JPH0669118A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH0669118A JPH0669118A JP13643492A JP13643492A JPH0669118A JP H0669118 A JPH0669118 A JP H0669118A JP 13643492 A JP13643492 A JP 13643492A JP 13643492 A JP13643492 A JP 13643492A JP H0669118 A JPH0669118 A JP H0669118A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- chemically amplified
- region
- formation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】化学増幅系（ポジ型，もしくはネガ型）レジス
トのドライエッチング耐性を向上させるとともに、その
際のレジストエッチング特性の深さ方向依存性を解消す
る。 【構成】化学増幅系ポジ型レジスト１０３に通常の方法
でコンタクトパターン１０６を形成し、再度光１０７に
よる全面露光，ベーク処理して酸触媒反応を充分行な
い、このレジスト１０６に保護基の離脱した領域１０８
を形成する。
トのドライエッチング耐性を向上させるとともに、その
際のレジストエッチング特性の深さ方向依存性を解消す
る。 【構成】化学増幅系ポジ型レジスト１０３に通常の方法
でコンタクトパターン１０６を形成し、再度光１０７に
よる全面露光，ベーク処理して酸触媒反応を充分行な
い、このレジスト１０６に保護基の離脱した領域１０８
を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特にリソグラフィー工程のレジストパターン形成
方法に関する。
関し、特にリソグラフィー工程のレジストパターン形成
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩの高集積化に伴ない、微細
パターン形成に対する要求が高まっている。現在、この
微細パターン形成技術（リソグラフィー技術）の主力は
光露光技術であり、縮小投影露光装置（ステッパー）の
性能向上（レンズの高ＮＡ化，大口径化，および重ね合
わせ精度の改善等）と合わせて、レジストの高解像度化
が図られている。これまで光露光技術の主力となってき
なのはＨｇランプのｇ線，ｉ線を利用するｇ線あるいは
ｉ線ステッパーとノボラック系ポジ型レジストとの組み
合わせであり、０．５μｍ程度の微細化に対してはこの
技術で対応できると考えられている。さらにその先のサ
ブハーフミクロン領域のパターン形成技術として有望視
されているのが、ＫｒＦレーザーあるいはＨｇアークラ
ンプ等の２５０ｎｍ付近の深紫外（ＤｅｅｐＵＶ）光を
利用した深紫外露光法である。
パターン形成に対する要求が高まっている。現在、この
微細パターン形成技術（リソグラフィー技術）の主力は
光露光技術であり、縮小投影露光装置（ステッパー）の
性能向上（レンズの高ＮＡ化，大口径化，および重ね合
わせ精度の改善等）と合わせて、レジストの高解像度化
が図られている。これまで光露光技術の主力となってき
なのはＨｇランプのｇ線，ｉ線を利用するｇ線あるいは
ｉ線ステッパーとノボラック系ポジ型レジストとの組み
合わせであり、０．５μｍ程度の微細化に対してはこの
技術で対応できると考えられている。さらにその先のサ
ブハーフミクロン領域のパターン形成技術として有望視
されているのが、ＫｒＦレーザーあるいはＨｇアークラ
ンプ等の２５０ｎｍ付近の深紫外（ＤｅｅｐＵＶ）光を
利用した深紫外露光法である。
【０００３】この深紫外領域においては、従来のノボラ
ック系レジストは、樹脂の強い吸収のため、レジストパ
ターン形状がテーパー状になり、下地への正確なパター
ン転写ができない。さらにＤｅｅｐＵＶ光はｇ，ｉ線に
較べて照度が弱いため、感度の高い（３０ｍＪ／ｃ
ｍ2 ）レジスト系が必要とそれる。
ック系レジストは、樹脂の強い吸収のため、レジストパ
ターン形状がテーパー状になり、下地への正確なパター
ン転写ができない。さらにＤｅｅｐＵＶ光はｇ，ｉ線に
較べて照度が弱いため、感度の高い（３０ｍＪ／ｃ
ｍ2 ）レジスト系が必要とそれる。
【０００４】以上の要求を満たすため１９８４年のアメ
リカン・ケミカル・ソサイティー・シンポジュームのシ
リーズ第２４２巻，１１頁（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ，
Ｓｅｒｉｅｓ Ｎｏ．２４２，ｐ．１１，（１９８
４））に提案されたのが酸触媒系化学増幅系レジストで
ある。化学増幅系レジストにはポジ型とネガ型との２種
類がある。
リカン・ケミカル・ソサイティー・シンポジュームのシ
リーズ第２４２巻，１１頁（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ，
Ｓｅｒｉｅｓ Ｎｏ．２４２，ｐ．１１，（１９８
４））に提案されたのが酸触媒系化学増幅系レジストで
ある。化学増幅系レジストにはポジ型とネガ型との２種
類がある。
【０００５】１９８９年のザ・ソサイティー・オブ・フ
ォト−オプテカル・インストルメント・エンジニアーズ
予稿集第１０８６巻２頁（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏｆ
Ｔｈｅ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｐｈｏｔｏ−Ｏｐｔ
ｉｃａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ Ｅｎｇｉｎｅｅｒ
ｓ，Ｎｏ．１０８６，ｐ．２（１９８９））の報告を参
照すると、ポジ型の化学増幅系レジストは本来アルカリ
現像液に溶解する透過性の高い樹脂（例えばポリビニル
フェノール（ＰＶＰ））をｔ−フトキシカルボン基等で
現像液から保護した樹脂と酸発生剤とから構成されてい
るものが多い。ＰＶＰを例にすると、露光により酸発生
剤より生成した酸は露光後ベーク処理（Ｐｏｓｔ Ｅｘ
ｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ，ＰＥＢと略す）中に、
ォト−オプテカル・インストルメント・エンジニアーズ
予稿集第１０８６巻２頁（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏｆ
Ｔｈｅ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｐｈｏｔｏ−Ｏｐｔ
ｉｃａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ Ｅｎｇｉｎｅｅｒ
ｓ，Ｎｏ．１０８６，ｐ．２（１９８９））の報告を参
照すると、ポジ型の化学増幅系レジストは本来アルカリ
現像液に溶解する透過性の高い樹脂（例えばポリビニル
フェノール（ＰＶＰ））をｔ−フトキシカルボン基等で
現像液から保護した樹脂と酸発生剤とから構成されてい
るものが多い。ＰＶＰを例にすると、露光により酸発生
剤より生成した酸は露光後ベーク処理（Ｐｏｓｔ Ｅｘ
ｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ，ＰＥＢと略す）中に、
【０００６】
【０００７】………（１） の反応を繰り返して（数百〜千回前後）保護基を除去
し、アルカル現像液に可溶となる。
し、アルカル現像液に可溶となる。
【０００８】一方、ネガ型の化学増幅系レジストは、樹
脂，酸発生剤，および架橋剤の３成分よりなるものが一
般的である。１９８９年のザ・ソサイティー・オブ・フ
ォト−オプテカル・インストルメント・エンジニアーズ
予稿集第１０８６巻３８頁（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏ
ｆ Ｔｈｅ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｐｈｏｔｏ−Ｏｐ
ｔｉｃａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ Ｅｎｇｉｎｅｅｒ
ｓ，Ｎｏ．１０８６，ｐ．３８（１９８９））の報告を
参照すると、例えば樹脂がＰＶＰ，架橋剤がメラミン系
架橋剤の場合、
脂，酸発生剤，および架橋剤の３成分よりなるものが一
般的である。１９８９年のザ・ソサイティー・オブ・フ
ォト−オプテカル・インストルメント・エンジニアーズ
予稿集第１０８６巻３８頁（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏ
ｆ Ｔｈｅ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｐｈｏｔｏ−Ｏｐ
ｔｉｃａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ Ｅｎｇｉｎｅｅｒ
ｓ，Ｎｏ．１０８６，ｐ．３８（１９８９））の報告を
参照すると、例えば樹脂がＰＶＰ，架橋剤がメラミン系
架橋剤の場合、
【０００９】
【００１０】………（２） に示すように、露光により生成した酸がメラミン系架橋
剤の反応を触媒し、樹脂間に架橋が生じる。
剤の反応を触媒し、樹脂間に架橋が生じる。
【００１１】以上の化学増幅系レジストの解像度は、Ｋ
ｒＦエキシマレーザーステッパー（レンズ開口数ＮＡ；
０．４前後）を用いて０．３〜０．３５μｍ（線幅，線
間隔）に達しており、感度も数ｍＪ／ｃｍ2 から３０ｍ
Ｊ／ｃｍ2 前後とノボラック系レジスト（１００ｍＪ／
ｃｍ2 前後）より優れた特性を示している。
ｒＦエキシマレーザーステッパー（レンズ開口数ＮＡ；
０．４前後）を用いて０．３〜０．３５μｍ（線幅，線
間隔）に達しており、感度も数ｍＪ／ｃｍ2 から３０ｍ
Ｊ／ｃｍ2 前後とノボラック系レジスト（１００ｍＪ／
ｃｍ2 前後）より優れた特性を示している。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述した酸触媒系の化
学増幅系レジストでは、レジストパターンの形成後のド
ライエッチング工程で、以下に示すような問題点があ
る。
学増幅系レジストでは、レジストパターンの形成後のド
ライエッチング工程で、以下に示すような問題点があ
る。
【００１３】まず、ポジ型の化学増幅系レジストの場
合、未露光部がパターンとして残るため、ドライエッチ
ング工程中にプラズマ中で発生する電子，イオンおよび
紫外線により酸発生剤から酸が発生する。この酸と熱と
により、式（１）に示したＰＥＢ工程と同様の反応が生
じる。したがって、エッチング中に起る保護基と２酸化
炭素との発生により、レジストのドライエッチング速度
が増大し、このレジストのドライエッチング耐性が劣化
する。さらにこの反応は、プラズマ照射直後に最も大き
く、反応種（保護基）の減少とともに低下する。したが
って、レジストエッチング速度に深さ方向依存性があ
り、安定なトライエッチングができないという問題点が
ある。
合、未露光部がパターンとして残るため、ドライエッチ
ング工程中にプラズマ中で発生する電子，イオンおよび
紫外線により酸発生剤から酸が発生する。この酸と熱と
により、式（１）に示したＰＥＢ工程と同様の反応が生
じる。したがって、エッチング中に起る保護基と２酸化
炭素との発生により、レジストのドライエッチング速度
が増大し、このレジストのドライエッチング耐性が劣化
する。さらにこの反応は、プラズマ照射直後に最も大き
く、反応種（保護基）の減少とともに低下する。したが
って、レジストエッチング速度に深さ方向依存性があ
り、安定なトライエッチングができないという問題点が
ある。
【００１４】一方、ネガ型の化学増幅系レジストにおい
ては、レジスト上面付近の架橋量がレジスト内部（およ
び下部）の架橋量よりも大きい。したがって、ポジ型と
同様にレジストエッチング速度の深さ方向依存性が生じ
るという問題点がある。さらにネガ型の場合、露光−未
露光部の溶解コントラストを上げるため、一般にポジ型
に較べ分子量が小さい。そのため、耐ドライエッチング
性が若干低いという問題点がある。
ては、レジスト上面付近の架橋量がレジスト内部（およ
び下部）の架橋量よりも大きい。したがって、ポジ型と
同様にレジストエッチング速度の深さ方向依存性が生じ
るという問題点がある。さらにネガ型の場合、露光−未
露光部の溶解コントラストを上げるため、一般にポジ型
に較べ分子量が小さい。そのため、耐ドライエッチング
性が若干低いという問題点がある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のレジストパター
ンの形成方法は、半導体基板上に塗布された化学増幅系
レジストにマスクパターンを転写するリソグラフィー工
程において、この化学系レジストに光露光，露光後ベー
ク処理，および現像処理を施すことによりレジストパタ
ーンを形成し、このレジストパターンの全面に感光性の
光を照射し、さらにベーク処理を行なうという特徴を有
している。
ンの形成方法は、半導体基板上に塗布された化学増幅系
レジストにマスクパターンを転写するリソグラフィー工
程において、この化学系レジストに光露光，露光後ベー
ク処理，および現像処理を施すことによりレジストパタ
ーンを形成し、このレジストパターンの全面に感光性の
光を照射し、さらにベーク処理を行なうという特徴を有
している。
【００１６】
【実施例】次に、本発明を半導体基板上に設けられた絶
縁膜へのコンタクトホールの形成に適用した場合につい
て、図面を参照して説明する。
縁膜へのコンタクトホールの形成に適用した場合につい
て、図面を参照して説明する。
【００１７】絶縁膜へのコンタクトホールの形成を説明
するための工程順の断面図である図１を参照すると、本
発明の第１の実施例は、まず、化学気相成長法によりシ
リコン基板１０１上にシリコン酸化膜等の絶縁膜１０２
を形成し、絶縁膜１０２上に化学増幅系ポジ型レジスト
１０３を塗布する。なお、化学増幅系ポジ型レジスト１
０３は、前述のような酸発生剤と保護基の付加された樹
脂とからなる２成分系，あるいは酸発生剤とアルカリ現
像液に可溶な樹脂と溶解促成剤とからなる３成分系（発
生した酸がＰＥＢ処理中に溶解抑制剤と反応して抑制効
果を失なわせる）等がある。その後、ポジ型のコンタク
トマスクパターン（図示せず）に対応して、ＫｒＦエキ
シマレーザー，あるいはＨｇアークランプによる光１０
４を露光する〔図１（ａ）〕。
するための工程順の断面図である図１を参照すると、本
発明の第１の実施例は、まず、化学気相成長法によりシ
リコン基板１０１上にシリコン酸化膜等の絶縁膜１０２
を形成し、絶縁膜１０２上に化学増幅系ポジ型レジスト
１０３を塗布する。なお、化学増幅系ポジ型レジスト１
０３は、前述のような酸発生剤と保護基の付加された樹
脂とからなる２成分系，あるいは酸発生剤とアルカリ現
像液に可溶な樹脂と溶解促成剤とからなる３成分系（発
生した酸がＰＥＢ処理中に溶解抑制剤と反応して抑制効
果を失なわせる）等がある。その後、ポジ型のコンタク
トマスクパターン（図示せず）に対応して、ＫｒＦエキ
シマレーザー，あるいはＨｇアークランプによる光１０
４を露光する〔図１（ａ）〕。
【００１８】次に、１１０〜１５０℃の温度で、露光後
ベーク処理（ＰＥＢ）を行なう。レジスト１０３の露光
部では、この処理により酸触媒反応が起り、このレジス
ト１０３の露光部が易溶化した領域１０５となる〔図１
（ｂ）〕。続いて、２％前後のテトラメチルアンモニウ
ム（ＴＭＡＨ）水溶液で現像すると、この易溶化した領
域１０５のみが除去され、レジスト１０３にコンタクト
パターン１０６が形成される。引き続いて、コンタクト
パターン１０６を有するレジスト１０３の全面に、Ｈｇ
アークランプ等により再び光１０７を照射する〔図１
（ｃ）〕。
ベーク処理（ＰＥＢ）を行なう。レジスト１０３の露光
部では、この処理により酸触媒反応が起り、このレジス
ト１０３の露光部が易溶化した領域１０５となる〔図１
（ｂ）〕。続いて、２％前後のテトラメチルアンモニウ
ム（ＴＭＡＨ）水溶液で現像すると、この易溶化した領
域１０５のみが除去され、レジスト１０３にコンタクト
パターン１０６が形成される。引き続いて、コンタクト
パターン１０６を有するレジスト１０３の全面に、Ｈｇ
アークランプ等により再び光１０７を照射する〔図１
（ｃ）〕。
【００１９】さらにＰＥＢ処理と同様の温度でベーク処
理を行なうことにより、残されたレジスト１０３は保護
基の離脱が生じた領域１０８になる〔図１（ｄ）〕。
（この段階までが本実施例である。）次に、この保護基
の離脱が生じた領域１０８をマスクにして、下地の絶縁
膜１０２をＣＦ4 あるいはＣＨＦ3 等の反応ガスプラズ
マにより異方性エッチングし、コンタクトホール１０９
を形成する。最後に、この保護基の離脱が生じた領域１
０８を有するレジスト１０３を剥離する〔図１
（ｅ）〕。
理を行なうことにより、残されたレジスト１０３は保護
基の離脱が生じた領域１０８になる〔図１（ｄ）〕。
（この段階までが本実施例である。）次に、この保護基
の離脱が生じた領域１０８をマスクにして、下地の絶縁
膜１０２をＣＦ4 あるいはＣＨＦ3 等の反応ガスプラズ
マにより異方性エッチングし、コンタクトホール１０９
を形成する。最後に、この保護基の離脱が生じた領域１
０８を有するレジスト１０３を剥離する〔図１
（ｅ）〕。
【００２０】半導体基板上に設けられた絶縁膜へのコン
タクトホールの形成に上記第１の実施例を適用すると、
後工程のドライエッチング工程におけるプラズマ照射初
期の急激なレジスト膜厚の減少はなくなり、レジスト減
少量を一定に保ち，安定したドライエッチングが可能と
なる。
タクトホールの形成に上記第１の実施例を適用すると、
後工程のドライエッチング工程におけるプラズマ照射初
期の急激なレジスト膜厚の減少はなくなり、レジスト減
少量を一定に保ち，安定したドライエッチングが可能と
なる。
【００２１】絶縁膜へのコンタクトホールの形成を説明
するための工程順の断面図である図２を参照すると、本
発明の第２の実施例は、まず、化学気相成長法によりシ
リコン基板２０１上にシリコン酸化膜等の絶縁膜２０２
を形成し、絶縁膜２０２上に化学増幅系ネガ型レジスト
２０３を塗布する。なお、化学増幅系ネガ型レジスト２
０３は、従来と同様に、酸発生剤とアルカリ可溶性樹脂
と架橋剤とからなる３成分系である。その後、ネガ型の
コンタクトマスクパターン（図示せず）に対応して、Ｋ
ｒＦエキシマレーザー，あるいはＨｇアークランプによ
る光２０４を露光する〔図２（ａ）〕。
するための工程順の断面図である図２を参照すると、本
発明の第２の実施例は、まず、化学気相成長法によりシ
リコン基板２０１上にシリコン酸化膜等の絶縁膜２０２
を形成し、絶縁膜２０２上に化学増幅系ネガ型レジスト
２０３を塗布する。なお、化学増幅系ネガ型レジスト２
０３は、従来と同様に、酸発生剤とアルカリ可溶性樹脂
と架橋剤とからなる３成分系である。その後、ネガ型の
コンタクトマスクパターン（図示せず）に対応して、Ｋ
ｒＦエキシマレーザー，あるいはＨｇアークランプによ
る光２０４を露光する〔図２（ａ）〕。
【００２２】次に、１１０〜１５０℃の温度で１〜３分
間のＰＥＢ処理を行なう。この処理によりレジスト２０
３の露光部では酸触媒反応が起り、このレジスト２０３
の露光部が不溶化した領域２０５となる〔図２
（ｂ）〕。続いて、２％前後のＴＭＡＨ水溶液で現像す
ると、この不溶化した領域２０５のみが除去されずに残
り、レジスト２０３にコンタクトパターン２０６が形成
される。引き続いて、コンタクトパターン２０６を有す
るレジスト２０３の全面に、Ｈｇアークランプ等により
再び光２０７を照射する〔図２（ｃ）〕。
間のＰＥＢ処理を行なう。この処理によりレジスト２０
３の露光部では酸触媒反応が起り、このレジスト２０３
の露光部が不溶化した領域２０５となる〔図２
（ｂ）〕。続いて、２％前後のＴＭＡＨ水溶液で現像す
ると、この不溶化した領域２０５のみが除去されずに残
り、レジスト２０３にコンタクトパターン２０６が形成
される。引き続いて、コンタクトパターン２０６を有す
るレジスト２０３の全面に、Ｈｇアークランプ等により
再び光２０７を照射する〔図２（ｃ）〕。
【００２３】さらにＰＥＢ処理と同様の温度でベーク処
理を行なう。これらの処理により、レジスト２０３の深
部でも充分な架橋反応が起り、不溶化した領域２０５は
ほぼ均一な架橋構造を有し，ドライエッチング耐性の向
上した架橋反応が生じた領域２０８になる〔図２
（ｄ）〕。（この段階までが本実施例である。）次に、
この架橋反応が生じた領域２０８をマスクにして、下地
の絶縁膜２０２をＣＦ4 あるいはＣＨＦ3 等の反応ガス
プラズマにより異方性エッチングし、コンタクトホール
２０９を形成する。最後に、この架橋反応が生じた領域
２０８を有するレジスト２０３を剥離する〔図２
（ｅ）〕。
理を行なう。これらの処理により、レジスト２０３の深
部でも充分な架橋反応が起り、不溶化した領域２０５は
ほぼ均一な架橋構造を有し，ドライエッチング耐性の向
上した架橋反応が生じた領域２０８になる〔図２
（ｄ）〕。（この段階までが本実施例である。）次に、
この架橋反応が生じた領域２０８をマスクにして、下地
の絶縁膜２０２をＣＦ4 あるいはＣＨＦ3 等の反応ガス
プラズマにより異方性エッチングし、コンタクトホール
２０９を形成する。最後に、この架橋反応が生じた領域
２０８を有するレジスト２０３を剥離する〔図２
（ｅ）〕。
【００２４】半導体基板上に設けられた絶縁膜へのコン
タクトホールの形成に上記第２の実施例を適用すると、
後工程のドライエッチング工程におけるネガ型レジスト
の耐ドライエッチング性を向上させるっとともに、下地
のエッチング時のレジスト膜厚の減少量を一定に保ち，
安定したドライエッチングが可能となる。
タクトホールの形成に上記第２の実施例を適用すると、
後工程のドライエッチング工程におけるネガ型レジスト
の耐ドライエッチング性を向上させるっとともに、下地
のエッチング時のレジスト膜厚の減少量を一定に保ち，
安定したドライエッチングが可能となる。
【００２５】上記第１，第２の実施例は絶縁膜へのコン
タクトホールの形成へそれぞれ適用した場合について述
べたが、本発明は配線パターン等の他の微細レジストパ
ターンの形成にも適用することは可能である。
タクトホールの形成へそれぞれ適用した場合について述
べたが、本発明は配線パターン等の他の微細レジストパ
ターンの形成にも適用することは可能である。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明のレジストパ
ターンの形成方法は、化学増幅系レジストを用いたリソ
グラフィー工程において、露光，ＰＥＢ処理，現像処理
により一旦レジストパターンを形成した後、再度全面露
光，ベーク処理を施してレジスト内部で酸触媒反応を充
分に行なうことにより、次工程のドライエッチング工程
が安定に行なわれるという効果を有している。
ターンの形成方法は、化学増幅系レジストを用いたリソ
グラフィー工程において、露光，ＰＥＢ処理，現像処理
により一旦レジストパターンを形成した後、再度全面露
光，ベーク処理を施してレジスト内部で酸触媒反応を充
分に行なうことにより、次工程のドライエッチング工程
が安定に行なわれるという効果を有している。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための工程順
の断面図である。
の断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例を説明するための工程順
の断面図である。
の断面図である。
１０１，２０１ シリコン基板 １０２，２０２ 絶縁膜 １０３ 化学増幅系ポジ型レジスト １０４，１０７，２０４，２０７ 光 １０５ 易溶化した領域 １０６，２０６ コンタクパターン １０８ 保護基の離脱が生じた領域 １０９，２０９ コンタクトホール ２０３ 化学増幅系ネガ型レジスト ２０５ 不溶化した領域 ２０８ 架橋反応が生じた領域
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に塗布された化学増幅系レ
ジストにマスクパターンを転写するリソグラフィー工程
において、 前記化学増幅系レジストに光露光，露光後ベーク処理，
および現像処理を施すことにより、レジストパターンを
形成し、 前記レジストパターンの全面に感光性の光を照射し、 前記レジストパターンにベーク処理を行なうことを特徴
とするレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13643492A JPH0669118A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13643492A JPH0669118A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669118A true JPH0669118A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=15175049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13643492A Withdrawn JPH0669118A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669118A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004059392A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| US6989333B2 (en) | 2002-12-20 | 2006-01-24 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Process for forming a pattern |
| US7364831B2 (en) | 2004-05-12 | 2008-04-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and resist pattern formation method |
| US7402372B2 (en) | 2003-06-13 | 2008-07-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and method of forming resist pattern |
| US7781342B2 (en) | 2004-05-10 | 2010-08-24 | Tokyo Electron Limited | Substrate treatment method for etching a base film using a resist pattern |
| JP2010250177A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布現像方法、並びにレジスト膜処理装置およびこれを含むレジスト塗布現像装置 |
-
1992
- 1992-05-28 JP JP13643492A patent/JPH0669118A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6989333B2 (en) | 2002-12-20 | 2006-01-24 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Process for forming a pattern |
| WO2004059392A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| US7666569B2 (en) | 2002-12-26 | 2010-02-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and method for forming resist pattern |
| US7402372B2 (en) | 2003-06-13 | 2008-07-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and method of forming resist pattern |
| US7781342B2 (en) | 2004-05-10 | 2010-08-24 | Tokyo Electron Limited | Substrate treatment method for etching a base film using a resist pattern |
| US7364831B2 (en) | 2004-05-12 | 2008-04-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and resist pattern formation method |
| JP2010250177A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布現像方法、並びにレジスト膜処理装置およびこれを含むレジスト塗布現像装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100688570B1 (ko) | 식각 마스크 패턴 형성용 코팅 조성물 및 이를 이용한반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 | |
| JP2919004B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| KR20010015280A (ko) | 포토레지스트패턴의 형성방법 | |
| JP2020030291A (ja) | マスクの形成方法 | |
| KR20040078867A (ko) | 미세 패턴 형성 방법 | |
| KR100287130B1 (ko) | 포토레지스트막 및 그의 패턴형성방법 | |
| JP3051817B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3077648B2 (ja) | 化学増幅系レジストのパターン形成方法 | |
| JPH0669118A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP3310202B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP2010156819A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06244156A (ja) | パタ―ン形成法 | |
| JP3592805B2 (ja) | フォトレジストパターン形成方法 | |
| JP3638266B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2964533B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH10333340A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH11242336A (ja) | フォトレジストパターンの形成方法 | |
| JP4017231B2 (ja) | 化学増幅レジストの感度促進方法およびパターン形成方法 | |
| JPH06338452A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| KR100369866B1 (ko) | 반도체소자의미세콘택홀형성방법 | |
| JP3257126B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| KR101037491B1 (ko) | 반도체소자의 3층 레지스트 패턴 형성방법 | |
| JP2000347406A (ja) | レジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH11153871A (ja) | レジストパターン形成方法及び半導体基板 | |
| JPS588131B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |