JPS58123727A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS58123727A JPS58123727A JP569182A JP569182A JPS58123727A JP S58123727 A JPS58123727 A JP S58123727A JP 569182 A JP569182 A JP 569182A JP 569182 A JP569182 A JP 569182A JP S58123727 A JPS58123727 A JP S58123727A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resist layer
- resist
- semiconductor device
- exposed
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/36—Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造法に係り、特にエツチングに
よりパターンを形成する方法に関する。
よりパターンを形成する方法に関する。
従来のパターン形成方法は基板上にレジスト層を塗布す
る工程、光または放射線等のエネルギー線を照射してレ
ジスト層を露光する工程、基板を現像液で現像する工程
基板上のレジストパターンｔマスクに基板を選択エッチ
する工場から成る〇上記方法では４６エ程に於て、有機
溶剤或いはその抽水溶液から成る現像液を必要とした。
る工程、光または放射線等のエネルギー線を照射してレ
ジスト層を露光する工程、基板を現像液で現像する工程
基板上のレジストパターンｔマスクに基板を選択エッチ
する工場から成る〇上記方法では４６エ程に於て、有機
溶剤或いはその抽水溶液から成る現像液を必要とした。
本発明は現像剤を用いること無くレジストパターンを形
成するパターン形成法を提供するものである。
成するパターン形成法を提供するものである。
本発明はａ−シアノアクリレート樹脂とアジドｍ架橋剤
とから成るレジス）ｌ基板上に塗布する工場、該基板に
光、荷電ビーム又はＸ線等のエネルギー線管照射して露
光する工程、該基板金熱溶現してレジスト層の膜減りを
起させ、露光部と未露光部とでレジスト層の膜厚が異な
るレジストパターンを形成する工程、該基板？ドライエ
ッチして該未露光部のレジスト層！除去する工程、ｉ＊
無光部の残存レジスト層をマスクに基板を選択エッチす
る工程、を有することｔ％黴とする半導体装置の製造方
法により達成される。
とから成るレジス）ｌ基板上に塗布する工場、該基板に
光、荷電ビーム又はＸ線等のエネルギー線管照射して露
光する工程、該基板金熱溶現してレジスト層の膜減りを
起させ、露光部と未露光部とでレジスト層の膜厚が異な
るレジストパターンを形成する工程、該基板？ドライエ
ッチして該未露光部のレジスト層！除去する工程、ｉ＊
無光部の残存レジスト層をマスクに基板を選択エッチす
る工程、を有することｔ％黴とする半導体装置の製造方
法により達成される。
以下本発明を実施例ケ参照して説明する。
〔実施例〕ａミーシアノアクリレート脂としてポリ（ｎ
−ブチルシアノアクリレ−１（１）Ｎ アジド化合物として２．６−ビス−（４′アジドベンザ
ル）−４−メチルシクロヘキサノン（２）〇 九−−ＯＨ−＝ＯＨ−−Ｎ、 ・・・・・・（４０Ｈ
１ を用いた。
−ブチルシアノアクリレ−１（１）Ｎ アジド化合物として２．６−ビス−（４′アジドベンザ
ル）−４−メチルシクロヘキサノン（２）〇 九−−ＯＨ−＝ＯＨ−−Ｎ、 ・・・・・・（４０Ｈ
１ を用いた。
溶媒ペントキソンｉｏｏｍｆｆｉに数平均分子量 ＝
３０万２重量平均分子量ＭＹ；５６万 分散度ＭＷ／Ｍ
ｎ＝Ｌ８８のポリ（ｎ−ブチルシアノアクリレ−））１
２Ｆとポリ（ｎ−ブチルシアノアクリレート）に対して
約ｓｗｔ＠の２，６−ビス−（４′−アジドベンザル）
−嘉一メチルジクロヘキサノン會添加混合した溶液ｔレ
ジスト溶液とじて用いた。基板上にレジス）ｔ−スピン
コード法により乾燥膜厚が約１μｍとなるように塗布す
る。基板ｔ−６０〜９０℃で２０分間加熱乾燥する。
３０万２重量平均分子量ＭＹ；５６万 分散度ＭＷ／Ｍ
ｎ＝Ｌ８８のポリ（ｎ−ブチルシアノアクリレ−））１
２Ｆとポリ（ｎ−ブチルシアノアクリレート）に対して
約ｓｗｔ＠の２，６−ビス−（４′−アジドベンザル）
−嘉一メチルジクロヘキサノン會添加混合した溶液ｔレ
ジスト溶液とじて用いた。基板上にレジス）ｔ−スピン
コード法により乾燥膜厚が約１μｍとなるように塗布す
る。基板ｔ−６０〜９０℃で２０分間加熱乾燥する。
コビルト社製アライナーＣム２８００Ｈｉ用いて基板上
にマスクを密着させ紫外光を約１５■照射し露光する。
にマスクを密着させ紫外光を約１５■照射し露光する。
しかる後基板をレジストが溶融しない熱処理温度で約２
０分間熱処理し、レジスト層の膜減りを生じさせる。
０分間熱処理し、レジスト層の膜減りを生じさせる。
第１図はレジスト層の膜減りを示す図である。
縦軸に膜減り量、横軸に熱処理温度でプロットした膜減
り曲線を示す。
り曲線を示す。
図中点線Ａ（・・・・・・）Ｆｉアジド化化合金管添加
ないポリ（ｎ−ブチルシアノアクリレート）のみからな
るレジストを用いた場合の膜減り曲線なおこの場合露光
部も末ｌｌｌ一部もほぼ同じ膜減り曲線を示した。破線
Ｃ（・・・・・・）はアジド化合物７５ｗｔ％添加した
レジストを用い紫外光管照射することなく熱処理した場
合の熱処理温度に対するレジスト層の膜減り曲ｍｔ−示
す。また夾１１Ｂ（−’）はアジド化合物ｆ５Ｗｔ４添
加したレジストｔ−用い紫外光（ｚ１５ｍｉｎ 照射
して露光した後熱処理した場合のレジスト層の膜ｄＯ曲
線管示す。
ないポリ（ｎ−ブチルシアノアクリレート）のみからな
るレジストを用いた場合の膜減り曲線なおこの場合露光
部も末ｌｌｌ一部もほぼ同じ膜減り曲線を示した。破線
Ｃ（・・・・・・）はアジド化合物７５ｗｔ％添加した
レジストを用い紫外光管照射することなく熱処理した場
合の熱処理温度に対するレジスト層の膜減り曲ｍｔ−示
す。また夾１１Ｂ（−’）はアジド化合物ｆ５Ｗｔ４添
加したレジストｔ−用い紫外光（ｚ１５ｍｉｎ 照射
して露光した後熱処理した場合のレジスト層の膜ｄＯ曲
線管示す。
即ち、ａ−シアノアクリレート樹脂のみを用い友レジス
トでは光音照射し露光した場合には光音照射しない未露
光の場合にも熱処理によるレジスト層の膜減りは少なく
、その差はほとんど生じなかつ九〇 一方、ａ−シアノアクリレート樹脂にアジド架橋剤２５
ｗｔ＠添加したレジストでは紫外光管照射した露光部で
は曲ＩＩＢのように熱処理によるレジスト層の膜減りが
比較的少なく、紫外光を照射しなかった末露光部では曲
線Ｃのように熱処理によるレジスト層の膜減りが多い。
トでは光音照射し露光した場合には光音照射しない未露
光の場合にも熱処理によるレジスト層の膜減りは少なく
、その差はほとんど生じなかつ九〇 一方、ａ−シアノアクリレート樹脂にアジド架橋剤２５
ｗｔ＠添加したレジストでは紫外光管照射した露光部で
は曲ＩＩＢのように熱処理によるレジスト層の膜減りが
比較的少なく、紫外光を照射しなかった末露光部では曲
線Ｃのように熱処理によるレジスト層の膜減りが多い。
そこで、５ｓ添加溶液を８１ウエハーに１０μｍの厚さ
に塗布したのち、低温でプリベーク（６０℃２０ ｍｉ
ｎ ） ？行ない１５ｍ１ｎ１１度ノｔｒ、ｖ照射後、
１３０℃、２０ｍ１ｎ のベーキングを行なった結果
、＠２図（Ｃ）に示すように露光部と末露光部のレジス
ト層の段差ｄが６０００〜フ０００ム程度ｆあるパター
ンが得られｔ０従って後工程での全面ドライエッチ後露
光部の残存レジスト層の膜厚は約６０００〜ツ０００Ａ
である。
に塗布したのち、低温でプリベーク（６０℃２０ ｍｉ
ｎ ） ？行ない１５ｍ１ｎ１１度ノｔｒ、ｖ照射後、
１３０℃、２０ｍ１ｎ のベーキングを行なった結果
、＠２図（Ｃ）に示すように露光部と末露光部のレジス
ト層の段差ｄが６０００〜フ０００ム程度ｆあるパター
ンが得られｔ０従って後工程での全面ドライエッチ後露
光部の残存レジスト層の膜厚は約６０００〜ツ０００Ａ
である。
なお、第２図は本発明方法管説明する工程断面図である
。
。
第２図（ａ）：被処理基板上上にレジスト層２塗布、第
２図（ｂ）：マスク３ｔコンタクトし、紫外光５ケ照射
する。
２図（ｂ）：マスク３ｔコンタクトし、紫外光５ケ照射
する。
４は遮蔽膜のマスクパターン、６はレジストの末露光部
、６はレジストの露光部、紫外光管照射したレジストの
露光部ではアジドが紫外光により分解し、不活性となる
。
、６はレジストの露光部、紫外光管照射したレジストの
露光部ではアジドが紫外光により分解し、不活性となる
。
第２図（Ｃ）：基板管熱処理して露光部と末露光部でレ
ジストの膜厚に段差（１１生ぜしめる。末露光部では熱
処理によりレジスト中のアジド化合物が分解すると同時
に生じるラジカルの作用で末菖光部のレジスト層の膜減
り管生じる。露光部でに紮外光照射時すでにほとんどの
アジド化合物は分解されてしまっているので、熱処理工
程でにレジスト層の膜減り４小さい。
ジストの膜厚に段差（１１生ぜしめる。末露光部では熱
処理によりレジスト中のアジド化合物が分解すると同時
に生じるラジカルの作用で末菖光部のレジスト層の膜減
り管生じる。露光部でに紮外光照射時すでにほとんどの
アジド化合物は分解されてしまっているので、熱処理工
程でにレジスト層の膜減り４小さい。
第２図（ｄ）：段差形成したレジスト層全全面ドライエ
ッチして末露光部のレジストが全部除去され、被処理基
板１が露出するまでドライエッチする。
ッチして末露光部のレジストが全部除去され、被処理基
板１が露出するまでドライエッチする。
第２図（ｅ）：残存する露光部のレジスト層６會マスク
に基板１ｉエツチングする。
に基板１ｉエツチングする。
なお、本実施例のアジド化合物の他にジアドカルコン１
用いることができる。なお、同様の材料音用いてＪ
Ｂ照射した場合も熱処理による末露光部の膜滅＃７は大
きく光照射の場合と同様の結果が得られた。
用いることができる。なお、同様の材料音用いてＪ
Ｂ照射した場合も熱処理による末露光部の膜滅＃７は大
きく光照射の場合と同様の結果が得られた。
また、α−シアノアクリレート樹脂としてｉｓ。
−ブチルシアノアクリレートを用いることができるＯ
本発明によｒ） 、ｖ シス） ｔｌＡ＊ｆｌｉ’に用
イルコトなく現儂することができ製造工程が容易となる
。
イルコトなく現儂することができ製造工程が容易となる
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１ａ−シアノアクリレート樹脂とアジド型架橋剤と
から成るレジストｆ基板上に塗布する工程、該基板にエ
ネルギー線を照射して露光する工程、該基板管熱処理し
てレジスト層の膜減りｔ起させ、露光部と未露光部とで
レジスト層の膜厚が異なるレジストパターンを形成する
工程、皺基板をドライエッチして該未露光部のレジスト
層を除去する工場、該露光部の残存レジスト層をマスク
に基板葡選択エッチする工程、を有することｔ４１黴と
する半導体装置の製造方法。 （′４ 上記エネルギー線が上記アジド型架橋剤を分解
する紫外光、荷電ビーム、又はＸ線である特許請求の範
囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP569182A JPS58123727A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP569182A JPS58123727A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58123727A true JPS58123727A (ja) | 1983-07-23 |
Family
ID=11618119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP569182A Pending JPS58123727A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58123727A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61135123A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | 微細パタ−ンの形成方法 |
| US4675273A (en) * | 1986-02-10 | 1987-06-23 | Loctite (Ireland) Limited | Resists formed by vapor deposition of anionically polymerizable monomer |
| US5187048A (en) * | 1989-06-23 | 1993-02-16 | Loctite (Ireland) Limited | Photoresists formed by polymerization of di-unsaturated monomers |
| US5359101A (en) * | 1989-11-21 | 1994-10-25 | Loctite Ireland, Ltd. | Anionically polymerizable monomers, polymers thereof and use of such polymers in photoresists |
-
1982
- 1982-01-18 JP JP569182A patent/JPS58123727A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61135123A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | 微細パタ−ンの形成方法 |
| US4675273A (en) * | 1986-02-10 | 1987-06-23 | Loctite (Ireland) Limited | Resists formed by vapor deposition of anionically polymerizable monomer |
| US5187048A (en) * | 1989-06-23 | 1993-02-16 | Loctite (Ireland) Limited | Photoresists formed by polymerization of di-unsaturated monomers |
| US5359101A (en) * | 1989-11-21 | 1994-10-25 | Loctite Ireland, Ltd. | Anionically polymerizable monomers, polymers thereof and use of such polymers in photoresists |
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