JPH08199375A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 現像後のベークによるレジストパターンの収
縮を抑制し、現像直後の垂直性の高いパターン形状を維
持できるレジストパターンの形成方法を提供する。 【構成】 レジストパターンが形成された化学増幅架橋
型ネガレジスト６の全体に、塩基性物質７を浸透させ
る。 【効果】 化学増幅架橋型ネガレジストの内部に残存す
る酸が中和されるので、現像後ベーク工程において架橋
反応が進行することが防止されることになり、現像後ベ
ークによるレジストパターンの収縮が抑制され、現像直
後の垂直性の高いパターン形状を維持したレジストパタ
ーンを得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明はレジストパターンの形
成方法に関し、特に化学増幅架橋型ネガレジストを用い
てレジストパターンを形成する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程において、下地層
（半導体基板など）に対してエッチングやイオン注入に
より選択的な加工が施される。その場合まず、下地層の
被加工部分を選択的に保護する目的で、紫外線、Ｘ線、
電子線などの活性光線に感光する組成物、いわゆる感光
性レジスト被膜（以後レジストと呼称）を下地層上に形
成する。

【０００３】次に、紫外線、Ｘ線の場合はマスクを用い
て、電子線の場合は直接描画によって下地層の上にレジ
ストパターンを形成する。レジストにはポジ型とネガ型
があり、前者は露光部が現像液に溶解するが未露光部は
溶解しないレジストであり、後者は逆の特性を有するレ
ジストである。現在、半導体装置の製造には一般にポジ
型レジストの方が多く用いられ、しかもそれはナフトキ
ノンジアジド化合物からなる感光剤とノボラック樹脂の
ようなアルカリ可溶性樹脂からなるベース樹脂とで構成
されるものが主流である。

【０００４】ところで、半導体装置の高性能化・高集積
化に伴い、高エネルギーのイオン注入および高精度のエ
ッチング加工が必要となり、さらに回路パターンの微細
化とマスクにデザインされた回路パターンの転写に対し
て高度な正確さが要求されている。高エネルギーのイオ
ン注入を行なう場合、そのイオン阻止材となるレジスト
には従来より厚い膜厚が必要となるが、膜厚が厚くなる
につれて高い解像力と良好な形状すなわち垂直性の高い
パターン形状を得ることは難しくなる。

【０００５】以下に、図１６〜図１９を用いて、ポジ型
レジストを用いた場合の従来のレジストパターンの形成
方法について説明する。まず図１６に示す工程におい
て、下地層１の上にポジ型レジスト５を塗布し、８５℃
で７０秒間プリベークを行なった。この場合、レジスト
膜厚を約５μｍとした。

【０００６】次に、図１７に示す工程において、ｉ線
（波長３６５ｎｍ）を露光するステッパー（縮小投影露
光装置）を用い、所望のパターンを形成したフォトマス
ク４を介して、露光光３を照射する。

【０００７】次に、図１８に示す工程において、露光後
ベーク（Post Exposure Bake：以後ＰＥＢと略記）を１
２０℃で９０秒間行なった。

【０００８】その後、アルカリ性水溶液（２．３８重量
％の水酸化テトラメチルアンモニウム）を用いて現像を
行ない、図１９に示すようなレジストパターンを得た。

【０００９】ここで、図２０に市販のｉ線用ポジ型レジ
ストを用いた場合の、レジストパターンの部分拡大図を
示す。図２０において下地層１の上に形成されたポジ型
レジスト５のエッジ部分の傾斜幅Ｓはパターン寸法が大
きくなるほど広がり、１０００μｍ以上のパターンで
は、傾斜幅Ｓは約１．８μｍであった。

【００１０】これに対し、化学増幅架橋型ネガレジスト
を用いてレジストパターンを形成すると、ポジ型レジス
トを用いた場合より垂直性の高いパターン形状を得るこ
とができる。

【００１１】次に、図２１〜図２５を用いて、化学増幅
架橋型ネガレジストを用いた場合の従来のレジストパタ
ーンの形成方法について説明する。まず図２１に示す工
程において、下地層１の上に化学増幅架橋型ネガレジス
ト６を塗布し、１１０℃で７０秒間プリベークを行なっ
た。この場合、レジスト膜厚を約５μｍとした。

【００１２】次に、図２２に示す工程において、ｉ線を
露光するステッパーを用い、所望のパターンを形成した
フォトマスク４を介して、露光光３を照射する。

【００１３】次に、図２３に示す工程において、ＰＥＢ
を１００℃で１２０秒間行なった。

【００１４】その後、アルカリ性水溶液を用いて現像を
行ない、図２４に示すようなレジストパターンを得た。

【００１５】このレジストパターンも、ポジ型レジスト
と同様にパターン寸法が大きくなるほどエッジ部分の傾
斜幅Ｓは広くなるが、１０００μｍ以上のパターンでも
その傾斜幅Ｓはポジ型レジストの２分の１以下で約０．
８５μｍであった。

【００１６】このようにネガ型レジストの方がポジ型レ
ジストよりも、垂直性の高いレジストパターンを得るの
に有利なことがわかる。

【００１７】ところが、このネガ型レジストも、図２５
に示す工程において、現像後にベークを行なうとレジス
トパターンの収縮が起こり、エッジ部分の傾斜幅Ｓは現
像直後よりも大きくなることがわかった。一例として
は、１５０℃で９０秒間のベークを行なった場合に、傾
斜幅Ｓは０．２μｍ広がった。

【００１８】次に、この化学増幅架橋型ネガレジストの
反応メカニズムについて詳細に説明する。ここで説明す
る化学増幅架橋型ネガレジストは、ベース樹脂であるノ
ボラック樹脂と、架橋剤として働くメラミン系化合物お
よび光酸発生剤とで構成される。このようなレジストに
所定の光が照射されると、レジスト中では光酸発生剤か
ら酸が発生する。そして、ＰＥＢを施すことで酸を触媒
として架橋剤とベース樹脂との間で架橋反応が起こり、
現像液に対して不溶化するわけであるが、このＰＥＢ時
の架橋反応によって露光部のレジストはいくらかの収縮
現象を起こす。当然ながら露光部のレジストの体積が大
きいほどその収縮量も多くなり、レジストパターンのエ
ッジ部分の傾斜幅が大きくなる。さらに、現像後のベー
クにおいても残存する酸によって架橋反応が進むため、
レジストの体積に応じてレジストパターンのエッジ部分
の傾斜幅が大きくなってしまう。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】以上説明したように従
来のレジストパターンの形成方法では、化学増幅架橋型
ネガレジストを用いることで、現像直後においてはポジ
型レジストに比べて垂直性の高いパターン形状を得るこ
とができるが、現像後のベークによりレジストパターン
の収縮が起こり、エッジ部分の傾斜幅は現像直後よりも
大きくなるという問題があった。

【００２０】本発明は上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、現像後のベークによるレジストパ
ターンの収縮を抑制し、現像直後の垂直性の高いパター
ン形状を維持できるレジストパターンの形成方法を提供
する。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明に係る請求項１記
載のレジストパターンの形成方法は、酸を触媒として架
橋反応が促進する化学増幅架橋型ネガレジストを、露光
後に選択的に除去する現像工程と、該現像工程を施した
前記化学増架橋幅型ネガレジストをベークする現像後ベ
ーク工程とを備えるレジストパターンの形成方法におい
て、前記現像工程の後であって前記現像後ベーク工程の
前に、(ａ)前記化学増幅架橋型レジストの内部に塩基性
物質を浸透させる工程を備える。

【００２２】本発明に係る請求項２記載のレジストパタ
ーンの形成方法は、前記工程(ａ)が、前記塩基性物質と
してアンモニアを浸透させる工程を含んでいる。

【００２３】本発明に係る請求項３記載のレジストパタ
ーンの形成方法は、化学増幅架橋型ネガレジストを、露
光後に選択的に除去する現像工程と、該現像工程を施し
た前記化学増幅架橋型ネガレジストをベークする現像後
ベーク工程とを備えるレジストパターンの形成方法にお
いて、前記現像工程の後であって前記現像後ベーク工程
の前に、(ａ)前記化学増幅架橋型レジストの内部に、前
記架橋反応に寄与する架橋剤の架橋点と反応可能な官能
基を有する化合物を浸透させる工程を備える。

【００２４】本発明に係る請求項４記載のレジストパタ
ーンの形成方法は、前記工程(ａ)が、前記架橋剤の架橋
点と反応可能な官能基を有する化合物としてフェノール
を浸透させる工程を含んでいる。

【００２５】本発明に係る請求項５記載のレジストパタ
ーンの形成方法は、塩基を触媒として架橋反応が促進す
る化学増幅架橋型ネガレジストを、露光後に選択的に除
去する現像工程と、該現像工程を施した前記化学増幅型
ネガレジストをベークする現像後ベーク工程とを備える
レジストパターンの形成方法において、前記現像工程の
後であって前記現像後ベーク工程の前に、(ａ)前記化学
増幅架橋型レジストの内部に、酸性物質を浸透させる工
程を備える。

【００２６】本発明に係る請求項６記載のレジストパタ
ーンの形成方法は、前記工程(ａ)が、前記酸性物質とし
て塩化水素を浸透させる工程を含んでいる。

【００２７】

【作用】本発明に係る請求項１記載のレジストパターン
の形成方法によれば、前記現像工程の後であって現像後
ベーク工程の前に、(ａ)化学増幅架橋型レジストの内部
に塩基性物質を浸透させる工程により、化学増幅架橋型
ネガレジストの内部に残存する酸が中和されるので、現
像後ベーク工程において架橋反応が進行することが防止
されることになる。

【００２８】本発明に係る請求項２記載のレジストパタ
ーンの形成方法によれば、塩基性物質としてアンモニア
を浸透させることで、化学増幅架橋型ネガレジストの内
部に残存する酸が中和される。

【００２９】本発明に係る請求項３記載のレジストパタ
ーンの形成方法によれば、前記現像工程の後であって現
像後ベーク工程の前に、(ａ)化学増幅架橋型レジストの
内部に前記架橋反応に寄与する架橋剤の架橋点と反応可
能な官能基を有する化合物を浸透させる工程により、化
学増幅架橋型レジストの内部に残存する架橋剤の架橋点
が官能基と反応して消費されるので、現像後ベーク工程
において架橋反応が進行することが防止されることにな
る。

【００３０】本発明に係る請求項４記載のレジストパタ
ーンの形成方法によれば、架橋剤の架橋点と反応可能な
官能基を有する化合物としてフェノールを浸透させるこ
とで、化学増幅架橋型レジストの内部に残存する架橋剤
の架橋点が、フェノールの官能基である水酸基と反応し
て消費される。

【００３１】本発明に係る請求項５記載のレジストパタ
ーンの形成方法によれば、前記現像工程の後であって現
像後ベーク工程の前に、(ａ)化学増幅架橋型レジストの
内部に酸性物質を浸透させる工程を備えることにより、
化学増幅架橋型ネガレジストの内部に残存する塩基が中
和されるので、現像後ベーク工程において架橋反応が進
行することが防止されることになる。

【００３２】本発明に係る請求項６記載のレジストパタ
ーンの形成方法によれば、酸性物質として塩化水素を浸
透させることで、化学増幅架橋型ネガレジストの内部に
残存する塩基が中和される。

【００３３】

【実施例】

＜第１の実施例＞本発明に係るレジストパターンの形成
方法の第１の実施例を、工程を示す断面図である図１〜
図７を用いて説明する。

【００３４】まず図１に示す工程において、下地層１の
上に、光照射により発生する酸を触媒として架橋反応が
促進する化学増幅架橋型ネガレジスト６を塗布し、１１
０℃で７０秒間プリベークを行なった。この場合、レジ
スト膜厚を約５μｍとした。

【００３５】次に、図２に示す工程において、ｉ線を露
光するステッパーを用い、所望のパターンを形成したフ
ォトマスク４を介して、露光光３を照射する。

【００３６】次に、図３に示す工程において、ＰＥＢを
１００℃で１２０秒間行なった。

【００３７】その後、アルカリ性水溶液を用いて現像を
行ない、図４に示すようなレジストパターンを得る。

【００３８】次に、図５に示す工程において、レジスト
パターンが形成された化学増幅架橋型ネガレジスト６の
全体に、塩基性物質７を浸透させる。

【００３９】ここで、塩基性物質７の浸透方法は、気体
の塩基性物質７を用いる場合には、気体の塩基性物質７
に、図４に示す現像工程を経た試料を曝して浸透させる
方法が採られ、液体の塩基性物質７を用いる場合には、
図４に示す現像工程を経た試料の上、すなわちレジスト
パターンが形成された化学増幅架橋型ネガレジスト６の
上に液体の塩基性物質７を塗布し、所定時間放置して浸
透させる方法が採られる。

【００４０】また塩基性物質７としては、気体あるいは
液体としてレジストパターンの表面処理が可能なもので
あれば良く、取扱いの容易なものとしてはアンモニアが
挙げられるが、アンモニア以外にトリメチルアミン、ト
リエチルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルピ
ロリドン、ピリジン、ヘキサメチルジシラザン、あるい
はそれらの誘導体などがある。

【００４１】次に、図６に示す工程において、現像後の
ベークとして１５０℃で９０秒間のベークを行なった。
ここで、図５に示す工程において、塩基性物質７を浸透
させることでレジスト内に残存する酸が中和・矢活して
いるので、現像後のベークによって、さらに架橋反応が
進むことが防止され、レジストパターンの変形は起こら
ず、図７に示すように、現像直後の側壁の垂直性を保っ
たままのレジストパターンを得ることができた。ここ
で、現像直後の側壁の垂直性は、ＰＥＢ時の架橋反応に
よって多少収縮した状態のレジストの側壁の垂直性であ
り、一例として１０００μｍ以上のパターンに対するエ
ッジ部分の傾斜幅Ｓが約０．８５μｍであるようなレジ
スト形状である。

【００４２】なお、光照射により発生する塩基性物質を
触媒として架橋反応が促進する化学増幅架橋型ネガレジ
ストを用いる場合には、現像後に例えば塩化水素やフッ
化水素等の酸性物質を浸透させることにより同様にレジ
スト内に残存する塩基性物質を中和・失活させること
で、現像後のベークによるレジストパターンの収縮を防
止することができる。

【００４３】＜第２の実施例＞本発明に係るレジストパ
ターンの形成方法の第２の実施例を、工程を示す断面図
である図８〜図１５を用いて説明する。

【００４４】まず図８に示す工程において、下地層１の
上に光照射により発生する酸を触媒として架橋反応が促
進する化学増幅架橋型ネガレジスト６を塗布し、１１０
℃で７０秒間プリベークを行なった。この場合、レジス
ト膜厚を約５μｍとした。

【００４５】次に、図９に示す工程において、ｉ線を露
光するステッパーを用い、所望のパターンを形成したフ
ォトマスク４を介して、露光光３を照射する。

【００４６】次に、図１０に示す工程において、ＰＥＢ
を１００℃で１２０秒間行なった。

【００４７】その後、アルカリ性水溶液を用いて現像を
行ない、図１１に示すようなレジストパターンを得る。

【００４８】次に、図１２に示す工程において、レジス
トパターンが形成された化学増幅架橋型ネガレジスト６
の全体に、架橋点と反応可能な官能基を有する反応性化
合物、例えばフェノール８を浸透させ、ＰＥＢに相当す
る温度以下つまり１００℃以下でベークした。

【００４９】ここで、フェノール８のような液体の反応
性化合物の浸透方法は、図１１に示す現像工程を経た試
料の上、すなわちレジストパターンが形成された化学増
幅架橋型ネガレジスト６の上にフェノール８を塗布し、
所定時間放置して浸透させる方法が採られ、気体の反応
性化合物を用いる場合には、当該反応性化合物が満たさ
れた状態の反応容器内に、図４に示す現像工程を経た試
料を入れて浸透させる方法が採られる。

【００５０】次に、図１３に示す工程において、現像後
のベークとして１５０℃で９０秒間のベークを行なっ
た。ここで、図１２に示す工程において、フェノール８
を浸透させ、１００℃以下でベークすることによって、
レジスト中の架橋剤の残存架橋点がフェノールの水酸基
（ベース樹脂も同じ水酸基を有する）と完全に反応し
て、消費されることになるので、現像後のベークによっ
て、さらに架橋反応が進むことが防止され、レジストパ
ターンの変形は起こらず、図１４に示すように、現像直
後の側壁の垂直性を保ったままのレジストパターンを得
ることができた。

【００５１】なお、レジスト中の架橋剤の残存架橋点を
完全に消費させるためには、フェノール８以外に、気体
あるいは液体としてレジストパターンの表面処理が可能
なものであれば、クレゾール、キシレノール、ベンジル
アルコール、図１５（ａ）に示すフェニルアミン（アニ
リン）、図１５（ｂ）に示すジフェニルアミン、図１５
（ｃ）に示すフェニルナフチルアミン、あるいはそれら
の誘導体などで架橋剤と反応可能な水酸基、アミノ基な
どの官能基を有する化合物を用いても良い。

【００５２】なお、以上説明した本発明に係る第２の実
施例では、光照射により発生する酸を触媒として架橋反
応が促進する化学増幅架橋型ネガレジストの残存架橋点
を消費させる例について説明したが、光照射により発生
する塩基性物質を触媒として架橋反応が促進する化学増
幅架橋型ネガレジストに対しても残存架橋点を消費させ
ることができ、同様の効果を得ることができる。

【００５３】

【発明の効果】本発明に係る請求項１記載のレジストパ
ターンの形成方法によれば、化学増幅架橋型ネガレジス
トの内部に残存する酸が中和されるので、現像後ベーク
工程において架橋反応が進行することが防止されること
になり、現像後ベークによるレジストパターンの収縮が
抑制され、現像直後の垂直性の高いパターン形状を維持
したレジストパターンを得ることができる。

【００５４】本発明に係る請求項２記載のレジストパタ
ーンの形成方法によれば、化学増幅架橋型ネガレジスト
の内部に残存する酸の中和に、アンモニアを用いるの
で、取扱いが比較的容易であり、本発明の実施により工
程が煩雑になることを抑制でき、コストの増加を抑制で
きる。

【００５５】本発明に係る請求項３記載のレジストパタ
ーンの形成方法によれば、化学増幅架橋型レジストの内
部に残存する架橋剤の架橋点が官能基と反応して消費さ
れるので、現像後ベーク工程において架橋反応が進行す
ることが防止され、現像後ベーク工程において架橋反応
が進行することが防止されることになり、現像後ベーク
によるレジストパターンの収縮が抑制され、現像直後の
垂直性の高いパターン形状を維持したレジストパターン
を得ることができる。

【００５６】本発明に係る請求項４記載のレジストパタ
ーンの形成方法によれば、架橋剤の架橋点と反応する官
能基として、ベース樹脂と同じ水酸基を有するフェノー
ルを用いるので、架橋剤との反応が確実であり、現像直
後の垂直性の高いパターン形状の維持が確実にできる。

【００５７】本発明に係る請求項５記載のレジストパタ
ーンの形成方法によれば、化学増幅架橋型ネガレジスト
の内部に残存する塩基が中和されるので、現像後ベーク
工程において架橋反応が進行することが防止されること
になり、現像後ベークによるレジストパターンの収縮が
抑制され、現像直後の垂直性の高いパターン形状を維持
したレジストパターンを得ることができる。

【００５８】本発明に係る請求項６記載のレジストパタ
ーンの形成方法によれば、化学増幅架橋型ネガレジスト
の内部に残存する塩基の中和に、塩化水素を用いるの
で、取扱いが比較的容易であり、本発明の実施により工
程が煩雑になることを抑制でき、コストの増加を抑制で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係るレジストパターンの形成方法の
第１の実施例の一工程を示す断面図である。

【図２】 本発明に係るレジストパターンの形成方法の
第１の実施例の一工程を示す断面図である。

【図３】 本発明に係るレジストパターンの形成方法の
第１の実施例の一工程を示す断面図である。

【図４】 本発明に係るレジストパターンの形成方法の
第１の実施例の一工程を示す断面図である。

【図５】 本発明に係るレジストパターンの形成方法の
第１の実施例の一工程を示す断面図である。

【図６】 本発明に係るレジストパターンの形成方法の
第１の実施例の一工程を示す断面図である。

【図７】 本発明に係るレジストパターンの形成方法の
第１の実施例の一工程を示す断面図である。

【図８】 本発明に係るレジストパターンの形成方法の
第２の実施例の一工程を示す断面図である。

【図９】 本発明に係るレジストパターンの形成方法の
第２の実施例の一工程を示す断面図である。

【図１０】 本発明に係るレジストパターンの形成方法
の第２の実施例の一工程を示す断面図である。

【図１１】 本発明に係るレジストパターンの形成方法
の第２の実施例の一工程を示す断面図である。

【図１２】 本発明に係るレジストパターンの形成方法
の第２の実施例の一工程を示す断面図である。

【図１３】 本発明に係るレジストパターンの形成方法
の第２の実施例の一工程を示す断面図である。

【図１４】 本発明に係るレジストパターンの形成方法
の第２の実施例の一工程を示す断面図である。

【図１５】 架橋剤と反応可能な官能基を有する反応性
化合物を示す図である。

【図１６】 ポジ型レジストを用いた場合の従来のレジ
ストパターンの形成方法の一工程を示す断面図である。

【図１７】 ポジ型レジストを用いた場合の従来のレジ
ストパターンの形成方法の一工程を示す断面図である。

【図１８】 ポジ型レジストを用いた場合の従来のレジ
ストパターンの形成方法の一工程を示す断面図である。

【図１９】 ポジ型レジストを用いた場合の従来のレジ
ストパターンの形成方法の一工程を示す断面図である。

【図２０】 ｉ線用ポジ型レジストを用いた場合の、レ
ジストパターンの部分拡大図である。

【図２１】 ネガ型レジストを用いた場合の従来のレジ
ストパターンの形成方法の一工程を示す断面図である。

【図２２】 ネガ型レジストを用いた場合の従来のレジ
ストパターンの形成方法の一工程を示す断面図である。

【図２３】 ネガ型レジストを用いた場合の従来のレジ
ストパターンの形成方法の一工程を示す断面図である。

【図２４】 ネガ型レジストを用いた場合の従来のレジ
ストパターンの形成方法の一工程を示す断面図である。

【図２５】 ネガ型レジストを用いた場合の従来のレジ
ストパターンの形成方法の一工程を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 下地層、６ 化学増幅架橋型ネガレジスト、７ 塩
基性物質、８フェノール。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 酸を触媒として架橋反応が促進する化学
   増幅架橋型ネガレジストを、露光後に選択的に除去する
   現像工程と、該現像工程を施した前記化学増架橋幅型ネ
   ガレジストをベークする現像後ベーク工程とを備えるレ
   ジストパターンの形成方法において、 前記現像工程の後であって前記現像後ベーク工程の前
   に、 (ａ)前記化学増幅架橋型レジストの内部に塩基性物質を
   浸透させる工程を備えることを特徴とするレジストパタ
   ーンの形成方法。
2. 【請求項２】 前記工程(ａ)は、前記塩基性物質として
   アンモニアを浸透させる工程を含む請求項１記載のレジ
   ストパターンの形成方法。
3. 【請求項３】 化学増幅架橋型ネガレジストを、露光後
   に選択的に除去する現像工程と、該現像工程を施した前
   記化学増幅架橋型ネガレジストをベークする現像後ベー
   ク工程とを備えるレジストパターンの形成方法におい
   て、 前記現像工程の後であって前記現像後ベーク工程の前
   に、 (ａ)前記化学増幅架橋型レジストの内部に、前記架橋反
   応に寄与する架橋剤の架橋点と反応可能な官能基を有す
   る化合物を浸透させる工程を備えることを特徴とするレ
   ジストパターンの形成方法。
4. 【請求項４】 前記工程(ａ)は、前記架橋剤の架橋点と
   反応可能な官能基を有する化合物としてフェノールを浸
   透させる工程を含む請求項３記載のレジストパターンの
   形成方法。
5. 【請求項５】 塩基を触媒として架橋反応が促進する化
   学増幅架橋型ネガレジストを、露光後に選択的に除去す
   る現像工程と、該現像工程を施した前記化学増幅型ネガ
   レジストをベークする現像後ベーク工程とを備えるレジ
   ストパターンの形成方法において、 前記現像工程の後であって前記現像後ベーク工程の前
   に、 (ａ)前記化学増幅架橋型レジストの内部に、酸性物質を
   浸透させる工程を備えることを特徴とするレジストパタ
   ーンの形成方法。
6. 【請求項６】 前記工程(ａ)は、前記酸性物質として塩
   化水素を浸透させる工程を含む請求項５記載のレジスト
   パターンの形成方法。