JP2506637B2 - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JP2506637B2 JP2506637B2 JP60171352A JP17135285A JP2506637B2 JP 2506637 B2 JP2506637 B2 JP 2506637B2 JP 60171352 A JP60171352 A JP 60171352A JP 17135285 A JP17135285 A JP 17135285A JP 2506637 B2 JP2506637 B2 JP 2506637B2
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- Japan
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- resist
- forming method
- pattern forming
- pattern
- substrate
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高エネルギーの紫外線を照射し、そして現
像を行なうことによって、適当な像状レジストパターン
を基板上に形成する方法に関するものである。このパタ
ーン形成方法は特に半導体装置製造の微細加工プロセス
において有利に使用することができる。
像を行なうことによって、適当な像状レジストパターン
を基板上に形成する方法に関するものである。このパタ
ーン形成方法は特に半導体装置製造の微細加工プロセス
において有利に使用することができる。
従来のパターン形成方法を第２図（ａ）〜（ｅ）に示
す。図において、１はシリコン（Si）などの基板、２は
該基板１上に塗布されたレジスト、３はマスク、４は現
像液、６は光である。
す。図において、１はシリコン（Si）などの基板、２は
該基板１上に塗布されたレジスト、３はマスク、４は現
像液、６は光である。
従来、半導体装置の製造に際しては、基板１上に塗布
されたフォトレジスト２に、紫外光６をマスク３上より
照射し（第２図（ａ））、そして現像することによって
マスクパターンを基板上にレジストパターンとして転写
し（第２図（ｂ））、さらにそれを純水でリンスし（第
２図（ｃ））、高温でベークした後（第２図（ｄ））、
レジストパターンをマスクとして基板をドライエッチン
グ加工していた（第２図（ｅ））。
されたフォトレジスト２に、紫外光６をマスク３上より
照射し（第２図（ａ））、そして現像することによって
マスクパターンを基板上にレジストパターンとして転写
し（第２図（ｂ））、さらにそれを純水でリンスし（第
２図（ｃ））、高温でベークした後（第２図（ｄ））、
レジストパターンをマスクとして基板をドライエッチン
グ加工していた（第２図（ｅ））。
例えばAZ系フォトレジストを用いてステッパーで露光
した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
水溶液を用いて現像し、さらに純水を用いてリンスを行
なった。これを乾燥した後、コンベクションオーブンを
用い150℃の温度で１時間ベークした。さらにこのレジ
ストをマスクに、シリコン基板をフロンガス（CF4＋
O2）を用いドライエッチングし、微細なパターンを形成
した。
した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
水溶液を用いて現像し、さらに純水を用いてリンスを行
なった。これを乾燥した後、コンベクションオーブンを
用い150℃の温度で１時間ベークした。さらにこのレジ
ストをマスクに、シリコン基板をフロンガス（CF4＋
O2）を用いドライエッチングし、微細なパターンを形成
した。
また、レジストパターンを形成した後、遠紫外光（De
epUV光）を照射し、レジスト表面を硬化した後、ベーク
を行ない、前述のようにドライエッチングを行なう方法
もある。
epUV光）を照射し、レジスト表面を硬化した後、ベーク
を行ない、前述のようにドライエッチングを行なう方法
もある。
従来のプロセスでは、レジストのドライエッチング耐
性を向上させるために行なう高温ベークによって熱ダレ
を生じ、精度よくパターンを加工できない欠点があっ
た。またDeepUV光照射により熱ダレを改善する方法はそ
のプロセスが複雑となり、また装置が高価であるなどの
欠点があった。
性を向上させるために行なう高温ベークによって熱ダレ
を生じ、精度よくパターンを加工できない欠点があっ
た。またDeepUV光照射により熱ダレを改善する方法はそ
のプロセスが複雑となり、また装置が高価であるなどの
欠点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、レジストの耐熱性を向上させ、ポストベー
ク中に生じる熱ダレを防止するパターン形成方法を提供
することを目的とする。
れたもので、レジストの耐熱性を向上させ、ポストベー
ク中に生じる熱ダレを防止するパターン形成方法を提供
することを目的とする。
この発明に係るパターン形成方法は、半導体装置パタ
ーン形成方法において、半導体基板上に塗布された，ノ
ボラック樹脂からなるレジストを露光し、露光したレジ
ストをアルカリ性現像液で現像し、現像後のレジストを
架橋剤を含む溶液でリンスした後、当該半導体基板をベ
ークするようにしたものである。
ーン形成方法において、半導体基板上に塗布された，ノ
ボラック樹脂からなるレジストを露光し、露光したレジ
ストをアルカリ性現像液で現像し、現像後のレジストを
架橋剤を含む溶液でリンスした後、当該半導体基板をベ
ークするようにしたものである。
この発明においては、レジストを露光し現像した後、
架橋剤を含む溶液でリンスを行なうことにより、レジス
トの耐熱性が向上し、ベークの際の熱ダレの発生が防止
される。
架橋剤を含む溶液でリンスを行なうことにより、レジス
トの耐熱性が向上し、ベークの際の熱ダレの発生が防止
される。
以下、この発明の一実施例によるパターン形成方法を
図について説明する。第１図は（ａ）〜（ｅ）は本発明
の一実施例によるパターン形成方法を示し、図中、第２
図と同一符号は同一部分を示す。図において、５はリン
ス液である。
図について説明する。第１図は（ａ）〜（ｅ）は本発明
の一実施例によるパターン形成方法を示し、図中、第２
図と同一符号は同一部分を示す。図において、５はリン
ス液である。
次に本実施例方法について説明する。
従来のようにAZ系フォトレジスト２を露光し（第１図
（ａ））、アルカリ性現像液で現像し（第１図
（ｂ））、基板上にパターンを転写した後に、架橋剤と
なる10％ホルムアルデヒド水溶液で60秒間リンスする
（第１図（ｃ））。これを乾燥後、110℃のベーク炉で2
0分間ソフトベークし、さらに150℃で１時間のポストベ
ークを行なう（第１図（ｄ））。そして、このレジスト
をマスクとしてフロンガス（CF4＋O2）を用い、シリコ
ン基板１をドライエッチング加工する（第１図
（ｅ））。
（ａ））、アルカリ性現像液で現像し（第１図
（ｂ））、基板上にパターンを転写した後に、架橋剤と
なる10％ホルムアルデヒド水溶液で60秒間リンスする
（第１図（ｃ））。これを乾燥後、110℃のベーク炉で2
0分間ソフトベークし、さらに150℃で１時間のポストベ
ークを行なう（第１図（ｄ））。そして、このレジスト
をマスクとしてフロンガス（CF4＋O2）を用い、シリコ
ン基板１をドライエッチング加工する（第１図
（ｅ））。
このように、本実施例方法においては、レジスト２を
露光し現像した後、架橋剤を含む溶液５でリンスを行な
うことによりレジスト２の耐熱性が向上し、DeepUV光照
射による熱ダレ改善方法を採用しなくとも熱ダレが発生
しなくなり容易にしかも安価に高精度の微細パターンを
形成できる。
露光し現像した後、架橋剤を含む溶液５でリンスを行な
うことによりレジスト２の耐熱性が向上し、DeepUV光照
射による熱ダレ改善方法を採用しなくとも熱ダレが発生
しなくなり容易にしかも安価に高精度の微細パターンを
形成できる。
なお、上記実施例ではAZ系レジストについて説明した
が、他のノボラック系樹脂を含む感光剤を用いても上記
実施例と同様の効果を奏する。
が、他のノボラック系樹脂を含む感光剤を用いても上記
実施例と同様の効果を奏する。
また、ホルムアルデヒドを含むリンス液を使用した
後、DeepUV光照射を行なうと、熱ダレは著しく改善され
る。
後、DeepUV光照射を行なうと、熱ダレは著しく改善され
る。
以上のように、この発明に係るパターン形成方法によ
れば、半導体装置のパターン形成方法において、半導体
基板上に塗布された，ノボラック樹脂からなるレジスト
を露光し、露光したレジストをアルカリ性現像液で現像
し、現像後のレジストを架橋剤を含む溶液でリンスした
後、当該半導体基板をベークするようにしたので、特別
のレジストの耐熱性向上プロセスなしでパターン形成を
容易かつ安価にでき、また、精度の高い微細パターンを
形成できる効果がある。
れば、半導体装置のパターン形成方法において、半導体
基板上に塗布された，ノボラック樹脂からなるレジスト
を露光し、露光したレジストをアルカリ性現像液で現像
し、現像後のレジストを架橋剤を含む溶液でリンスした
後、当該半導体基板をベークするようにしたので、特別
のレジストの耐熱性向上プロセスなしでパターン形成を
容易かつ安価にでき、また、精度の高い微細パターンを
形成できる効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例によるパター
ン形成方法を示す図、第２図（ａ）〜（ｅ）は従来のパ
ターン形成方法を示す図である。 １……基板、２……レジスト、４……現像液、５……リ
ンス液。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
ン形成方法を示す図、第２図（ａ）〜（ｅ）は従来のパ
ターン形成方法を示す図である。 １……基板、２……レジスト、４……現像液、５……リ
ンス液。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体装置のパターン形成方法において、 半導体基板上に塗布された，ノボラック樹脂からなるレ
ジストを露光し、 露光したレジストをアルカリ性現像液で現像し、 現像後のレジストを架橋剤を含む溶液でリンスした後、 当該半導体基板をベークすることを特徴とするパターン
形成方法。 - 【請求項２】上記架橋剤としてホルムアルデヒドを用い
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のパター
ン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60171352A JP2506637B2 (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60171352A JP2506637B2 (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6231122A JPS6231122A (ja) | 1987-02-10 |
| JP2506637B2 true JP2506637B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=15921608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60171352A Expired - Lifetime JP2506637B2 (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2506637B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69126149T2 (de) * | 1990-01-22 | 1998-01-02 | Sony Corp | Trockenätzverfahren |
| JP2745443B2 (ja) * | 1993-01-22 | 1998-04-28 | 株式会社ソルテック | レジストパターン形成方法 |
| WO2005055294A1 (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-16 | Tokyo Electron Limited | 現像処理方法および現像処理装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4863806A (ja) * | 1971-12-11 | 1973-09-05 | ||
| JPS5223281B2 (ja) * | 1972-12-15 | 1977-06-23 | ||
| JPS52152174A (en) * | 1976-06-14 | 1977-12-17 | Tokyo Ouka Kougiyou Kk | Method of hardening treatment for aqueousssoluble resist pattern |
-
1985
- 1985-08-02 JP JP60171352A patent/JP2506637B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6231122A (ja) | 1987-02-10 |
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