フェノール、m
−クレゾール、p−クレゾール、o−クレゾール等のク
レゾール類、2,5−キシレノール、3,5−キシレノ
ール、3,4−キシレノール、2,3−キシレノール等
のキシレノール類、m−エチルフェノール、p−エチル
フェノール、o−エチルフェノール、p−t−ブチルフ
ェノール、p−オクチルフエノール、2,3,5−トリ
メチルフェノール等のアルキルフェノール類、p−メト
キシフェノール、m−メトキシフェノール、3,5−ジ
メトキシフェノール、2−メトキシ−4−メチルフェノ
ール、m−エトキシフェノール、p−エトキシフェノー
ル、m−プロポキシフェノール、p−プロポキシフェノ
ール、m−ブトキシフェノール、p−ブトキシフェノー
ル等のアルコキシフェノール類、2−メチル−4−イソ
プロピルフェノール等のビスアルキルフェノール類、m
−クロロフェノール、p−クロロフェノール、o−クロ
ロフェノール、ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノー
ルA、フェニルフェノール、レゾルシノール、ナフトー
ル等のヒドロキシ芳香化合物を単独もしくは2種類以上
混合して使用することができるが、これらに限定される
ものではない。
【0147】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセ
トアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−
フェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズア
ルデヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒド
ロキシベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒ
ド、m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズア
ルデヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベ
ンズアルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メ
チルベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、
p−メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデ
ヒド、p−n−ブチルベンズアルデヒド、フルフラー
ル、クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール
体、例えばクロロアセトアルデヒドジエチルアセタール
等を使用することができるが、これらの中で、ホルムア
ルデヒドを使用するのが好ましい。これらのアルデヒド
類は、単独でもしくは2種類以上組み合わせて用いられ
る。酸性触媒としては塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸、シュウ
酸等を使用することができる。
【0148】こうして得られたノボラック樹脂の重量平
均分子量は、1,000〜30,000の範囲であるこ
とが好ましい。1,000未満では未露光部の現像後の
膜減りが大きく、30,000を越えると現像速度が小
さくなってしまう。特に好適なのは2,000〜20,
000の範囲である。また、ノボラック樹脂以外の前記
ポリヒドロキシスチレン、及びその誘導体、共重合体の
重量平均分子量は、2000以上、好ましくは5000
〜200000、より好ましくは5000〜10000
0である。ここで、重量平均分子量はゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフィーのポリスチレン換算値をもって
定義される。本発明におけるこれらの(e)アルカリ可
溶性樹脂は2種類以上組み合わせて使用してもよい。
(e)アルカリ可溶性樹脂の使用量は、ポジ型電子線お
よびX線レジスト組成物の全組成物の固形分に対し、4
0〜97重量%、好ましくは60〜90重量%である。
【0149】〔VI〕本発明に使用されるその他の成分 本発明のポジ型電子線およびX線レジスト組成物には必
要に応じて、更に染料、顔料、可塑剤、界面活性剤、光
増感剤、有機塩基性化合物、及び現像液に対する溶解性
を促進させるフエノール性OH基を2個以上有する化合
物等を含有させることができる。
【0150】本発明で使用できるフェノール性OH基を
2個以上有する化合物は、好ましくは分子量1000以
下のフェノール化合物である。また、分子中に少なくと
も2個のフェノール性水酸基を有することが必要である
が、これが10を越えると、現像ラチチュードの改良効
果が失われる。また、フェノ−ル性水酸基と芳香環との
比が0.5未満では膜厚依存性が大きく、また、現像ラ
チチュードが狭くなる傾向がある。この比が1.4を越
えると該組成物の安定性が劣化し、高解像力及び良好な
膜厚依存性を得るのが困難となって好ましくない。
【0151】このフェノール化合物の好ましい添加量は
(e)アルカリ可溶性樹脂に対して2〜50重量%であ
り、更に好ましくは5〜30重量%である。50重量%
を越えた添加量では、現像残渣が悪化し、また現像時に
パターンが変形するという新たな欠点が発生して好まし
くない。
【0152】このような分子量1000以下のフェノー
ル化合物は、例えば、特開平4−122938、特開平
2−28531、米国特許第4916210、欧州特許
第219294等に記載の方法を参考にして、当業者に
於て容易に合成することができる。フェノール化合物の
具体例を以下に示すが、本発明で使用できる化合物はこ
れらに限定されるものではない。
【0153】レゾルシン、フロログルシン、2,3,4
−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4′−
テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,3′,
4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、アセト
ン−ピロガロール縮合樹脂、フロログルコシド、2,
4,2′,4′−ビフェニルテトロール、4,4′−チ
オビス(1,3−ジヒドロキシ)ベンゼン、2,2′,
4,4′−テトラヒドロキシジフェニルエーテル、2,
2′,4,4′−テトラヒドロキシジフェニルスルフォ
キシド、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシジフェ
ニルスルフォン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メ
タン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロ
ヘキサン、4,4−(α−メチルベンジリデン)ビスフ
ェノール、α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、
α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−
1−エチル−4−イソプロピルベンゼン、1,2,2−
トリス(ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,2−
トリス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロパン、2,2,5,5−テトラキス(4−ヒドロキ
シフェニル)ヘキサン、1,2−テトラキス(4−ヒド
ロキシフェニル)エタン、1,1,3−トリス(ヒドロ
キシフェニル)ブタン、パラ〔α,α,α′,α′−テ
トラキス(4−ヒドロキシフェニル)〕−キシレン等を
挙げることができる。
【0154】本発明で用いることのできる好ましい有機
塩基性化合物とは、フェノールよりも塩基性の強い化合
物である。中でも含窒素塩基性化合物が好ましい。好ま
しい化学的環境として、下記式(A)〜(E)構造を挙
げることができる。
【0155】
【化67】
【0156】更に好ましい化合物は、一分子中に異なる
化学的環境の窒素原子を2個以上有する含窒素塩基性化
合物であり、特に好ましくは、置換もしくは未置換のア
ミノ基と窒素原子を含む環構造の両方を含む化合物もし
くはアルキルアミノ基を有する化合物である。好ましい
具体例としては、置換もしくは未置換のグアニジン、置
換もしくは未置換のアミノピリジン、置換もしくは未置
換のアミノアルキルピリジン、置換もしくは未置換のア
ミノピロリジン、置換もしくは未置換のインダーゾル、
置換もしくは未置換のピラゾール、置換もしくは未置換
のピラジン、置換もしくは未置換のピリミジン、置換も
しくは未置換のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾ
リン、置換もしくは未置換のピラゾリン、置換もしくは
未置換のピペラジン、置換もしくは未置換のアミノモル
フォリン、置換もしくは未置換のアミノアルキルモルフ
ォリン等が挙げられる。好ましい置換基は、アミノ基、
アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール
基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、ア
シル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ
基、ニトロ基、水酸基、シアノ基である。特に好ましい
化合物として、グアニジン、1,1−ジメチルグアニジ
ン、1,1,3,3,−テトラメチルグアニジン、2−
アミノピリジン、3−アミノピリジン、4−アミノピリ
ジン、2−ジメチルアミノピリジン、4−ジメチルアミ
ノピリジン、2−ジエチルアミノピリジン、2−(アミ
ノメチル)ピリジン、2−アミノ−3−メチルピリジ
ン、2−アミノ−4−メチルピリジン、2−アミノ−5
−メチルピリジン、2−アミノ−6−メチルピリジン、
3−アミノエチルピリジン、4−アミノエチルピリジ
ン、3−アミノピロリジン、ピペラジン、N−(2−ア
ミノエチル)ピペラジン、N−(2−アミノエチル)ピ
ペリジン、4−アミノ−2,2,6,6−テトラメチル
ピペリジン、4−ピペリジノピペリジン、2−イミノピ
ペリジン、1−(2−アミノエチル)ピロリジン、ピラ
ゾール、3−アミノ−5−メチルピラゾール、5−アミ
ノ−3−メチル−1−p−トリルピラゾール、ピラジ
ン、2−(アミノメチル)−5−メチルピラジン、ピリ
ミジン、2,4−ジアミノピリミジン、4,6−ジヒド
ロキシピリミジン、2−ピラゾリン、3−ピラゾリン、
N−アミノモルフォリン、N−(2−アミノエチル)モ
ルフォリン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウ
ンデカ−7−エン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.
0]ノナ−5−エン、2,4,5−トリフェニルイミダ
ール、N−シクロヘキシル−N’−モルホリノエチルチ
オ尿素等が挙げられ、中でも好ましくは、1,8−ジア
ザビシクロ[5.4.0]ウンデカ−7−エン、1,5
−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン、2,
4,5−トリフェニルイミダール、N−シクロヘキシル
−N’−モルホリノエチルチオ尿素等が挙げられるがこ
れに限定されるものではない。
【0157】これらの含窒素塩基性化合物は、単独であ
るいは2種以上組み合わせてに用いることができる。含
窒素塩基性化合物の使用量は、本発明の組成物中の全組
成物の固形分に対し、通常、0.001〜10重量%、
好ましくは0.01〜5重量%である。0.001重量
%未満では本発明の効果が得られない。一方、10重量
%を超えると感度の低下や非露光部の現像性が悪化する
傾向がある。
【0158】本発明の感光性組成物は、上記各成分を溶
解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチ
ロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳
酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、
エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロ
リドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶
媒を単独あるいは混合して使用することができる。
【0159】上記溶媒に上記(c)成分であるフッ素系
及び/又はシリコン系界面活性剤以外の界面活性剤を併
用することもできる。具体的には、ポリオキシエチレン
ラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエー
テル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシ
エチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアル
キルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノー
ルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエー
テル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル
類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロッ
クコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタ
ンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソ
ルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、
ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エス
テル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレー
ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテ−ト、
ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリ
オキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシ
エチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエ
チレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面
活性剤、アクリル酸系もしくはメタクリル酸系(共)重
合ポリフローNo.75,No.95(共栄社油脂化学
工業(株)製)等を挙げることができる。これらの界面
活性剤の配合量は、本発明の組成物中の全組成物の固形
分に対し、通常、2重量%以下、好ましくは1重量%以
下である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよい
し、また2種以上を組み合わせて添加することもでき
る。
【0160】本発明のポジ型電子線およびX線レジスト
組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基
板(例:シリコン/二酸化シリコン被覆)上にスピナ
ー、コーター等の適当な塗布方法により塗布後、所定の
マスクを通して露光し、ベークを行い現像することによ
り良好なレジストパターンを得ることができる。
【0161】本発明の感光性組成物の現像液としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルア
ミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム
塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカ
リ性水溶液を使用することができる。更に、上記アルカ
リ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加し
て使用することもできる。
【0162】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明の内容がこれにより限定されるものでは
ない。 〔合成例1:ポリ(p−ヒドロキシスチレン/スチレ
ン)共重合体の合成〕常法に基づいて脱水、蒸留精製し
たp−tert−ブトキシスチレンモノマー35.25
g(0.2モル)及びスチレンモノマー5.21g
(0.05モル)をテトラヒドロフラン100mlに溶
解した。窒素気流及び攪拌下、80℃にてアゾビスイソ
ブチロニトリル(AIBN)0.033gを2.5時間
置きに3回添加し、最後に更に5時間攪拌を続けること
により、重合反応を行った。反応液をヘキサン1200
mlに投入し、白色の樹脂を析出させた。得られた樹脂
を乾燥後、テトラヒドロフラン150mlに溶解した。
これに4N塩酸を添加し、6時間加熱還流することによ
り加水分解させた後、5Lの超純水に再沈し、この樹脂
を濾別し、水洗・乾燥させた。更にテトラヒドロフラン
200mlに溶解し、5Lの超純水中に激しく攪拌しな
がら滴下、再沈を行った。この再沈操作を3回繰り返し
た。得られた樹脂を真空乾燥器中で120℃、12時間
乾燥し、ポリ(p−ヒドロキシスチレン/スチレン)共
重合体を得た。
【0163】〔合成例2:樹脂例(b−21)の合成〕
p−アセトキシスチレン32.4g(0.2モル)及び
メタクリル酸t−ブチル7.01g(0.07モル)を
酢酸ブチル120mlに溶解し、窒素気流及び攪拌下、
80℃にてアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)
0.033gを2.5時間置きに3回添加し、最後に更
に5時間攪拌を続けることにより、重合反応を行った。
反応液をヘキサン1200mlに投入し、白色の樹脂を
析出させた。得られた樹脂を乾燥後、メタノール200
mlに溶解した。これに水酸化ナトリウム7.7g
(0.19モル)/水50mlの水溶液を添加し、1時
間加熱還流することにより加水分解させた。その後、水
200mlを加えて希釈し、塩酸にて中和し白色の樹脂
を析出させた。この樹脂を濾別し、水洗・乾燥させた。
更にテトラヒドロフラン200mlに溶解し、5Lの超
純水中に激しく攪拌しながら滴下、再沈を行った。この
再沈操作を3回繰り返した。得られた樹脂を真空乾燥器
中で120℃、12時間乾燥し、ポリ(p−ヒドロキシ
スチレン/メタクリル酸t−ブチル)共重合体を得た。
【0164】〔合成3:樹脂例(b−3)の合成〕ポリ
(p−ヒドロキシスチレン)(日本管違社製VP−800
0)10gをピリジン50mlに溶解させ、これに室温
で撹伴下、二炭酸ジ−t−ブチル3.63gを滴下し
た。室温で3時間撹伴した後、イオン交換水1L/濃塩
酸20gの溶液に滴下した。析出した粉体をろ過、水
洗、乾燥すると、樹脂例(b−3)が得られた。
【0165】〔合成4:樹脂例(b−33)の合成〕p
−シクロヘキシルフェノール83.1g(0.5モル)
を300m1のトルエンに溶解し、次いで2−クロロエチ
ルビニルエーテル150g、水酸化ナトリウム25g、
テトラブチルアンモニウムブロミド5g、トリエチルア
ミン60gを加えて120℃で5時間反応させた。反応
液を水洗し、過剰のクロエチルビニルエーテルとトルエ
ンを留去し、得られたオイルを減圧蒸留にて精製すると
4−シクロヘキシルフェノキシエチルビニルエーテルが
得られた。ポリ(p−ヒドロキシスチレン)(日本曹達
社製VP−8000)20g,4−シクロヘキシルフェ
ノキシエチルビニルエ−テル6.5gをTHF80ml
に溶解し、これにp−トルエンスルホン酸0.01gを
添加して室温で18時間反応させた。反応液を蒸留水5
Lに激しく撹拌しながら滴下し、析出する粉体をろ過、
乾燥すると樹脂例(b−33)が得られた。
【0166】樹脂例(b−4)、(b−28)、(b−
30)も対応する幹ポリマーとビニルエーテルを用い
て、同様の方法により合成した。
【0167】(溶解阻止剤化合物の合成例−1:化合物
例16の合成)1−[α−メチル−α−(4' −ヒドロ
キシフェニル)エチル]−4−[α',α' −ビス(4"
−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン42.4g
(0.10モル)をN,N−ジメチルアセトアミド30
0mlに溶解し、これに炭酸カリウム49.5g(0.
35モル)、及びブロモ酢酸クミルエステル84.8g
(0.33モル)を添加した。その後、120℃にて7
時間撹拌した。反応混合物をイオン交換水2lに投入
し、酢酸にて中和した後、酢酸エチルにて抽出した。酢
酸エチル抽出液を濃縮、精製し、化合物例16(Rは全
て−CH2COOC(CH3265基)70gを得
た。
【0168】(溶解阻止剤化合物の合成例−2:化合物
41の合成)1,3,3,5−テトラキス−(4−ヒド
ロキシフェニル)ペンタン44gをN,N−ジメチルア
セトアミド250mlに溶解させ、これに炭酸カリウム
70.7g、次いでブロモ酢酸t−ブチル90.3gを
加え120℃にて7時間撹拌した。反応混合物をイオン
交換水2lに投入し、得られた粘稠物を水洗した。これ
をカラムクロマトグラフィーにて精製すると化合物例4
1(Rはすべて−CH 2COOC49(t))が87g
得られた。
【0169】(溶解阻止剤化合物の合成例−3:化合物
例43の合成)α,α,α’,α’,α”,α”,−ヘ
キサキス(4−ヒドロキシフェニル)−1,3,5−ト
リエチルベンゼン20gをジエチルエーテル400ml
に溶解させた。この溶液に窒素雰囲気下で3,4−ジヒ
ドロ−2H−ピラン42.4g、触媒量の塩酸を加え、
24時間還流した。反応終了後少量の水酸化ナトリウム
を加えた後ろ過した。ろ液を濃縮し、これをカラムクロ
マトグラフィーにて精製すると化合物例43(Rはすべ
てTHP基)が55.3g得られた。
【0170】実施例1〜16、比較例1〜5 下記表1に示した成分をプロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート8.2gに溶解させ、これを0.
1μmのテフロンフィルターによりろ過してレジスト溶
液を調製した。このように調製された樹脂組成物につ
き、下記方法により電子線照射による現像欠陥数及びレ
ジストの画像性能を評価した。現像欠陥数の評価結果を
表1に、画像性能の評価結果を表2に示した。
【0171】A.電子線露光評価 (現像欠陥数の評価方法) (1)現像欠陥数−I 感光性樹脂組成物をスピンコーターによりヘキサメチル
ジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布
し、120℃で60秒間ホットプレート上で加熱、乾燥
を行い、0.8μmのレジスト膜を形成した。このレジ
スト膜を、電子線描画装置(加速電圧50keV、ビー
ム径0.20μm)で露光し、露光後直ぐに110℃で
90秒間ホットプレート上で加熱した。更に2.38重
量%濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液で23℃で60秒間現像し、30秒間純水にてリンス
した後、乾燥した。このようにして得られたコンタクト
ホールパターンの形成されたサンプルを、KLA211
2機(KLAテンコール(株)製)により現像欠陥数を測
定した(Threshold12、Pixcel Size=0.39)。 (2)現像欠陥数−II 上記(1)現像欠陥数−Iにおいて、露光しない以外
は、加熱、現像、リンス、乾燥したサンプルについて同
様に行い現像欠陥数を測定した。
【0172】(画像評価法)上記(1)現像欠陥数−I
と同様に、0.8μmのレジスト膜を形成し、この膜に
ついて、露光、加熱、現像、リンス、乾燥した。その
後、膜厚を膜厚計により測定し、残膜率を算出した。さ
らに、形成された0.2μmコンタクトホールパターン
を走査型電子顕微鏡で観察し、プロファイルを調べた。
【0173】(感度評価法)感度は0.20μmのコン
タクトホールパターンを再現する露光量をもって評価し
た。 (解像力評価法)解像力は0.20μmのコンタクトホ
ールパターンを再現する露光量における限界解像力を表
す。
【0174】
【表1】
【0175】酸発生剤PAG−1、PAG−2は、下記
の通りである。
【0176】
【化68】
【0177】表中の略号は以下を示す。 W−1:メガファックF176(大日本インキ(株)
製) W−2:メガファックR08(大日本インキ(株)製) W−3:ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化
学工業(株)製) W−4:ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル W−5:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)
製) TPI:2,4,5−トリフェニルイミダゾール DBN:1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−
5−エン CHMETU:N−シクロヘキシル−N’−モルホリノ
エチルチオ尿素
【0178】使用したバインダー樹脂の組成、物性等は
以下の通りである。 (b−3):p−ヒトロキシスチレン/p−t−ブトキ
シカルボキシスチレン共重合体(モル比:80/2
0)、重量平均分子量13000、分子量分布(Mw/
Mn)1.4 (b−4):p−ヒドロキシスチレン/p−(1−エト
キシエトキシ)スチレン共重合体(モル比:70/3
0)、重量平均分子量12000、分子量分布(Mw/
Mn)1.3 (b−21):p−ヒドロキシスチレン/t−ブチルメ
タクリレート共重合体(モル比:70/30)、重量平
均分子量16000、分子量分布(Mw/Mn)2.0 (b−22):p−ヒドロキシスチレン/p−(1−t
−ブトキシエトキシ)スチレン共重合体(モル比:85
/15)、重量平均分子量12000、分子量分布(M
w/Mn)1.1 (b−28):p−ヒドロキシスチレン/p−(1−フ
ェネチルオキシエトキシ)スチレン共重合体(モル比:
85/15)、重量平均分子量12000、分子量分布
(Mw/Mn)1.2 (b−30):p−ヒドロキシスチレン/p−(1−フ
ェノキシエトキシエトキシ)スチレン共重合体(モル
比:85/15)、重量平均分子量13000、分子量
分布(Mw/Mn)1.2 (PHS):ポリ−p−ヒドロキシスチレン(日本曹達
(株)製、商品名VP−15000) (PHS/St:合成例1で合成したもの):p−ヒド
ロキシスチレン/スチレン(モル比:80/20)、重
量平均分子量26000、分子量分布(Mw/Mn)
1.9
【0179】
【表2】
【0180】表2に示された結果から以下のことが明ら
かである。本発明のポジ型電子線レジスト組成物は、高
感度、高解像力で、矩形なパターンプロファイルを与
え、現像欠陥が少ない。一方、比較例1,2の場合、本
発明の組成物に配合される界面活性剤(c)成分を用い
ているが、(a)成分以外の酸発生剤を用いており、そ
の結果パターンプロファイルが逆テーパー形状となり、
現像欠陥もやや多い。また、比較例3,4の場合、本発
明の組成物に配合される酸発生剤(a)成分を用いてい
るが、(c)成分以外のの界面活性剤を用いており、パ
ターンプロファイルはやや改善されているが、現像欠陥
が多い。また、比較例5は、(a)成分以外の酸発生剤
を用い、(c)成分以外の界面活性剤を用いており、パ
ターンプロファイルは逆テーパー形状となり、現像欠陥
も多い。
【0181】B.X線露光評価 表1の実施例1〜8および比較例1に示した成分をプロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート10.
2gに溶解させ、これを0.1μmのテフロンフィルタ
ーによりろ過してレジスト液を調整した。これをスピン
コーターにより、ヘキサメチルジシラザン処理を施した
シリコン基板上に均一に塗布し、120℃で90秒間ホ
ットプレート上で加熱、乾燥を行い、0.35μmのレ
ジスト膜を形成した。このレジスト膜をX線等倍露光装
置(XRS−200、ギャップ値20μm)で露光し、
露光後すぐに110℃で90秒間ホットプレート上で加
熱した。さらに2.38重量%濃度のテトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液で23℃で60秒間現像
し、30秒間純水でリンスした後乾燥した。このように
して形成されたラインアンドスペースパターンおよびコ
ンタクトホールパターンについて走査型電子顕微鏡で観
察し、感度、解像力を評価した。 (感度)0.15μmのマスクパターンを再現する露光
量をもって評価した。 (解像力)0.15μmのマスクパターンを再現する露
光量における限界解像力を表す。 (現像欠陥)得られたコンタクトホールパターンをKL
A2112機(KLAテンコール(株)製)により現像
欠陥を測定した(Threshold 12、Pixcel Size =0.3
9)。結果を表3に示す。
【0182】
【表3】
【0183】結果より、本発明のレジスト組成物はX線
露光評価においても高感度、高解像力であり現像欠陥が
少ないことがわかる。
【0184】
【発明の効果】本発明のポジ型電子線およびX線レジス
ト組成物は、高感度、高解像力であり、矩形状の優れた
パターンプロファイルを与えることができ、しかも現像
欠陥か少ない。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(a)電子線の照射により酸を発生する化
    合物 (b)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶
    解度を増大させる基を有する樹脂 (c)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有
    するポジ型電子線レジスト組成物において、 該(a)電子線の照射により酸を発生する化合物が少な
    くとも1つのフッ素原子及び/又は少なくとも1つのフ
    ッ素原子を有する基で置換されたベンゼンスルホン酸、
    ナフタレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸を発生
    する化合物であることを特徴とするポジ型電子線レジス
    ト組成物。
  2. 【請求項2】(a)X線の照射により酸を発生する化合
    物 (b)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶
    解度を増大させる基を有する樹脂 (c)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有
    するポジ型X線レジスト組成物において、 該(a)X線の照射により酸を発生する化合物が少なく
    とも1つのフッ素原子及び/又は少なくとも1つのフッ
    素原子を有する基で置換されたベンゼンスルホン酸、ナ
    フタレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸を発生す
    る化合物であることを特徴とするポジ型X線レジスト組
    成物。
  3. 【請求項3】(d)酸により分解しうる基を有し、アル
    カリ現像液中での溶解速度が酸の作用により増大する、
    分子量3000以下の低分子溶解阻止化合物を更に含有
    することを特徴とする請求項1または2に記載のポジ型
    電子線またはX線レジスト組成物。
  4. 【請求項4】(a)電子線の照射により酸を発生する化
    合物 (c)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤 (d)酸により分解しうる基を有し、アルカリ現像液中
    での溶解速度が酸の作用により増大する、分子量300
    0以下の低分子溶解阻止化合物 (e)水に不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂を含有す
    るポジ型電子線レジスト組成物において、 該(a)電子線の照射により酸を発生する化合物が少な
    くとも1つのフッ素原子及び/又は少なくとも1つのフ
    ッ素原子を有する基で置換されたベンゼンスルホン酸、
    ナフタレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸を発生
    する化合物であることを特徴とするポジ型電子線レジス
    ト組成物。
  5. 【請求項5】(a)X線の照射により酸を発生する化合
    物 (c)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤 (d)酸により分解しうる基を有し、アルカリ現像液中
    での溶解速度が酸の作用により増大する、分子量300
    0以下の低分子溶解阻止化合物 (e)水に不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂を含有す
    るポジ型X線レジスト組成物において、 該(a)X線の照射により酸を発生する化合物が少なく
    とも1つのフッ素原子及び/又は少なくとも1つのフッ
    素原子を有する基で置換されたベンゼンスルホン酸、ナ
    フタレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸を発生す
    る化合物であることを特徴とするポジ型X線レジスト組
    成物。
  6. 【請求項6】該(a)電子線またはX線の照射により酸
    を発生する化合物が、下記一般式(I)〜(III)で表
    される化合物の少なくとも1種であることを特徴とする
    請求項1〜5のいずれかに記載のポジ型電子線またはX
    線レジスト組成物。 【化1】 (式中、R1〜R37は、同一又は異なって、水素原子、
    直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、直鎖状、分岐
    状あるいは環状アルコキシ基、ヒドロキシル基、ハロゲ
    ン原子、又は−S−R38基を表す。R38は、直鎖状、分
    岐状あるいは環状アルキル基又はアリール基を表す。ま
    た、R1〜R15、R16〜R27、R28〜R37のうち、2つ
    以上が結合して、単結合、炭素、酸素、イオウ、及び窒
    素から選択される1種又は2種以上を含む環を形成して
    いてもよい。X-は、 少なくとも1個のフッ素原子、 少なくとも1個のフッ素原子で置換された直鎖状、分岐
    状あるいは環状アルキル基、 少なくとも1個のフッ素原子で置換された直鎖状、分岐
    状あるいは環状アルコキシ基、 少なくとも1個のフッ素原子で置換されたアシル基、 少なくとも1個のフッ素原子で置換されたアシロキシ
    基、 少なくとも1個のフッ素原子を含有するアルキルまたは
    アリールスルホニル基、 少なくとも1個のフッ素原子を含有するアルキルまたは
    アリールスルホニルオキシ基、 少なくとも1個のフッ素原子を含有するアルキルまたは
    アリールスルホニルアミノ基、 少なくとも1個のフッ素原子で置換されたアリール基、 少なくとも1個のフッ素原子で置換されたアラルキル
    基、及び少なくとも1個のフッ素原子で置換されたアル
    コキシカルボニル基、から選択された少なくとも1種を
    有するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、又
    はアントラセンスルホン酸のアニオンを示す。)
  7. 【請求項7】(f)有機塩基性化合物をさらに含有する
    ことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のポジ
    型電子線またはX線レジスト組成物。
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Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000258902A (ja) * 1999-03-05 2000-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
JP2002023353A (ja) * 2000-07-13 2002-01-23 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
JP2002062652A (ja) * 2000-08-14 2002-02-28 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料及びパターン形成方法
JP2002099090A (ja) * 2000-07-19 2002-04-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 化学増幅ポジ型レジスト材料
WO2003007079A1 (en) * 2001-06-22 2003-01-23 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Resist compositions
JP2003186197A (ja) * 2001-12-19 2003-07-03 Sony Corp レジスト材料及び露光方法
JP2003186198A (ja) * 2001-12-19 2003-07-03 Sony Corp レジスト材料及び露光方法
JP2003207885A (ja) * 2002-01-10 2003-07-25 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
JP2004004561A (ja) * 2002-02-19 2004-01-08 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP2004507777A (ja) * 2000-08-25 2004-03-11 シップレーカンパニー エル エル シー オキシムスルホネートおよびn−オキシイミドスルホネート光感応性酸発生剤およびそれを含むフォトレジスト
US6949329B2 (en) 2001-06-22 2005-09-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pattern formation method
JP2006208781A (ja) * 2005-01-28 2006-08-10 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
US7214465B2 (en) 2002-01-10 2007-05-08 Fujifilm Corporation Positive photosensitive composition
KR100765245B1 (ko) * 2000-09-25 2007-10-09 후지필름 가부시키가이샤 포지티브 포토레지스트 조성물
WO2008001679A1 (fr) 2006-06-27 2008-01-03 Jsr Corporation procédé de formation de motif et composition POUR formation de film mince organique À utilisER dans ce PROCÉDÉ
WO2008015969A1 (fr) 2006-08-04 2008-02-07 Jsr Corporation procédé de formation de motif, composition permettant de former un film de couche supérieure, et composition permettant de former un film de couche inférieure
KR100863732B1 (ko) * 2001-02-21 2008-10-16 후지필름 가부시키가이샤 포지티브 전자선 레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법
JP2009086684A (ja) * 2000-09-12 2009-04-23 Fujifilm Corp ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP2009280740A (ja) * 2008-05-23 2009-12-03 Nippon Carbide Ind Co Inc 新規な光酸発生剤及びそれを含むレジスト材料
JP2010100604A (ja) * 2008-09-26 2010-05-06 Fujifilm Corp 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
WO2010104218A1 (en) * 2009-03-13 2010-09-16 Fujifilm Corporation Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition and method of forming pattern using the composition
US9152047B2 (en) 2012-02-06 2015-10-06 Fujifilm Corporation Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition, actinic-ray-or radiation-sensitive film therefrom, method of forming pattern, process for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and compound
JP2016210732A (ja) * 2015-05-11 2016-12-15 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2020514804A (ja) * 2017-07-31 2020-05-21 エルジー・ケム・リミテッド ポジティブ型フォトレジスト組成物、これから製造されるパターン、およびパターン製造方法

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0952489B1 (en) * 1998-04-22 2014-08-13 FUJIFILM Corporation Positive photosensitive resin composition
JP3963625B2 (ja) * 1999-02-24 2007-08-22 富士フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
KR100538501B1 (ko) * 1999-08-16 2005-12-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 신규한 오늄염, 레지스트 재료용 광산발생제, 레지스트재료 및 패턴 형성 방법
JP4135276B2 (ja) * 1999-10-12 2008-08-20 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
TW495646B (en) * 1999-12-27 2002-07-21 Fuji Photo Film Co Ltd Positive-working radiation-sensitive composition
TW548520B (en) * 2000-02-18 2003-08-21 Fuji Photo Film Co Ltd Positive resist composition for X-rays or electron beams
US6692883B2 (en) * 2000-04-21 2004-02-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photoresist composition
JP2002006483A (ja) * 2000-06-20 2002-01-09 Sumitomo Chem Co Ltd フォトレジスト組成物
JP4190167B2 (ja) * 2000-09-26 2008-12-03 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP4438218B2 (ja) * 2000-11-16 2010-03-24 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP4190146B2 (ja) * 2000-12-28 2008-12-03 富士フイルム株式会社 電子線またはx線用ポジ型レジスト組成物
TW562999B (en) * 2001-05-09 2003-11-21 Fuji Photo Film Co Ltd Positive resist composition for electronic or X-rays
US7521168B2 (en) * 2002-02-13 2009-04-21 Fujifilm Corporation Resist composition for electron beam, EUV or X-ray
US6806026B2 (en) * 2002-05-31 2004-10-19 International Business Machines Corporation Photoresist composition
KR100973799B1 (ko) * 2003-01-03 2010-08-03 삼성전자주식회사 Mmn 헤드 코터용 포토레지스트 조성물
US7820369B2 (en) 2003-12-04 2010-10-26 International Business Machines Corporation Method for patterning a low activation energy photoresist
US7193023B2 (en) * 2003-12-04 2007-03-20 International Business Machines Corporation Low activation energy photoresists
US7217496B2 (en) 2004-11-12 2007-05-15 International Business Machines Corporation Fluorinated photoresist materials with improved etch resistant properties

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4112971A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Sulfonsaeureester von 2,4,6-tris-(2-hydroxy-ethoxy)-(1,3,5)triazin, ein damit hergestelltes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und aufzeichnungsmaterial
JPH08110635A (ja) * 1994-10-07 1996-04-30 Shin Etsu Chem Co Ltd 化学増幅ポジ型レジスト材料
TW530192B (en) * 1997-01-27 2003-05-01 Shinetsu Chemical Co Partially hydrogenated polymer compound and chemically sensitized positive resist material
TW574629B (en) * 1997-02-28 2004-02-01 Shinetsu Chemical Co Polystyrene derivative chemically amplified positive resist compositions, and patterning method
KR100571313B1 (ko) * 1998-03-17 2006-04-17 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 포지티브 감광성 조성물

Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000258902A (ja) * 1999-03-05 2000-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
JP2002023353A (ja) * 2000-07-13 2002-01-23 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
JP2002099090A (ja) * 2000-07-19 2002-04-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 化学増幅ポジ型レジスト材料
JP2002062652A (ja) * 2000-08-14 2002-02-28 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料及びパターン形成方法
JP2013145383A (ja) * 2000-08-25 2013-07-25 Rohm & Haas Electronic Materials Llc オキシムスルホネートおよびn−オキシイミドスルホネート光感応性酸発生剤およびそれを含むフォトレジスト
JP2015180957A (ja) * 2000-08-25 2015-10-15 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC オキシムスルホネートおよびn−オキシイミドスルホネート光感応性酸発生剤およびそれを含むフォトレジスト
JP2004507777A (ja) * 2000-08-25 2004-03-11 シップレーカンパニー エル エル シー オキシムスルホネートおよびn−オキシイミドスルホネート光感応性酸発生剤およびそれを含むフォトレジスト
JP2009086684A (ja) * 2000-09-12 2009-04-23 Fujifilm Corp ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
KR100765245B1 (ko) * 2000-09-25 2007-10-09 후지필름 가부시키가이샤 포지티브 포토레지스트 조성물
KR100863732B1 (ko) * 2001-02-21 2008-10-16 후지필름 가부시키가이샤 포지티브 전자선 레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법
JPWO2003007079A1 (ja) * 2001-06-22 2004-11-04 和光純薬工業株式会社 レジスト組成物
US6949329B2 (en) 2001-06-22 2005-09-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pattern formation method
CN100339767C (zh) * 2001-06-22 2007-09-26 和光纯药工业株式会社 抗蚀剂组合物
US7312014B2 (en) 2001-06-22 2007-12-25 Wako Pure Chemical Industries Ltd. Resist compositions
WO2003007079A1 (en) * 2001-06-22 2003-01-23 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Resist compositions
JP2003186198A (ja) * 2001-12-19 2003-07-03 Sony Corp レジスト材料及び露光方法
JP2003186197A (ja) * 2001-12-19 2003-07-03 Sony Corp レジスト材料及び露光方法
US7214465B2 (en) 2002-01-10 2007-05-08 Fujifilm Corporation Positive photosensitive composition
JP2003207885A (ja) * 2002-01-10 2003-07-25 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
JP2004004561A (ja) * 2002-02-19 2004-01-08 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP2006208781A (ja) * 2005-01-28 2006-08-10 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4562537B2 (ja) * 2005-01-28 2010-10-13 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
US7923199B2 (en) 2005-01-28 2011-04-12 Fujifilm Corporation Photosensitive composition, compound for use in the photosensitive composition and pattern forming method using the photosensitive composition
US8173348B2 (en) 2006-06-27 2012-05-08 Jsr Corporation Method of forming pattern and composition for forming of organic thin-film for use therein
WO2008001679A1 (fr) 2006-06-27 2008-01-03 Jsr Corporation procédé de formation de motif et composition POUR formation de film mince organique À utilisER dans ce PROCÉDÉ
US8119324B2 (en) 2006-08-04 2012-02-21 Jsr Corporation Method of forming pattern, composition for forming upper-layer film, and composition for forming under-layer film
US8450045B2 (en) 2006-08-04 2013-05-28 Jsr Corporation Pattern forming method
WO2008015969A1 (fr) 2006-08-04 2008-02-07 Jsr Corporation procédé de formation de motif, composition permettant de former un film de couche supérieure, et composition permettant de former un film de couche inférieure
JP2009280740A (ja) * 2008-05-23 2009-12-03 Nippon Carbide Ind Co Inc 新規な光酸発生剤及びそれを含むレジスト材料
JP2010100604A (ja) * 2008-09-26 2010-05-06 Fujifilm Corp 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
US8900791B2 (en) 2008-09-26 2014-12-02 Fujifilm Corporation Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and method of forming pattern with the composition
WO2010104218A1 (en) * 2009-03-13 2010-09-16 Fujifilm Corporation Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition and method of forming pattern using the composition
US9152047B2 (en) 2012-02-06 2015-10-06 Fujifilm Corporation Actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition, actinic-ray-or radiation-sensitive film therefrom, method of forming pattern, process for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and compound
JP2016210732A (ja) * 2015-05-11 2016-12-15 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2020514804A (ja) * 2017-07-31 2020-05-21 エルジー・ケム・リミテッド ポジティブ型フォトレジスト組成物、これから製造されるパターン、およびパターン製造方法
US11531268B2 (en) 2017-07-31 2022-12-20 Lg Chem, Ltd. Positive-working photoresist composition, pattern produced therefrom, and method for producing pattern

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