JP2006276760A5

JP2006276760A5 -

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Publication number: JP2006276760A5
Application number: JP2005099485A
Authority: JP
Filing date: 2005-03-30
Publication date: 2008-05-01
Anticipated expiration: 2025-03-30

Claims

（Ａ）一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位及び一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び、（Ｂ）一般式（ＢＩ）で表される化合物を含有することを特徴とするＥＵＶ露光用ポジ型レジスト組成物。

一般式（Ｉ）において、
Ｒ₁は、水素原子、メチル基、シアノ基、ハロゲン原子又はペルフルオロ基を表す。
Ｒ₂は非酸分解性基を表す。
ｎは０〜４の整数を表す。
一般式（II）において、
Ｒ₃〜Ｒ₅は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基又はアルキル基を表す。
Ｘ₁は水素原子又は有機基を表す。

一般式（ＢＩ）中、
Ｒa〜Ｒcは、各々独立して、アルキル基又はアリール基を表す。但し、Ｒa〜Ｒcにおけるアルキル基及びアリール基は、対応するアルカン及びアレーンの１気圧における沸点が各々１６０℃以上となる基である。
Ｘ^-は、非求核性アニオンを表す。
樹脂（Ａ）がさらに下記一般式（III）で表される繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ露光用ポジ型レジスト組成物。

一般式（III）において、
Ｒ₁は、水素原子、メチル基、シアノ基、ハロゲン原子又はペルフルオロ基を表す。
Ｒ₂は非酸分解性基を表す。
Ｘは有機基を表す。
ｎは０≦ｎ≦５の整数、ｍは０≦ｍ≦５の整数であり、１≦ｎ＋ｍ≦５である。
一般式（II）中のＸ₁及び一般式（III）中のＸの少なくともいずれかが脂環構造又は芳香環構造を含有することを特徴とする請求項２に記載のＥＵＶ露光用ポジ型レジスト組成物。
請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物により、レジスト膜を形成し、該レジスト膜をＥＵＶ光により露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。