JP2009048182A5

JP2009048182A5 -

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Publication number: JP2009048182A5
Application number: JP2008187728A
Authority: JP
Filing date: 2008-07-18
Publication date: 2011-06-23

Claims

（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｂ）芳香族基を有さない共重合成分を８０モル％以上含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び
（Ｃ）酸の作用により分解し、酸を発生する化合物
を含有し、（Ａ）成分から発生する酸と、（Ｃ）成分から発生する酸のｐＫａの差の絶対値が２以下であり、かつ、分子量の差の絶対値が５０以下であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
（Ｂ）成分の樹脂が、下記一般式（Ｉａ）で表される繰り返し単位及び／又は一般式（Ｉｂ）で表される繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。

一般式（Ｉａ）及び（Ｉｂ）に於いて、
Ｘａ₁は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒｙ₁〜Ｒｙ₃は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒｙ₁〜Ｒｙ₃の内の少なくとも２つが結合して単環又は多環の環状炭化水素構造を形成してもよい。
Ｚは、（ｎ＋１）価の連結基を表す。
Ｒｙ₄ は、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒｙ ₅ は、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ｒｙ₄及びＲｙ₅が結合して単環又は多環の環状炭化水素構造を形成してもよい。
Ｌ₁は、（ｎ＋１）価の連結基を表す。
ｎは、１〜３の整数を表す。
請求項１又は２に記載のポジ型レジスト組成物により形成されたレジスト膜。
請求項３に記載のレジスト膜を露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
前記レジスト膜を液浸露光する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載のパターン形成方法。