JPH02213850A - レジスト膜のシリル化方法 - Google Patents
レジスト膜のシリル化方法Info
- Publication number
- JPH02213850A JPH02213850A JP3547589A JP3547589A JPH02213850A JP H02213850 A JPH02213850 A JP H02213850A JP 3547589 A JP3547589 A JP 3547589A JP 3547589 A JP3547589 A JP 3547589A JP H02213850 A JPH02213850 A JP H02213850A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- silylation
- heat treatment
- silylated
- gaseous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000006884 silylation reaction Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 20
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 abstract description 5
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 1h-indene-1-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)C=CC2=C1 KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 abstract description 3
- 238000006114 decarboxylation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000032050 esterification Effects 0.000 abstract 1
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 abstract 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- -1 hexamethylene disilane Chemical compound 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、レジスト膜のシリル化方法に関する。
（従来の技術）
従来、半導体装置の製造工程において、例えばイオン注
入や、ポリシリコン層、あるいは酸化膜のパターニング
は、レジスト膜ブロックを形成して行われ、このレジス
ト膜ブロックの形成には、写真蝕刻法という技術がある
。これは、レジスト膜に紫外線等をガラスマスク等を介
して照射し、レジスト膜に所望のパターンに従って露光
部分と、未露光部分とを形成し、この後、露光部分、あ
るいは未露光部分のいずれかの部分を現像（エツチング
除去）することにより、所定形状のレジスト膜プロファ
イルを形成するものである。
入や、ポリシリコン層、あるいは酸化膜のパターニング
は、レジスト膜ブロックを形成して行われ、このレジス
ト膜ブロックの形成には、写真蝕刻法という技術がある
。これは、レジスト膜に紫外線等をガラスマスク等を介
して照射し、レジスト膜に所望のパターンに従って露光
部分と、未露光部分とを形成し、この後、露光部分、あ
るいは未露光部分のいずれかの部分を現像（エツチング
除去）することにより、所定形状のレジスト膜プロファ
イルを形成するものである。
このような写真蝕刻法において、レジスト膜を現像して
所定のプロファイルを形成する方法は、現像液によるウ
ェット・エツチングであった。この為、周知の如く、微
細パターンの形成には適さない。そこで現在、微細パタ
ーンの形成の為に、このレジスト膜の現像方法を、例え
ば酸素を含むプラズマ雰囲気中でドライ・エツチングに
より行う、即ちドライ現像が行われている。このドライ
現像では、まず、現像される側のレジスト膜を、例えば
シリコンを含む雰囲気中、例えばＨＭＤ Ｓ（ヘキサメ
チレンジシラサン）の雰囲気中で熱処理することにより
、レジスト膜の露光部分のベスポリマーにシリコン原子
を結合させ、この部分を現像工程においてエツチングさ
れにくくする。
所定のプロファイルを形成する方法は、現像液によるウ
ェット・エツチングであった。この為、周知の如く、微
細パターンの形成には適さない。そこで現在、微細パタ
ーンの形成の為に、このレジスト膜の現像方法を、例え
ば酸素を含むプラズマ雰囲気中でドライ・エツチングに
より行う、即ちドライ現像が行われている。このドライ
現像では、まず、現像される側のレジスト膜を、例えば
シリコンを含む雰囲気中、例えばＨＭＤ Ｓ（ヘキサメ
チレンジシラサン）の雰囲気中で熱処理することにより
、レジスト膜の露光部分のベスポリマーにシリコン原子
を結合させ、この部分を現像工程においてエツチングさ
れにくくする。
これをシリル化という。このようにレジスト膜のベース
ポリマーにシリコン原子が結合されることにより、この
シリル化されている部分が強化され、シリル化されてい
ない部分との間にエツチング速度の差か生じ、即ち、エ
ツチング比が生じることにより、現像が可能となる。
ポリマーにシリコン原子が結合されることにより、この
シリル化されている部分が強化され、シリル化されてい
ない部分との間にエツチング速度の差か生じ、即ち、エ
ツチング比が生じることにより、現像が可能となる。
しかしながら、このレジスト膜のシリル化には長時間の
熱処理を要している。例えばレジスト膜にポジ型レジス
トである０ＦＲＰ−８００（東京応化の製品）を使用し
、ＨＭＤＳ （ヘキサメチレンジシラサン）数Ｔｏｒｒ
〜数十Ｔｏｒｒ雰囲気で、温度１５０°Ｃで行った場合
、充分にシリル化されるためには、約４時間の時間を要
していた。また、ＨＭＤＳガスのみのシリル化処理では
、露光部分と未露光部分とのシリル化速度の差が大きく
なく、即ちエツチング比が大きく取れない等のシリル化
の選択性の不足のため、例えばエツチング条件が限定さ
れる等の問題があり、エツチングの選択性に乏しかった
。
熱処理を要している。例えばレジスト膜にポジ型レジス
トである０ＦＲＰ−８００（東京応化の製品）を使用し
、ＨＭＤＳ （ヘキサメチレンジシラサン）数Ｔｏｒｒ
〜数十Ｔｏｒｒ雰囲気で、温度１５０°Ｃで行った場合
、充分にシリル化されるためには、約４時間の時間を要
していた。また、ＨＭＤＳガスのみのシリル化処理では
、露光部分と未露光部分とのシリル化速度の差が大きく
なく、即ちエツチング比が大きく取れない等のシリル化
の選択性の不足のため、例えばエツチング条件が限定さ
れる等の問題があり、エツチングの選択性に乏しかった
。
（発明か解決しようとする課題）
この発明は」１記のような点に鑑み為されたもので、従
来の方法による欠点、即ちレジスト膜のシリル化に長時
間を要する点、およびシリル化の選択性に乏しい点を改
善し、短時間でレジスト膜のシリル化が可能であり、か
つ、シリル化に高い選択性を持たせることのできるレジ
スト膜のシリル化方法を提供することを目的とする。
来の方法による欠点、即ちレジスト膜のシリル化に長時
間を要する点、およびシリル化の選択性に乏しい点を改
善し、短時間でレジスト膜のシリル化が可能であり、か
つ、シリル化に高い選択性を持たせることのできるレジ
スト膜のシリル化方法を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
この発明によるレジスト膜のシリル化方法においては、
レジスト膜をシリル化する際、該シリル化熱処理以前、
あるいは同時にアンモニアガスで処理し、かつ温度１０
０°Ｃ〜２００ ’Ｃの範囲てシリル化するものである
。
レジスト膜をシリル化する際、該シリル化熱処理以前、
あるいは同時にアンモニアガスで処理し、かつ温度１０
０°Ｃ〜２００ ’Ｃの範囲てシリル化するものである
。
（作用）
上記のようなレジスト膜のシリル化方法によれば、レジ
スト膜のシリル化熱処理時間が短縮され、かつ処理温度
１００〜２００ ’Ｃの範囲でシリル化に高い選択性を
持たせることができる。
スト膜のシリル化熱処理時間が短縮され、かつ処理温度
１００〜２００ ’Ｃの範囲でシリル化に高い選択性を
持たせることができる。
（実施例）
以下、第１図を参照して、この発明の一実施例に係わる
レジスト膜のシリル化方法について説明する。
レジスト膜のシリル化方法について説明する。
第１図（ａ）乃至第１図（ｄ、）は、この発・明の一実
施例に係わるレジスト膜のシリル化方法について、製造
工程順に示した断面図である。
施例に係わるレジスト膜のシリル化方法について、製造
工程順に示した断面図である。
まず、第１図（ａ）において、半導体基板１上には、ポ
ジ型レジスト膜２ （ＯＦ Ｐ Ｒ，−８００東京応化
製造）が所定の厚さに塗布される。このレジスト膜２は
、ベースポリマーとしてフエノル・ノボラック樹脂、感
光剤には、ナフトキノンジアジドが用いられている、一
般的なポジ型レジストである。
ジ型レジスト膜２ （ＯＦ Ｐ Ｒ，−８００東京応化
製造）が所定の厚さに塗布される。このレジスト膜２は
、ベースポリマーとしてフエノル・ノボラック樹脂、感
光剤には、ナフトキノンジアジドが用いられている、一
般的なポジ型レジストである。
次に、第１図（ｂ）において、第１図（ａ）に示す装置
に対し、所定のパターンが施されているガラスマスク４
を当て、例えば紫外線光のような光３を照射して、レジ
スト膜２の所定の部分を露光する。同図中の２ａは、こ
の露光によりレジスト膜が感光した部分を示している。
に対し、所定のパターンが施されているガラスマスク４
を当て、例えば紫外線光のような光３を照射して、レジ
スト膜２の所定の部分を露光する。同図中の２ａは、こ
の露光によりレジスト膜が感光した部分を示している。
この感光部分２ａでは、前述の感光剤であるナフトキノ
ンジアジドか光反応により、インデンカルボン酸に変化
する。また、同図中の２０は、未露光部分で、未感光部
分であることを示している。
ンジアジドか光反応により、インデンカルボン酸に変化
する。また、同図中の２０は、未露光部分で、未感光部
分であることを示している。
次に、第１図（Ｃ）において、第１図（ｂ）に示す装置
をシリル化処理用オーブン６の中に入れ、アンモニアガ
ス（約１００ Ｔｏｒｒ）およびＨＭＤ Ｓガス（約５
Ｔｏｒｒ）雰囲気５中で、例えば］５０°Ｃで２時間
のシリル化熱処理を行う。同図中の２ｂは、感光部分２
ａ中でシリル化された部分を示している。このシリル化
に際して、ＨＭＤＳガス雰囲気中で熱処理を行うと、感
光部分２ａでは前述のインデンカルボン酸が脱炭酸反応
を起こし、インデンとなる。また一方、未露光部分２ｃ
では、光反応を起こしていない感光剤であるナフトキノ
ンジアジドと、ベースポリマーであるフェノールノボラ
ック樹脂がエステル化し、架橋構造を作る。
をシリル化処理用オーブン６の中に入れ、アンモニアガ
ス（約１００ Ｔｏｒｒ）およびＨＭＤ Ｓガス（約５
Ｔｏｒｒ）雰囲気５中で、例えば］５０°Ｃで２時間
のシリル化熱処理を行う。同図中の２ｂは、感光部分２
ａ中でシリル化された部分を示している。このシリル化
に際して、ＨＭＤＳガス雰囲気中で熱処理を行うと、感
光部分２ａでは前述のインデンカルボン酸が脱炭酸反応
を起こし、インデンとなる。また一方、未露光部分２ｃ
では、光反応を起こしていない感光剤であるナフトキノ
ンジアジドと、ベースポリマーであるフェノールノボラ
ック樹脂がエステル化し、架橋構造を作る。
このような露光部分２ａと、未露光部分２ｃの構造の違
いがシリコンを含むＨＭＤＳガス雰囲気５中のレジスト
膜２内部への拡散速度の違いを生じせしめ、露光部分２
・ａでは、シリル化速度が速く、未露光部分では、拡散
が遅く、よってシリル化されにくくなる。即ち、露光部
分２ａと露光部分２ｃとではシリル化する速度に違いが
ある為、レジスト膜２内部でシリコン含有量の相違が発
生し、エツチング速度に差か生じ、このことから、後工
程でドライ現像か可能となる。また、シリル化熱処理雰
囲気中にアルカリ性であるアンモニアガスを混在させて
いるから、−１−記シリル化の反応がアルカリの存在下
で容易に起こるようになる。従って、シリル化と同時に
アンモニアガスで処理、あるいはシリル化前にアンモニ
アガスで処理することにより、シリル化の反応か促進さ
れ、シリル化熱処理の時間か短縮が可能となる。
いがシリコンを含むＨＭＤＳガス雰囲気５中のレジスト
膜２内部への拡散速度の違いを生じせしめ、露光部分２
・ａでは、シリル化速度が速く、未露光部分では、拡散
が遅く、よってシリル化されにくくなる。即ち、露光部
分２ａと露光部分２ｃとではシリル化する速度に違いが
ある為、レジスト膜２内部でシリコン含有量の相違が発
生し、エツチング速度に差か生じ、このことから、後工
程でドライ現像か可能となる。また、シリル化熱処理雰
囲気中にアルカリ性であるアンモニアガスを混在させて
いるから、−１−記シリル化の反応がアルカリの存在下
で容易に起こるようになる。従って、シリル化と同時に
アンモニアガスで処理、あるいはシリル化前にアンモニ
アガスで処理することにより、シリル化の反応か促進さ
れ、シリル化熱処理の時間か短縮が可能となる。
最後に、第１図（ｄ）において、酸素含むプラズマ雰囲
気中てドライエツチングすることにより、所定の形状の
レジスト膜パターンが形成される。
気中てドライエツチングすることにより、所定の形状の
レジスト膜パターンが形成される。
ここで、ドライエツチングであることから微細、かつ良
好なレジストプロファイルが形成されることは勿論であ
る。
好なレジストプロファイルが形成されることは勿論であ
る。
次に、第２図を参照して、さらに本発明の実施例につい
て説明する。
て説明する。
第２図は、本発明の一実施例に係わるアンモニアガスと
ＨＭＤＳガスとを含む雰囲気中でのシリル化熱処理にお
いて、露光部のレジスト膜中へのシリコン含有量と処理
時間との関係を示したグラフである。
ＨＭＤＳガスとを含む雰囲気中でのシリル化熱処理にお
いて、露光部のレジスト膜中へのシリコン含有量と処理
時間との関係を示したグラフである。
第２図において、縦軸は、露光部のレジスト膜中へのシ
リコン含有量、横軸は、処理温度である。
リコン含有量、横軸は、処理温度である。
また、熱処理時間は、約２時間である。同図中の○は、
露光部分（感光部分）、また、△は、未露光部分（未感
光部分）での値を示している。第２図に示すように、露
光部分と、未露光部分とでは、明らかに、レジスト膜中
へのシリコン含を量の違いが生じている。このことから
、シリル化速度に相違か生じていることが分る。また、
シリコン含有量の違いは、後工程のドライ現像工程で、
そのままレジスト膜のエツチング速度の違いに通じ、即
ち、エツチング比が生じることから、レジスト膜の現像
が可能となる。さらに、同図がら、シリル化熱処理の温
度が１００〜２００ ’Ｃの範囲で、種々のエツチング
の選択性が生じることは明確である。例えばエツチング
比が同じ場合でも、レジスト膜中へのある程度のシリコ
ン含有量が必要である場合は、同図中に示すように、約
１４０℃で熱処理すればよいし、また、さほど必要でな
ければ、例えば約１１０℃で熱処理すればよい。このよ
うに、シリル化熱処理温度１００℃〜２００ ’Ｃの範
囲で、レジスト膜のシリル化に選択性か生じることがら
、エツチングに選択性が生じ、例えばエツチングガスに
対する限定が少なくなる等のメリットが得られ、ドライ
現像工程での自由度を向」ニさせることができる。
露光部分（感光部分）、また、△は、未露光部分（未感
光部分）での値を示している。第２図に示すように、露
光部分と、未露光部分とでは、明らかに、レジスト膜中
へのシリコン含を量の違いが生じている。このことから
、シリル化速度に相違か生じていることが分る。また、
シリコン含有量の違いは、後工程のドライ現像工程で、
そのままレジスト膜のエツチング速度の違いに通じ、即
ち、エツチング比が生じることから、レジスト膜の現像
が可能となる。さらに、同図がら、シリル化熱処理の温
度が１００〜２００ ’Ｃの範囲で、種々のエツチング
の選択性が生じることは明確である。例えばエツチング
比が同じ場合でも、レジスト膜中へのある程度のシリコ
ン含有量が必要である場合は、同図中に示すように、約
１４０℃で熱処理すればよいし、また、さほど必要でな
ければ、例えば約１１０℃で熱処理すればよい。このよ
うに、シリル化熱処理温度１００℃〜２００ ’Ｃの範
囲で、レジスト膜のシリル化に選択性か生じることがら
、エツチングに選択性が生じ、例えばエツチングガスに
対する限定が少なくなる等のメリットが得られ、ドライ
現像工程での自由度を向」ニさせることができる。
［発明の効果］
以上説明したようにこの発明によれば、レジスト膜のシ
リル化方法において、アンモニアガスでレジスト膜を処
理することにより、シリル化該熱処理温度］、 ＯＯ〜
２０００Ｃの範囲でシリル化に選択性を持たせることが
可能となり、また、シリル化速度も向上し、特にレジス
ト膜の感光部分においてシリル化速度が向上される。こ
の点からもシリル化の選択性の幅か広がると共にンリル
化熱処理の時間の短縮が可能となるレジスト膜のシリル
化方法が提供される。
リル化方法において、アンモニアガスでレジスト膜を処
理することにより、シリル化該熱処理温度］、 ＯＯ〜
２０００Ｃの範囲でシリル化に選択性を持たせることが
可能となり、また、シリル化速度も向上し、特にレジス
ト膜の感光部分においてシリル化速度が向上される。こ
の点からもシリル化の選択性の幅か広がると共にンリル
化熱処理の時間の短縮が可能となるレジスト膜のシリル
化方法が提供される。
第１図（ａ）乃至第１図（ｄ）は、この発明の一実施例
に係わるレジスト膜のシリル化方法につフである。 １・・・半導体基板、２・・・レジスト膜、２ａ・・・
感光部分、２ｂ・・・感光部分中のシリル化部分、２Ｃ
・・・未露光部分、３・・・光、４・・ガラスマスク、
５・・・アンモニアガスおよびＨＭＤＳガス雰囲気、６
・・・処理用オーブン。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
に係わるレジスト膜のシリル化方法につフである。 １・・・半導体基板、２・・・レジスト膜、２ａ・・・
感光部分、２ｂ・・・感光部分中のシリル化部分、２Ｃ
・・・未露光部分、３・・・光、４・・ガラスマスク、
５・・・アンモニアガスおよびＨＭＤＳガス雰囲気、６
・・・処理用オーブン。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (1)
- レジスト膜のシリル化方法において、レジスト膜をアン
モニアおよびシリコン雰囲気中で温度１００℃〜２００
℃の範囲で熱処理することを特徴とするレジスト膜のシ
リル化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3547589A JPH02213850A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | レジスト膜のシリル化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3547589A JPH02213850A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | レジスト膜のシリル化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02213850A true JPH02213850A (ja) | 1990-08-24 |
Family
ID=12442797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3547589A Pending JPH02213850A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | レジスト膜のシリル化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02213850A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0862860A (ja) * | 1994-08-16 | 1996-03-08 | Nec Corp | レジストパターンの形成方法 |
-
1989
- 1989-02-15 JP JP3547589A patent/JPH02213850A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0862860A (ja) * | 1994-08-16 | 1996-03-08 | Nec Corp | レジストパターンの形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5427649A (en) | Method for forming a pattern by silylation | |
| JPH0572747A (ja) | パターン形成方法 | |
| US5356758A (en) | Method and apparatus for positively patterning a surface-sensitive resist on a semiconductor wafer | |
| JPH02213850A (ja) | レジスト膜のシリル化方法 | |
| JPH07199482A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| KR19990003857A (ko) | 감광막 형성 방법 | |
| JPH04176123A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0669118A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP2506637B2 (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| KR20010037049A (ko) | 실리레이션을 이용한 리소그라피 방법 | |
| JP2005114973A (ja) | 微細レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0511652B2 (ja) | ||
| JP3660280B2 (ja) | 微細レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0943855A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH06338452A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JP2647011B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP3257126B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| KR100380274B1 (ko) | 디유브이 공정을 이용한 실리콘 산화막 식각방법 | |
| KR100369866B1 (ko) | 반도체소자의미세콘택홀형성방법 | |
| JPH036566A (ja) | エキシマレーザによるパターン形成方法 | |
| JPH04338960A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH11307525A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR960002764B1 (ko) | 고해상도의 미세패턴 형성방법 | |
| JPH0620937A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS6054775B2 (ja) | ドライ現像方法 |