JPH04342260A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
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- JPH04342260A JPH04342260A JP11445991A JP11445991A JPH04342260A JP H04342260 A JPH04342260 A JP H04342260A JP 11445991 A JP11445991 A JP 11445991A JP 11445991 A JP11445991 A JP 11445991A JP H04342260 A JPH04342260 A JP H04342260A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は解像性の優れたレジスト
パターンの形成方法に関する。半導体集積回路は集積化
が進んでＬＳＩ やＶＬＳＩが実用化されているが、こ
れは導体線路や電極などの微細化により実現されたもの
であり、現在では最少パターン幅が１μｍ 未満（サブ
ミクロン）のものまで実用化されている。
パターンの形成方法に関する。半導体集積回路は集積化
が進んでＬＳＩ やＶＬＳＩが実用化されているが、こ
れは導体線路や電極などの微細化により実現されたもの
であり、現在では最少パターン幅が１μｍ 未満（サブ
ミクロン）のものまで実用化されている。
【０００２】そして、微細なレジストパターンを形成す
る露光光源として当初は紫外線が用いられていたが、波
長による制限から、光も短波長へ移行し遠紫外線を用い
て露光が行われるようになりつゝある。
る露光光源として当初は紫外線が用いられていたが、波
長による制限から、光も短波長へ移行し遠紫外線を用い
て露光が行われるようになりつゝある。
【０００３】こゝで、遠紫外線を出す光源としては高圧
水銀ランプやエキシマレーザなどがあるが、高圧水銀ラ
ンプの出力は遠紫外光の波長領域ではかなり低下すると
云う問題がある。
水銀ランプやエキシマレーザなどがあるが、高圧水銀ラ
ンプの出力は遠紫外光の波長領域ではかなり低下すると
云う問題がある。
【０００４】そこで、出力の大きいエキシマレーザ光（
例えば、使用ガスとしてＫｒＦ を用いる場合の波長は
２４８ｎｍ）を用いて検討が進められている。然し、こ
のような遠紫外線を用いて露光を行うと従来のレジスト
では光の吸収が強すぎ解像性が低下するので使用できな
い。
例えば、使用ガスとしてＫｒＦ を用いる場合の波長は
２４８ｎｍ）を用いて検討が進められている。然し、こ
のような遠紫外線を用いて露光を行うと従来のレジスト
では光の吸収が強すぎ解像性が低下するので使用できな
い。
【０００５】そこで、かゝる波長において感度と解像性
に優れたレジストの実用化が進められている。
に優れたレジストの実用化が進められている。
【０００６】
【従来の技術】従来のノボラック樹脂をベースとするレ
ジストに代えて、レジストの高感度化と高解像性を実現
する方法として露光により酸を発生する光酸発生剤（Ｐ
ｈｏｔｏ Ａｃｉｄ Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ略称ＰＡＧ）
を使用する方法がＩＢＭ社より提示されている。（特願
平２−２７６６０）この方法は、ポリマーに光酸発生剤
を混合し、光照射を行うものであって、光照射により光
酸発生剤から発生するブレンステッド酸が露光後に行わ
れるポストベーク（加熱）により触媒としてポリマーに
作用し、官能基を変化させて脱離反応を連鎖的に生じさ
せると共に極性を変化させ、これによりアルカリ現像を
可能とし高解像性を実現している。
ジストに代えて、レジストの高感度化と高解像性を実現
する方法として露光により酸を発生する光酸発生剤（Ｐ
ｈｏｔｏ Ａｃｉｄ Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ略称ＰＡＧ）
を使用する方法がＩＢＭ社より提示されている。（特願
平２−２７６６０）この方法は、ポリマーに光酸発生剤
を混合し、光照射を行うものであって、光照射により光
酸発生剤から発生するブレンステッド酸が露光後に行わ
れるポストベーク（加熱）により触媒としてポリマーに
作用し、官能基を変化させて脱離反応を連鎖的に生じさ
せると共に極性を変化させ、これによりアルカリ現像を
可能とし高解像性を実現している。
【０００７】そして、これは化学増感型レジストとして
知られている。この種のレジストは酸触媒によって変化
する官能基が含まれていればよく、短波長で吸収が小さ
い材料を選択できる。
知られている。この種のレジストは酸触媒によって変化
する官能基が含まれていればよく、短波長で吸収が小さ
い材料を選択できる。
【０００８】また、官能基が変化するとき酸を再生する
増幅型であることから高感度化が期待できる。こゝで、
光酸発生剤としては、トリアリールスルフォニウム塩，
ジアリ−ルヨードニウム塩，２，６−ジニトロベンジル
−ｐ− トルエンスルホネート， α−ｐ− トルエン
スルフォニルオキシアセトフェノンなどが用いられてい
る。
増幅型であることから高感度化が期待できる。こゝで、
光酸発生剤としては、トリアリールスルフォニウム塩，
ジアリ−ルヨードニウム塩，２，６−ジニトロベンジル
−ｐ− トルエンスルホネート， α−ｐ− トルエン
スルフォニルオキシアセトフェノンなどが用いられてい
る。
【０００９】然し、このような化学増感型レジストを用
いてレジストパターンの形成を行うと膨潤のないパター
ンが得られるものゝ、しばしば上部にひさし（庇）状の
突出部ができると云う問題がある。
いてレジストパターンの形成を行うと膨潤のないパター
ンが得られるものゝ、しばしば上部にひさし（庇）状の
突出部ができると云う問題がある。
【００１０】図２はこの処理工程を説明する断面図であ
って、被処理基板１の上に化学増感型レジスト２を塗布
し、プレベークして乾燥させた後に遠紫外線３を選択露
光する。（ 以上同図Ａ） 次に、ポストベークを行って露光部４の極性を変化させ
てアルカリ現像が可能な状態にする。（以上同図Ｂ）次
に、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドのよ
うなアルカリ溶液に浸漬して現像すると、レジストパタ
ーン６が形成されるものゝ、上部に庇状突出部５をもっ
たものが生じ易い。（以上同図Ｃ） そして、この場合に庇状突出部５の幅が不同で再現性が
ないことからレジストパターン６の形状精度を低下させ
ている。
って、被処理基板１の上に化学増感型レジスト２を塗布
し、プレベークして乾燥させた後に遠紫外線３を選択露
光する。（ 以上同図Ａ） 次に、ポストベークを行って露光部４の極性を変化させ
てアルカリ現像が可能な状態にする。（以上同図Ｂ）次
に、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドのよ
うなアルカリ溶液に浸漬して現像すると、レジストパタ
ーン６が形成されるものゝ、上部に庇状突出部５をもっ
たものが生じ易い。（以上同図Ｃ） そして、この場合に庇状突出部５の幅が不同で再現性が
ないことからレジストパターン６の形状精度を低下させ
ている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】化学増感型レジストは
短波長領域で吸収の少ないレジストを実現することがで
き、またアルカリ現像ができることから膨潤がなく、精
度のよいパターン形成が可能である。
短波長領域で吸収の少ないレジストを実現することがで
き、またアルカリ現像ができることから膨潤がなく、精
度のよいパターン形成が可能である。
【００１２】然し、現像に当たってレジストパターンの
上部に庇状突出部を生じ易く、この大きさが不同である
ことからパターン精度を低下させている。そこで、庇状
突出部のないレジストパターンを形成することが課題で
ある。
上部に庇状突出部を生じ易く、この大きさが不同である
ことからパターン精度を低下させている。そこで、庇状
突出部のないレジストパターンを形成することが課題で
ある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の課題は溶剤に溶解
した化学増感型レジストを被処理基板上に塗布し、プレ
ベークしてレジスト膜を形成した後、このレジスト膜を
選択露光し、ポストベークを行った後にアルカリ現像し
てレジストパターンを形成する処理工程において、プリ
ベークを６０℃以下の低温で行うことを特徴としてレジ
ストパターンの形成方法を構成することにより解決する
ことができる。
した化学増感型レジストを被処理基板上に塗布し、プレ
ベークしてレジスト膜を形成した後、このレジスト膜を
選択露光し、ポストベークを行った後にアルカリ現像し
てレジストパターンを形成する処理工程において、プリ
ベークを６０℃以下の低温で行うことを特徴としてレジ
ストパターンの形成方法を構成することにより解決する
ことができる。
【００１４】
【作用】本発明は被処理基板上に形成する化学増感型レ
ジストのプレベークを低温で行う点に特徴がある。
ジストのプレベークを低温で行う点に特徴がある。
【００１５】図１は本発明に係るレジストパターンの形
成工程を示すもので、被処理基板１の上に、溶剤を添加
することにより粘度を調整して化学増感型レジスト２を
スピンコート法などにより塗布した後、溶剤除去のため
のプレベークを６０℃以下の低温で行う。（以上同図Ａ
）その後は従来の工程と変わることはない。
成工程を示すもので、被処理基板１の上に、溶剤を添加
することにより粘度を調整して化学増感型レジスト２を
スピンコート法などにより塗布した後、溶剤除去のため
のプレベークを６０℃以下の低温で行う。（以上同図Ａ
）その後は従来の工程と変わることはない。
【００１６】すなわち、化学増感型レジスト２に遠紫外
線３を選択露光した後、（以上同図Ｂ）ポストベークを
行って、露光部４の極性を変化させてアルカリ現像が可
能な状態にする。（以上同図Ｃ） 次に、アルカリ現像を行うことにより庇状突出部のない
レジストパターン７を得るものである。（以上同図Ｄ）
こゝで、選択露光した化学増感型レジストをアルカリ現
像する場合に何故に庇状突出部ができるかは完全には解
明されてはいないが、発明者等は空気に触れる表面で光
酸発生剤の性能が低下するためと推測しており、これは
残留溶剤の不均一分布あるいは光照射で発生した酸の濃
度分布の減少によると推定した。
線３を選択露光した後、（以上同図Ｂ）ポストベークを
行って、露光部４の極性を変化させてアルカリ現像が可
能な状態にする。（以上同図Ｃ） 次に、アルカリ現像を行うことにより庇状突出部のない
レジストパターン７を得るものである。（以上同図Ｄ）
こゝで、選択露光した化学増感型レジストをアルカリ現
像する場合に何故に庇状突出部ができるかは完全には解
明されてはいないが、発明者等は空気に触れる表面で光
酸発生剤の性能が低下するためと推測しており、これは
残留溶剤の不均一分布あるいは光照射で発生した酸の濃
度分布の減少によると推定した。
【００１７】すなわち、従来１００ ℃程度で行われて
いるプリベーク処理によってレジスト塗膜中の溶剤が蒸
発し乾燥が行われるが、この蒸発はレジスト塗膜の表面
から急速に行われるためにレジストの中に溶剤の不均一
分布が生じている。
いるプリベーク処理によってレジスト塗膜中の溶剤が蒸
発し乾燥が行われるが、この蒸発はレジスト塗膜の表面
から急速に行われるためにレジストの中に溶剤の不均一
分布が生じている。
【００１８】こゝで、光酸発生剤による化学増幅反応の
速度はレジスト中に残留している溶剤の量により影響を
受け、乾燥した領域ほど反応速度が低下すると思われる
ことから、発明者等はできる限り低い温度で乾燥し、レ
ジスト膜中における溶剤の濃度分布を均一化することで
解決できると考えた。
速度はレジスト中に残留している溶剤の量により影響を
受け、乾燥した領域ほど反応速度が低下すると思われる
ことから、発明者等はできる限り低い温度で乾燥し、レ
ジスト膜中における溶剤の濃度分布を均一化することで
解決できると考えた。
【００１９】また、このように低温で乾燥を行うと光照
射で発生した酸のレジスト表面からの蒸発も抑制するこ
とができる。そして、実験を繰り返した結果、プリベー
ク温度は６０℃以下が適当であることが判った。
射で発生した酸のレジスト表面からの蒸発も抑制するこ
とができる。そして、実験を繰り返した結果、プリベー
ク温度は６０℃以下が適当であることが判った。
【００２０】すなわち、６０℃以上の温度で行うと、現
像後のレジストパターンにおいて多少なりとも庇状突出
部が発生するのに対し、これ以下の温度でプリベークを
行うと庇状突出部は生じない。
像後のレジストパターンにおいて多少なりとも庇状突出
部が発生するのに対し、これ以下の温度でプリベークを
行うと庇状突出部は生じない。
【００２１】これらのことから、本発明はレジスト塗布
後のプリベークを作業性の許す限り、６０℃以下の低温
で行うことを提案するものである。
後のプリベークを作業性の許す限り、６０℃以下の低温
で行うことを提案するものである。
【００２２】
比較例１：ポリマ−としてポリ−ｔｅｒｔ−ブチルメタ
クリレート（Ｐｏｌｙ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｍｅｔｈ
ａｃｒｙｒａｔｅ）を用い、これに光酸発生剤としてト
リフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート
（ｔｒｉ−ｐｈｅｎｙｌ ｓｕｌｆｏｎｉｕｍ ｈｅｘ
ａｆｌｕｏｒｏ ａｎｔｉｍｏｎａｔｅ）をポリマーに
対して１０重量％加え、濃度が２０％のシクロヘキサノ
ン溶液を作り、これをレジストとした。
クリレート（Ｐｏｌｙ ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｍｅｔｈ
ａｃｒｙｒａｔｅ）を用い、これに光酸発生剤としてト
リフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート
（ｔｒｉ−ｐｈｅｎｙｌ ｓｕｌｆｏｎｉｕｍ ｈｅｘ
ａｆｌｕｏｒｏ ａｎｔｉｍｏｎａｔｅ）をポリマーに
対して１０重量％加え、濃度が２０％のシクロヘキサノ
ン溶液を作り、これをレジストとした。
【００２３】このレジスト液をＳｉ基板上にスピンコー
トした後、１００ ℃で２０分間ベークして厚さが１μ
ｍ のレジスト膜を形成した。次に、ＫｒＦ エキシマ
ステッパを用いて露光した後、１００ ℃，６０ 秒の
ベークを行い、その後、テトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド（ 略称ＴＭＡＨ）２．３８ ％のアル
カリ水溶液を用いて１分間現像した。
トした後、１００ ℃で２０分間ベークして厚さが１μ
ｍ のレジスト膜を形成した。次に、ＫｒＦ エキシマ
ステッパを用いて露光した後、１００ ℃，６０ 秒の
ベークを行い、その後、テトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド（ 略称ＴＭＡＨ）２．３８ ％のアル
カリ水溶液を用いて１分間現像した。
【００２４】その結果、０．５ μｍ のパターンが形
成できたに拘らず、パターンの上部が庇状に出張ってい
た。 比較例２：ポリマ−としてポリテトラハイドロピラニル
メタクリレート（Ｐｏｌｙ ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｐｙ
ｒａｎｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｒａｔｅ）を用い、これ
に光酸発生剤としてトリフェニルスルホニウムヘキサフ
ルオロアンチモネートをポリマーに対して５重量％加え
、濃度が１５％のシクロヘキサノン溶液を作り、これを
レジストとした。
成できたに拘らず、パターンの上部が庇状に出張ってい
た。 比較例２：ポリマ−としてポリテトラハイドロピラニル
メタクリレート（Ｐｏｌｙ ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｐｙ
ｒａｎｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｒａｔｅ）を用い、これ
に光酸発生剤としてトリフェニルスルホニウムヘキサフ
ルオロアンチモネートをポリマーに対して５重量％加え
、濃度が１５％のシクロヘキサノン溶液を作り、これを
レジストとした。
【００２５】このレジスト液をＳｉ基板上にスピンコー
トした後、１００ ℃で２０分間ベークして厚さが１μ
ｍ のレジスト膜を形成した。次に、ＫｒＦ エキシマ
ステッパを用いて露光した後、１００ ℃，６０ 秒の
ベークを行い、その後、ＴＭＡＨ ２．３８ ％のアル
カリ水溶液を用いて１分間現像した。
トした後、１００ ℃で２０分間ベークして厚さが１μ
ｍ のレジスト膜を形成した。次に、ＫｒＦ エキシマ
ステッパを用いて露光した後、１００ ℃，６０ 秒の
ベークを行い、その後、ＴＭＡＨ ２．３８ ％のアル
カリ水溶液を用いて１分間現像した。
【００２６】その結果、０．５ μｍ のパターンが形
成できたに拘らず、パターンの上部が庇状に出張ってい
た。 比較例３：ポリマ−としてポリテトラハイドロピラニル
メタクリレートを用い、これに光酸発生剤としてベンゾ
イントシレート（Ｂｅｎｚｏｉｎ ｔｏｓｙｌａｔｅ）
をポリマーに対して１重量％加え、濃度が１５％のシク
ロヘキサノン溶液を作り、これをレジストとした。
成できたに拘らず、パターンの上部が庇状に出張ってい
た。 比較例３：ポリマ−としてポリテトラハイドロピラニル
メタクリレートを用い、これに光酸発生剤としてベンゾ
イントシレート（Ｂｅｎｚｏｉｎ ｔｏｓｙｌａｔｅ）
をポリマーに対して１重量％加え、濃度が１５％のシク
ロヘキサノン溶液を作り、これをレジストとした。
【００２７】このレジスト液をＳｉ基板上にスピンコー
トした後、１００ ℃で２０分間ベークして厚さが１μ
ｍ のレジスト膜を形成した。次に、ＫｒＦ エキシマ
ステッパを用いて露光した後、１００ ℃，６０ 秒の
ベークを行い、その後、ＴＭＡＨ ２．３８ ％のアル
カリ水溶液を用いて１分間現像した。
トした後、１００ ℃で２０分間ベークして厚さが１μ
ｍ のレジスト膜を形成した。次に、ＫｒＦ エキシマ
ステッパを用いて露光した後、１００ ℃，６０ 秒の
ベークを行い、その後、ＴＭＡＨ ２．３８ ％のアル
カリ水溶液を用いて１分間現像した。
【００２８】その結果、０．４ μｍ のパターンが形
成できたに拘らず、パターンの上部が庇状に出張ってい
た。 実施例１：ポリマ−としてポリ−ｔｅｒｔ−ブチルメタ
クリレートを用い、これに光酸発生剤としてトリフェニ
ルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートをポリマ
ーに対して１０重量％加え、濃度が２０％のシクロヘキ
サノン溶液を作り、これをレジストとした。
成できたに拘らず、パターンの上部が庇状に出張ってい
た。 実施例１：ポリマ−としてポリ−ｔｅｒｔ−ブチルメタ
クリレートを用い、これに光酸発生剤としてトリフェニ
ルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートをポリマ
ーに対して１０重量％加え、濃度が２０％のシクロヘキ
サノン溶液を作り、これをレジストとした。
【００２９】このレジスト液をＳｉ基板上にスピンコー
トした後、１００ ℃で２０分間ベークして厚さが１μ
ｍ のレジスト膜を形成した。次に、ＫｒＦ エキシマ
ステッパを用いて露光した後、１００ ℃，６０ 秒の
ベークを行い、その後、濃度が２．３８％のＴＭＡＨ溶
液を用いて１分間現像した。
トした後、１００ ℃で２０分間ベークして厚さが１μ
ｍ のレジスト膜を形成した。次に、ＫｒＦ エキシマ
ステッパを用いて露光した後、１００ ℃，６０ 秒の
ベークを行い、その後、濃度が２．３８％のＴＭＡＨ溶
液を用いて１分間現像した。
【００３０】その結果、上部に庇状の出っ張りのない０
．４ μｍ のパターンを形成することができた。 実施例２：ポリマ−としてポリ−ｔｅｒｔ−ブチルメタ
クリレートを用い、これに光酸発生剤としてトリフェニ
ルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートをポリマ
ーに対して１０重量％加え、濃度が２０％のシクロヘキ
サノン溶液を作り、これをレジストとした。
．４ μｍ のパターンを形成することができた。 実施例２：ポリマ−としてポリ−ｔｅｒｔ−ブチルメタ
クリレートを用い、これに光酸発生剤としてトリフェニ
ルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートをポリマ
ーに対して１０重量％加え、濃度が２０％のシクロヘキ
サノン溶液を作り、これをレジストとした。
【００３１】このレジスト液をＳｉ基板上にスピンコー
トした後、ベークせずに室内に放置して厚さが１μｍ
のレジスト膜を形成した。次に、ＫｒＦ エキシマステ
ッパを用いて露光した後、１００ ℃，６０ 秒のベー
クを行い、その後、濃度が２．３８％のＴＭＡＨ溶液を
用いて１分間現像した。
トした後、ベークせずに室内に放置して厚さが１μｍ
のレジスト膜を形成した。次に、ＫｒＦ エキシマステ
ッパを用いて露光した後、１００ ℃，６０ 秒のベー
クを行い、その後、濃度が２．３８％のＴＭＡＨ溶液を
用いて１分間現像した。
【００３２】その結果、上部に庇状の出っ張りのない０
．４ μｍ のパターンを形成することができた。 実施例３：ポリマ−としてポリテトラハイドロピラニル
メタクリレートを用い、これに光酸発生剤としてトリフ
ェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートをポ
リマーに対して５重量％加え、濃度が１５％のシクロヘ
キサノン溶液を作り、これをレジストとした。
．４ μｍ のパターンを形成することができた。 実施例３：ポリマ−としてポリテトラハイドロピラニル
メタクリレートを用い、これに光酸発生剤としてトリフ
ェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートをポ
リマーに対して５重量％加え、濃度が１５％のシクロヘ
キサノン溶液を作り、これをレジストとした。
【００３３】このレジスト液をＳｉ基板上にスピンコー
トした後、ベークせずに室温で放置して厚さが１μｍ
のレジスト膜を形成した。次に、ＫｒＦ エキシマステ
ッパを用いて露光した後、１００ ℃，６０ 秒のベー
クを行い、その後、濃度が２．３８％のＴＭＡＨ溶液を
用いて１分間現像した。
トした後、ベークせずに室温で放置して厚さが１μｍ
のレジスト膜を形成した。次に、ＫｒＦ エキシマステ
ッパを用いて露光した後、１００ ℃，６０ 秒のベー
クを行い、その後、濃度が２．３８％のＴＭＡＨ溶液を
用いて１分間現像した。
【００３４】その結果、上部に庇状の出っ張りのない０
．４ μｍ のパターンを形成することができた。 実施例４：ポリマ−としてポリテトラハイドロピラニル
メタクリレートを用い、これに光酸発生剤としてベンゾ
イントシレートをポリマーに対して１重量％加え、濃度
が１５％のシクロヘキサノン溶液を作り、これをレジス
トとした。
．４ μｍ のパターンを形成することができた。 実施例４：ポリマ−としてポリテトラハイドロピラニル
メタクリレートを用い、これに光酸発生剤としてベンゾ
イントシレートをポリマーに対して１重量％加え、濃度
が１５％のシクロヘキサノン溶液を作り、これをレジス
トとした。
【００３５】このレジスト液をＳｉ基板上にスピンコー
トした後、１００℃で２０分間ベークして厚さが１μｍ
のレジスト膜を形成した。次に、ＫｒＦ エキシマス
テッパを用いて露光した後、１００ ℃，６０ 秒のベ
ークを行い、その後、濃度が２．３８％のＴＭＡＨ溶液
を用いて１分間現像した。
トした後、１００℃で２０分間ベークして厚さが１μｍ
のレジスト膜を形成した。次に、ＫｒＦ エキシマス
テッパを用いて露光した後、１００ ℃，６０ 秒のベ
ークを行い、その後、濃度が２．３８％のＴＭＡＨ溶液
を用いて１分間現像した。
【００３６】その結果、上部に庇状の出っ張りのない０
．３ μｍ のパターンを形成することができた。 実施例５：ポリマ−としてポリテトラハイドロピラニル
メタクリレートを用い、これに光酸発生剤としてベンゾ
イントシレートをポリマーに対して１重量％加え、濃度
が１５％のシクロヘキサノン溶液を作り、これをレジス
トとした。
．３ μｍ のパターンを形成することができた。 実施例５：ポリマ−としてポリテトラハイドロピラニル
メタクリレートを用い、これに光酸発生剤としてベンゾ
イントシレートをポリマーに対して１重量％加え、濃度
が１５％のシクロヘキサノン溶液を作り、これをレジス
トとした。
【００３７】このレジスト液をＳｉ基板上にスピンコー
トした後、ベークせずに放置して厚さが１μｍ のレジ
スト膜を形成した。次に、ＫｒＦ エキシマステッパを
用いて露光した後、１００ ℃，６０ 秒のベークを行
い、その後、濃度が２．３８％のＴＭＡＨ溶液を用いて
１分間現像した。
トした後、ベークせずに放置して厚さが１μｍ のレジ
スト膜を形成した。次に、ＫｒＦ エキシマステッパを
用いて露光した後、１００ ℃，６０ 秒のベークを行
い、その後、濃度が２．３８％のＴＭＡＨ溶液を用いて
１分間現像した。
【００３８】その結果、上部に庇状の出っ張りのない０
．３ μｍ のパターンを形成することができた。
．３ μｍ のパターンを形成することができた。
【００３９】
【発明の効果】本発明の実施により庇状突出部のないレ
ジストパターンの形成が可能となり、これによりサブミ
クロン・パターンを精度よく作ることができる。
ジストパターンの形成が可能となり、これによりサブミ
クロン・パターンを精度よく作ることができる。
【図１】本発明に係るレジストパターンの形成工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】従来のレジストパターンの形成工程を示す断面
図である。
図である。
１ 被処理基板
２ 化学増感型レジスト
３ 遠紫外線
４ 露光部
５ 庇状突出部
６，７ レジストパターン
Claims (1)
- 【請求項１】 溶剤に溶解した化学増感型レジストを
被処理基板上に塗布し、プレベークしてレジスト膜を形
成した後、該レジスト膜を選択露光し、ポストベークを
行った後にアルカリ現像してレジストパターンを形成す
る処理工程において、前記プリベークを６０℃以下の低
温で行うことを特徴とするレジストパターンの形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11445991A JPH04342260A (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11445991A JPH04342260A (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04342260A true JPH04342260A (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=14638268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11445991A Withdrawn JPH04342260A (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04342260A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5707784A (en) * | 1992-09-16 | 1998-01-13 | Fujitsu Ltd. | Method of forming chemically amplified resist pattern and manufacturing for semiconductor device by using the chemically amplified resist pattern |
| JP2007101738A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | レジスト基板、レジストパターン形成方法及びレジスト基板の保存方法 |
| KR20130030218A (ko) * | 2011-09-15 | 2013-03-26 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 형성 방법 |
| JP2013068840A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
-
1991
- 1991-05-20 JP JP11445991A patent/JPH04342260A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5707784A (en) * | 1992-09-16 | 1998-01-13 | Fujitsu Ltd. | Method of forming chemically amplified resist pattern and manufacturing for semiconductor device by using the chemically amplified resist pattern |
| JP2007101738A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | レジスト基板、レジストパターン形成方法及びレジスト基板の保存方法 |
| KR20130030218A (ko) * | 2011-09-15 | 2013-03-26 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 형성 방법 |
| JP2013068840A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980806 |