JP2003316007A5

JP2003316007A5 -

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Publication number: JP2003316007A5
Application number: JP2002126433A
Authority: JP
Filing date: 2002-04-26
Publication date: 2005-09-22
Anticipated expiration: 2022-04-26

Claims

（Ａ）下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される繰り返し単位を少なくとも１種有し、更に下記一般式（ＩＡ）〜（ＶＩＡ）から選ばれる繰り返し単位を少なくとも１種有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び（Ｂ）活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

一般式（Ｉ）〜（ＩＩ）中、
Ｒ_X1及びＲ_Y1は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Ｌ₁は、２価の連結基を表す。
ｍ₁及びｍ₂は、０又は１を表す。
Ｒ_a1及びＲ_b1は、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアラルキル基を表す。
Ｑ₁は、脂環式炭化水素基を表す。
Ｒbは、水素原子、有機基又はハロゲン原子を表す。
ｌは、０〜３の整数を表す。
Ｌ₂は、単結合又は２価の連結基を表す。

一般式（ＩＡ）〜（ＶＩＡ）中、
Ｒ₁及びＲ₂は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｘは、酸の作用により分解する基を表す。
Ｒ_3a及びＲ_4aは、酸の作用により分解する基を表す。
Ｒ₁₁〜Ｒ₁₆、Ｒ₂₁〜Ｒ₃₂、Ｒ₄₁〜Ｒ₄₆、Ｒ₅₁〜Ｒ₅₆は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を示す。但しＲ₁₁〜Ｒ₁₆の少なくとも１つ、Ｒ₂₁〜Ｒ₃₂の少なくとも１つ、Ｒ₄₁〜Ｒ₄₆の少なくとも１つ又はＲ₅₁〜Ｒ₅₆少なくとも１つはフッ素原子である。
ｎは、１〜５の整数を表す。
一般式（Ｉ）のＬ₁が、フェニレン基であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
一般式（ＩＩ）のＱ₁が、ノルボルネン残基であることを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型レジスト組成物。
一般式（Ｉ）のＬ₁又は一般式（ＩＩ）のＬ₂が、カルボニル基を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物により膜を形成し、当該膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。