JPH06244156A

JPH06244156A - パタ―ン形成法

Info

Publication number: JPH06244156A
Application number: JP4717393A
Authority: JP
Inventors: Eiichi Yamamoto; 栄一山本; Shigekazu Uematsu; 重和植松
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1993-02-15
Filing date: 1993-02-15
Publication date: 1994-09-02

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】溝または穴によるパタ―ンがフォトレジスト
でなる層のパタ―ンよりも十分小さな最小寸法を有する
ものとして、容易に形成する。【構成】基板上に第１の層を形成し、その第１の層上
に、目的とする層の溝または穴によるパタ―ンに対応し
たパタ―ンを有し且つフォトレジストでなる第２の層
を、フォトリソグラフィ法によって光を用いて形成し、
その第２の層に対する等方性エッチング処理によって、
上記第２の層から、上記第２のパタ―ンに比し小さな第
３のパタ―ンを有する第３の層を形成し、上記第１の層
に対する上記第３の層をマスクとする異方性エッチング
処理によって、上記第１の層から、第４の層を形成し、
上記基板上に、上記第４の層を側方から埋めた第６の層
を形成し、次で、上記第４の層を上記基板上から除去す
ることによって、第６の層を、溝または穴によるパタ―
ンを有する目的の層として得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路など
を、溝または穴によるパタ―ンを有する層を例えばマス
クとして用いて形成する場合に適用して好適なパタ―ン
形成法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体基板本体または絶縁性基板
本体上に半導体層または絶縁層が形成されている、また
は形成されていない基板上に、フォトレジストでなる層
を形成し、次に、そのフォトレジストでなる層を、光に
よって、マスクを用いて、目的とする層の溝または穴に
よるパタ―ンに対応したパタ―ンに露光し、続いて現像
処理を行うことによって、フォトレジストでなる層か
ら、溝または穴によるパタ―ンを有する層を、目的とす
る層として形成する、というパタ―ン形成法（以下、こ
れを、従来の第１のパタ―ン形成法と称す）が提案され
ている。

【０００３】また、従来、上述したと同様の基板上に、
Ｘ線レジストでなる層を形成し、次に、そのＸ線レジス
トでなる層を、Ｘ線によって、マスクを用いて、目的と
する層の溝または穴によるパタ―ンに対応したパタ―ン
に照射し、続いて現像処理を行うことによって、Ｘ線レ
ジストでなる層から、溝または穴によるパタ―ンを有す
る層を、目的とする層として形成する、というパタ―ン
形成法（以下、これを、従来の第２のパタ―ン形成法と
称す）も提案されている。

【０００４】さらに、従来、上述したと同様の基板上
に、電子線レジストでなる層を形成し、次に、その電子
線レジストでなる層を、電子ビ―ムによって、目的とす
る層の溝または穴によるパタ―ンに対応しているパタ―
ンに照射し、続いて現像処理を行うことによって、電子
線レジストでなる層から、溝または穴によるパタ―ンを
有する層を、目的とする層として形成する、というパタ
―ン形成法（以下、これを、従来の第３のパタ―ン形成
法と称す）も提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の第１の
パタ―ン形成法は、基板上に形成したフォトレジストで
なる層から、それに対するマスクを用いた露光、続く現
像処理によって、溝または穴によるパタ―ンを有する層
を、目的とする層として形成するようにしているので、
基板上に形成したフォトレジストでなる層から、いわゆ
るフォトリソグラフィ法によって、溝または穴によるパ
タ―ンを有する目的の層を形成している。

【０００６】このため、すなわち、溝または穴によるパ
タ―ンを有する目的の層を、いわゆるフォトリソグラフ
ィ法によって、光を用いて形成するようにしているの
で、目的の層を、溝または穴によるパタ―ンが光の波長
から決まる０．５μｍオ―ダの最小寸法を有するものと
して、形成することができる。

【０００７】しかしながら、上述した従来の第１のパタ
―ン形成法の場合、溝または穴によるパタ―ンを有する
目的の層を、上述したように、フォトリソグラフィ法に
よって、光を用いて形成するようにしていることの制限
のため、目的の層を、溝または穴によるパタ―ンが０．
５μｍオ―ダよりも十分小さな最小寸法を有するものと
して形成することができない、という欠点を有してい
た。

【０００８】また、上述した従来の第２のパタ―ン形成
法は、基板上に形成したＸ線レジストでなる層から、そ
れに対するマスクを用いたＸ線の照射、続く現像処理に
よって、溝または穴によるパタ―ンを有する層を、目的
とする層として形成するようにしているので、基板上に
形成したＸ線レジストでなる層から、いわゆるＸ線リソ
グラフィ法によって、溝または穴によるパタ―ンを有す
る目的の層を形成している。

【０００９】このため、すなわち、溝または穴によるパ
タ―ンを有する目的の層を、いわゆるＸ線リソグラフィ
法によって、Ｘ線を用いて形成するようにしているの
で、目的の層を、溝または穴によるパタ―ンがＸ線の波
長から決まる０．２μｍオ―ダの、上述した従来の第１
のパタ―ン形成法の場合に比し小さな最小寸法を有する
ものとして、形成することができる。

【００１０】しかしながら、上述した従来の第２のパタ
―ン形成法の場合、上述したＸ線リソグラフィ法によっ
てＸ線レジストでなる層にＸ線を照射させる、というた
めの大きな施設を必要とする、などの欠点を有してい
た。

【００１１】さらに、上述した従来の第３のパタ―ン形
成法は、基板上に形成した電子線レジストでなる層か
ら、それに対する電子ビ―ムの照射、続く現像処理によ
って、溝または穴によるパタ―ンを有する層を、目的と
する層として形成するようにしているので、基板上に形
成した電子線レジストでなる層から、いわゆる電子線リ
ソグラィ法によって、溝または穴によるパタ―ンを有す
る目的の層を形成している。

【００１２】このため、すなわち、溝または穴によるパ
タ―ンを有する目的の層を、いわゆる電子線リソグラフ
ィ法によって、電子ビ―ムを用いて形成するようにして
いるので、目的の層を、溝または穴によるパタ―ンが電
子ビ―ムの最小径から決まる０．２μｍオ―ダの、上述
した従来の第１のパタ―ン形成法の場合に比し小さな最
小寸法を有するものとして、形成することができる。

【００１３】しかしながら、上述した従来の第３のパタ
―ン形成法の場合、上述した電子線リソグラフィ法によ
って電子線レジストでなる層に電子ビ―ムを照射させる
のに比較的長い時間を要する、などの欠点を有してい
た。

【００１４】よって、本発明は、上述した欠点のない、
新規なパタ―ン形成法を提案せんとするものである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本願第１番目の発明によ
るパタ―ン形成法は、（ｉ）基板上に、その表面を形成
している材料及びフォトレジストとは異なる材料でなる
第１の層を形成する工程と、（ｉｉ）その第１の層上
に、目的とする層の溝または穴による第１のパタ―ンに
対応した第２のパタ―ンを有し且つ上記フォトレジスト
でなる第２の層をフォトリソグラフィ法によって形成す
る工程と、（ｉｉｉ）その第２の層に対する等方性エッ
チング処理によって、その第２の層から、上記第２のパ
タ―ンに比し小さな第３のパタ―ンを有する第３の層を
形成する工程と、（ｉｖ）上記第１の層に対する上記第
３の層をマスクとする異方性エッチング処理によって、
上記第１の層から、上記第３の層の第３のパタ―ンに対
応した第４のパタ―ンを有する第４の層を形成する工程
と、（ｖ）上記第３の層を、上記第４の層上から除去す
る工程と、（ｖｉ）上記基板上に、上記第４の層とは異
なる材料でなる第５の層を、上記第４の層を全く埋設し
且つ平らな上面を形成するように形成する工程と、（ｖ
ｉｉ）上記第５の層に対する上方からの異方性エッチン
グ処理によって、上記第５の層から、上記第４の層の上
面を外部に露出させるのに十分な厚さを有する第６の層
を形成する工程と、（ｖｉｉｉ）上記第４の層を上記基
板上から除去することによって、上記第６の層を、上記
溝または穴による第１のパタ―ンを有する目的の層とし
て形成する工程とを有する。

【００１６】本願第２番目の発明によるパタ―ン形成法
は、（ｉ）基板上に、その表面を形成している材料及び
フォトレジストとは異なる材料でなる第１の層を形成す
る工程と、（ｉｉ）その第１の層上に、目的とする層の
溝または穴による第１のパタ―ンに対応した第２のパタ
―ンを有し且つフォトレジストでなる第２の層をフォト
リソグラフィ法によって形成する工程と、（ｉｉｉ）上
記第１の層に対する上記第２の層をマスクとする異方性
エッチング処理によって、上記第１の層から、上記第２
の層の第２のパタ―ンに対応した第３のパタ―ンを有す
る第３の層を形成する工程と、（ｉｖ）その第３の層に
対する上記第２の層をマスクとする等方性エッチング処
理によって、その第３の層から、上記第３のパタ―ンに
比し小さな第４のパタ―ンを有する第４の層を形成する
工程と、（ｖ）上記第２の層を、上記第４の層上から除
去する工程と、（ｖｉ）上記基板上に、上記第４の層と
は異なる材料でなる第５の層を、上記第４の層を全く埋
設し且つ平らな上面を形成するように形成する工程と、
（ｖｉｉ）上記第５の層に対する上方からの異方性エッ
チング処理によって、上記第５の層から、上記第４の層
の上面を外部に露出させるのに十分な厚さを有する第６
の層を形成する工程と、（ｖｉｉｉ）上記第４の層を上
記基板上から除去することによって、上記第６の層を、
上記溝または穴による第１のパタ―ンを有する目的の層
として形成する工程とを有する。

【００１７】本願第３番目の発明によるパタ―ン形成法
は、（ｉ）基板上に、その表面を形成している材料とは
異なる材料でなる第１の層を形成する工程と、（ｉｉ）
その第１の層上に、その材料及びフォトレジストとは異
なる材料でなる第２の層を、上記第１の層に比し十分薄
い厚さに形成する工程と、（ｉｉｉ）その第２の層上
に、目的とする層の溝または穴による第１のパタ―ンに
対応した第２のパタ―ンを有し且つ上記フォトレジスト
でなる第３の層をフォトリソグラフィ法によって形成す
る工程と、（ｉｖ）その第３の層に対する等方性エッチ
ング処理によって、その第３の層から、上記第２のパタ
―ンに比し小さな第３のパタ―ンを有する第４の層を形
成する工程と、（ｖ）上記第２の層上に、その第２の層
及び上記第４の層とは異なる材料でなる第５の層を、上
記第４の層を覆うように形成する工程と、（ｖｉ）上記
第５の層に対する上方からの異方性エッチング処理によ
って、上記第５の層から、上記第４の層の上面を外部に
露出させるのに十分な厚さを有する第６の層を形成する
工程と、（ｖｉｉ）上記第４の層を、上記第２の層上か
ら除去することによって、上記第６の層を、溝または穴
による第４のパタ―ンを有するマスク層として形成する
工程と、（ｖｉｉｉ）上記第２の層に対する上記マスク
層をマスクとする異方性エッチング処理によって、上記
第２の層から、上記溝または穴による第４のパタ―ンに
対応した溝または穴による第５のパタ―ンを有する第７
の層を形成する工程と、（ｉｘ）上記第６の層を、上記
第７の層上から除去する工程と、（ｘ）上記第１の層に
対する上記第７の層をマスクとする異方性エッチング処
理によって、上記第１の層から、上記第７の層の溝また
は穴による第５のパタ―ンに対応した溝または穴による
第６のパタ―ンを有する第８の層を、上記溝または穴に
よる第１のパタ―ンを有する目的とする層として形成す
る工程と、（ｘｉ）上記第７の層を、上記第８の層上か
ら除去する工程とを有する。

【００１８】

【作用・効果】本願第１番目の発明によるパタ―ン形成
法によれば、第６の層、従って目的の層は、その溝また
は穴による第１のパタ―ンが第１の層から形成される第
４の層の第４のパタ―ンに対応しているものとして形成
され、一方、第４の層は、その第４のパタ―ンが第２の
パタ―ンを有する第２の層から形成される第３の層の第
３のパタ―ンに対応しているものとして、形成される。
従って、第６の層、従って目的の層は、その第１のパタ
―ンが第２のパタ―ンを有する第２の層から形成される
第３の層の第３のパタ―ンに対応しているものとして形
成される。

【００１９】ところで、第３のパタ―ンを有する第３の
層は、第２のパタ―ンを有する第２の層から、それに対
する等方性エッチング処理によって形成されるので、そ
の第３の層を、その第３のパタ―ンが論理的には零に近
い最小寸法を有するものとして容易に形成することがで
きる。

【００２０】このため、第２の層を、前述した従来の第
１のパタ―ン形成法の場合と同様に、フォトリソグラフ
ィ法によって光を用いて形成することから、第２の層の
第２のパタ―ンが光の波長から決まる０．５μｍオ―ダ
よりも小さな最小寸法を有するものとして、形成するこ
とができなくても、第３の層を、その第３のパタ―ンが
前述した従来の第２及び第３のパタ―ン形成法によって
形成される目的の層のパタ―ンの最小寸法である０．２
μｍよりも十分小さな最小寸法を有するものとして、容
易に形成することができる。

【００２１】また、第２の層を、前述した従来の第１の
パタ―ン形成法の場合と同様に、フォトリソグラフィ法
によって光を用いて形成するとしても、第２の層を含む
各層を、前述した従来の第２のパタ―ン形成法の場合の
ようにＸ線リソグラフィ法によってＸ線を用いて形成し
たり、前述した従来の第３のパタ―ン形成法の場合のよ
うに電子線リソグラフィ法によって電子ビ―ムを用いて
形成したりすることなしに、形成しているので、前述し
た従来の第２及び第３のパタ―ン形成法が有していた欠
点を有効に回避することができる。

【００２２】以上のことから、本願第１番目の発明によ
るパタ―ン形成法によれば、目的の層を、その溝または
穴による第１のパタ―ンが前述した従来の第２及び第３
のパタ―ン形成法に形成される目的の層のパタ―ンより
も十分小さな最小寸法を有するものとして、前述した従
来の第１、第２及び第３のパタ―ン形成法の欠点を有す
ることなしに、容易に形成することができる。

【００２３】また、本願第２番目の発明によるパタ―ン
形成法によれば、第６の層、従って目的の層は、その溝
または穴による第１のパタ―ンが第１の層から形成され
る第４の層の第４のパタ―ンに対応しているものとして
形成され、一方、第４の層は、第２の層の第２のパタ―
ンに対応している第３のパタ―ンを有する第３の層か
ら、それに対する等方性エッチング処理によって形成さ
れる。

【００２４】このため、第４の層を、その第３のパタ―
ンが論理的には零に近い最小寸法を有するものとして、
容易に形成することができる。

【００２５】従って、第３のパタ―ンを有する第３の層
を、第１の層から、第２のパタ―ンを有する第２の層を
マスクとする異方性エッチング処理によって形成し、そ
して、この場合にマスクとして用いている第２の層を、
前述した従来の第１のパタ―ン形成法の場合と同様に、
フォトリソグラフィ法によって光を用いて形成すること
から、第２の層の第２のパタ―ンが光の波長から決まる
０．５μｍオ―ダよりも十分小さな最小寸法を有するも
のとして形成することができなく、このため、第３の層
を、その第３のパタ―ンが、同様に、０．５μｍオ―ダ
よりも十分小さな最小寸法を有するものとして、形成す
ることがてなきなくても、第４の層を、その第４のパタ
―ンが前述した従来の第２及び第３のパタ―ン形成法に
よって形成される目的の層のパタ―ンの最小寸法である
０．２μｍよりも十分小さな最小寸法を有するものとし
て、容易に形成することができる。

【００２６】また、第２の層を、前述した従来の第１の
パタ―ン形成法の場合と同様に、フォトリソグラフィ法
によって、光を用いて形成するとしても、第２の層を含
む各層を、前述した従来の第２のパタ―ン形成法の場合
のようにＸ線リソグラフィ法によってＸ線を用いて形成
したり、前述した従来の第３のパタ―ン形成法の場合の
ように電子線リソグラフィ法によって電子ビ―ムを用い
て形成したりすることなしに、形成しているので、前述
した従来の第２及び第３のパタ―ン形成法が有していた
欠点を有効に回避することができる。

【００２７】以上のことから、本願第２番目の発明によ
るパタ―ン形成法による場合も、本願第１番目の発明に
よるパタ―ン形成法の場合と同様に、目的の層を、その
溝または穴による第１のパタ―ンが前述した従来の第２
及び第３のパタ―ン形成法に形成される目的の層のパタ
―ンよりも十分小さな最小寸法を有するものとして、前
述した従来の第１、第２及び第３のパタ―ン形成法の欠
点を有することなしに、容易に形成することができる。

【００２８】さらに、本願第３番目の発明によるパタ―
ン形成法によれば、第８の層、従って目的の層は、その
溝または穴による第１のパタ―ンが第２の層から形成さ
れる第７の層の第５のパタ―ンに対応しているものとし
て形成され、一方、第７の層は、その第５のパタ―ンが
第２のパタ―ンを有する第３の層から形成される第４の
層の第３のパタ―ンに対応しているものとして、形成さ
れる。従って、第８の層、従って目的の層は、その第１
のパタ―ンが第２のパタ―ンを有する第３の層から形成
される第４の層の第３のパタ―ンに対応しているものと
して形成される。

【００２９】ところで、第３のパタ―ンを有する第４の
層は、第２のパタ―ンを有する第３の層から、それに対
する等方性エッチング処理によって形成されるので、そ
の第４の層を、その第３のパタ―ンが論理的には零に近
い最小寸法を有するものとして容易に形成することがで
きる。

【００３０】このため、第３の層３を、前述した従来の
第１のパタ―ン形成法の場合と同様に、フォトリソグラ
フィ法によって光を用いて形成することから、第３の層
の第２のパタ―ンが光の波長から決まる０．５μｍオ―
ダよりも十分小さな最小寸法を有するものとして形成す
ることができなくても、第４の層を、その第３のパタ―
ンが前述した従来の第２及び第３のパタ―ン形成法によ
って形成される目的の層のパタ―ンの最小寸法である
０．２μｍよりも十分小さな最小寸法を有するものとし
て、容易に形成することができる。

【００３１】また、第３の層を、前述した従来の第１の
パタ―ン形成法の場合と同様に、フォトリソグラフィ法
によって、光を用いて形成するとしても、第３の層を含
む各層を、前述した従来の第２のパタ―ン形成法の場合
のようにＸ線リソグラフィ法によってＸ線を用いて形成
したり、前述した従来の第３のパタ―ン形成法の場合の
ように電子線リソグラフィ法によって電子ビ―ムを用い
て形成したりすることなしに、形成しているので、前述
した従来の第２及び第３のパタ―ン形成法が有していた
欠点を有効に回避することができる。

【００３２】以上のことから、本願第３番目の発明によ
るパタ―ン形成法による場合も、目的の層を、図１及び
図２で上述した本発明によるパタ―ン形成法の場合と同
様に、その溝または穴による第１のパタ―ンが前述した
従来の第２及び第３のパタ―ン形成法に形成される目的
の層のパタ―ンよりも十分小さな最小寸法を有するもの
として、前述した従来の第１、第２及び第３のパタ―ン
形成法の欠点を有することなしに、容易に形成すること
ができる。

【００３３】

【実施例１】次に、図１〜図２を伴って、本発明による
パタ―ン形成法の第１の実施例を述べよう。

【００３４】図１〜図２に示す本発明によるパタ―ン形
成法は、次に述べる順次の工程をとって、溝または穴に
よるパタ―ンを有する層を形成する。

【００３５】すなわち、予め用意された半導体基板本体
または絶縁性基板本体上に半導体層または絶縁層が形成
されている、または形成されていない基板１上に、その
表面を形成している材料及びフォトレジストとは異なる
材料でなる第１の層２を、それ自体は公知の種々の方法
によって形成する（図１Ａ）。

【００３６】この場合、第１の層２は、塗布によって形
成するのを可とし、またその塗布によって形成する第１
の層２は、絶縁材料、例えばシリコン酸化物でなり得
る。

【００３７】次に、第１の層２上に、目的とする層の溝
または穴による第１のパタ―ンに対応している第２のパ
タ―ンを有し且つそれ自体は公知の種々のフォトレジス
トでなる第２の層３を、それ自体は公知のフオトリソグ
ラフィ法によって、光を用いて形成する（図１Ｂ）。

【００３８】この場合、第２の層３を、前述した従来の
第１のパタ―ン形成法について上述したと同様のフォト
リソグラフィ法によって、同様の光を用いて形成し得
る。

【００３９】次に、第２の層３に対する等方性エッチン
グ処理によって、第２の層３から、その第２のパタ―ン
に比し小さな寸法の第３のパタ―ンを有する第３の層
３′を形成する（図１Ｃ）。

【００４０】この場合、等方性エッチング処理は、第１
の層２がシリコン酸化物の塗布によって形成された層で
なる場合、第２の層がノボラック系フォトレジスト以外
のフォトレジストでなる場合であっても、酸素系プラズ
マエッチング処理とし得、また、第１の層２がシリコン
酸化物の塗布によって形成された層でなり、また第２の
層３がノボラック系フォトレジストでなる場合、アルカ
リ溶液をエッチャントとするウェットエッチング処理と
し得る。

【００４１】次に、第１の層２に対する第３の層３′を
マスクとする異方性エッチング処理によって、第１の層
２から、第３の層３′下の領域でなる、第３の層３′の
第３のパタ―ンに対応した第４のパタ―ンを有する第４
の層２′を形成する（図１Ｄ）。

【００４２】この場合、異方性エッチング処理は、第１
の層２がシリコン酸化物の塗布によって形成された層で
なる場合、ＣＨＦ₃系ガスによる反応性イオンエッチン
グ処理とし得る。

【００４３】次に、第３の層３′を、第４の層２′上か
ら、それ自体は公知の種々の方法によって除去する（図
１Ｅ）。

【００４４】次に、基板１上に、爾後溝または穴による
パタ―ンを有する目的の層になる第４の層２′とは異な
る材料でなる第５の層４を、第４の層２′を埋設し且つ
平らな上面を形成するように、比較的厚い厚さに形成す
る（図１Ｆ）。

【００４５】この場合、第５の層４は、有機材料、例え
ばフォトレジスト、ポリイミドでなるものとし得る。

【００４６】次に、第５の層４に対する上方からの異方
性エッチング処理によって、第５の層４から、第４の層
２′の上面を外部に露出させるのに十分な厚さを有する
第６の層４′を形成する（図１Ｇ）。

【００４７】この場合、異方性エッチング処理は、第４
の層２′がシリコン酸化物の塗布によって形成された層
から形成された層でなり、また、第５の層４が、フォト
レジスト、ポリイミドなどの有機材料でなる場合、酸素
系ガスによる反応性イオンエッチング処理とし得る。

【００４８】次に、第４の層２′を基板１上から除去す
ることによって、第６の層４′を、溝または穴による第
１のパタ―ンを有する目的の層５として形成する（図１
Ｈ）。

【００４９】この場合、基板１の表面がシリコンによる
表面でなり、また、第４の層２′がシリコン酸化物の塗
布によって形成された層から形成された層でなる場合、
１％のＨＦ水溶液を用いることによって、第４の層２′
を、第６の層４′及び基板１に影響を与えることなしに
除去し得る。

【００５０】以上が、本発明によるパタ―ン形成法の第
１の実施例である。

【００５１】図１及び図２に示す本発明によるパタ―ン
形成法によれば、第６の層４′、従って目的の層５（図
２Ｈ）は、その溝または穴による第１のパタ―ンが第１
の層２（図１Ａ）から形成される第４の層２′（図１
Ｄ）の第４のパタ―ンに対応しているものとして形成さ
れ、一方、第４の層２′は、その第４のパタ―ンが第２
のパタ―ンを有する第２の層３（図１Ｂ）から形成され
る第３の層３′（図１Ｃ）の第３のパタ―ンに対応して
いるものとして、形成される。従って、第６の層４′、
従って目的の層５は、その第１のパタ―ンが第２のパタ
―ンを有する第２の層３から形成される第３の層３′の
第３のパタ―ンに対応しているものとして形成される。

【００５２】ところで、第３のパタ―ンを有する第３の
層３′は、第２のパタ―ンを有する第２の層３から、そ
れに対する等方性エッチング処理によって形成されるの
で、その第３の層３′を、その第３のパタ―ンが論理的
には零に近い最小寸法を有するものとして容易に形成す
ることができる。

【００５３】このため、第２の層３を、前述した従来の
第１のパタ―ン形成法の場合と同様に、フォトリソグラ
フィ法によって光を用いて形成することから、第２の層
３の第２のパタ―ンが光の波長から決まる０．５μｍオ
―ダよりも十分小さな最小寸法を有するものとして形成
することができなくても、第３の層３′を、その第３の
パタ―ンが前述した従来の第２及び第３のパタ―ン形成
法によって形成される目的の層のパタ―ンの最小寸法で
ある０．２μｍよりも十分小さな最小寸法を有するもの
として、容易に形成することができる。

【００５４】また、第２の層３を、前述した従来の第１
のパタ―ン形成法の場合と同様に、フォトリソグラフィ
法によって光を用いて形成するとしても、第２の層３を
含む各層を、前述した従来の第２のパタ―ン形成法の場
合のようにＸ線リソグラフィ法によってＸ線を用いて形
成したり、前述した従来の第３のパタ―ン形成法の場合
のように電子線リソグラフィ法によって電子ビ―ムを用
いて形成したりすることなしに、形成しているので、前
述した従来の第２及び第３のパタ―ン形成法が有してい
た欠点を有効に回避することができる。

【００５５】以上のことから、図１及び図２に示す本発
明によるパタ―ン形成法によれば、目的の層５を、その
溝または穴による第１のパタ―ンが前述した従来の第２
及び第３のパタ―ン形成法に形成される目的の層のパタ
―ンよりも十分小さな最小寸法を有するものとして、前
述した従来の第１、第２及び第３のパタ―ン形成法の欠
点を有することなしに、容易に形成することができる。

【００５６】なお、第１の層２（図１Ａ）を、塗布によ
って形成すれば、その第１の層２から形成される第４の
パタ―ンを有する第４の層２′を除去する工程（図２
Ｈ）において、その第４の層２′を、第６の層４′及び
基板１にほとんど影響を与えることなしに、容易に除去
し得、よって、目的とする層を容易に形成することがで
きる。

【００５７】

【実施例２】次に、図３〜図４を伴って、本発明による
パタ―ン形成法の第２の実施例を述べよう。

【００５８】図３〜図４において、図１〜図２との対応
部分には同一符号を付して示す。

【００５９】図３〜図４に示す本発明によるパタ―ン形
成法は、次に述べる順次の工程をとって、図１〜図２で
上述した本発明によるパタ―ン形成法の場合と同様の、
溝または穴によるパタ―ンを有する層を形成する。

【００６０】すなわち、図１〜図２で上述した本発明に
よるパタ―ン形成法の場合と同様に、予め用意された半
導体基板本体または絶縁性基板本体上に半導体層または
絶縁層が形成されている、または形成されていない基板
１上に、その表面を形成している材料及びフォトレジス
トとは異なる材料、例えばシリコン酸化物などの絶縁材
料でなる第１の層２を、例えば塗布によって、形成する
（図３Ａ）。

【００６１】次に、第１の層２上に、図１〜図２で上述
した本発明によるパタ―ン形成法の場合と同様に、目的
とする層の溝または穴による第１のパタ―ンに対応して
いる第２のパタ―ンを有し且つフォトレジストでなる第
２の層３を、それ自体は公知のフォトリソグラフィ法に
よって、光を用いて形成する（図３Ｂ）。

【００６２】次に、第１の層２に対する第２の層３をマ
スクとする異方性エッチング処理によって、第１の層２
から、第２の層３下の領域でなる、その第２の層３の第
２のパタ―ンに対応した第３のパタ―ンを有する第３の
層２″を形成する（図３Ｃ）。この場合、異方性エッチ
ング処理は、第１の層２が、シリコン酸化物の塗布層で
なる場合、ＣＨＦ₃系ガスによる反応性イオンエッチン
グ処理とし得る。

【００６３】次に、第３の層２″に対する第２の層３を
マスクとする等方性エッチング処理によって、第３の層
２″から、その第３のパタ―ンに比し小さな第４のパタ
―ンを有する第４の層２′を形成する（図３Ｄ）。

【００６４】この場合、等方性エッチング処理は、第３
の層２″がシリコン酸化物の塗布層から形成された層で
なる場合、フレオン系プラズマエッチング処理、ＨＦ水
溶液をエッチャントとするウェットエッチング処理など
とし得る。

【００６５】次に、第２の層３を、第４の層２′上か
ら、それ自体は公知の種々の方法によって除去する（図
４Ｅ）。

【００６６】次に、基板１上に、図１〜図２で上述した
本発明によるパタ―ン形成法の場合に準じて、爾後溝ま
たは穴による第１のパタ―ンを有する目的の層になる、
第４の層２′とは異なる材料、例えばフォトレジスト、
ポリイミドなどの有機材料でなる第５の層４を、第４の
層２′を埋設し且つ平らな上面を形成するように、比較
的厚い厚さに形成する（図４Ｆ）。

【００６７】次に、図１〜図２で上述した本発明による
パタ―ン形成法の場合に準じて、第５の層４に対する上
方からのエッチング処理によって、第５の層４から、第
４の層２′の上面を外部に露出させるのに十分な厚さを
有する第６の層４′を形成する（図４Ｇ）。

【００６８】この場合、エッチング処理は、酸素系ガス
による反応性イオンエッチング処理とし得る。

【００６９】次に、第４の層２′を、図１〜図２で上述
した本発明によるパタ―ン形成法の場合に準じて、基板
１上から除去することによって、第６の層４′を、溝ま
たは穴による第１のパタ―ンを有する目的の層５として
形成する（図４Ｈ）。この場合、第４の層２′がシリコ
ン酸化物の塗布層から形成された層でなり、また、第６
の層４′が上述したフォトレジスト、ポリイミドなどの
有機材料でなり、さらに基板１の表面がシリコンの表面
でなる場合、１％のＨＦ水溶液を用いることによって、
第４の層２′を、第６の層４′及び基板１に影響を与え
ることなしに、除去し得る。

【００７０】以上が、本発明によるパタ―ン形成法の第
２の実施例である。

【００７１】図３及び図４に示す本発明によるパタ―ン
形成法によれば、第６の層４′、従って目的の層５（図
２Ｈ）は、その溝または穴による第１のパタ―ンが第１
の層２（図１Ａ）から形成される第４の層２′（図１
Ｄ）の第４のパタ―ンに対応しているものとして形成さ
れ、一方、第４の層２′は、第２の層３（図１Ｂ）の第
２のパタ―ンに対応している第３のパタ―ンを有する第
３の層２″（図１Ｃ）から、それに対する等方性エッチ
ング処理によって形成される。

【００７２】このため、第４の層２′を、その第３のパ
タ―ンが論理的には零に近い最小寸法を有するものとし
て、容易に形成することができる。

【００７３】従って、第３のパタ―ンを有する第３の層
２″（図１Ｃ）を、第１の層２（図１Ａ）から、第２の
パタ―ンを有する第２の層３（図１Ｂ）をマスクとする
異方性エッチング処理によって形成し、そして、この場
合にマスクとして用いている第２の層３を、前述した従
来の第１のパタ―ン形成法の場合と同様に、フォトリソ
グラフィ法によって光を用いて形成することから、第２
の層３の第２のパタ―ンが光の波長から決まる０．５μ
ｍオ―ダよりも十分小さな最小寸法を有するものとして
形成することができなく、このため、第３の層２″を、
その第３のパタ―ンが、同様に、０．５μｍオ―ダより
も十分小さな最小寸法を有するものとして、形成するこ
とがてなきなくても、第４の層２′を、その第４のパタ
―ンが前述した従来の第２及び第３のパタ―ン形成法に
よって形成される目的の層のパタ―ンの最小寸法である
０．２μｍよりも十分小さな最小寸法を有するものとし
て、容易に形成することができる。

【００７４】また、第２の層３を、前述した従来の第１
のパタ―ン形成法の場合と同様に、フォトリソグラフィ
法によって、光を用いて形成するとしても、第２の層３
を含む各層を、前述した従来の第２のパタ―ン形成法の
場合のようにＸ線リソグラフィ法によってＸ線を用いて
形成したり、前述した従来の第３のパタ―ン形成法の場
合のように電子線リソグラフィ法によって電子ビ―ムを
用いて形成したりすることなしに、形成しているので、
前述した従来の第２及び第３のパタ―ン形成法が有して
いた欠点を有効に回避することができる。

【００７５】以上のことから、図３及び図４に示す本発
明によるパタ―ン形成法による場合も、図１及び図２で
上述した本発明によるパタ―ン形成法の場合と同様に、
目的の層５を、その溝または穴による第１のパタ―ンが
前述した従来の第２及び第３のパタ―ン形成法に形成さ
れる目的の層のパタ―ンよりも十分小さな最小寸法を有
するものとして、前述した従来の第１、第２及び第３の
パタ―ン形成法の欠点を有することなしに、容易に形成
することができる。

【００７６】なお、第１の層２（図１Ａ）を、塗布によ
って形成すれば、図１及び図２に示す本発明によるパタ
―ン形成法で述べたと同様に、その第１の層２から形成
される第４のパタ―ンを有する第４の層２′を除去する
工程（図２Ｈ）において、その第４の層２′を、第６の
層４′及び基板１にほとんど影響を与えることなしに、
容易に除去し得、よって、目的とする層を容易に形成す
ることができる。

【００７７】

【実施例３】次に、図５〜図７を伴って、本発明による
パタ―ン形成法の第３の実施例を述べよう。

【００７８】図５〜図７において、図１〜図２との対応
部分には同一符号を付して示す。

【００７９】図５〜図７に示す本発明によるパタ―ン形
成法は、次に述べる順次の工程をとって、図１〜図２で
上述した本発明によるパタ―ン形成法の場合と同様の、
溝または穴によるパタ―ンを有する層を形成する。

【００８０】すなわち、予め用意された半導体基板本体
または絶縁性基板本体上に半導体層または絶縁層が形成
されている、または形成されていない基板１上に、その
表面を形成している材料とは異なる材料でなる第１の層
１１を、それ自体は公知の種々の方法によって形成する
（図５Ａ）。

【００８１】この場合、基板１上に、フォトレジスト、
Ｘ線レジスト、電子線レジストなどのレジストでなる層
を塗布形成し、次で、そのレジストでなる層を塗布形成
している基板１を電気炉内に配し、その電気炉を用い
て、レジストでなる層を例えば２４０℃程度の温度で焼
きしめ、その焼きしめられたレジストでなる層を、第１
の層１１とするのを可とする。

【００８２】次に、第１の層１１上に、その材料及びフ
ォトレジストとは異なる材料でなる第２の層１２を、第
１の層１１に比し十分薄い厚さに、それ自体は公知の種
々の方法によって形成する（図５Ｂ）。

【００８３】この場合、第１の層１１上にアモルファス
シリコンでなる層を例えばスパッタリング法によって形
成し、そのアモルファスシリコンでなる層を、第２の層
１２とするのを可とする。

【００８４】次に、第２の層１２上に、目的とする層の
溝または穴による第１のパタ―ンに対応する第２のパタ
―ンを有し且つフォトレジストでなる第３の層３を、そ
れ自体は公知のフォトリソグラフィ法によって形成する
（図５Ｃ）。

【００８５】この場合、第２の層１２上に第１のパタ―
ンを有するフォトレジストでなる層をフォトリソグラフ
ィ法によって光を用いて形成し、次で、そのフォトレジ
ストでなる層の表面を紫外線で照射しながらの熱処理に
よって硬化させ、次で、その表面が硬化しているフォト
レジスト層を形成している基板１を電気炉内に配し、そ
の電気炉を用いて、フォトレジストでなる層を２４０℃
程度の温度で焼きしめ、その焼きしめられたフォトレジ
ストでなる層を、第３の層３とするのを可とする。

【００８６】次に、第３の層３に対する等方性エッチン
グ処理によって、第３の層３から、その第２のパタ―ン
に比し小さな第３のパタ―ンを有する第４の層３′を形
成する（図５Ｄ）。

【００８７】この場合、等方性エッチング処理は、第２
の層１２がアモルファスシリコンでなる場合、第３の層
３がノボラック系以外のフォトレジストであっても、酸
素系プラズマエッチング処理とし得、また、第２の層１
２がアモルファスシリコンでなり、また、第３の層３が
ノボラック系フォトレジストでなる場合、アルカリ溶液
をエッチャントとするウェットエッチング処理とし得
る。

【００８８】次に、第２の層１２上に、第２の層１２及
び第４の層３′とは異なる材料でなる第５の層１５を、
第４の層３′を覆うように形成する（図６Ｅ）。

【００８９】この場合、第５の層１５は、シリコン酸化
物の塗布層でなるものとし得る。

【００９０】次に、第５の層１５に対する上方からの異
方性エッチング処理によって、第５の層１５から、第４
の層３′の上面を外部に露出させるのに十分な厚さを有
する第６の層１５′を形成する（図６Ｆ）。

【００９１】この場合、異方性エッチング処理は、第５
の層１５がシリコン酸化物の塗布層でなる場合、ＣＨＦ
₃系ガスによる反応性イオンエッチング処理とし得る。

【００９２】次に、第４の層３′を、第２の層１２上か
ら除去することによって、第６の層１５′を、溝または
穴による第４のパタ―ンを有するマスク層１６として形
成する（図６Ｇ）。

【００９３】次に、第２の層１２に対するマスク層１６
をマスクとする異方性エッチング処理によって、第２の
層１２から、マスク層１６の溝または穴による第４のパ
タ―ンに対応した溝または穴による第５のパタ―ンを有
する第７の層１２′を形成する（図６Ｈ）。

【００９４】この場合、異方性エッチング処理を、第２
の層１２がアモルファスシリコンでなり、またマスク層
１６がシリコン酸化物の塗布層から形成された層でなる
場合、塩素系ガスのプラズマエッチング処理とし得る。

【００９５】次に、マスク層１６を、第７の層１２′上
から除去する（図７Ｉ）。

【００９６】この場合、第７の層１２′が上述したアモ
ルファスシリコンでなる層から形成された層でなり、ま
た基板１の表面が出力の表面でなり、さらにマスク層１
６が上述したシリコン酸化物の塗布層から形成されたマ
スク層でなる場合、緩衝弗酸溶液をエッチャントとする
ウエットエッチング処理によって、マスク層１６を除去
し得る。

【００９７】次に、第１の層１１に対する第７の層１
２′をマスクとする異方性エッチング処理によって、第
１の層１１から、第７の層１２′の溝または穴による第
５のパタ―ンに対応した溝または穴による第６のパタ―
ンを有する第８の層１１′を、溝または穴による第１の
パタ―ンを有する目的とする層１７として形成する（図
７Ｊ）。

【００９８】この場合、異方性エッチング処理は、第７
の層１２′がアモルファスシリコンでなる層から形成さ
れ、また第１の層１１が上述したレジストでなる場合、
酸素系ガスプラズマエッチング処理とし得る。

【００９９】次に、第７の層１２′を、第８の層１１上
から除去する（図７Ｋ）。この場合、第７の層１２′が
アモルファスシリコンでなる層から形成され、また第８
の層１１′が上述したレジストでなる場合、第７の層１
２′を、塩素系ガスのプラズマエッチング処理によっ
て、第８の層１１′上から除去し得る。

【０１００】以上が、本発明によるパタ―ン形成法の第
３の実施例である。

【０１０１】図５〜図７に示す本発明によるパタ―ン形
成法によれば、第８の層１１′、従って目的の層１１
（図７Ｋ）は、その溝または穴による第１のパタ―ンが
第２の層１２（図１Ｂ）から形成される第７の層（図５
Ｉ）の第５のパタ―ンに対応しているものとして形成さ
れ、一方、第７の層１２′は、その第５のパタ―ンが第
２のパタ―ンを有する第３の層３（図１Ｃ）から形成さ
れる第４の層３′（図１Ｄ）の第３のパタ―ンに対応し
ているものとして、形成される。従って、第８の層１
１′、従って目的の層１７は、その第１のパタ―ンが第
２のパタ―ンを有する第３の層３から形成される第４の
層３′の第３のパタ―ンに対応しているものとして形成
される。

【０１０２】ところで、第３のパタ―ンを有する第４の
層３′は、第２のパタ―ンを有する第３の層３から、そ
れに対する等方性エッチング処理によって形成されるの
で、その第４の層３′を、その第３のパタ―ンが論理的
には零に近い最小寸法を有するものとして容易に形成す
ることができる。

【０１０３】このため、第３の層３を、前述した従来の
第１のパタ―ン形成法の場合と同様に、フォトリソグラ
フィ法によって光を用いて形成することから、第３の層
３の第２のパタ―ンが光の波長から決まる０．５μｍオ
―ダよりも十分小さな最小寸法を有するものとして形成
することができなくても、第４の層３′を、その第３の
パタ―ンが前述した従来の第２及び第３のパタ―ン形成
法によって形成される目的の層のパタ―ンの最小寸法で
ある０．２μｍよりも十分小さな最小寸法を有するもの
として、容易に形成することができる。

【０１０４】また、第３の層３を、前述した従来の第１
のパタ―ン形成法の場合と同様に、フォトリソグラフィ
法によって、光を用いて形成するとしても、第３の層３
を含む各層を、前述した従来の第２のパタ―ン形成法の
場合のようにＸ線リソグラフィ法によってＸ線を用いて
形成したり、前述した従来の第３のパタ―ン形成法の場
合のように電子線リソグラフィ法によって電子ビ―ムを
用いて形成したりすることなしに、形成しているので、
前述した従来の第２及び第３のパタ―ン形成法が有して
いた欠点を有効に回避することができる。

【０１０５】以上のことから、図５〜図７に示す本発明
によるパタ―ン形成法による場合も、目的の層１７を、
図１及び図２で上述した本発明によるパタ―ン形成法の
場合と同様に、その溝または穴による第１のパタ―ンが
前述した従来の第２及び第３のパタ―ン形成法に形成さ
れる目的の層のパタ―ンよりも十分小さな最小寸法を有
するものとして、前述した従来の第１、第２及び第３の
パタ―ン形成法の欠点を有することなしに、容易に形成
することができる。

【０１０６】また、図５〜図７に示す本発明によるパタ
―ン形成法によれば、第４のパタ―ンを有するマスク層
１６（図６Ｇ）が、第２の層１２上に第４の層３′が第
６の層１５′によって取囲まれている状態（図６Ｆ）か
ら、第４の層３′を除去するだけによって、第６の層１
５′から形成されるので、そのマスク層１６を、その第
４のパタ―ンが第４の層３′の第３のパタ―ンに高精度
に忠実なものとして、容易に形成することができ、ま
た、第２の層１２（図５Ｂ）が薄い厚さに形成されてい
るので、第１の層１１（図５Ａ）から、第５のパタ―ン
を有する第７の層１２′をマスクとする異方性エッチン
グ処理によって、第６のパタ―ンを有する第８の層１
１′を形成する工程において、第７の層１２′が薄い厚
さを有し、従って、第８の層１１′を、その第６のパタ
―ンが第７の層１２′の第５のパタ―ンに高精度に忠実
なものとして、容易に形成することができることから、
目的の層１７を、その第１のパタ―ンが第４の層３′の
第３のパタ―ンに高精度に忠実なものとして、容易に形
成することができる。

【０１０７】なお、図５〜図７に示す本発明によるパタ
―ン形成法において、第２の層１２上に第２のパタ―ン
を有する第３の層３を形成する工程において、その第３
の層３を、上述したように焼きしめたフォトレジスト層
に形成すれば、その第３の層１１がフォトレジストでな
るとしても、その第３の層１１から第３のパタ―ンを有
する第４の層３′を形成し、次に、第２の層１２上に、
第５の層１５を、第４の層３′を覆って形成する工程
（図６Ｅ）において、第４の層３′にパタ―ンのくずれ
を生ぜしめるおそれを有効に回避させることができ、よ
って、目的の層１７を、その第１のパタ―ンが高精度を
有するものとして、容易に形成することができる。

【０１０８】なお、上述においては、本発明によるわず
かな実施例を示したに留まり、本発明の精神を脱するこ
となしに、種々の変型、変更をなし得るであろう。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるパタ―ン形成法の第１の実施例を
示す順次の工程における略線的断面図である。

【図２】本発明によるパタ―ン形成法の第１の実施例を
示す、図１に示す順次の工程に続く、順次の工程におけ
る略線的断面図である。

【図３】本発明によるパタ―ン形成法の第２の実施例を
示す順次の工程における略線的断面図である。

【図４】本発明によるパタ―ン形成法の第２の実施例を
示す、図３に示す順次の工程に続く、順次の工程におけ
る略線的断面図である。

【図５】本発明によるパタ―ン形成法の第３の実施例を
示す順次の工程における略線的断面図である。

【図６】本発明によるパタ―ン形成法の第３の実施例を
示す、図５に示す順次の工程に続く、順次の工程におけ
る略線的断面図である。

【図７】本発明によるパタ―ン形成法の第３の実施例を
示す、図６に示す順次の工程に続く、順次の工程におけ
る略線的断面図である。

【符号の説明】

１基板２第１の層２′ 第４のパタ―ンを有する第４の層２″ 第３のパタ―ンを有する第３の層３第２のパタ―ンを有する第２の層、第２のパタ
―ンを有する第３の層３′ 第３のパタ―ンを有する第３の層、第３のパタ
―ンを有する第４の層４第５の層４′ 第６の層５溝または穴による第１のパタ―ンを有する目的
の層１１第１の層１２第２の層１２′ 第５のパタ―ンを有する第７の層１５第５の層１５′ 第６の層１６第４のパタ―ンを有するマスク層１７溝または穴による第１のパタ―ンを有する目
的の層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、その表面を形成している材料
及びフォトレジストとは異なる材料でなる第１の層を形
成する工程と、上記第１の層上に、目的とする層の溝または穴による第
１のパタ―ンに対応した第２のパタ―ンを有し且つ上記
フォトレジストでなる第２の層をフォトリソグラフィ法
によって形成する工程と、上記第２の層に対する等方性エッチング処理によって、
上記第２の層から、上記第２のパタ―ンに比し小さな第
３のパタ―ンを有する第３の層を形成する工程と、上記第１の層に対する上記第３の層をマスクとする異方
性エッチング処理によって、上記第１の層から、上記第
３の層の第３のパタ―ンに対応した第４のパタ―ンを有
する第４の層を形成する工程と、上記第３の層を、上記第４の層上から除去する工程と、上記基板上に、上記第４の層とは異なる材料でなる第５
の層を、上記第４の層を全く埋設し且つ平らな上面を形
成するように形成する工程と、上記第５の層に対する上方からの異方性エッチング処理
によって、上記第５の層から、上記第４の層の上面を外
部に露出させるのに十分な厚さを有する第６の層を形成
する工程と、上記第４の層を上記基板上から除去することによって、
上記第６の層を、上記溝または穴による第１のパタ―ン
を有する目的の層として形成する工程とを有することを
特徴とするパタ―ン形成法。
【請求項２】基板上に、その表面を形成している材料
及びフォトレジストとは異なる材料でなる第１の層を形
成する工程と、上記第１の層上に、目的とする層の溝または穴による第
１のパタ―ンに対応した第２のパタ―ンを有し且つフォ
トレジストでなる第２の層をフォトリソグラフィ法によ
って形成する工程と、上記第１の層に対する上記第２の層をマスクとする異方
性エッチング処理によって、上記第１の層から、上記第
２の層の第２のパタ―ンに対応した第３のパタ―ンを有
する第３の層を形成する工程と、上記第３の層に対する上記第２の層をマスクとする等方
性エッチング処理によって、上記第３の層から、上記第
３のパタ―ンに比し小さな第４のパタ―ンを有する第４
の層を形成する工程と、上記第２の層を、上記第４の層上から除去する工程と、上記基板上に、上記第４の層とは異なる材料でなる第５
の層を、上記第４の層を全く埋設し且つ平らな上面を形
成するように形成する工程と、上記第５の層に対する上方からの異方性エッチング処理
によって、上記第５の層から、上記第４の層の上面を外
部に露出させるのに十分な厚さを有する第６の層を形成
する工程と、上記第４の層を上記基板上から除去することによって、
上記第６の層を、上記溝または穴による第１のパタ―ン
を有する目的の層として形成する工程とを有することを
特徴とするパタ―ン形成法。
【請求項３】基板上に、その表面を形成している材料
とは異なる材料でなる第１の層を形成する工程と、上記第１の層上に、その材料及びフォトレジストとは異
なる材料でなる第２の層を、上記第１の層に比し十分薄
い厚さに形成する工程と、上記第２の層上に、目的とする層の溝または穴による第
１のパタ―ンに対応した第２のパタ―ンを有し且つ上記
フォトレジストでなる第３の層をフォトリソグラフィ法
によって形成する工程と、上記第３の層に対する等方性エッチング処理によって、
上記第３の層から、上記第２のパタ―ンに比し小さな第
３のパタ―ンを有する第４の層を形成する工程と、上記第２の層上に、上記第２の層及び上記第４の層とは
異なる材料でなる第５の層を、上記第４の層を覆うよう
に形成する工程と、上記第５の層に対する上方からの異方性エッチング処理
によって、上記第５の層から、上記第４の層の上面を外
部に露出させるのに十分な厚さを有する第６の層を形成
する工程と、上記第４の層を、上記第２の層上から除去することによ
って、上記第６の層を、溝または穴による第４のパタ―
ンを有するマスク層として形成する工程と、上記第２の層に対する上記マスク層をマスクとする異方
性エッチング処理によって、上記第２の層から、上記溝
または穴による第４のパタ―ンに対応した溝または穴に
よる第５のパタ―ンを有する第７の層を形成する工程
と、上記第６の層を、上記第７の層上から除去する工程と、上記第１の層に対する上記第７の層をマスクとする異方
性エッチング処理によって、上記第１の層から、上記第
７の層の溝または穴による第５のパタ―ンに対応した溝
または穴による第６のパタ―ンを有する第８の層を、上
記溝または穴による第１のパタ―ンを有する目的とする
層として形成する工程と、上記第７の層を、上記第８の層上から除去する工程とを
有することを特徴とするパタ―ン形成法。