JP2008309879A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、アルカリ現像液であるポジ型現像液に対する溶解度が増大し、有機溶剤を含有するネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ネガ型現像用レジスト組成物を塗布することで、レジスト膜を形成し、
   前記レジスト膜を液浸媒体を介して露光し、
   前記ネガ型現像液を用いて現像を行うこと、
   を含むパターン形成方法であって、前記ネガ型現像用レジスト組成物が下記成分を含有するパターン形成方法。
   （Ａ）酸の作用により極性が増大し、活性光線又は放射線の照射により、前記ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、前記ネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂、
   （Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
   （Ｃ）溶剤、及び
   （Ｄ）フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂。
2. 樹脂（Ｄ）が、下記一般式（Ｆ３ａ）で表される基を有する請求項１に記載のパターン形成方法。
   

   

   一般式（Ｆ３ａ）に於いて、
   Ｒ_６２ａ及びＲ_６３ａは、各々独立に、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。Ｒ_６２ａとＲ_６３ａは、互いに連結して環を形成してもよい。
   Ｒ_６４ａは、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。
3. 樹脂（Ｄ）が、下記一般式（ＣＳ−１）〜（ＣＳ−３）のいずれかで表される基を有する請求項１又は２に記載のパターン形成方法。
   

   

   一般式（ＣＳ−１）〜（ＣＳ−３）に於いて、
   Ｒ_１２〜Ｒ_２６は、各々独立に、直鎖もしくは分岐アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
   Ｌ_３〜Ｌ_５は、単結合又は２価の連結基を表す。
   ｎは１〜５の整数を表す。
4. 露光後のレジスト膜を、前記ネガ型現像液を用いた現像の前及び後の少なくともいずれかで、前記ポジ型現像液を用いて現像することを含む請求項１〜３のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
5. 前記ネガ型現像液が含有する有機溶剤が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選ばれる少なくとも一種の有機溶剤である請求項１〜４のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
6. 前記ネガ型現像液を用いて現像後、有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄することを含む請求項１〜５のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
7. 前記露光を、２００ｎｍ以下の波長の光を用いて行う請求項１〜６のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
8. 前記液浸媒体が水である請求項１〜７のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
9. 前記レジスト組成物の（Ｄ）成分の添加量が、前記レジスト組成物中の全固形分量に対して０．１〜５質量％である請求項１〜８のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
10. 前記レジスト組成物の（Ａ）成分が、脂環式炭化水素構造を有する樹脂である請求項１〜９のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
11. 前記レジスト組成物が、さらに、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤を含有する請求項１〜１０のいずれか一項に記載のパターン形成方法。