JP2004271629A5

JP2004271629A5 -

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Publication number: JP2004271629A5
Application number: JP2003058732A
Authority: JP
Filing date: 2003-03-05
Publication date: 2005-09-22
Anticipated expiration: 2023-03-05

Claims

一般式（１）で表される繰り返し単位及び一般式（２）で表わされる繰り返し単位を含有する、アルカリ現像液に不溶又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる性質を有する樹脂（Ａ１）を含有し、
活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸を発生する化合物（Ｂ）を、ポジ型レジスト組成物の全固形分を基準として、５〜２０質量％含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

式（１）及び（２）において、
Ｒ₁は、水素原子、メチル基、シアノ基、ハロゲン原子又は炭素数１〜４のペルフルオロ基を表す。
Ｒ₂は水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、アリール基、アルコキシ基又はアシル基を表す。
Ｒ₃及びＲ₄は、各々独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｚは脂環式、芳香環式、有橋脂環式から選ばれる少なくとも一つの環状構造単位を有する炭素数６〜３０の炭化水素基を表す。
ｎは０〜４の整数を表す。
更に含窒素塩基性化合物を含むことを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
更に、一般式（２）及び一般式（３）で表される繰り返し単位を有する、アルカリ現像液に不溶又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる性質を有する樹脂（Ａ２）を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型レジスト組成物。

式（２）及び（３）において、
Ｒ₁は、水素原子、メチル基、シアノ基、ハロゲン原子又は炭素数１〜４のペルフルオロ基を表す。
Ｒ₂は水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、アリール基、アルコキシ基又はアシル基を表す。
Ｒ₃及びＲ₄は、各々独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｚ₁は炭素数１〜５の炭化水素基を表す。
ｎは０〜４の整数を表す。
活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸を発生する化合物（Ｂ）の含有量が、７〜１６質量％であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型用レジスト組成物。
請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。