JP2647011B2 - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレジストパターンの形成
方法に関し、特にシリル化工程と乾式現像を用いる微細
なレジストパターンの形成方法に関する。
方法に関し、特にシリル化工程と乾式現像を用いる微細
なレジストパターンの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程で用いられる従来
のレジストパターンの形成方法では、基板上にレジスト
層を塗布し、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６
５ｎｍ）あるいはＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎ
ｍ）を用いて露光を行い、アルカリ水溶液にて現像を行
う方法が用いられてきた。このような従来の方法では、
下地基板の段差によってレジスト膜厚が変化すると、パ
ターン寸法が変動するといった問題があった。これは一
般に定在波効果と呼ばれ、半導体素子を作製する上で、
トランジスタ特性のばらつき、あるいは断線、ショート
といった問題を引き起こす。
のレジストパターンの形成方法では、基板上にレジスト
層を塗布し、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６
５ｎｍ）あるいはＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎ
ｍ）を用いて露光を行い、アルカリ水溶液にて現像を行
う方法が用いられてきた。このような従来の方法では、
下地基板の段差によってレジスト膜厚が変化すると、パ
ターン寸法が変動するといった問題があった。これは一
般に定在波効果と呼ばれ、半導体素子を作製する上で、
トランジスタ特性のばらつき、あるいは断線、ショート
といった問題を引き起こす。
【０００３】このような問題を解決する方法として、特
開昭６１−１０７３４６号公報に記載されている方法が
挙げられる。この方法は、ＤＥＳＩＲＥ（Ｄｉｆｆｕｓ
ｉｏｎ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＳＩｌｙｌａｔｉｎｇ Ｒ
Ｅｓｉｓｔ）法と呼ばれ、シリコン化合物による露光部
分の選択的なシリル化を利用する方法である。このＤＥ
ＳＩＲＥ法について以下図面を用いて説明する。
開昭６１−１０７３４６号公報に記載されている方法が
挙げられる。この方法は、ＤＥＳＩＲＥ（Ｄｉｆｆｕｓ
ｉｏｎ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＳＩｌｙｌａｔｉｎｇ Ｒ
Ｅｓｉｓｔ）法と呼ばれ、シリコン化合物による露光部
分の選択的なシリル化を利用する方法である。このＤＥ
ＳＩＲＥ法について以下図面を用いて説明する。
【０００４】図３（ａ）に示すように、まず基板１上に
ジアゾナフトキノンを有するレジスト層２を形成し、エ
キシマレーザ等の露光光３を用いて露光を行う。レジス
ト中のジアゾナフトキノンは露光によって、インデンカ
ルボン酸に変わり露光部４が形成される。次に、図３
（ｂ）に示すように、ヘキサメチルジシラザン等のシリ
コン化合物雰囲気中でベークを行うことによって、露光
部４に対し選択的にシリル化を行ないシリル化層５を形
成する。選択的なシリル化は、ベークによって未露光の
ジアゾナフトキノンが樹脂のＯＨ基と架橋反応を起こ
し、未露光部と露光部におけるシリコン化合物の拡散速
度差ができるために起こると考えられている。またシリ
ル化は、シリコン化合物と樹脂のＯＨ基との結合反応で
ある。最後に図３（ｃ）に示すように、酸素プラズマ中
でエッチングする乾式現像によって、シリコン導入部分
（シリル化層）が酸化シリコン層６となってエッチング
されずに残り、レジストパターン７が形成される。
ジアゾナフトキノンを有するレジスト層２を形成し、エ
キシマレーザ等の露光光３を用いて露光を行う。レジス
ト中のジアゾナフトキノンは露光によって、インデンカ
ルボン酸に変わり露光部４が形成される。次に、図３
（ｂ）に示すように、ヘキサメチルジシラザン等のシリ
コン化合物雰囲気中でベークを行うことによって、露光
部４に対し選択的にシリル化を行ないシリル化層５を形
成する。選択的なシリル化は、ベークによって未露光の
ジアゾナフトキノンが樹脂のＯＨ基と架橋反応を起こ
し、未露光部と露光部におけるシリコン化合物の拡散速
度差ができるために起こると考えられている。またシリ
ル化は、シリコン化合物と樹脂のＯＨ基との結合反応で
ある。最後に図３（ｃ）に示すように、酸素プラズマ中
でエッチングする乾式現像によって、シリコン導入部分
（シリル化層）が酸化シリコン層６となってエッチング
されずに残り、レジストパターン７が形成される。
【０００５】この方法に用いられるレジストの感光剤と
しては、カトウ等（Ｋａｔｏ ｅｔａｌ）によりＳＰＩ
ＥＶｏｌ．１６７２ アドバンセス イン レジスト
テクノロジィ アンド プロセスイング（Ａｄｖａｎｃ
ｅｓ ｉｎ ＲｅｓｉｓｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎ
ｄ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）ＩＸ（１９９２年）４１５
〜４２８頁に記載されているような、ο−ジアゾナフト
キノン−４−スルホン酸エステル、ο−ジアゾナフトキ
ノン−５−スルホン酸エステル等が知られている。ま
た、シリル化に用いるシリコン化合物には、ヘキサメチ
ルジシラザン（ＨＭＤＳ）が最も良く用いられており、
シリル化時の条件としては、ＨＭＤＳ分圧を１３Ｔｏｒ
ｒ程度（室温におけるＨＭＤＳの蒸気圧）とする方法が
とられていた。しかしながら、これらの条件では十分な
感度および解像度が得られていない。
しては、カトウ等（Ｋａｔｏ ｅｔａｌ）によりＳＰＩ
ＥＶｏｌ．１６７２ アドバンセス イン レジスト
テクノロジィ アンド プロセスイング（Ａｄｖａｎｃ
ｅｓ ｉｎ ＲｅｓｉｓｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎ
ｄ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）ＩＸ（１９９２年）４１５
〜４２８頁に記載されているような、ο−ジアゾナフト
キノン−４−スルホン酸エステル、ο−ジアゾナフトキ
ノン−５−スルホン酸エステル等が知られている。ま
た、シリル化に用いるシリコン化合物には、ヘキサメチ
ルジシラザン（ＨＭＤＳ）が最も良く用いられており、
シリル化時の条件としては、ＨＭＤＳ分圧を１３Ｔｏｒ
ｒ程度（室温におけるＨＭＤＳの蒸気圧）とする方法が
とられていた。しかしながら、これらの条件では十分な
感度および解像度が得られていない。
【０００６】そこで１９９３年第４０回応用物理学会予
稿集、５６０頁に記載されているように、ＨＭＤＳの分
圧をあげて（１４８Ｔｏｒｒ）シリル化を行うことによ
って、感度を向上させる方法が提案されている。ただ
し、この場合にも、解像度の向上は報告されていない。
また、ＨＭＤＳの分圧をあげてシリル化を行った例とし
て、特開昭６３−１８７２３７号公報に記載されている
実施例もあるが、分圧をあげることによる効果について
は、述べられていない。
稿集、５６０頁に記載されているように、ＨＭＤＳの分
圧をあげて（１４８Ｔｏｒｒ）シリル化を行うことによ
って、感度を向上させる方法が提案されている。ただ
し、この場合にも、解像度の向上は報告されていない。
また、ＨＭＤＳの分圧をあげてシリル化を行った例とし
て、特開昭６３−１８７２３７号公報に記載されている
実施例もあるが、分圧をあげることによる効果について
は、述べられていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】半導体装置の微細化に
伴って設計ルールが０．２５〜０．３０μｍとなってき
ており、この場合要求される解像度は０．２０〜０．２
２μｍとなる。しかしながら、以上述べてきたように、
ＤＥＳＩＲＥ法は光リソグラフィにおいて問題となって
いる定在波効果を抑えることができるものの、これまで
に、十分な解像度を有するレジストおよびシリル化プロ
セスは得られていない。
伴って設計ルールが０．２５〜０．３０μｍとなってき
ており、この場合要求される解像度は０．２０〜０．２
２μｍとなる。しかしながら、以上述べてきたように、
ＤＥＳＩＲＥ法は光リソグラフィにおいて問題となって
いる定在波効果を抑えることができるものの、これまで
に、十分な解像度を有するレジストおよびシリル化プロ
セスは得られていない。
【０００８】本発明の目的は、シリル化工程においてレ
ジスト中へ導入されるシリコン濃度を高めることによっ
て、乾式現像における露光部分のエッチング耐性を高
め、解像度を向上させたレジストパターンの形成方法を
提供することにある。
ジスト中へ導入されるシリコン濃度を高めることによっ
て、乾式現像における露光部分のエッチング耐性を高
め、解像度を向上させたレジストパターンの形成方法を
提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のレジストパター
ンの形成方法は、基板上にジアゾナフトキノンとフェノ
ール系樹脂からなるレジスト層を形成する工程と、前記
レジスト層にマスクを介して紫外線または遠紫外線を照
射し露光する工程と、前記レジスト層をヘキサメチルジ
シラザン雰囲気中で熱処理することによってシリコンを
露光された前記レジスト層中に導入しシリル化層を形成
する工程と、前記レジスト層を異方性エッチングしシリ
ル化層を残してレジストパターンを形成する工程とを有
するレジストパターンの形成方法において、前記レジス
ト中のジアゾナフトキノンをο−ジアゾナフトキノン−
４−スルホン酸エステルとし、かつ前記シリル化工程に
おけるヘキサメチルジシラザンの分圧を２０〜１２０Ｔ
ｏｒｒ、シリル化温度を１８５〜２１０℃とすることを
特徴とするものである。
ンの形成方法は、基板上にジアゾナフトキノンとフェノ
ール系樹脂からなるレジスト層を形成する工程と、前記
レジスト層にマスクを介して紫外線または遠紫外線を照
射し露光する工程と、前記レジスト層をヘキサメチルジ
シラザン雰囲気中で熱処理することによってシリコンを
露光された前記レジスト層中に導入しシリル化層を形成
する工程と、前記レジスト層を異方性エッチングしシリ
ル化層を残してレジストパターンを形成する工程とを有
するレジストパターンの形成方法において、前記レジス
ト中のジアゾナフトキノンをο−ジアゾナフトキノン−
４−スルホン酸エステルとし、かつ前記シリル化工程に
おけるヘキサメチルジシラザンの分圧を２０〜１２０Ｔ
ｏｒｒ、シリル化温度を１８５〜２１０℃とすることを
特徴とするものである。
【００１０】
【作用】シリル化法を用いるレジストの解像度は、乾式
現像工程におけるシリル化された露光部分（シリル化
層）のエッチング耐性を上げることによって向上する。
それは以下のように説明することができる。実際のシリ
ル化層５は、図４（ａ）に示したように、レジスト膜２
を露光しシリル化反応させることにより中心部が厚い形
をしており、エッチング耐性が低い場合、乾式現像中に
シリル化層５が侵食されるため、レジストパターンの形
状は図４（ｂ）に示したようなテーパー形状となる。こ
れに対してエッチング耐性が高い場合には、シリル化層
５の侵食は小さくなるため、図４（ｃ）に示したよう
に、側面が垂直な良好なパターン形状が得られる。エッ
チング耐性は、レジスト内のシリコン濃度によって変化
し、レジスト内のシリル化反応基の濃度、シリル化にお
けるＨＭＤＳの分圧、シリル化温度などによって決定さ
れる。
現像工程におけるシリル化された露光部分（シリル化
層）のエッチング耐性を上げることによって向上する。
それは以下のように説明することができる。実際のシリ
ル化層５は、図４（ａ）に示したように、レジスト膜２
を露光しシリル化反応させることにより中心部が厚い形
をしており、エッチング耐性が低い場合、乾式現像中に
シリル化層５が侵食されるため、レジストパターンの形
状は図４（ｂ）に示したようなテーパー形状となる。こ
れに対してエッチング耐性が高い場合には、シリル化層
５の侵食は小さくなるため、図４（ｃ）に示したよう
に、側面が垂直な良好なパターン形状が得られる。エッ
チング耐性は、レジスト内のシリコン濃度によって変化
し、レジスト内のシリル化反応基の濃度、シリル化にお
けるＨＭＤＳの分圧、シリル化温度などによって決定さ
れる。
【００１１】本発明では、レジスト中のジアゾナフトキ
ノンをο−ジアゾナフトキノン−４−スルホン酸エステ
ルとし、シリル化工程におけるＨＭＤＳの分圧とシリル
化温度とを適正な値にすることによって、シリル化層の
エッチング耐性を高め高解像度化している。
ノンをο−ジアゾナフトキノン−４−スルホン酸エステ
ルとし、シリル化工程におけるＨＭＤＳの分圧とシリル
化温度とを適正な値にすることによって、シリル化層の
エッチング耐性を高め高解像度化している。
【００１２】解像度はシリル化におけるコントラスト
（露光部のシリル化量と未露光部のシリル化量との比）
に依存する。
（露光部のシリル化量と未露光部のシリル化量との比）
に依存する。
【００１３】図１にシリル化温度と解像度との関係を、
また図２にＨＭＤＳ分圧と解像度との関係を示す。シリ
ル温度が１８５℃よりも低い範囲ではシリル化反応が起
りにくく、その為解像度は低下する。又２１０℃より高
い範囲では樹脂の融点以上となる為未露光部もシリル化
され、シリル化のコントラストが下り解像度が低下す
る。
また図２にＨＭＤＳ分圧と解像度との関係を示す。シリ
ル温度が１８５℃よりも低い範囲ではシリル化反応が起
りにくく、その為解像度は低下する。又２１０℃より高
い範囲では樹脂の融点以上となる為未露光部もシリル化
され、シリル化のコントラストが下り解像度が低下す
る。
【００１４】ＨＭＤＳの分圧が２０Ｔｏｒｒよりも低い
範囲では、シリル化反応はＨＭＤＳ供給律速となってい
る為シリル化層のシリコン濃度は低くなる。その為ドラ
イエッチング耐性が下り解像度が低下する。逆に、ＨＭ
ＤＳ分圧が１２０Ｔｏｒｒ以上になると未露光部もシリ
ル化され易くなる為、シリル化のコントラストが低下
し、解像度が低下する。
範囲では、シリル化反応はＨＭＤＳ供給律速となってい
る為シリル化層のシリコン濃度は低くなる。その為ドラ
イエッチング耐性が下り解像度が低下する。逆に、ＨＭ
ＤＳ分圧が１２０Ｔｏｒｒ以上になると未露光部もシリ
ル化され易くなる為、シリル化のコントラストが低下
し、解像度が低下する。
【００１５】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。ま
ず、フェノール系樹脂およびο−ジアゾナフトキノン−
４−スルホン酸エステルからなるレジストを基板上に塗
布し、ＫｒＦエキシマレーザステッパーにより露光を行
った。次いで、真空中、２００℃の熱板上で３分間加熱
した後、シリコン含有化合物雰囲気ガスとしてＨＭＤＳ
を用い、分圧を４０Ｔｏｒｒとし２００℃の熱板上で３
分間加熱してシリル化を行った。そして最後にＲＩＥ方
式の乾式エッチング装置を用いて、ＲＦパワー；５０
Ｗ、酸素流量；８０ｓｃｃｍ、基板温度；−５０℃、圧
力；５ｍＴｏｒｒの条件下で乾式現像（エッチング）を
行った。以上の方法によって得られたレジストパターン
を電子顕微鏡にて観察した結果、ラインアンドスペース
パターンの限界解像度は０．２０μｍであった。
ず、フェノール系樹脂およびο−ジアゾナフトキノン−
４−スルホン酸エステルからなるレジストを基板上に塗
布し、ＫｒＦエキシマレーザステッパーにより露光を行
った。次いで、真空中、２００℃の熱板上で３分間加熱
した後、シリコン含有化合物雰囲気ガスとしてＨＭＤＳ
を用い、分圧を４０Ｔｏｒｒとし２００℃の熱板上で３
分間加熱してシリル化を行った。そして最後にＲＩＥ方
式の乾式エッチング装置を用いて、ＲＦパワー；５０
Ｗ、酸素流量；８０ｓｃｃｍ、基板温度；−５０℃、圧
力；５ｍＴｏｒｒの条件下で乾式現像（エッチング）を
行った。以上の方法によって得られたレジストパターン
を電子顕微鏡にて観察した結果、ラインアンドスペース
パターンの限界解像度は０．２０μｍであった。
【００１６】なお、シリル化工程におけるＨＭＤＳの分
圧を、室温におけるＨＭＤＳの蒸気圧である１３Ｔｏｒ
ｒとした場合、限界解像度は０．３０μｍであった。ま
た、上記実施例で用いたレジストの代わりに、感光剤を
ο−ジアゾナフトキノン−５−スルホン酸エステルとし
たものを用い、上記実施例と同じ方法でパターン形成を
行った結果、限界解像度は、０．２５μｍであった。こ
のように、レジスト中のジアゾナフトキノンをο−ジア
ゾナフトキノン−４−スルホン酸エステルとし、かつシ
リル化工程におけるＨＭＤＳの分圧を２０〜１２０Ｔｏ
ｒｒ、シリル化温度を１８５〜２１０℃とすることによ
って最も高い解像度を得ることができる。これは、以下
のように説明することができる。
圧を、室温におけるＨＭＤＳの蒸気圧である１３Ｔｏｒ
ｒとした場合、限界解像度は０．３０μｍであった。ま
た、上記実施例で用いたレジストの代わりに、感光剤を
ο−ジアゾナフトキノン−５−スルホン酸エステルとし
たものを用い、上記実施例と同じ方法でパターン形成を
行った結果、限界解像度は、０．２５μｍであった。こ
のように、レジスト中のジアゾナフトキノンをο−ジア
ゾナフトキノン−４−スルホン酸エステルとし、かつシ
リル化工程におけるＨＭＤＳの分圧を２０〜１２０Ｔｏ
ｒｒ、シリル化温度を１８５〜２１０℃とすることによ
って最も高い解像度を得ることができる。これは、以下
のように説明することができる。
【００１７】シリル化反応は、先に述べたように、樹脂
のＯＨ基とシリコン含有化合物が反応し、レジスト内に
シリコンが導入される反応であり、同時に未露光のジア
ゾナフトキノンと樹脂のＯＨ基の架橋反応も進む。従っ
て、架橋反応が進行する温度が、シリル化反応が進行す
る温度よりも低い場合、シリル反応よりも架橋反応の方
が進んでしまうため、レジスト内に導入されるシリコン
濃度が低下してしまう。それに対し、架橋反応が進行す
る温度の方が高い場合、レジスト内に導入されるシリコ
ン濃度は高くなる。乾式現像におけるシリル化層のエッ
チング耐性は、シリコン濃度によって決まっているた
め、後者の方がエッチング耐性は高くなる。
のＯＨ基とシリコン含有化合物が反応し、レジスト内に
シリコンが導入される反応であり、同時に未露光のジア
ゾナフトキノンと樹脂のＯＨ基の架橋反応も進む。従っ
て、架橋反応が進行する温度が、シリル化反応が進行す
る温度よりも低い場合、シリル反応よりも架橋反応の方
が進んでしまうため、レジスト内に導入されるシリコン
濃度が低下してしまう。それに対し、架橋反応が進行す
る温度の方が高い場合、レジスト内に導入されるシリコ
ン濃度は高くなる。乾式現像におけるシリル化層のエッ
チング耐性は、シリコン濃度によって決まっているた
め、後者の方がエッチング耐性は高くなる。
【００１８】一般に用いられるο−ジアゾナフトキノン
−４−スルホン酸エステルとο−ジアゾナフトキノン−
５−スルホン酸エステルを比較すると、後者の方が架橋
反応が進む温度が低い（約２０℃）ため、ο−ジアゾナ
フトキノン−４−スルホン酸エステルを用いた方が架橋
反応が抑えられる。また、シリル化温度は低すぎると、
シリル化反応が進まなくなり、逆に高すぎると、架橋反
応が進み、シリル化が行われ難しくなる。ＨＭＤＳのレ
ジスト内への拡散が速い場合、ＨＭＤＳの分圧が低すぎ
ると、ＨＭＤＳの供給律速となり、シリル化層のシリコ
ン濃度が低くなる。以上説明してきたように、本発明に
おいてはナフトキノンジアジドの種類とシリコン含有化
合物としてのＨＭＤＳの分圧、そしてシリル化温度の組
み合わせによって高解像度化することができた訳であ
り、例えば、単にＨＭＤＳの分圧を上げただけでは高解
像度化をすすめることは困難である。
−４−スルホン酸エステルとο−ジアゾナフトキノン−
５−スルホン酸エステルを比較すると、後者の方が架橋
反応が進む温度が低い（約２０℃）ため、ο−ジアゾナ
フトキノン−４−スルホン酸エステルを用いた方が架橋
反応が抑えられる。また、シリル化温度は低すぎると、
シリル化反応が進まなくなり、逆に高すぎると、架橋反
応が進み、シリル化が行われ難しくなる。ＨＭＤＳのレ
ジスト内への拡散が速い場合、ＨＭＤＳの分圧が低すぎ
ると、ＨＭＤＳの供給律速となり、シリル化層のシリコ
ン濃度が低くなる。以上説明してきたように、本発明に
おいてはナフトキノンジアジドの種類とシリコン含有化
合物としてのＨＭＤＳの分圧、そしてシリル化温度の組
み合わせによって高解像度化することができた訳であ
り、例えば、単にＨＭＤＳの分圧を上げただけでは高解
像度化をすすめることは困難である。
【００１９】なお、上記実施例では、ＫｒＦエキシマレ
ーザで露光を行ったが、水銀ランプのｇ線で露光しても
同様の効果が得られる。
ーザで露光を行ったが、水銀ランプのｇ線で露光しても
同様の効果が得られる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ヘキサメ
チルジシラザンの分圧を２０〜１２０Ｔｏｒｒ，シリル
化温度を１８５〜２１０℃とすることにより、シリル化
工程においてレジスト中へ導入されるシリコン濃度を高
めることができるため、乾式現像における露光部分のエ
ッチング耐性が高まり、解像度を向上させることをでき
る。このため、微細なレジストのパターン形成におい
て、卓越した効果が発揮される。
チルジシラザンの分圧を２０〜１２０Ｔｏｒｒ，シリル
化温度を１８５〜２１０℃とすることにより、シリル化
工程においてレジスト中へ導入されるシリコン濃度を高
めることができるため、乾式現像における露光部分のエ
ッチング耐性が高まり、解像度を向上させることをでき
る。このため、微細なレジストのパターン形成におい
て、卓越した効果が発揮される。
【図１】シリル化温度と解像度との関係を示す図。
【図２】ＨＭＤＳ分圧と解像度との関係を示す図。
【図３】ＤＥＳＩＲＥ法を説明する為の半導体チップの
断面図。
断面図。
【図４】シリル化層のエッチング耐性を説明する為の半
導体チップの断面図。
導体チップの断面図。
１ 基板 ２ レジスト膜 ３ 露光光 ４ 露光部 ５ シリル化層 ６ 酸化シリコン層 ７ レジストパターン
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上にジアゾナフトキノンとフェノー
ル系樹脂からなるレジスト層を形成する工程と、前記レ
ジスト層にマスクを介して紫外線または遠紫外線を照射
し露光する工程と、前記レジスト層をヘキサメチルジシ
ラザン雰囲気中で熱処理することによってシリコンを露
光された前記レジスト層中に導入しシリル化層を形成す
る工程と、前記レジスト層を異方性エッチングしシリル
化層を残してレジストパターンを形成する工程とを有す
るレジストパターンの形成方法において、前記レジスト
中のジアゾナフトキノンをο−ジアゾナフトキノン−４
−スルホン酸エステルとし、かつ前記シリル化工程にお
けるヘキサメチルジシラザンの分圧を２０〜１２０Ｔｏ
ｒｒ、シリル化温度を１８５〜２１０℃とすることを特
徴とするレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6192611A JP2647011B2 (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6192611A JP2647011B2 (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0862860A JPH0862860A (ja) | 1996-03-08 |
| JP2647011B2 true JP2647011B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=16294144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6192611A Expired - Fee Related JP2647011B2 (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2647011B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014159427A1 (en) | 2013-03-14 | 2014-10-02 | Applied Materials, Inc | Resist hardening and development processes for semiconductor device manufacturing |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02213850A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-24 | Toshiba Corp | レジスト膜のシリル化方法 |
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-
1994
- 1994-08-16 JP JP6192611A patent/JP2647011B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH0862860A (ja) | 1996-03-08 |
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