JP2004287262A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004287262A5 JP2004287262A5 JP2003081260A JP2003081260A JP2004287262A5 JP 2004287262 A5 JP2004287262 A5 JP 2004287262A5 JP 2003081260 A JP2003081260 A JP 2003081260A JP 2003081260 A JP2003081260 A JP 2003081260A JP 2004287262 A5 JP2004287262 A5 JP 2004287262A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- fluorine atom
- resin
- resist composition
- positive resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (4)
- (A)ポリマー骨格の主鎖及び/又は側鎖にフッ素原子が置換した構造を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液への溶解度を増大させる基を有するフッ素原子含有樹脂、及び(B)カチオン部に水酸基を有し、活性光線又は放射線の照射により酸を発生するスルホニウム塩化合物を含有するポジ型レジスト組成物。
- (A)成分の樹脂が、更に、酸分解性基でカルボキシル基を保護した基を有する繰り返し単位を有することを特徴とする請求項1又は2に記載のポジ型レジスト組成物。
- 請求項1〜3のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003081260A JP4115309B2 (ja) | 2003-03-24 | 2003-03-24 | ポジ型レジスト組成物 |
EP04006536A EP1462858A1 (en) | 2003-03-24 | 2004-03-18 | Positive resist composition and method of forming resist pattern using the same |
US10/806,451 US7192685B2 (en) | 2003-03-24 | 2004-03-23 | Positive resist composition and method of forming resist pattern using the same. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003081260A JP4115309B2 (ja) | 2003-03-24 | 2003-03-24 | ポジ型レジスト組成物 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004287262A JP2004287262A (ja) | 2004-10-14 |
JP2004287262A5 true JP2004287262A5 (ja) | 2005-09-29 |
JP4115309B2 JP4115309B2 (ja) | 2008-07-09 |
Family
ID=32821432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003081260A Expired - Lifetime JP4115309B2 (ja) | 2003-03-24 | 2003-03-24 | ポジ型レジスト組成物 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7192685B2 (ja) |
EP (1) | EP1462858A1 (ja) |
JP (1) | JP4115309B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4289937B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2009-07-01 | 東京応化工業株式会社 | ホトレジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
US7867697B2 (en) | 2003-07-24 | 2011-01-11 | Fujifilm Corporation | Positive photosensitive composition and method of forming resist pattern |
JP4639062B2 (ja) * | 2003-11-21 | 2011-02-23 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
JP2005275283A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子線、euv光又はx線用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP4841823B2 (ja) * | 2004-10-04 | 2011-12-21 | 東京応化工業株式会社 | 高分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
US7687221B2 (en) | 2005-02-10 | 2010-03-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and resist pattern forming method |
US7541131B2 (en) * | 2005-02-18 | 2009-06-02 | Fujifilm Corporation | Resist composition, compound for use in the resist composition and pattern forming method using the resist composition |
JP4505357B2 (ja) * | 2005-03-16 | 2010-07-21 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
EP1902019B1 (en) | 2005-07-01 | 2010-07-07 | Basf Se | Sulphonium salt initiators |
US8945808B2 (en) * | 2006-04-28 | 2015-02-03 | International Business Machines Corporation | Self-topcoating resist for photolithography |
JP2011095623A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Jsr Corp | 液浸露光用感放射線性樹脂組成物及びパターン形成方法 |
JP5789705B2 (ja) * | 2014-06-16 | 2015-10-07 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法 |
JP7283883B2 (ja) * | 2017-11-09 | 2023-05-30 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
US11378883B2 (en) * | 2018-04-12 | 2022-07-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern |
CN113993843A (zh) * | 2019-06-28 | 2022-01-28 | 富士胶片株式会社 | 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、图案形成方法、抗蚀剂膜及电子器件的制造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4007924A1 (de) * | 1990-03-13 | 1991-09-19 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch |
WO2000017712A1 (en) | 1998-09-23 | 2000-03-30 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresists, polymers and processes for microlithography |
JP3982958B2 (ja) | 1999-08-30 | 2007-09-26 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
US6383715B1 (en) * | 2000-06-28 | 2002-05-07 | Infineon Technologies Ag | Strongly water-soluble photoacid generator resist compositions |
TWI226973B (en) | 2001-03-19 | 2005-01-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Positive resist composition |
JP2003307850A (ja) * | 2002-04-15 | 2003-10-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2003316005A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2003345022A (ja) * | 2002-05-27 | 2003-12-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
EP1376232A1 (en) | 2002-06-07 | 2004-01-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Photosensitive resin composition |
-
2003
- 2003-03-24 JP JP2003081260A patent/JP4115309B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-03-18 EP EP04006536A patent/EP1462858A1/en not_active Withdrawn
- 2004-03-23 US US10/806,451 patent/US7192685B2/en not_active Expired - Lifetime