JP3363079B2 - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
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- JP3363079B2 JP3363079B2 JP30592197A JP30592197A JP3363079B2 JP 3363079 B2 JP3363079 B2 JP 3363079B2 JP 30592197 A JP30592197 A JP 30592197A JP 30592197 A JP30592197 A JP 30592197A JP 3363079 B2 JP3363079 B2 JP 3363079B2
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レジストに対し多
重露光を行ってパターンを形成するレジストパターン形
成方法に関する。
重露光を行ってパターンを形成するレジストパターン形
成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】微細なレジストパターンを形成するため
に電子ビームを用いて露光（ＥＢ露光）が行われてい
る。実際の半導体装置の場合、レジストに形成されるパ
ターン幅は複数であるので、電子ビームだけで露光を行
うと時間がかかり、コストが増大する。そのため、光露
光とＥＢ露光とを組み合わせて露光を行い、露光時間を
短縮させる多重露光が提案されている。
に電子ビームを用いて露光（ＥＢ露光）が行われてい
る。実際の半導体装置の場合、レジストに形成されるパ
ターン幅は複数であるので、電子ビームだけで露光を行
うと時間がかかり、コストが増大する。そのため、光露
光とＥＢ露光とを組み合わせて露光を行い、露光時間を
短縮させる多重露光が提案されている。
【０００３】多重露光を行う際、特開平５−８２４０７
号に開示されているように、アライメントマークを形成
しなくても、２回目以降の露光はその露光の１つ前の露
光の潜像を用いてアライメントを行って、露光すること
ができる。
号に開示されているように、アライメントマークを形成
しなくても、２回目以降の露光はその露光の１つ前の露
光の潜像を用いてアライメントを行って、露光すること
ができる。
【０００４】また、光露光後にＥＢ露光を行う多重露光
の場合、ＥＢ露光の際に、電子ビームによってレジスト
をチャージアップさせると、光露光した際のレジスト中
の潜像を見ることをみることができるため、この潜像を
用いてアライメントを行うことが可能である。
の場合、ＥＢ露光の際に、電子ビームによってレジスト
をチャージアップさせると、光露光した際のレジスト中
の潜像を見ることをみることができるため、この潜像を
用いてアライメントを行うことが可能である。
【０００５】しかしながら、上記のアライメントに潜像
を用いるパターン形成方法は、潜像であるため明確な像
は得られにくくてアライメントが困難であるという問題
があった。またさらに、光露光の潜像を用いてＥＢ露光
のアライメントを行う場合、潜像を見ることができるの
はチャージアップしている間の短い時間であるため、ア
ライメントを行うのに充分な時間が得られにくいという
問題があった。従って、アライメントを正確に行うこと
ができないので、正確なパターンを形成することができ
なかった。
を用いるパターン形成方法は、潜像であるため明確な像
は得られにくくてアライメントが困難であるという問題
があった。またさらに、光露光の潜像を用いてＥＢ露光
のアライメントを行う場合、潜像を見ることができるの
はチャージアップしている間の短い時間であるため、ア
ライメントを行うのに充分な時間が得られにくいという
問題があった。従って、アライメントを正確に行うこと
ができないので、正確なパターンを形成することができ
なかった。
【０００６】また、第１の露光後、途中まで現像を行っ
て形成されたパターンを用いてアライメントを行う技術
が提案されている。しかし、完全には現像されていない
ので、アライメントに用いるパターンは不明確である。
従って、依然として正確なアライメントを行うことが困
難であるという問題があった。
て形成されたパターンを用いてアライメントを行う技術
が提案されている。しかし、完全には現像されていない
ので、アライメントに用いるパターンは不明確である。
従って、依然として正確なアライメントを行うことが困
難であるという問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の多重露光では、２回目の露光前のアライメントが不正
確で、２回目の露光の際に正確な位置で露光を行うこと
ができないため、正確なパターンを形成することができ
ないという問題があった。
の多重露光では、２回目の露光前のアライメントが不正
確で、２回目の露光の際に正確な位置で露光を行うこと
ができないため、正確なパターンを形成することができ
ないという問題があった。
【０００８】本発明の目的は、多重露光において、２回
目の露光の際に正確なアライメントを行うことが可能
で、正確なパターンを形成し得るパターン形成方法を提
供することにある。
目の露光の際に正確なアライメントを行うことが可能
で、正確なパターンを形成し得るパターン形成方法を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】［構成］本発明は、上記
目的を達成するために以下のように構成されている。 （１） 本発明（請求項１）のレジストパターン形成方
法は、基体上にポジ型のレジストを形成する工程と、前
記レジストの第１の露光領域に対して露光を行う工程
と、前記レジストの現像を完全に行い、該レジストに第
１のパターンを形成する工程と、前記レジストの表面に
シリル化層を形成する工程と、第１のパターンを用い
て、アライメント調整を行う工程と、前記レジストの第
２の露光領域に対して露光を行い、前記シリル化層を脱
シリル化する工程と、前記シリル化層をマスクとして前
記レジストに対してドライ・エッチングを行い、該レジ
ストに第２のパターンを形成する工程とを含むことを特
徴とする。 （２） 本発明（請求項２）のレジストパターン形成方
法は、基体上にポジ型のレジストを形成する工程と、前
記レジストの第１の露光領域に対して露光を行う工程
と、前記レジストの現像を完全に行い、該レジストに第
１のパターンを形成する工程と、第１のパターンを用い
て、アライメント調整を行う工程と、前記レジストの第
２の露光領域に対して露光を行う工程と、前記レジスト
に対してシリル化を行い、該レジストの第２の露光領域
以外の表面にシリル化層を形成する工程と、前記シリル
化層をマスクとして、前記レジストに対してドライ・エ
ッチングを行い、第２のパターンを形成する工程とを含
むことを特徴とする。
目的を達成するために以下のように構成されている。 （１） 本発明（請求項１）のレジストパターン形成方
法は、基体上にポジ型のレジストを形成する工程と、前
記レジストの第１の露光領域に対して露光を行う工程
と、前記レジストの現像を完全に行い、該レジストに第
１のパターンを形成する工程と、前記レジストの表面に
シリル化層を形成する工程と、第１のパターンを用い
て、アライメント調整を行う工程と、前記レジストの第
２の露光領域に対して露光を行い、前記シリル化層を脱
シリル化する工程と、前記シリル化層をマスクとして前
記レジストに対してドライ・エッチングを行い、該レジ
ストに第２のパターンを形成する工程とを含むことを特
徴とする。 （２） 本発明（請求項２）のレジストパターン形成方
法は、基体上にポジ型のレジストを形成する工程と、前
記レジストの第１の露光領域に対して露光を行う工程
と、前記レジストの現像を完全に行い、該レジストに第
１のパターンを形成する工程と、第１のパターンを用い
て、アライメント調整を行う工程と、前記レジストの第
２の露光領域に対して露光を行う工程と、前記レジスト
に対してシリル化を行い、該レジストの第２の露光領域
以外の表面にシリル化層を形成する工程と、前記シリル
化層をマスクとして、前記レジストに対してドライ・エ
ッチングを行い、第２のパターンを形成する工程とを含
むことを特徴とする。
【００１０】［作用］本発明は、上記構成によって以下
の作用・効果を有する。第１のパターン形成工程で、レ
ジストを完全に現像し完全なパターンを形成すること
で、明確なパターンが得られ、且つ第２のパターンを形
成するためのアライメント調整に十分時間をとることが
でき、正確にアライメントを行うことができる。
の作用・効果を有する。第１のパターン形成工程で、レ
ジストを完全に現像し完全なパターンを形成すること
で、明確なパターンが得られ、且つ第２のパターンを形
成するためのアライメント調整に十分時間をとることが
でき、正確にアライメントを行うことができる。
【００１１】この場合、レジストを完全に現像している
ため、再度の露光，現像を行って第２のパターンを形成
することができない。そこで本発明では、シリル化層を
形成した後に第２の露光領域に対して露光を行う，或い
は第２の露光領域に対して露光を行った後にシリル化層
の形成を行う。
ため、再度の露光，現像を行って第２のパターンを形成
することができない。そこで本発明では、シリル化層を
形成した後に第２の露光領域に対して露光を行う，或い
は第２の露光領域に対して露光を行った後にシリル化層
の形成を行う。
【００１２】シリル化層を形成した後に第２の露光を行
った場合、第２の露光領域のシリル化層は脱シリル化さ
れ、第２の露光領域のシリル化層がなくなる。また、第
２の露光領域に対して露光を行った後にシリル化層の形
成を行った場合、第２の露光領域にはシリル化層が形成
されず、第２の露光領域以外の領域のレジスト表面がシ
リル化される。そして、シリル化層をマスクとして、ド
ライ・エッチングを行うことで第２の露光によるパター
ンを形成することができる。
った場合、第２の露光領域のシリル化層は脱シリル化さ
れ、第２の露光領域のシリル化層がなくなる。また、第
２の露光領域に対して露光を行った後にシリル化層の形
成を行った場合、第２の露光領域にはシリル化層が形成
されず、第２の露光領域以外の領域のレジスト表面がシ
リル化される。そして、シリル化層をマスクとして、ド
ライ・エッチングを行うことで第２の露光によるパター
ンを形成することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を以下に図面
を参照して説明する。 ［第１実施形態］先ず、図１（ａ）に示すように、レジ
スト塗布装置Ｍａｒｋ８（東京エレクトロン社製）を用
いて基板１１上に反射防止膜（不図示）ＤＵＶ１８Ｌ
（ブリューワーサイエンス社）を回転塗布し、膜厚５５
ｎｍの反射防止膜を形成する。次いで、反射防止膜上に
化学増幅型ポジレジストＡＰＥＸ−Ｅ（シプレー社）を
回転塗布し、膜厚０．５μｍのレジスト１２を形成す
る。
を参照して説明する。 ［第１実施形態］先ず、図１（ａ）に示すように、レジ
スト塗布装置Ｍａｒｋ８（東京エレクトロン社製）を用
いて基板１１上に反射防止膜（不図示）ＤＵＶ１８Ｌ
（ブリューワーサイエンス社）を回転塗布し、膜厚５５
ｎｍの反射防止膜を形成する。次いで、反射防止膜上に
化学増幅型ポジレジストＡＰＥＸ−Ｅ（シプレー社）を
回転塗布し、膜厚０．５μｍのレジスト１２を形成す
る。
【００１４】次いで、基板１２を１００℃，９０秒程度
でベーキングした後、ＫｒＦエキシマレーザ露光装置Ｎ
ＳＲＳ２０１Ａ（ニコン社製）を用いて、露光量２０ｍ
ＪのＫｒＦエキシマレーザをマスク１３を介してレジス
ト１２に照射し、第１の露光領域１４を露光する。
でベーキングした後、ＫｒＦエキシマレーザ露光装置Ｎ
ＳＲＳ２０１Ａ（ニコン社製）を用いて、露光量２０ｍ
ＪのＫｒＦエキシマレーザをマスク１３を介してレジス
ト１２に照射し、第１の露光領域１４を露光する。
【００１５】次いで、図１（ｃ）に示すように、現像装
置Ｍａｒｋ８（東京エレクトロン社製）を用いて、現像
液ＡＤ１０（多摩化学社製）に６０秒間浸して完全に現
像を行い、第１の露光領域１４のレジスト１２を除去
し、第１のパターン２１を形成する。
置Ｍａｒｋ８（東京エレクトロン社製）を用いて、現像
液ＡＤ１０（多摩化学社製）に６０秒間浸して完全に現
像を行い、第１の露光領域１４のレジスト１２を除去
し、第１のパターン２１を形成する。
【００１６】次いで、図１（ｄ）に示すように、シリル
化装置としてＭＳ２００Ｃ（ジェネシス社製）を、シリ
ル化剤にジエチルアミノジメチルシランを用いて、８０
℃の温度で６０秒間加熱してレジスト１２の表面に対し
てシリル化を行い、レジスト１２の表面にシリル化層１
５を形成する。なお、このとき形成されたシリル化層１
５の厚さは０．１μｍであった。
化装置としてＭＳ２００Ｃ（ジェネシス社製）を、シリ
ル化剤にジエチルアミノジメチルシランを用いて、８０
℃の温度で６０秒間加熱してレジスト１２の表面に対し
てシリル化を行い、レジスト１２の表面にシリル化層１
５を形成する。なお、このとき形成されたシリル化層１
５の厚さは０．１μｍであった。
【００１７】次いで、図１（ｅ）に示すように、ＥＢ露
光装置ＪＢＸ６０００ＦＳ（ＪＥＯＬ社製）を用いて、
レーザ露光で形成された第１のパターン２１をアライメ
ントマークとして用いてアライメントを行い、第２の露
光領域１６に対して１０Ｃ程度でＥＢ露光する。ＥＢ露
光により、シリル化層１５の第２の露光領域１６でレジ
スト−ジメチルシリル基の結合がはずれて脱シリル化が
起こる。
光装置ＪＢＸ６０００ＦＳ（ＪＥＯＬ社製）を用いて、
レーザ露光で形成された第１のパターン２１をアライメ
ントマークとして用いてアライメントを行い、第２の露
光領域１６に対して１０Ｃ程度でＥＢ露光する。ＥＢ露
光により、シリル化層１５の第２の露光領域１６でレジ
スト−ジメチルシリル基の結合がはずれて脱シリル化が
起こる。
【００１８】次いで、図１（ｆ）に示すように、ＴＣＰ
９４００（ラムリサーチ社製）を用いて、残っているシ
リル化層１５をエッチングマスクとして、酸素２０ｓｃ
ｃｍ，ヘリウム５０ｓｃｃｍ，圧力５ｍＴｏｒｒ，ＲＦ
バイアス１００Ｗの条件で形成された酸素プラズマ雰囲
気１７に６０秒間さらして、ドライ現像（ドライ・エッ
チング）する。そして、図１（ｇ）に示すように、ドラ
イ現像によってレジスト１２の第２の露光領域１６が除
去された第２のパターン２２を形成する。
９４００（ラムリサーチ社製）を用いて、残っているシ
リル化層１５をエッチングマスクとして、酸素２０ｓｃ
ｃｍ，ヘリウム５０ｓｃｃｍ，圧力５ｍＴｏｒｒ，ＲＦ
バイアス１００Ｗの条件で形成された酸素プラズマ雰囲
気１７に６０秒間さらして、ドライ現像（ドライ・エッ
チング）する。そして、図１（ｇ）に示すように、ドラ
イ現像によってレジスト１２の第２の露光領域１６が除
去された第２のパターン２２を形成する。
【００１９】本実施形態によれば、完全に現像を行って
第１のパターンを形成した後、アライメント調整を行う
ことによって、アライメント調整に十分時間をかけて行
うことができる。そして、シリル化層を形成した後、第
２の露光領域を露光して脱シリル化を生じさせることに
よって、第２の露光領域のシリル化層をなくすことがで
きる。そして、ドライエッチングを行うことによって、
第２のパターンを形成することができる。
第１のパターンを形成した後、アライメント調整を行う
ことによって、アライメント調整に十分時間をかけて行
うことができる。そして、シリル化層を形成した後、第
２の露光領域を露光して脱シリル化を生じさせることに
よって、第２の露光領域のシリル化層をなくすことがで
きる。そして、ドライエッチングを行うことによって、
第２のパターンを形成することができる。
【００２０】本実施形態のように第１番目の露光光源と
してＫｒＦエキシマレーザー光、第２番目の露光光源と
してＥＢを用いる場合だけに限らず、同一の露光光源を
用いる場合や、２種類以上の露光光源で露光を行う場合
に有効である。露光光は光、ＥＢ、に限定するものでは
なく、Ｉ線、Ｇ線、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦ
エキシマレーザー光、Ｆ2 エキシマレーザー光、Ｘ線、
イオンビーム等を用いることが可能である。
してＫｒＦエキシマレーザー光、第２番目の露光光源と
してＥＢを用いる場合だけに限らず、同一の露光光源を
用いる場合や、２種類以上の露光光源で露光を行う場合
に有効である。露光光は光、ＥＢ、に限定するものでは
なく、Ｉ線、Ｇ線、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦ
エキシマレーザー光、Ｆ2 エキシマレーザー光、Ｘ線、
イオンビーム等を用いることが可能である。
【００２１】［第２実施形態］先ず、図２（ａ）〜
（ｃ）に示すように、第１実施形態と同様に、基板１１
上に反射防止膜を介してポジ型のレジスト１２を形成し
た後、第１の露光領域１４の露光、現像を行いレジスト
１２に第１のパターン２１を形成する。
（ｃ）に示すように、第１実施形態と同様に、基板１１
上に反射防止膜を介してポジ型のレジスト１２を形成し
た後、第１の露光領域１４の露光、現像を行いレジスト
１２に第１のパターン２１を形成する。
【００２２】次いで、図２（ｄ）に示すように、第１の
パターン２１をアライメントマークとして用いてアライ
メントを行った後、ＥＢ露光装置ＪＢＸ６０００ＦＳ
（ＪＥＯＬ社製）を用いて、第２の露光領域１６に対し
露光量３μＣにてＥＢ露光を行う（第２の露光）。第２
の露光領域１６は、ＥＢ露光により第２の露光領域１６
のレジスト１２中に架橋反応が起こり、後工程のシリル
化の際にシリル化反応が起こりにくくなる。
パターン２１をアライメントマークとして用いてアライ
メントを行った後、ＥＢ露光装置ＪＢＸ６０００ＦＳ
（ＪＥＯＬ社製）を用いて、第２の露光領域１６に対し
露光量３μＣにてＥＢ露光を行う（第２の露光）。第２
の露光領域１６は、ＥＢ露光により第２の露光領域１６
のレジスト１２中に架橋反応が起こり、後工程のシリル
化の際にシリル化反応が起こりにくくなる。
【００２３】次いで、図２（ｅ）に示すように、シリル
化装置にＭＳ２００Ｃ（ジェネシス社製）を、シリル化
剤にジエチルアミノジメチルシランを用いて、レジスト
１２に対して８０℃６０秒間シリル化を行い、シリル化
層１５を形成する。このシリル化の際、先の第２の露光
領域１６のレジスト１２には架橋反応が起こっているの
で、第２の露光領域ではシリル化が生じない。なお、こ
のとき形成されたシリル化層１５の厚さは０．１μｍで
あった。
化装置にＭＳ２００Ｃ（ジェネシス社製）を、シリル化
剤にジエチルアミノジメチルシランを用いて、レジスト
１２に対して８０℃６０秒間シリル化を行い、シリル化
層１５を形成する。このシリル化の際、先の第２の露光
領域１６のレジスト１２には架橋反応が起こっているの
で、第２の露光領域ではシリル化が生じない。なお、こ
のとき形成されたシリル化層１５の厚さは０．１μｍで
あった。
【００２４】次いで、図２（ｆ）に示すように、ＴＣＰ
９４００（ラムリサーチ社製）を用いて、シリル化層１
５をエッチングマスクとして、酸素２０ｓｃｃｍ，ヘリ
ウム５０ｓｃｃｍ，圧力５ｍＴｏｒｒ，ＲＦバイアス１
００Ｗの条件で形成された酸素プラズマ雰囲気１７に６
０秒間さらして、ドライ現像する。そして、図２（ｇ）
に示すような、ドライ現像によってレジスト１２の第２
の露光領域１６が除去された第２のパターン２２を形成
する。
９４００（ラムリサーチ社製）を用いて、シリル化層１
５をエッチングマスクとして、酸素２０ｓｃｃｍ，ヘリ
ウム５０ｓｃｃｍ，圧力５ｍＴｏｒｒ，ＲＦバイアス１
００Ｗの条件で形成された酸素プラズマ雰囲気１７に６
０秒間さらして、ドライ現像する。そして、図２（ｇ）
に示すような、ドライ現像によってレジスト１２の第２
の露光領域１６が除去された第２のパターン２２を形成
する。
【００２５】本実施形態によれば、完全に現像を行って
第１のパターンを形成した後、アライメント調整を行う
ことによって、アライメント調整に十分時間をかけて行
うことができる。そして、第２の露光領域を露光した
後、シリル化を行うことによって、第２の露光領域以外
にシリル化層を形成することができる。そして、ドライ
エッチングを行うことによって、第２のパターンを形成
することができる。
第１のパターンを形成した後、アライメント調整を行う
ことによって、アライメント調整に十分時間をかけて行
うことができる。そして、第２の露光領域を露光した
後、シリル化を行うことによって、第２の露光領域以外
にシリル化層を形成することができる。そして、ドライ
エッチングを行うことによって、第２のパターンを形成
することができる。
【００２６】第１実施形態と同様に、この実施例のよう
に第１番目の露光光源としてＫｒＦエキシマレーザー
光、第２番目の露光光源としてＥＢを用いる場合だけに
限らず、同一の露光光源を用いる場合や、２種類以上の
露光光源で露光を行う場合に有効である。
に第１番目の露光光源としてＫｒＦエキシマレーザー
光、第２番目の露光光源としてＥＢを用いる場合だけに
限らず、同一の露光光源を用いる場合や、２種類以上の
露光光源で露光を行う場合に有効である。
【００２７】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。例えば、露光光は光、ＥＢ、に限定す
るものではなく、Ｉ線、Ｇ線、ＫｒＦエキシマレーザー
光、ＡｒＦエキシマレーザー光、Ｆ2 エキシマレーザー
光、Ｘ線、イオンビーム等を用いることが可能である。
その他、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、種々
変形して実施することが可能である。
るものではない。例えば、露光光は光、ＥＢ、に限定す
るものではなく、Ｉ線、Ｇ線、ＫｒＦエキシマレーザー
光、ＡｒＦエキシマレーザー光、Ｆ2 エキシマレーザー
光、Ｘ線、イオンビーム等を用いることが可能である。
その他、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、種々
変形して実施することが可能である。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、多
重露光の際に、第１の露光後に現像を行って形成された
パターンを用いて第２のパターン形成のためのアライメ
ントを行うことによって容易にアライメントを行うこと
が可能となる。そして、
重露光の際に、第１の露光後に現像を行って形成された
パターンを用いて第２のパターン形成のためのアライメ
ントを行うことによって容易にアライメントを行うこと
が可能となる。そして、
【図１】第１実施形態に係わるレジストパターンの形成
方法を示す工程断面図。
方法を示す工程断面図。
【図２】第２実施形態に係わるレジストパターンの形成
方法を示す工程断面図。
方法を示す工程断面図。
１１…基板
１２…レジスト
１３…マスク
１４…第１の露光領域
１５…シリル化層
１６…第２の露光領域
１７…プラズマ雰囲気
２１…第１のパターン
２２…第２のパターン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平８−255737（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−280061（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−187766（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−250395（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−248414（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−257140（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−127645（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 7/20
G03F 9/00
Claims (2)
- 【請求項１】基体上にポジ型のレジストを形成する工程
と、 前記レジストの第１の露光領域に対して露光を行う工程
と、 前記レジストの現像を完全に行い、該レジストに第１の
パターンを形成する工程と、 前記レジストの表面にシリル化層を形成する工程と、 第１のパターンを用いて、アライメント調整を行う工程
と、 前記レジストの第２の露光領域に対して露光を行い、前
記シリル化層を脱シリル化する工程と、 前記シリル化層をマスクとして前記レジストに対してド
ライ・エッチングを行い、該レジストに第２のパターン
を形成する工程とを含むことを特徴とするレジストパタ
ーン形成方法。 - 【請求項２】基体上にポジ型のレジストを形成する工程
と、 前記レジストの第１の露光領域に対して露光を行う工程
と、 前記レジストの現像を完全に行い、該レジストに第１の
パターンを形成する工程と、 第１のパターンを用いて、アライメント調整を行う工程
と、 前記レジストの第２の露光領域に対して露光を行う工程
と、 前記レジストに対してシリル化を行い、該レジストの第
２の露光領域以外の表面にシリル化層を形成する工程
と、 前記シリル化層をマスクとして、前記レジストに対して
ドライ・エッチングを行い、第２のパターンを形成する
工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30592197A JP3363079B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30592197A JP3363079B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | レジストパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145036A JPH11145036A (ja) | 1999-05-28 |
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