JPH04176123A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04176123A JPH04176123A JP30345490A JP30345490A JPH04176123A JP H04176123 A JPH04176123 A JP H04176123A JP 30345490 A JP30345490 A JP 30345490A JP 30345490 A JP30345490 A JP 30345490A JP H04176123 A JPH04176123 A JP H04176123A
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- film
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- photoresist pattern
- forming
- etching
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- Pending
Links
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にフォトレジ
スト膜を用いた微細パターンの形成方法に関する。
スト膜を用いた微細パターンの形成方法に関する。
従来、半導体装置の製造工程においては、フォトレジス
ト 溶液中での溶解反応によるウェットエツチング方法また
はプラズマガスによるドライエツチング方法を用いて微
細パターンを形成していた。
ト 溶液中での溶解反応によるウェットエツチング方法また
はプラズマガスによるドライエツチング方法を用いて微
細パターンを形成していた。
プラズマガスによるドライエツチング方法ては、ガスの
種類により、フォトレジスト膜自体がエツチングされる
為に、フォトレジスト膜の膜厚を２．５〜３μｍと厚く
する方法、または現像後に紫外線を照射することにより
、フォトレジスト膜表面を硬化させ、プラズマカスによ
るフォトレジスト膜のエツチング速度を遅くさせる方法
がある。
種類により、フォトレジスト膜自体がエツチングされる
為に、フォトレジスト膜の膜厚を２．５〜３μｍと厚く
する方法、または現像後に紫外線を照射することにより
、フォトレジスト膜表面を硬化させ、プラズマカスによ
るフォトレジスト膜のエツチング速度を遅くさせる方法
がある。
上述した従来の半導体装置の製造工程における微細パタ
ーンの形成方法のうち、フオ（・レジスＩ〜膜を厚く形
成する方法ては、）オＩ〜レジス１〜膜の膜厚を厚くす
る為にフぢトレジストの粘度を高くしたり回転速度を遅
くする等の条件が必要であるため、面内均一性が低下す
るという問題点があった。また紫外線照射によるフォト
レジスト膜表面硬化方法は、特殊な紫外線照射装置を用
いなけれはならないという問題点があった。
ーンの形成方法のうち、フオ（・レジスＩ〜膜を厚く形
成する方法ては、）オＩ〜レジス１〜膜の膜厚を厚くす
る為にフぢトレジストの粘度を高くしたり回転速度を遅
くする等の条件が必要であるため、面内均一性が低下す
るという問題点があった。また紫外線照射によるフォト
レジスト膜表面硬化方法は、特殊な紫外線照射装置を用
いなけれはならないという問題点があった。
第１の発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に
被エツチング膜を形成したのち全面にシリコンを含むフ
ォトレジスト膜を形成する工程と、このフォトレジスト
膜をパターニングしフォトレジストパターン トレジストパターンをシリコン含有の有機物の蒸気にさ
らしなのち酸素プラズマ処理を行ない、フォトレジスト
パターンの表面に酸化膜を形成する工程とを含んで構成
される。
被エツチング膜を形成したのち全面にシリコンを含むフ
ォトレジスト膜を形成する工程と、このフォトレジスト
膜をパターニングしフォトレジストパターン トレジストパターンをシリコン含有の有機物の蒸気にさ
らしなのち酸素プラズマ処理を行ない、フォトレジスト
パターンの表面に酸化膜を形成する工程とを含んで構成
される。
第２の発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に
被エツチング膜を形成したのち全面にシリコンを含むフ
ォトレジスト膜を形成する工程と、このフオＩ〜レシス
ｌ−１１をバターニングしフォトレジストパターンを形
成する工程と、このフォトレジストパターンをシリコン
含有の有機物の蒸気にさらしたのちマスクとし、酸素を
含む反応カスを用いるプラズマエツチング法により前記
被エツチング膜をエツチングする工程とを含んて構成さ
れる。
被エツチング膜を形成したのち全面にシリコンを含むフ
ォトレジスト膜を形成する工程と、このフオＩ〜レシス
ｌ−１１をバターニングしフォトレジストパターンを形
成する工程と、このフォトレジストパターンをシリコン
含有の有機物の蒸気にさらしたのちマスクとし、酸素を
含む反応カスを用いるプラズマエツチング法により前記
被エツチング膜をエツチングする工程とを含んて構成さ
れる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための半導体チップの断面図である。
るための半導体チップの断面図である。
まず第１図（ａ）に示すように、Ａρ膜２が形成された
半導体基板１上に、Ｓｉを含有するフォトレジストとし
てＰＬＡＳＭＡＳＫ ２００ＧＣ（日本合成ゴム製）
を用いてフォトレジストグ処理を形成する。次でフォト
レジスト膜３のバターニングの為にマスク４の上部より
紫外線５（ｇ線才たは１線〉を照射する。次に第１図（
ｂ）に示すように、アルカリ水溶液による現像を行いフ
オトレジスｌーパターン３Ａを形成する。
半導体基板１上に、Ｓｉを含有するフォトレジストとし
てＰＬＡＳＭＡＳＫ ２００ＧＣ（日本合成ゴム製）
を用いてフォトレジストグ処理を形成する。次でフォト
レジスト膜３のバターニングの為にマスク４の上部より
紫外線５（ｇ線才たは１線〉を照射する。次に第１図（
ｂ）に示すように、アルカリ水溶液による現像を行いフ
オトレジスｌーパターン３Ａを形成する。
次に第１図（ｃ）に示すように、フオトレジス）・パタ
ーン３Ａを含む全面に紫外線５Ａを照射する。次に第１
図（ｄ）に示すように、シリコン含有の有機物蒸気とし
てヘキサメチルジシラザン（ Ｈ Ｍ Ｄ Ｓ ）蒸気
６中にさらす。
ーン３Ａを含む全面に紫外線５Ａを照射する。次に第１
図（ｄ）に示すように、シリコン含有の有機物蒸気とし
てヘキサメチルジシラザン（ Ｈ Ｍ Ｄ Ｓ ）蒸気
６中にさらす。
次に第１図（ｅ）に示すように、プラズマエツチング装
置内で酸素ガスによるプラズマ雰囲気に接触させるとフ
ォトレジストパターン表面にＳｉＯ２膜７が１００〜１
． ５ ０ ｎ ｍの厚さに形成される。次てこのフォ
トレジストパターンを用いてＡρ膜２をＢＣρ２，Ｃρ
２等のガスを用いるＲＩＥ法によりエツチングする。
置内で酸素ガスによるプラズマ雰囲気に接触させるとフ
ォトレジストパターン表面にＳｉＯ２膜７が１００〜１
． ５ ０ ｎ ｍの厚さに形成される。次てこのフォ
トレジストパターンを用いてＡρ膜２をＢＣρ２，Ｃρ
２等のガスを用いるＲＩＥ法によりエツチングする。
このように本実施例では、Ａ．＆膜２をエラチンりする
際に、形成されたＳｉＯ２膜か保護膜となる為、マスク
としてのフォトレジスト膜のエツチングが抑制される。
際に、形成されたＳｉＯ２膜か保護膜となる為、マスク
としてのフォトレジスト膜のエツチングが抑制される。
従ってフ才）〜レジスト膜の膜厚が薄く（１〜１ ５μ
ｍ）で済む。また、本実施例では、従来の塗布機，露光
機，現像機及びエツチャーにて処理できる為、新規の装
置は不要である。
ｍ）で済む。また、本実施例では、従来の塗布機，露光
機，現像機及びエツチャーにて処理できる為、新規の装
置は不要である。
本発明の第２の実施例の工程は第１図に示した第１の実
施例とほぼ同一であるが、ＨＭＤＳ蒸気６にさらしたの
ち、アルミ膜のエツチングを行うガスに酸素を含有させ
てエツチングを行うものである。
施例とほぼ同一であるが、ＨＭＤＳ蒸気６にさらしたの
ち、アルミ膜のエツチングを行うガスに酸素を含有させ
てエツチングを行うものである。
アルミ膜のエツチングの進行と同時にプラズマによりフ
オｌ〜レジスＩ・パターン表面にＳｉ０２膜が形成され
る為、第１の実施例に比ベニ程を短縮することができる
という利点がある。なお上記実施例においては被エツチ
ング膜としてＡρ膜を用いた場合について説明したが、
他の金属膜や絶縁膜であってもよいことは勿論である。
オｌ〜レジスＩ・パターン表面にＳｉ０２膜が形成され
る為、第１の実施例に比ベニ程を短縮することができる
という利点がある。なお上記実施例においては被エツチ
ング膜としてＡρ膜を用いた場合について説明したが、
他の金属膜や絶縁膜であってもよいことは勿論である。
６一
以上説明したように本発明は、パターニツクされたフォ
トレジスト膜の表面にシリコンの酸化膜を形成する事に
より、プラスマエツチツク法におけるマスクとしてのフ
ォトレジスト膜のエッチラングを抑制できるため、フォ
トレジスト膜を薄くてきる。このため、従来のように、
フォトレジスト膜を厚く形成するための面内均一性の低
下をなくすことができる。更にフォトレジスト膜を硬化
するための特殊な紫外線照射装置を不要とすることがで
きる。
トレジスト膜の表面にシリコンの酸化膜を形成する事に
より、プラスマエツチツク法におけるマスクとしてのフ
ォトレジスト膜のエッチラングを抑制できるため、フォ
トレジスト膜を薄くてきる。このため、従来のように、
フォトレジスト膜を厚く形成するための面内均一性の低
下をなくすことができる。更にフォトレジスト膜を硬化
するための特殊な紫外線照射装置を不要とすることがで
きる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施例を説明す
るだめの半導体チップの断面図である。 １・・半導体基板、２・・Ａρ膜、３・・フォトレジス
ト膜、３Ａ・フ才ｌ・レジスｌ〜パターン、４・マスク
、５，５Ａ・・紫外線、６・・ＨＭ Ｄ Ｓ蒸気、７・
ＳｉＣ２膜。
るだめの半導体チップの断面図である。 １・・半導体基板、２・・Ａρ膜、３・・フォトレジス
ト膜、３Ａ・フ才ｌ・レジスｌ〜パターン、４・マスク
、５，５Ａ・・紫外線、６・・ＨＭ Ｄ Ｓ蒸気、７・
ＳｉＣ２膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上に被エッチング膜を形成したのち全面
にシリコンを含むフォトレジスト膜を形成する工程と、
このフォトレジスト膜をパターニングしフォトレジスト
パターンを形成する工程と、このフォトレジストパター
ンをシリコン含有の有機物の蒸気にさらしたのち酸素プ
ラズマ処理を行ない、フォトレジストパターンの表面に
酸化膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法。 ２、半導体基板上に被エッチング膜を形成したのち全面
にシリコンを含むフォトレジスト膜を形成する工程と、
このフォトレジスト膜をパターニングしフォトレジスト
パターンを形成する工程と、このフォトレジストパター
ンをシリコン含有の有機物の蒸気にさらしたのちマスク
とし、酸素を含む反応ガスを用いるプラズマエッチング
法により前記被エッチング膜をエッチングする工程とを
含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30345490A JPH04176123A (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30345490A JPH04176123A (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04176123A true JPH04176123A (ja) | 1992-06-23 |
Family
ID=17921179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30345490A Pending JPH04176123A (ja) | 1990-11-08 | 1990-11-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04176123A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5310720A (en) * | 1992-02-28 | 1994-05-10 | Fujitsu Limited | Process for fabricating an integrated circuit device by forming a planarized polysilazane layer and oxidizing to form oxide layer |
| US5427649A (en) * | 1992-11-18 | 1995-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming a pattern by silylation |
| JP2001297970A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Fujitsu Ltd | 薄膜パターン及びその形成方法 |
| US6989230B2 (en) * | 2002-03-29 | 2006-01-24 | Infineon Technologies Ag | Producing low k inter-layer dielectric films using Si-containing resists |
| JP2007180489A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
| JP2021068910A (ja) * | 2021-01-06 | 2021-04-30 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成方法及び凹凸構造体の製造方法 |
-
1990
- 1990-11-08 JP JP30345490A patent/JPH04176123A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5310720A (en) * | 1992-02-28 | 1994-05-10 | Fujitsu Limited | Process for fabricating an integrated circuit device by forming a planarized polysilazane layer and oxidizing to form oxide layer |
| US5427649A (en) * | 1992-11-18 | 1995-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming a pattern by silylation |
| JP2001297970A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Fujitsu Ltd | 薄膜パターン及びその形成方法 |
| JP4675450B2 (ja) * | 2000-04-13 | 2011-04-20 | 富士通株式会社 | 薄膜パターンの形成方法 |
| US6989230B2 (en) * | 2002-03-29 | 2006-01-24 | Infineon Technologies Ag | Producing low k inter-layer dielectric films using Si-containing resists |
| JP2007180489A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
| KR100811431B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2008-03-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| US7655568B2 (en) | 2005-12-28 | 2010-02-02 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for manufacturing underlying pattern of semiconductor device |
| JP2021068910A (ja) * | 2021-01-06 | 2021-04-30 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成方法及び凹凸構造体の製造方法 |
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