JP2004053822A5 - - Google Patents

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  1. (A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位を有する酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)溶剤及び(D)界面活性剤を含有するポジ型レジスト組成物。
    Figure 2004053822
    式(I)において、R1は水素原子又は炭化水素基を表す。R2は炭化水素基を表す。Xは単結合又はカルボニル基を表す。
  2. 更に(E)有機塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項1に記載のポジ型レジスト組成物。
  3. (A)成分の樹脂が、更に下記一般式(II)で表される繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載のポジ型レジスト組成物。
    Figure 2004053822
    一般式(II)において、R6は水素原子又はメチル基を表し、Aは単結合又は連結基を表し、ALGは下記一般式(pI)〜一般式(pV)のいずれかを表す。
    Figure 2004053822
    式中、R11は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基又はsec−ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
    12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、及びR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。
    17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。
    22〜R25は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。
  4. (A)成分の樹脂が、更に下記一般式(III)で表される繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
    Figure 2004053822
    式(III)において、
    3は水素原子又はメチル基を表す。
    4は脂環式炭化水素基を有する連結基を表す。
    5は酸の作用により脱離する基を表す。
  5. 請求項1〜4のいずれかに記載のレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
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JP4110398B2 (ja) 2003-03-07 2008-07-02 信越化学工業株式会社 α位メチル基に酸素置換基を有する脂環含有メタクリレート化合物
JP4738803B2 (ja) * 2004-12-14 2011-08-03 東京応化工業株式会社 高分子化合物、ポジ型レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法
JP2007086514A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Fujifilm Corp レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
TWI430030B (zh) 2005-11-08 2014-03-11 Fujifilm Corp 正型光阻組成物及使用此正型光阻組成物之圖案形成方法
JP5005216B2 (ja) * 2005-12-27 2012-08-22 富士フイルム株式会社 インク組成物
US8304169B2 (en) * 2007-02-08 2012-11-06 Lg Chem, Ltd. Alkali-developable resins, method for preparing the same and photosensitive composition comprising the alkali-developable resins
JP5052921B2 (ja) * 2007-02-26 2012-10-17 東京応化工業株式会社 高分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
KR101948957B1 (ko) * 2011-11-11 2019-02-15 제이에스알 가부시끼가이샤 레지스트 상층막 형성용 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 화합물, 화합물의 제조 방법 및 중합체
JP6164211B2 (ja) * 2012-03-30 2017-07-19 Jsr株式会社 液浸露光用フォトレジスト組成物
JP5910445B2 (ja) * 2012-09-28 2016-04-27 Jsr株式会社 液浸上層膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法
JP6398793B2 (ja) * 2015-03-02 2018-10-03 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法及び重合体
TW202134785A (zh) 2020-01-06 2021-09-16 日商Jsr股份有限公司 感放射線性樹脂組成物及抗蝕劑圖案的形成方法

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