KR20070051008A - 포토레지스트 패턴 형성 방법 - Google Patents

Abstract

포토레지스트 패턴 형성 방법에서, 식각 대상막이 형성된 기판 상에 포토레지스트 수지, 광산 발생제 및 교차 결합 화합물을 포함하는 포토레지스트 막을 형성한 후, 노광 및 현상 공정을 수행하여 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 포토레지스트 패턴을 1차 베이크 처리하여 상기 포토레지스트 패턴을 경화시키고, 상기 경화된 포토레지스트 패턴을 2차 베이크 처리하여, 상기 포토레지스트 수지와 교차 결합 화합물 사이의 교차 결합을 이용하여 상기 포토레지스트 패턴을 치밀화시킨다. 따라서, 상기 포토레지스트 패턴은 기존의 포토레지스트 패턴 대비 치밀화된 특성을 갖는다.

Description

포토레지스트 패턴 형성 방법{METHOD OF FORMING PHOTORESIST PATTERN }

도 1은 종래 기술에 따른 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.

도 2는 본 발명의 일 실 시예에 따른 포토레지스트 패턴을 형성방법을 나타내는 공정 흐름도이다.

도 3 내지 도 8은 본 발명에 따른 포토레지스트 패턴 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

200 : 기판 210 : 식각 대상막

220 : 포토레지스트 막 230 : 마스크

본 발명은 포토레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 기존의 포토레지스트 패턴 대비 치밀화된 포토레지스트 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.

최근 반도체 산업의 발전으로 반도체 소자의 고집적화가 요구됨에 따라 초미 세 패턴을 구현하고자 하는 가공기술이 대두되고 있다. 상기 초미세 패턴을 형성하기 위한 가공 기술은 주로 포토레지스트(photoresist)를 이용한 포토리소그래피(photolithography) 기술에 의해 이루어져 왔다. 상기 포토리소그래피의 핵심 기술은 포토레지스트 막 형성 공정, 상기 포토레지스트 막에 형성하고자 하는 패턴의 정렬, 노광 공정 및 포토레지스트의 현상 공정을 수행하여 포토레지스트 패턴의 형성 공정을 들 수 있다.

상술한 포토리소그래피 공정에 의해 형성되는 포토레지스트 패턴의 해상도는 Rayleigh's equation(R = k1λ/ NA, R: 한계 해상도, λ: 파장, k1: 상수, NA: 렌즈의 개구수)에 따른다. 즉, 사용되는 빛의 파장이 짧을수록 상기 포토레지스트 패턴은 더 우수한 해상도를 갖으며, 선폭 또한 작아진다.

실제로 1980년 대 초에는 436nm의 파장을 갖는 G-line 광, 365nm의 파장을 갖는 I-line 광이 적용되는 노광 장치를 이용하여 약 500 내지 350nm의 해상도를 포토레지스트 패턴을 형성하였으나, 최근 248nm의 파장을 갖는 KrF 광 또는 198nm의 파장을 갖는 ArF 광을 이용한 노광 기술이 도입됨에 따라 우수한 해상도를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있게 되었다.

특히, 100nm급 이하의 초미세 패턴들을 형성하기 위해서는, 상기 ArF 용 포토레지스트 패턴이 적용되고 있다. 그러나 상기 ArF용 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 적용하여 하부 박막을 식각하기에는, 상기 포토레지스트 패턴의 내식각성이 부족하다.

도 1은 종래 기술에 따른 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.

먼저 기판 상부에 식각 대상막을 형성한 후, 상기 식각 대상막 상에 포토레지스트를 균일한 두께로 도포하여 포토레지스트 막을 형성한다.(단계 S10)

상기 포토레지스트 막을 소프트 베이크 처리하여, 상기 포토레지스트 막에 포함 된 액상 성분을 제거한다.(단계 S20)

이어서, 상기 소프트 베이크 처리된 기판에 소정의 패턴이 형성된 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트 막을 노광한다.(단계 S30) 상기 노광 공정으로 인해 상기 포토레지스트 막은 광 화학 반응(photo chemical reaction)하며, 이로 인하여 광이 조사된 상기 포토레지스트 막은 상기 마스크의 패턴 형상에 대응하게 분자구조가 변화된다.

상기 노광 공정을 완료한 포토레지스트 막을 현상하기 전에 후 노광 베이크 (post exposure bake, PEB)공정을 수행한다.(단계 S40) 상기 후 노광 베이크 공정은 보통 130℃ 내지 140℃의 온도에서 진행되며, 상기 포토레지스트 수지 내에서 용해도 차이를 유발시키는 공정이다.

이어서, 상기 후 노광 베이크 공정을 마친 포토레지스트 막을 현상한다.(단계 S50) 상기 현상 공정은 상기 노광 공정에 의해 변형된 포토레지스트를 선택적으로 제거함으로서 상기 마스크 패턴과 대응되는 형상을 갖는 포토레지스트 패턴을 식각 대상막 상에 형성하는 공정이다.

상기 현상 공정이 종료된 후, 상기 식각 대상막에 잔류하는 현상액을 제거하기 위한 린스 공정을 선택적으로 수행할 수 있다.

상기 현상 공정에 의하여 형성된 포토레지스트 패턴을 하드 베이크(hard bake)를 처리하여, 포토레지스트 패턴을 형성한다.(단계 S60) 상기 하드 베이크는 통상적으로 130℃ 내지 140℃에서 수행한다. 상기와 같은 공정으로 형성 된 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 적용하여 노출된 식각 대상막을 건식 식각하여 최종적인 패턴을 형성하는 공정을 더 수행한다.

그러나, 상기와 같은 공정으로 형성된 ArF용 포토레지스트 패턴은 치밀하지 못하여, 식각 대상물에 내한 내식각성이 부족하다. 따라서, 상기 ArF용 포토레지스트 패턴을 적용하여 하부에 형성된 식각 대상막을 식각하기 위해서는 하드 마스크막 역할을 수행할 수 있는 신규한 공정의 개발이 필요한 실정이다.

따라서, 상기한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 치밀화 된 포토레지스트 패턴의 형성방법을 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 패턴 형성방법은, 우선 식각 대상막이 형성된 기판 상에 포토레지스트 수지, 광산 발생제 및 교차 결합 화합물을 포함하는 포토레지스트 막을 형성한 후, 광을 적용하여 상기 포토레지스트 막을 선택적으로 노광한다. 이어서, 상기 노광된 포토레지스트 막을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 1차 베이크 처리하여 상기 포토레지스트 패턴을 경화시킨다. 다음에, 상기 경화된 포토레지스트 패턴을 2차 베이크 처리하여, 상기 포토레지스트 수지와 교차 결합 화합물 사 이의 교차 결합(resist resin crosslink)을 이용하여 상기 포토레지스트 패턴을 치밀화시킨다.

이때, 상기 포토레지스트 수지는, 하이드록시 기(-OH)를 갖는 아크릴레이트(acrylate)계 수지이다. 또한, 상기 2차 베이크 처리는 215℃ 내지 225℃에서 수행한다.

이에 따른 본 발명의 포토레지스트 패턴 형성방법은 통상적인 공정 방법에 의해 포토레지스트 패턴을 형성한 후 부가적인 베이크 처리를 수행한다. 이로써, 종래의 포토레지스트 패턴에 비해 치밀화 된 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예들에 의한 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 상세히 설명하고자 한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 패턴을 형성방법을 나타내는 공정 흐름도이다.

도 2를 참조하면, 먼저 식각 대상막이 형성된 기판 상에 포토레지스트 막을 형성한다.(단계 S110)

상기 식각 대상막은 예를 들어 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판 상에 형성되는 박막일 수 있다.

이때, 상기 기판 상에 포토레지스트의 접착성을 높이기 위해 접착 강화제로 헥사메틸다이사이레인(hexamethyldisilane, 이하 HDMS라 명명함)을 형성한다. 상기 HDMS의 형성 방법으로는, 복수의 기판을 HDMS 욕조에 소정시간동안 투입한 후에 방출하는 침지(immersion)방식, 기판을 회전척 상에 위치시켜 기판을 회전시키며 HDMS를 기판 상에 분사하는 스프레이(spray) 방식 및 HDMS를 탱크 내에서 질소(N₂)가스를 이용하여 기포를 발생시켜 질소(N₂)가스와 HDMS가 함께 기판 표면을 감싸게 하는 기상 도포 방식 등이 있다.

또한, 상기 기판 상에 존재하는 습기 및 잔류하는 오염물질로 인해 포토레지스트 막의 접착성이 감소되는 것을 방지하기 위해 세정 공정을 선택적으로 수행할 수 있다.

다음으로, 식각 대상막이 형성된 기판 상에 포토레지스트 막을 형성한다.

통상적으로 포토레지스트는 광의 예민한 반응을 보이는 화합물로서, 크게 양성 포토레지스트(positive photoresist)와 음성 포토레지스트(negative photoresist)로 분류할 수 있다. 상기 양성 포토레지스트는 광이 조사된 부분이 현상액에 녹으며, 이와 반대로, 음성 포토레지스트는 광이 조사되지 않은 부분이 현상액에 녹는다.

본 발명의 일실시예에서는, 상기 포토레지스트가 양성 포토레지스트인 경우에 한하여 설명하기로 한다.

먼저, 기판을 회전척 상에 올려놓고 기판을 회전 또는 정지 된 상태에서 포토레지스트를 분사한 후, 회전척을 고속으로 회전시켜 포토레지스트를 기판 전면에 도포한다.

본 발명에 따른 포토레지스트의 조성물은 광과 선택적으로 반응하는 포토레지스트 수지, 산을 생성하는 광산발생제(Photo Acid Generator), 교차결합 화합물 (X-linker compound), 유기 염기(Quencher) 및 여분의 용매(Solvent)를 포함하고 있다.

상기 포토레지스트 수지는 아크릴레이트(acrylate)계 수지이며, 상기 아크릴레이트계 수지의 예로서는 메타크릴레이트(methacrylate)계 수지를 들 수 있다.

또한, 상기 포토레지스트 수지는 블록킹 그룹(blocking) 등을 포함한다. 상기 블록킹 그룹을 상기 포토레지스트 수지로부터 절단시키기 위해서는 일정량 이상의 산(H+)과 열(Heat)이 필요하다. 이때, 상기 필요한 산(H+)은 노광 공정 시 광에 감응하여 산(H+)을 발생시키는 물질인 상기 광산 발생제로부터 제공 받는다.

상기 교차 결합 화합물은 상기 포토레지스트 수지에 포함된 하이드록시 기(-OH)와 축합 반응하여 교차 결합한다.

상기 유기 염기는 대기 중에 포함되어 있는 아민 등의 염기성 화합물이 노광 후 얻어지는 패턴에 끼치는 영향을 최소화하는 동시에 패턴의 모양을 조절하는 역할을 한다.

상기 포토레지스트 조성물은 필요에 따라 촉매제 등을 더 포함할 수 있다. 상기 촉매제는 상기 포토레지스트 수지에 포함된 하이드록시 기(-OH)와 상기 교차 결합 화합물의 축합 반응 속도를 증가시키는 역할을 한다.

상기 포토레지스트가 도포된 기판을 소프트 베이크 처리한다.(단계 S120)

상기 소프트 베이크 처리는 후속의 하드 베이크 공정보다 낮은 온도인 약 90℃ 내지 약 120℃의 온도 하에서 선택적으로 수행할 수 있다. 상기 소프트 베이크 처리로 상기 포토레지스트 막에 포함된 유기 용매 및 수분이 증발되며, 상기 기판 과 상기 포토레지스트 막의 접착성이 증가된다. 또한, 열에 의한 어닐링(annealing)효과로 응력을 완화시킨다.

상기 소프트 베이크 및 후속으로 이어지는 1차 및 2차 베이크 처리는 인-라인 트랙(in-line track)장비에서 오븐(oven) 가열 방식이나 핫 플레이트(hot plate) 가열 방식을 적용할 수 있다.

이어서, 광을 적용하여 상기 소프트 베이크 처리가 수행된 포토레지스트 막을 선택적으로 노광한다.(단계 S130)

상기 포토레지스트 막이 형성된 기판 상에 최종적으로 형성하고자 하는 패턴이 형성된 마스크를 위치시킨다. 이어서, 상기 마스크에 광을 일정시간 조사함으로써, 상기 포토레지스트 막은 상기 마스크의 패턴의 형상에 대응하게 선택적으로 분자구조가 변화된다, 구체적으로, 상기 광에 의해 상기 광산 발생제로부터 산이 발생하며, 이로 인해 상기 포토레지스트 수지에 포함 된 블로킹 그룹이 절단된다.

이에 따라, 상기 광이 조사된 부위의 포토레지스트 막은 상기 광이 조사되지 않은 부위의 포토레지스트 막과 다른 용해도를 갖게 된다.

본 발명에 일실시예에 따른 노광 공정에 적용되는 광은 240nm 미만의 파장을 갖는 ArF 광을 사용한다. 하지만, 필요에 따라 적절한 파장을 갖는 다른 광원을 사용하여 노광할 수 있다.

이어서, 후 노광 베이크 공정을 수행한다.(단계 S140)

상기 후 노광 베이크 공정은 상기 노광 공정 후 나타나는 정상파 현상의 방지를 수행한다. 상기 노광 공정 시 입사광과 반사광이 보강 및 상쇄 간섭을 일으켜 서 정상파를 형성하게 된다. 이러한 정상파는 상기 포토레지스트 막의 간섭 무늬를 띠게 하여, 패턴 형상의 불량을 초래할 수 있다. 이러한 정상파 현상은 상기 후 노광 베이크 공정을 수행함으로써 완화시킬 수 있다.

상기 노광 베이크 공정을 수행함으로써, 후속에서 진행되는 현상 공정 시 포토레지스트 패턴의 형상을 개선되며, 부가적으로 상기 포토레지스트 막 내에 잔류하는 용매의 양을 감소시키는 효과가 있다. 그러나 과도한 후 노광 베이크 공정은 패턴에 영향을 줄 수 있으므로, 110℃의 온도에서 10분 동안 수행한다.

상기 후 노광 베이크 공정을 수행한 후, 상기 포토레지스트 막을 현상하여, 포토레지스트 패턴을 형성한다.(단계 S150)

구체적으로, 상기 노광 공정으로 인한 노광 영역과 비 노광 영역의 용해도 차이를 이용하여 선택적으로 제거한다. 상기 현상 방법으로는 스프레이법과 침지 방식이 있다. 상기 현상액의 예로는 실리케이트(silicate) 혹은 포스페이트(phosphate)계의 계면활성제(surfactant)를 함유한 수산화테트라메틸암모늄(tetra-methyl ammonium hydroxide TMAH) 등이 있다.

상기 현상 공정으로 노광 영역의 포토레지스트 막을 제거하므로, 상기 비노광 영역의 포토레지스트 막이 남아 포토레지스트 패턴이 된다.

이어서, 상기 현상 공정으로 형성된 포토레지스트 패턴에 잔류하는 현상액과 기타 잔류물질을 제거하기 위해 린스공정을 선택적으로 수행한다.

상기 포토레지스트 패턴을 1차 베이크 처리하여 상기 포토레지스트 패턴을 경화시킨다.(단계 S160)

상기 1차 베이크 처리는 통상적인 하드 베이크 처리와 실질적으로 같은 공정으로 수행된다.

상기 포토레지스트 패턴을 1차 베이크 처리함에 따라, 상기 포토레지스트 패턴이 후속 공정의 열적 환경에 견딜 수 있도록 경화시킨다.

또한, 상기 포토레지스트 패턴을 1차 베이크 처리함에 따라, 상기 포토레지스트 패턴에 포함된 열경화성 수지들이 가교 결합될 수 있다. 상기 경화 공정은 100℃ 내지 150℃의 온도에서 1차 베이크 처리가 진행됨 따라, 물(H₂O)이 생성되며, 상기 물은 가교된 포토레지스트 막의 외부로 증발된다. 따라서, 상기 경화 공정 수행 후의 상기 포토레지스트 패턴은 경화 공정 수행 전과 다른 구조를 갖게 된다.

상기 경화된 포토레지스트 패턴은 2차 베이크 처리로 인해, 상기 포토레지스트 수지와 교차 결합 화합물 사이의 교차 결합된다.(단계 S170)

이를 구체적으로 설명하기로 한다.

상기 1차 베이크 처리된 포토레지스트 패턴을 215℃ 내지 225℃의 온도에서 베이크 처리한다. 상기 2차 베이크 처리에 의해 상기 포토레지스트 패턴 내부로 교차 결합 화합물은 확산(Diffusion)된다. 상기 교차 결합 화합물은 포토레지스트 수지의 하이드록시 기(-OH)와 축합반응을 하여 교차 결합한다. 이로 인해, 상기 포토레지스트 수지는 입체적인 그물 모양 구조를 형성한다. 그 결과, 상기 2차 베이크 처리된 포토레지스트 수지는 치밀화되고, 용제에도 쉽게 녹지 않게 된다.

도 3 내지 도 8은 본 발명에 따른 포토레지스트 패턴 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

상기 포토레지스트 막의 조성물 및 상기 가교 결합에 대해서는 상기 도 2에서 상세히 설명하였기 때문에 중복을 피하기 위해 생략하였다.

도 3을 참조하면, 우선 기판(200)상에 식각 대상막(210)을 형성한다. 상기 식각 대상막(210)은 예를 들어 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판(200) 상에 형성되는 박막일 수 있다. 이하에서는 상기 식각 대상막(210)이 박막인 경우에 한해 설명한다.

또한, 상기 식각 대상막(210)을 포함하는 기판(200)의 표면에 도포 될 포토레지스트 막의 접착성을 증가시키기 위해서, HDMS을 도포 및 세정 공정을 선택적으로 수행할 수 있다.

도 4를 참조하면, 상기 표면 처리 공정이 수행된 식각 대상막(210) 상에 포토레지스트 수지, 광산 발생제, 교차결합 화합물 및 용매를 포함하는 포토레지스트를 코팅하여 포토레지스트 막(220)을 형성한다.

구체적으로, 상기 기판(100)을 지지하는 회전척을 고속으로 회전시키고, 상기 기판(100)이 회전하는 동안 상기 포토레지스트 조성물을 상기 기판 상에 균일하게 도포하여 상기 포토레지스트 막(220)을 형성할 수 있다. 상기 포토레지스트 막(220)은 후속 식각공정의 진행과정에 식각되는 것을 감안하여 5,000Å 내지 6,000Å 두께로 종래의 포토레지스트 막의 두께보다 1,000Å 정도 두껍게 형성한다.

이어서, 상기 포토레지스트 막(220)이 형성되어 있는 기판(200)을 가열하는 소프트 베이크 공정을 선택적으로 수행할 수 있다. 상기 소프트 베이크 공정은 약 90℃ 내지 약 120℃의 온도에서 수행할 수 있다. 상기 소프트 베이크 공정을 수행함에 따라 상기 포토레지스트 막(200)에 포함된 유기 용매가 제거되어, 상기 기판(100)과 상기 포토레지스트 막(200)의 접착성이 증가된다.

도 5를 참조하면, 상기 포토레지스트 막을(220)을 선택적으로 노광한다.

상기 노광 공정은, 노광 장치(미도시됨)의 마스크 스테이지(미도시됨) 상에 소정의 패턴이 형성된 마스크(230)를 위치시키고, 상기 포토레지스트 막(220)이 상에 상기 마스크(230)를 정렬한다. 이어서, 상기 마스크(230)에 광을 일정시간 조사함으로써 상기 기판(200)에 형성된 포토레지스트 막(220)의 소정 부위가 상기 마스크(230)를 투과한 광과 선택적으로 반응하게 된다.

따라서, 상기 노광된 부위 및 비노광 부위의 포토레지스트 막(220b, 220a)은 서로 다른 용해도를 갖게 된다.

이어서, 상기 기판(100)을 후 노광 베이크 처리한다. 상기 후 노광 베이크 공정은 110℃의 온도에서 10분 동안 수행할 수 있다.

도 6을 참조하면, 현상액을 이용하여 상기 노광된 부위의 포토레지스트 막(220b)을 용해한 후 제거함으로서 포토레지스트 패턴(220a)을 형성한다. TMAH 등의 현상액을 사용하여, 상기 노광된 부위의 포토레지스트 패턴을 용해시킨 후 제거한다.

이어서, 상기 포토레지스트 패턴(220a)을 100℃ 내지 150℃의 온도에서1차 베이크 처리하여 상기 포토레지스트 패턴(220a)을 경화시킨다. 상기 1차 베이크 처리는 통상적인 하드 베이크 처리와 실질적으로 같은 공정으로 수행된다.

상기 1차 베이크 처리된 포토레지스트 패턴(220a)을 215℃ 내지 225℃의 온도에서 2차 베이크 처리한다. 상기 2차 베이크 처리된 포토레지스트 패턴(220a)은 치밀화되고, 용제에도 쉽게 녹지 않게 된다.

이어서, 세정 등의 통상적인 공정을 거쳐 포토레지스트 패턴(220)을 완성한다.

부가적으로 상기 포토레지스트 패턴(220a)을 식각 마스크로 적용하여, 반도체 장치의 각종 구조물들을 형성할 수 있다.

도 7 및 도 8을 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(220a)을 식각 마스크로 적용하여 노출된 상기 식각 대상막(210a)을 식각한다. 상기 식각은 상기 박막에 대하여 식각 선택비가 높은 식각가스를 이용하는 건식식각 공정 또는 플라즈마 식각 공정일 수 있다. 이어서, 상기 포토레지스트 패턴(220a)을 제거함으로써 최종적인 패턴(210a)을 형성한다.

본 발명에 따른 포토레지스트 패턴은 부가적인 베이크 처리를 수행함으로써, 기존의 포토레지스트 패턴 대비 치밀화 된 특성을 갖는다. 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 적용함로써 식각 대상막을 패턴으로 형성할 경우 보다 우수한 프로파일 및 해상도가 우수한 반도체 패턴을 형성할 수 있다.

이에 따라, 차세대 고집적의 반도체 장치의 제조공정에 적용할 수 있어 반도체 소자 제조의 경쟁력을 확보할 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (4)

1. 식각 대상막이 형성된 기판 상에 포토레지스트 수지, 광산 발생제 및 교차 결합 화합물을 포함하는 포토레지스트 막을 형성하는 단계;

   광을 적용하여 상기 포토레지스트 막을 선택적으로 노광하는 단계;

   상기 노광된 포토레지스트 막을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;

   상기 포토레지스트 패턴을 1차 베이크(bake)처리하여 상기 포토레지스트 패턴을 경화시키는 단계; 및

   상기 경화된 포토레지스트 패턴을 2차 베이크 처리하여, 상기 포토레지스트 수지와 교차 결합 화합물 사이의 교차 결합(resist resin crosslink)을 이용하여 상기 포토레지스트 패턴을 치밀화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트 수지는 아크릴레이트(acrylate)계 수지인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 포토레지스트 수지는 하이드록시 기(-OH)를 갖는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 2차 베이크 처리는 215℃ 내지 225℃ 에서 수행하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.

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