JP2003316004A5 - - Google Patents

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  1. 下記一般式(I)で示される繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する酸分解性樹脂を含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物。
    Figure 2003316004
    (式中、R(I)-1〜R(I)-3はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
    1は、2価の連結基を表す。
    Zは、酸分解性基を表す。)
  2. 前記一般式(I)で示される繰り返し単位中の酸分解性基Zが、−OC(R11a)(R12a)(R13a)、−OC(R14a)(R15a)(OR16a)、−O−CO−O(R11a)(R12a)(R13a)、−CO−OC(R11a)(R12a)(R13a)、−CO−OC(R14a)(R15a)(OR16a)で示される群から選択されることを特徴とする、請求項1に記載のポジ型レジスト組成物。
    (式中、R11a〜R13aはそれぞれ独立して、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。
    14a及びR15aはそれぞれ独立して、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
    16aは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロア
    ルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。
    11a、R12a、R13aのうちの2つ、又はR14a、R15a、R16aのうちの2つが結合して環を形成してもよい。)
  3. 更に、下記一般式(IIa)及び(IIb)で示される繰り返し単位のうち少なくとも1つを含有することを特徴とする、請求項1又は2に記載のポジ型レジスト組成物。
    Figure 2003316004
    (式中、R(II)-1〜R(II)-3はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
    L、L1及びL2はそれぞれ独立して、単結合又は2価の連結基を表す。
    a、V1a及びV2aはそれぞれ独立して、酸分解性基又は非酸分解性の有機基を表す。)
  4. 前記一般式(IIa)中のVa、又は、前記一般式(IIb)中のV1 a及びV2aの少なくともいずれか一方が、酸分解性基であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のポジ型レジスト組成物。
  5. 酸分解性基が、−OC(R11a)(R12a)(R13a)、−OC(R14a)(R15a)(OR16a)、−O−CO−O(R11a)(R12a)(R13a)、−CO−OC(R11a)(R12a)(R13a)、−CO−OC(R14a)(R15a)(OR16a)(式中、R11a〜R16aは、上記に定義される通りである。)で示される群から選択されることを特徴とする、請求項4に記載のポジ型レジスト組成物。
  6. 前記一般式(IIa)及び(IIb)で示される繰り返し単位が、それぞれ下記一般式(IIa1)及び(IIb1)で示されることを特徴とする、請求項3〜5の何れか1項に記載のポジ型レジスト組成物。
    Figure 2003316004
    (式中、R(II)-1〜R(II)-3は、上記に定義される通りである。
    18は、−OC(R11a)(R12a)(R13a)又は−OC(R14a)(R15a)(OR16a)(式中、R11a〜R16aは、上記に定義される通りである。)で示される基を表す。
    Yは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はR18を表す。)
  7. 前記一般式(IIa)又は(IIa1)で示される繰り返し単位中のR(I)-1〜R(I)-3のうちの少なくとも1つ、及び、前記一般式(IIb)又は(IIb1)で示される繰り返し単位中のR(I)-1及びR(I)-3のうちの少なくとも一方が、フッ素原子を含有することを特徴とする、請求項3〜6の何れか1項に記載のポジ型レジスト組成物。
  8. 更に、下記一般式(III)で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする、請求項1〜7の何れか1項に記載のポジ型レジスト組成物。
    Figure 2003316004
    (式中、R(III)-1〜R(III)-3はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。但し、R(III)-1〜R(III)-3のうち少なくとも2つはフッ素原子である。
    (III)-4は、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。)
  9. 更に、下記一般式(IV)で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする、請求項1〜8の何れか1項に記載のポジ型レジスト組成物。
    Figure 2003316004
    (式中、R(Iv)-1〜R(Iv)-4はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。但しR(Iv)-1〜R(Iv)-4のうち少なくとも2つはフッ素原子である。)
  10. (A1)請求項1〜9の何れか1項に記載の、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する酸分解性樹脂、及び、(B)活性光線または放射線の作用により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
  11. 更に、(A1)以外の、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂(A2)を含有することを特徴とする、請求項10に記載のポジ型レジスト組成物。
  12. 前記(A2)の樹脂が、下記一般式(I')〜(VI')で示される群から選ばれる少なくとも1つの繰り返し単位を含有することを特徴とする、請求項11に記載のポジ型レジスト組成物。
    Figure 2003316004
    (式中、R1及びR2はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基、又はトリフルオロメチル基を表す。
    Xは、酸の作用により分解する基を表す。
    3'及びR4'は、酸の作用により分解する基を表す。
    11〜R16、R21〜R32、R41〜R46、R51〜R56は、それぞれ、水素原子、フッ素原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を示す。但しR11〜R16の少なくとも1つ、R21〜R32の少なくとも1つ、R41〜R46の少なくとも1つ、又はR51〜R56少なくとも1つはフッ素原子である。
    nは、1〜5の整数を表す。)
  13. 前記(A2)の樹脂が、更に下記一般式(I'')〜(VI'')で示される群から選ばれる少なくとも1つの繰り返し単位を含有することを特徴とする、請求項11又は12に記載のポジ型レジスト組成物。
    Figure 2003316004
    (式中、R1及びR2はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基、又はトリフルオロメチル基を表す。
    3及びR4はそれぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいアラルキル基を表し、該アルキル基、該アラルキル基はそれぞれ途中に−O−、−S−、−CO2−、−CO−、−SO2−、−SO−を有していても良い。
    11〜R16、R2132、R41〜R46、R51〜R56は、それぞれ、水素原子、フッ素原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を示す。但し、R11〜R16の少なくとも1つ、R2132の少なくとも1つ、R41〜R46の少なくとも1つ、またはR51〜R56の少なくとも1つはフッ素原子である。
    nは、1〜5の整数を表す。)
  14. 前記(B)成分が、(B1)少なくとも1つのフッ素原子で置換された脂肪族あるいは芳香族のスルホン酸を発生する化合物であることを特徴とする、請求項10〜13の何れか1項に記載のポジ型レジスト組成物。
  15. 前記(B)成分として、更に(B2)活性光線または放射線の照射により、フッ素原子を含まない脂肪族あるいは芳香族のスルホン酸、または脂肪族あるいは芳香族のカルボン酸を発生する化合物を含有することを特徴とする、請求項14に記載のポジ型レジスト組成物。
  16. 請求項1〜15のいずれかに記載のレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
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