JPH036566A - エキシマレーザによるパターン形成方法 - Google Patents
エキシマレーザによるパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH036566A JPH036566A JP14176589A JP14176589A JPH036566A JP H036566 A JPH036566 A JP H036566A JP 14176589 A JP14176589 A JP 14176589A JP 14176589 A JP14176589 A JP 14176589A JP H036566 A JPH036566 A JP H036566A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silylated
- excimer laser
- oxygen plasma
- forming method
- pattern forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims abstract description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 238000006884 silylation reaction Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N [Kr]F Chemical compound [Kr]F VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、エキシマレーザ光によるレジストパターン
形成方法に関し、特に、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭ
ＤＳ）を用いてノボラック樹脂膜を選択的にシリル化さ
せ酸素プラズマによるトライ現象を行うことにより矩形
で良好なレジストパターンを形成させる方法に関するも
のである。
形成方法に関し、特に、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭ
ＤＳ）を用いてノボラック樹脂膜を選択的にシリル化さ
せ酸素プラズマによるトライ現象を行うことにより矩形
で良好なレジストパターンを形成させる方法に関するも
のである。
半導体集積回路の高集積化が進むにつれて、解像度向上
が要求される。高解像度化の方法として■光学レンズの
開口数（ＮＡ）を大きくする。■レジスト材料とプロセ
スの改良、■光源の短波長化、が考えられる。現在■の
光源の短波長化が活発化され、°特に短波長で強力な遠
紫外光を発生するエキシマレーザ光によるレジストパタ
ーン形成方法が注目されている。第２図は従来の一例に
おけるパターン形成方法を工程順に示す図である。
が要求される。高解像度化の方法として■光学レンズの
開口数（ＮＡ）を大きくする。■レジスト材料とプロセ
スの改良、■光源の短波長化、が考えられる。現在■の
光源の短波長化が活発化され、°特に短波長で強力な遠
紫外光を発生するエキシマレーザ光によるレジストパタ
ーン形成方法が注目されている。第２図は従来の一例に
おけるパターン形成方法を工程順に示す図である。
図において、■は半導体基板、２はレジスト膜であり有
機高分子材料の溶液を塗布して形成したものである。４
はレティクル、５はフッ化クリプトン（ＫｒＦ）エキシ
マレーザ光であり、６は前記レジスト２が前記ＫｒＦエ
キシマレーザ４により感光露光された部分である０次に
、これらのレジストパターン形成方法を説明する。
機高分子材料の溶液を塗布して形成したものである。４
はレティクル、５はフッ化クリプトン（ＫｒＦ）エキシ
マレーザ光であり、６は前記レジスト２が前記ＫｒＦエ
キシマレーザ４により感光露光された部分である０次に
、これらのレジストパターン形成方法を説明する。
まず、半導体基板１上に例えばスピンコード法によりレ
ジスト膜２を０．８〜１．０μｍ厚さに形成し、１００
６Ｃ，７０秒のプリベーグを行う。
ジスト膜２を０．８〜１．０μｍ厚さに形成し、１００
６Ｃ，７０秒のプリベーグを行う。
次にレティクル４を用いてＫｒＦエキシマレーザ光５に
よる縮小投影露光を行い、レジスト２にパターンを転写
し露光部６を形成する０次に２．３８パーセントのテト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＲ）
で現象することにより露光部６を溶失させ、ポジ型レジ
スト２パターンを形成する。
よる縮小投影露光を行い、レジスト２にパターンを転写
し露光部６を形成する０次に２．３８パーセントのテト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＲ）
で現象することにより露光部６を溶失させ、ポジ型レジ
スト２パターンを形成する。
従来の半導体装置製造のためのエキシマレーザ光による
レジストパターン形成方法では、レジスト表面でエキシ
マレーザ光の強い吸収が起こるため、レジスト表面では
オーバ露光され、レジスト底面では露光不足となるため
、現象後形成されたレジストパターンのパターン断面は
第２図（Ｃ）に示す様に、表面側で狭く底面側で低いテ
ーバ状になる等の問題点があった。
レジストパターン形成方法では、レジスト表面でエキシ
マレーザ光の強い吸収が起こるため、レジスト表面では
オーバ露光され、レジスト底面では露光不足となるため
、現象後形成されたレジストパターンのパターン断面は
第２図（Ｃ）に示す様に、表面側で狭く底面側で低いテ
ーバ状になる等の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、エキシマレーザ光によるレジストパターン形
成方法において、矩形で良好な微細パターン形成ができ
るエキシマレーザ光によるレジストパターン形成方法を
得ることを目的とする。
たもので、エキシマレーザ光によるレジストパターン形
成方法において、矩形で良好な微細パターン形成ができ
るエキシマレーザ光によるレジストパターン形成方法を
得ることを目的とする。
この発明に係るエキシマレーザ光によるレジストパター
ン形成方法は、基板上に塗布したノボラック樹脂に、エ
キシマレーザ光を選択的に照射した後シリル化処理を行
ってノボラック樹脂を選択的にシリル化させ、酸素プラ
ズマエツチングによりトライ現像を行い、レジストパタ
ーンを形成したものである。
ン形成方法は、基板上に塗布したノボラック樹脂に、エ
キシマレーザ光を選択的に照射した後シリル化処理を行
ってノボラック樹脂を選択的にシリル化させ、酸素プラ
ズマエツチングによりトライ現像を行い、レジストパタ
ーンを形成したものである。
この発明においては、基板上に塗布したノボラック樹脂
にエキシマレーザを選択的に照射した後シリル化処理を
行い、酸素プラズマによりトライ現象してパターンを形
成させるため、矩形の良好なレジストパターンが得られ
る。
にエキシマレーザを選択的に照射した後シリル化処理を
行い、酸素プラズマによりトライ現象してパターンを形
成させるため、矩形の良好なレジストパターンが得られ
る。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例によるパターン形成方法を
工程順に示す図である０図において１は半導体基板、２
はノボラック樹脂膜、３はＫｒＦエキシマレーザ光、４
はレティクル、５はＫｒＦエキシマレーザ光に感光した
露光部、６は未露光部、７はシリル化処理を行う時のオ
ーブンである。
工程順に示す図である０図において１は半導体基板、２
はノボラック樹脂膜、３はＫｒＦエキシマレーザ光、４
はレティクル、５はＫｒＦエキシマレーザ光に感光した
露光部、６は未露光部、７はシリル化処理を行う時のオ
ーブンである。
８はシリル化剤のへキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）
、９はノボラック樹脂がシリル化された領域、１０は減
圧にするためのロータリポンプ、１１はＮ！パージライ
ンであり、１２は真空計、１３は温度計である。１４は
酸素プラズマ、１５は酸素プラズマにより５ｉｎｔが形
成された領域である。
、９はノボラック樹脂がシリル化された領域、１０は減
圧にするためのロータリポンプ、１１はＮ！パージライ
ンであり、１２は真空計、１３は温度計である。１４は
酸素プラズマ、１５は酸素プラズマにより５ｉｎｔが形
成された領域である。
次に、第１図を参照してこれらの形成方法を説明する。
第１図（ａ）は、半導体基板１上へ例えばスピンコード
法によりノボラック樹脂膜２を１．０μｍの厚さに塗布
する工程である。
法によりノボラック樹脂膜２を１．０μｍの厚さに塗布
する工程である。
第１図（ｂ）は、ノボラック樹脂膜２にＫｒＦエキによ
り露光された領域５はノボラック樹脂のＯＨ基が架橋反
応を起こし、ＯＨ基が減少すると共に分子量が増大する
。
り露光された領域５はノボラック樹脂のＯＨ基が架橋反
応を起こし、ＯＨ基が減少すると共に分子量が増大する
。
第１図（Ｃ）は、オーブン７中でシリル化処理を行う工
程である。ロータリーポンプ套を使って２分減圧し、そ
の後Ｎｔパージライン１番で３分Ｎ２パージを行う、こ
れを３回繰り返した後にロータリポンプ１０で４分減圧
し、シリル化剤ＨＭＤＳ８を用いてシリル化処理を行う
、処理温度は１４０＠〜１６０℃が望ましい。これによ
り未露光部６はノボラック樹脂２のＯＨ基とシリル化剤
ＨＭＤＳ８とが反応を起こし、５ｔ−０の結合が生成さ
れ、シリル化領域９ができる。この反応は、選択的に露
光を行ったノボラック樹脂膜上に、）ＩＭＤＳを３〜４
回塗布し、オーブン７中でシリル化処理を行うことによ
り、さらに加速される。このとき、ノボラック樹脂２の
露光部５はＨＭＤＳと反応するＯＨ基が少ないことと、
分子量が増大していることによってシリル化されない。
程である。ロータリーポンプ套を使って２分減圧し、そ
の後Ｎｔパージライン１番で３分Ｎ２パージを行う、こ
れを３回繰り返した後にロータリポンプ１０で４分減圧
し、シリル化剤ＨＭＤＳ８を用いてシリル化処理を行う
、処理温度は１４０＠〜１６０℃が望ましい。これによ
り未露光部６はノボラック樹脂２のＯＨ基とシリル化剤
ＨＭＤＳ８とが反応を起こし、５ｔ−０の結合が生成さ
れ、シリル化領域９ができる。この反応は、選択的に露
光を行ったノボラック樹脂膜上に、）ＩＭＤＳを３〜４
回塗布し、オーブン７中でシリル化処理を行うことによ
り、さらに加速される。このとき、ノボラック樹脂２の
露光部５はＨＭＤＳと反応するＯＨ基が少ないことと、
分子量が増大していることによってシリル化されない。
第１図（ロ）は、酸素プラズマ１４によりトライ現像を
行う工程である。これによりシリル化された領域９はプ
ラズマにより５１０ｇ１５が形成されエツチングされな
いが、露光領域５はシリル化されないため、酸素プラズ
マによりエツチングされる。よって第１図（ｄ）に示し
た様な矩形のパターンを形成することができる。
行う工程である。これによりシリル化された領域９はプ
ラズマにより５１０ｇ１５が形成されエツチングされな
いが、露光領域５はシリル化されないため、酸素プラズ
マによりエツチングされる。よって第１図（ｄ）に示し
た様な矩形のパターンを形成することができる。
なお、上記実施例ではシリル化剤にＨＭＤＳを用いたが
、トリメチルシリルジアミン（ＴＭＳＤＡ）を用いても
、上記実施例と同様の効果が得られる。
、トリメチルシリルジアミン（ＴＭＳＤＡ）を用いても
、上記実施例と同様の効果が得られる。
以上の様に、この発明によればノボラック樹脂膜の表層
部を選択的にシリル化させ、酸素プラズマによるトライ
現象を行って、パターンを形成させるようにしたため、
矩形で良好なパターンプロファイルが得られる効果があ
る。
部を選択的にシリル化させ、酸素プラズマによるトライ
現象を行って、パターンを形成させるようにしたため、
矩形で良好なパターンプロファイルが得られる効果があ
る。
第１図はこの発明の一実施例によるパターン形成方法を
工程順に示す図、第２図は従来の一例におけるパターン
形成方法を工程順に示す図である。 図において、１は半導体基板、２はノボラック樹脂膜、
３はＫｒＦエキシマレーザ光、４はレティクル、５は露
光部、６は未露光部、７はオーブン、８はシリル化剤の
へキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、！Ｈ，ｔノボラ
ック樹脂がシリル化された領域、１０はロータリポンプ
、１１はＮ２バージライン、１２は真空計、１３は温度
計、１４は酸素プラズマ、１５は酸素プラズマにより３
１０゜が形成された領域である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
工程順に示す図、第２図は従来の一例におけるパターン
形成方法を工程順に示す図である。 図において、１は半導体基板、２はノボラック樹脂膜、
３はＫｒＦエキシマレーザ光、４はレティクル、５は露
光部、６は未露光部、７はオーブン、８はシリル化剤の
へキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、！Ｈ，ｔノボラ
ック樹脂がシリル化された領域、１０はロータリポンプ
、１１はＮ２バージライン、１２は真空計、１３は温度
計、１４は酸素プラズマ、１５は酸素プラズマにより３
１０゜が形成された領域である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）半導体装置製造のためのエキシマレーザ光による
レジストパターン形成方法において、半導体基板上にノ
ボラック樹脂膜を形成する第１の工程、 前記半導体基板上のノボラック樹脂膜にエキシマレーザ
光を選択的に照射する第２の工程、前記半導体基板をシ
リル化処理する第３の工程、前記半導体基板を酸素プラ
ズマを用いたＲＩＥによりトライ現像を行う第４の工程
を含むレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14176589A JPH036566A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | エキシマレーザによるパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14176589A JPH036566A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | エキシマレーザによるパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036566A true JPH036566A (ja) | 1991-01-14 |
Family
ID=15299659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14176589A Pending JPH036566A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | エキシマレーザによるパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH036566A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05232707A (ja) * | 1991-11-22 | 1993-09-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 乾式現像可能なフォトレジスト組成物およびその使用方法 |
| EP1441042A1 (en) * | 2003-01-23 | 2004-07-28 | Air Products And Chemicals, Inc. | Precursors for depositing silicon containing films and processes thereof |
-
1989
- 1989-06-02 JP JP14176589A patent/JPH036566A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05232707A (ja) * | 1991-11-22 | 1993-09-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 乾式現像可能なフォトレジスト組成物およびその使用方法 |
| EP1441042A1 (en) * | 2003-01-23 | 2004-07-28 | Air Products And Chemicals, Inc. | Precursors for depositing silicon containing films and processes thereof |
| US7122222B2 (en) | 2003-01-23 | 2006-10-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Precursors for depositing silicon containing films and processes thereof |
| US7288145B2 (en) | 2003-01-23 | 2007-10-30 | Air Products And Chemicals, Inc. | Precursors for depositing silicon containing films |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5652084A (en) | Method for reduced pitch lithography | |
| JP2005519456A (ja) | 二波長を使用した自己整合パターンの形成 | |
| US4321317A (en) | High resolution lithography system for microelectronic fabrication | |
| JPH0442231A (ja) | パターン形成方法 | |
| US20050074703A1 (en) | Exposure apparatus and method for forming fine patterns of semiconductor device using the same | |
| JPH036566A (ja) | エキシマレーザによるパターン形成方法 | |
| KR19990003857A (ko) | 감광막 형성 방법 | |
| JPH04176123A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01142721A (ja) | ポジ型感光性パターン形成材料およびパターン形成方法 | |
| KR20010037049A (ko) | 실리레이션을 이용한 리소그라피 방법 | |
| KR100451508B1 (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| JPH11204414A (ja) | パターン形成法 | |
| JPH02181910A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH04342260A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP3061037B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS6156867B2 (ja) | ||
| JPS6054775B2 (ja) | ドライ現像方法 | |
| JPH0513325A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH08328265A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JP2692227B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP2583987B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0425114A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH0229657A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61209442A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS63316437A (ja) | フォトレジストパタ−ンの形成方法 |