JP2000187330A5

JP2000187330A5 -

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Publication number: JP2000187330A5
Application number: JP1999275334A
Authority: JP
Filing date: 1999-09-28
Publication date: 2005-07-07
Anticipated expiration: 2019-09-28

Claims

（ａ）電子線の照射により酸を発生する化合物
（ｂ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂（ｃ）フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤
を含有するポジ型電子線レジスト組成物において、
該（ａ）電子線の照射により酸を発生する化合物が少なくとも１つのフッ素原子及び／又は少なくとも１つのフッ素原子を有する基で置換されたベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸を発生する化合物であることを特徴とするポジ型電子線レジスト組成物。
（ａ）Ｘ線の照射により酸を発生する化合物
（ｂ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂（ｃ）フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤
を含有するポジ型Ｘ線レジスト組成物において、
該（ａ）Ｘ線の照射により酸を発生する化合物が少なくとも１つのフッ素原子及び／又は少なくとも１つのフッ素原子を有する基で置換されたベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸を発生する化合物であることを特徴とするポジ型Ｘ線レジスト組成物。
（ｄ）酸により分解しうる基を有し、アルカリ現像液中での溶解速度が酸の作用により増大する、分子量３０００以下の低分子溶解阻止化合物を更に含有することを特徴とする請求項１または２に記載のポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物。
（ａ）電子線の照射により酸を発生する化合物
（ｃ）フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤
（ｄ）酸により分解しうる基を有し、アルカリ現像液中での溶解速度が酸の作用により増大する、分子量３０００以下の低分子溶解阻止化合物
（ｅ）水に不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂
を含有するポジ型電子線レジスト組成物において、
該（ａ）電子線の照射により酸を発生する化合物が少なくとも１つのフッ素原子及び／又は少なくとも１つのフッ素原子を有する基で置換されたベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸を発生する化合物であることを特徴とするポジ型電子線レジスト組成物。
（ａ）Ｘ線の照射により酸を発生する化合物
（ｃ）フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤
（ｄ）酸により分解しうる基を有し、アルカリ現像液中での溶解速度が酸の作用により増大する、分子量３０００以下の低分子溶解阻止化合物
（ｅ）水に不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂
を含有するポジ型Ｘ線レジスト組成物において、
該（ａ）Ｘ線の照射により酸を発生する化合物が少なくとも１つのフッ素原子及び／又は少なくとも１つのフッ素原子を有する基で置換されたベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸を発生する化合物であることを特徴とするポジ型Ｘ線レジスト組成物。
該（ａ）電子線またはＸ線の照射により酸を発生する化合物が、下記一般式（Ｉ）〜（III）で表される化合物の少なくとも１種であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物。

（式中、Ｒ₁〜Ｒ₃₇は、同一又は異なって、水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、直鎖状、分岐状あるいは環状アルコキシ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、又は−Ｓ−Ｒ₃₈基を表す。Ｒ₃₈は、直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基又はアリール基を表す。また、Ｒ₁〜Ｒ₁₅、Ｒ₁₆〜Ｒ₂₇、Ｒ₂₈〜Ｒ₃₇のうち、２つ以上が結合して、単結合、炭素、酸素、イオウ、及び窒素から選択される１種又は２種以上を含む環を形成していてもよい。
Ｘ^-は、
少なくとも１個のフッ素原子、
少なくとも１個のフッ素原子で置換された直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、
少なくとも１個のフッ素原子で置換された直鎖状、分岐状あるいは環状アルコキシ基、
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたアシル基、
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたアシロキシ基、
少なくとも１個のフッ素原子を含有するアルキルまたはアリールスルホニル基、
少なくとも１個のフッ素原子を含有するアルキルまたはアリールスルホニルオキシ基、
少なくとも１個のフッ素原子を含有するアルキルまたはアリールスルホニルアミノ基、
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたアリール基、
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたアラルキル基、及び
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたアルコキシカルボニル基、
から選択された少なくとも１種を有するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、又はアントラセンスルホン酸のアニオンを示す。）
（ｆ）有機塩基性化合物をさらに含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物。
請求項１〜７のいずれかに記載のポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。