KR20060047051A - 포토레지스트 패턴 형성 방법 - Google Patents

포토레지스트 패턴 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20060047051A
KR20060047051A KR1020040092873A KR20040092873A KR20060047051A KR 20060047051 A KR20060047051 A KR 20060047051A KR 1020040092873 A KR1020040092873 A KR 1020040092873A KR 20040092873 A KR20040092873 A KR 20040092873A KR 20060047051 A KR20060047051 A KR 20060047051A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoresist pattern
photoresist
chemical
film
width
Prior art date
Application number
KR1020040092873A
Other languages
English (en)
Inventor
심우석
이중현
윤광섭
이시형
성낙희
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020040092873A priority Critical patent/KR20060047051A/ko
Publication of KR20060047051A publication Critical patent/KR20060047051A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/48—Protective coatings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
    • H01L21/76816—Aspects relating to the layout of the pattern or to the size of vias or trenches

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

미세한 개구폭을 갖는 포토레지스트 패턴 형성 방법에서, 기판 상에 기 형성된 제1 포토레지스트 패턴 상에 케미컬(chemical)-물질막을 형성한다. 이어서, 상기 제1 포토레지스트 패턴 및 케미컬-물질막이 가교 반응하도록 상기 케미컬-물질막을 블랭크 노광(blank exposure)하고 열처리하여 상기 제1 포토레지스트 패턴의 표면에 가교막(crosslinked layer)을 형성한다. 상기 제1 포토레지스트 패턴, 가교막 및 케미컬-물질막을 린스(rinse)하여 상기 가교 반응에 관여하지 않은 상기 케미컬-물질막을 제거한다. 그리하여, 상기 기판 상에 상기 제1 포토레지스트 패턴 사이의 제1 개구의 폭 보다 작은 제2 개구의 폭을 상기 기판 상에 형성하는 제2 포토레지스트 패턴을 형성한다. 따라서, 패턴들 사이의 폭이 미세하고 프로파일이 우수한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.

Description

포토레지스트 패턴 형성 방법{METHOD FOR FORMING A PHOTORESIST PATTERN}
도 1 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 기판 110 : 제1 포토레지스트 막
110a : 제1 포토레지스트 패턴 110b : 제1 개구
115 : 레티클(reticle) 120 : 케미컬-물질막
130 : 가교막 140 : 제2 포토레지스트 패턴
140a : 제2 개구
본 발명은 포토레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 보다 작은 개구폭을 갖는 포토레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 공정에 있어서 콘택홀 등과 같은 각종 패턴들은 통상 포토리소그라피(Photolithography) 공정을 통해 형성된다. 이러한 포토리소그라피 공정은, 주지된 바와 같이, 감광성 패턴을 형성하는 공정과 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로하는 식각 공정을 통해 피식각층을 식각해서 원하는 형태의 패턴을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진다. 여기서, 감광막 패턴은 피식각층 상에 감광막을 도포하는 공정과 준비된 노광 마스크를 이용하여 상기 감광막을 노광하는 공정 및 소정의 화학용액으로 노광되거나, 또는 노광되지 않은 감광막 부분을 제거하는 현상 공정을 통해 형성된다.
한편, 포토리소그라피 공정으로 구현할 수 있는 패턴의 임계 치수(CD,Critical Demension)는 상기한 노광 공정에서 어떤 파장의 광원을 사용하느냐에 따라 좌우된다. 이는 노광 공정을 통해 구현할 수 있는 감광막 패턴의 폭에 따라 실제 패턴의 임계 치수가 결정되기 때문이다.
예를들어, 종래의 축소 노광장치(stepper)는 지-라인(G-line : λ=435㎚) 또는 아이-라인(I-line : λ=365㎚)의 광원을 사용하여 미세 패턴을 형성하였으며, 현재는 더욱 미세한 패턴을 형성하기 위해, 케이알에프(KrF : λ=248㎚) 및 에이알에프(ArF : λ=193㎚)와 같은 레이저 광을 광원으로 사용하고, 더나아가 X-ray를 이용한 노광법이 개발되었다. 그러나, 상기와 같이, 짧은 파장의 광원을 갖는 축소 노광장치를 이용하는 것만으로는 미세한 패턴을 형성할 수 없다. 이는 여러가지 외적인 변수들이 존재하기 때문이다.
따라서, 근래에는 256M DRAM급 이상의 고집적 소자의 제조시에 필요한 미세 폭을 형성하기 위하여 감광막의 리플로우(reflow) 공정을 함께 이용하고 있다. 상기 감광막의 리플로우를 이용하는 방법은, 먼저, 피식각층 상에 짧은 파장의 광원이 구비된 축소 노광장치로 대략 0.20㎛ 정도의 폭으로 이격되는 감광막 패턴을 형 성한다. 다음, 상기 감광막 패턴을 200 내지 210℃의 온도에서 리플로우시켜, 상기 감광막 패턴들에 의해 노출되는 피식각층의 폭이 대략 0.16㎛ 정도가 되도록한다. 이어서, 상기 리플로우된 감광막 패턴을 마스크로 이용하는 식각 공정을 통해 피식각층을 식각하여 콘택홀 등을 형성한다. 그러나, 상기와 같은 종래 감광막의 리플로우를 이용하는 방법은 감광막의 리플로우가 균일하게 이루어지지 않기 때문에 감광막 패턴의 위, 중간 및 아래의 임계치수가 동일하게 수축되지 못한다. 그리하여, 상기 감광막의 리플로우가 균일하지 못하고 상기 감광막 패턴이 수직적이지 못하므로, 수직한 프로파일이 균일하고 패턴들 간의 폭이 미세한 상기 감광막 패턴을 형성할 수 없는 문제가 발생한다. 따라서, 패턴들 간의 폭이 미세하고 프로파일이 균일한 감광막 패턴을 형성하기 위해, 상기 감광막의 리플로우 방법과는 다른 새로운 방법에 의해 감광막 패턴을 형성할 필요가 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 블랭크 노광 및 Relacs 물질 등을 이용하여 패턴들 사이의 개구폭이 미세하고 프로파일을 균일하게 형성할 수 있는 포토레지스트 패턴 형성 방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 패턴 형성 방법은, 제1 포토레지스트 패턴이 형성된 기판 상에 케미컬-물질막을 형성하는 단계를 수행한다. 상기 케미컬-물질막을 블랭크 노광(blank exposure)하는 단계를 수행한다. 상기 블랭크 노광이 수행된 전체 구조물을 열처리하여 상기 제1 포 토레지스트 패턴의 표면에 가교막(crosslinked layer)을 형성하는 단계를 수행한다. 상기 제1 포토레지스트 패턴, 가교막 및 케미컬-물질막을 린스(rinse)하여 상기 제1 포토레지스트 패턴 사이의 제1 개구의 폭 보다 작은 제2 개구의 폭을 상기 기판 상에 형성하는 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
상술한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 따르면, 포토레지스트 패턴들 사이의 개구폭이 미세하고 수직한 프로파일이 우수한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 상기와 같이 형성된 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용함으로써 고집적 소자에서 요구하는 미세 크기의 콘택홀 등을 형성할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 도면들에서, 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 기판(100) 상에 제1 포토레지스트 막(110)을 형성한다. 상기 제1 포토레지스트 막(110)은 고분자 중합체인 레진과 빛을 받으면 산(H+)을 발생시키는 피에이지(PAG,Photo Acid Generator) 및 가교제를 포함한다.
구체적으로, 상기 제1 포토레지스트 막(110)으로 사용되는 물질은 포토레지스트 조성물이면 어느 것이나 가능하나, 특히 광산발생제 또는 열산발생제를 포함하는 포토레지스트 조성물이 바람직하다. 상기 포토레지스트 조성물 내의 베이스 수지는 사이클로 올레핀 백본(back bone) 구조를 갖는 것으로서, 소정의 기능기 (functional group) 예를 들어, 용해 억제기로 작용하는 산에 민감한 보호기 및 카르복실산 등의 기능기를 갖는 사이클로올레핀계 공단량체들이 부가 중합된 사이클로 올레핀 백본의 고리(ring) 구조가 깨지지 않고 주쇄 내에 유지되어 있는 반복 단위체를 포함하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 상기 기판(100)과의 접착성 및 민감성 조절을 위한 히드록시 알킬 기능기를 갖는 사이클로 올레핀 공단량체를 포함하는 것이 좋다.
도 2를 참조하면, 소정의 광원 및 레티클(115)(reticle), 즉 노광 마스크를 이용하여 상기 제1 포토레지스트 막(110)의 소정 부분을 선택적으로 노광한다.
상기 광원의 예로는 VUV(Vacuum Ultra Violet), DUV(Deep Ultra Violet), EUV(Extreme Ultra Violet), ArF, KrF, E-빔, X-선, 이온빔 등을 들 수 있다.
도시되지 않았지만, 상기 제1 포토레지스트 막(110)을 노광하기 이전에 소프트 베이크 공정을 수행하고, 노광한 이후에 포스트 베이크 공정을 더 수행할 수 있다. 이때, 상기 소프트 베이크 및 포스트 베이크는 100 내지 150℃의 온도에서 수행하는 것이 바람직하다.
도 3을 참조하면, 이어서, 현상 공정을 수행하여 상기 제1 포토레지스트 막(110) 중 노광되지 않은 부분은 남기고 노광된 부분은 제거하여 제1 포토레지스트 패턴(110a)을 형성한다. 그리하여, 상기 제1 포토레지스트 패턴(110a)들 사이에는 콘택홀 등을 형성하기 위한 제1 개구(110b)가 형성된다.
이어서, 상기 제1 포토레지스트 패턴(110a)을 제1 열처리할 수 있다. 상기 제1 열처리 공정은 상기 제1 포토레지스트 패턴(110a)이 일정한 강도를 갖도록 110 내지 120℃에서 80 내지 90초 동안 수행하는 것이 바람직하다. 이와 같은 상기 제1 열처리 공정은 후속 공정에서 수행될 케미컬(chemical)-물질막(120)과 상기 제1 포토레지스트 패턴(110a)과의 증착 불량을 방지할 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 제1 포토레지스트 패턴(110a)이 형성된 상기 기판(100) 상에 케미컬-물질막(120)을 형성한다. 상기 케미컬-물질막(120)은 상기 제1 포토레지스트 패턴(110a)을 매몰하도록 형성된다. 상기 케미컬-물질막(120)은 산(H+)의 존재 하에 포토레지스트 수지와 가교 결합을 형성할 수 있는 물질을 사용하여 형성한다.
예컨대, 상기 케미컬-물질막(120)은 Relacs(resist enhancement lithography assisted by chemical shrink) 물질 등 포토레지스트 수지의 종류에 따라 적절한 물질을 이용할 수 있다. 특히, 상기 Relacs 물질은 클라리언트(Clariant)사에서 라이센스를 가지고 있는 물질이 상품화되어 있으며, 주로 콘택홀의 크기를 축소시키는 공정에 사용되고 있다.
도 5를 참조하면, 상기 제1 포토레지스트 패턴(110a)을 매몰하는 상기 케미컬-물질막(120)을 블랭크 노광(blank exposure)한다. 상기 블랭크 노광이란 플러드 노광(flood exposure)이라고도 하는데, 레티클(115) 없이 노광하는 공정을 의미한다. 상기 블랭크 노광을 수행하면, 상기 제1 포토레지스트 패턴(110a)에 광이 조사되어 상기 제1 포토레지스트 패턴(110a)의 표면에 H+ 산이 발생하게 된다.
이는, 상기 제1 포토레지스트 패턴(110a)에 포함되어 있는 광산 발생제(PAG, Photo acid generator)가 상기 광과 반응함으로서 산(H+)을 발생시키기 때문이다. 상기 제1 포토레지스트 패턴(110a)의 표면에 발생하는 산(H+)이 증가할수록 상기 제1 포토레지스트 패턴(110a)에 부착되는 상기 케미컬-물질막(120)의 양도 증가하게 된다.
이 때, 상기 블랭크 노광 에너지는 상기 제1 포토레지스트 패턴(110a)의 문턱 노광에너지(Eth, threshold energy of PR) 및 동작 에너지(operation enegy) 사이의 값을 갖는 것이 바람직하다. 상기 블랭크 노광 에너지는 상기 제1 포토레지스트 패턴(110a)의 물질 조성에 따라 달라지겠지만, 통상적으로는 10 내지 20mJ/㎠의 노광 에너지로 수행한다.
도 6을 참조하면, 상기 블랭크 노광이 수행된 전체 구조물을 제2 열처리한다. 상기 제2 열처리 공정은 90 내지 150℃에서 수행하는 것이 바람직하다. 상기 제2 열처리 공정을 수행하면, 상기 블랭크 노광시 상기 제1 포토레지스트 패턴(110a)에서 발생된 산(H+)이 상기 케미컬-물질막(120) 쪽으로 확산되어 상기 케미컬-물질막(120)과 제1 포토레지스트 패턴(110a) 사이에서 일부가 가교반응을 일으킨다. 상기 가교 반응에 의해 상기 제1 포토레지스트 패턴(110a)의 표면에는 가교막(130)(crosslinked layer)이 형성된다.
상기 가교막(130)의 두께는 상기 제2 열처리의 온도 및 시간과 상기 블랭크 노광의 도즈(dose)량으로 조절할 수 있다. 상기 가교막(130)은 내화학약품성 및 내열성 등이 우수하기 때문에 어떠한 유기용매에도 잘 녹지 않는 성질을 갖는다.
도 7을 참조하면, 상기 제1 포토레지스트 패턴(110a), 가교막(130) 및 케미 컬-물질막(120)에 린스 공정을 수행한다. 상기 린스 공정에 사용되는 린스 용액의 예로는 증류수 등을 들 수 있다. 상기 가교막(130)은 상기 린스 용액에 대해 불용이므로, 상기 케미컬-물질막(120) 중 미가교 상태의 상기 케미컬-물질막(120)만이 상기 린스 용액에 용해되어 없어지고, 상기 가교막(130)은 용해되지 않고 잔류하게 된다. 그리하여, 상기 기판(100) 상에는 상기 제1 포토레지스트 패턴(110a) 및 가교막(130)으로 구성된 상기 제2 포토레지스트 패턴(140)만 남게 된다. 이때, 상기 제2 포토레지스트 패턴(140)들 사이에는 미세한 폭을 갖는 제2 개구(140a)가 상기 기판(100) 상에 형성된다.
이와 같이 형성된 상기 제2 포토레지스트 패턴(140)들 사이의 상기 제2 개구(140a)의 폭은 상기 가교막(130)으로 인해 상기 제1 포토레지스트 패턴(110a)들 사이의 제1 개구(110b)의 폭보다 아주 작게 형성된다. 따라서, 상기 제2 포토레지스트 패턴(140)을 식각 마스크로 이용함으로써 고집적 소자에서 요구하는 미세 크기의 콘택홀 등을 형성할 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 산(H+)의 존재 하에 포토레지스트 수지와 가교 결합을 형성할 수 있는 물질(예컨대, Relacs 물질), 블랭크 노광 및 열처리 등을 이용하여 상기 제1 포토레지스트 패턴(110a)의 계면에 상기 가교막을 형성한다.
그리하여, 이와 같이 형성된 포토레지스트 패턴들은 상기 패턴들 간의 폭이 미세하고 프로파일이 균일하다. 따라서, 상기와 같이 형성된 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용함으로써 고집적 소자에서 요구하는 미세 크기의 콘택홀 등을 형성할 수 있다.
상기에서 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (5)

  1. 제1 포토레지스트 패턴이 형성된 기판 상에 케미컬(chemical)-물질막을 형성하는 단계;
    상기 케미컬-물질막을 블랭크 노광(blank exposure)하는 단계;
    상기 블랭크 노광이 수행된 전체 구조물을 열처리하여 상기 제1 포토레지스트 패턴의 표면에 가교막(crosslinked layer)을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 포토레지스트 패턴, 가교막 및 케미컬-물질막을 린스(rinse)하여 상기 제1 포토레지스트 패턴 사이의 제1 개구의 폭 보다 작은 제2 개구의 폭을 상기 기판 상에 형성하는 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 포토레지스트 패턴은,
    상기 기판 상에 제1 포토레지스트 막을 코팅하는 단계; 및
    상기 제1 포토레지스트 막을 선택적으로 노광 및 현상하는 단계를 수행하여 형성되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 케미컬-물질막을 형성하기 이전에,
    상기 제1 포토레지스트 패턴을 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 가교막의 두께는 상기 열처리 온도 및 시간과 상기 블랭크 노광의 도즈(dose)량으로 조절하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 케미컬-물질막은 산(H+)의 존재 하에서 포토레지스트 수지와 가교 결합을 형성할 수 있는 물질인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성 방법.
KR1020040092873A 2004-11-15 2004-11-15 포토레지스트 패턴 형성 방법 KR20060047051A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040092873A KR20060047051A (ko) 2004-11-15 2004-11-15 포토레지스트 패턴 형성 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040092873A KR20060047051A (ko) 2004-11-15 2004-11-15 포토레지스트 패턴 형성 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060047051A true KR20060047051A (ko) 2006-05-18

Family

ID=37149667

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040092873A KR20060047051A (ko) 2004-11-15 2004-11-15 포토레지스트 패턴 형성 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060047051A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100895406B1 (ko) * 2007-12-31 2009-05-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 형성 방법
KR101027677B1 (ko) * 2008-09-09 2011-04-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법
KR101044693B1 (ko) * 2009-01-21 2011-06-28 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조 방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100895406B1 (ko) * 2007-12-31 2009-05-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 형성 방법
KR101027677B1 (ko) * 2008-09-09 2011-04-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법
US7951720B2 (en) 2008-09-09 2011-05-31 Hynix Semiconductor Inc. Method of forming a contact hole for a semiconductor device
KR101044693B1 (ko) * 2009-01-21 2011-06-28 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100639680B1 (ko) 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법
US8383322B2 (en) Immersion lithography watermark reduction
US8158335B2 (en) High etch resistant material for double patterning
US7566525B2 (en) Method for forming an anti-etching shielding layer of resist patterns in semiconductor fabrication
US8067148B2 (en) Pattern forming method
KR100569536B1 (ko) Ｒｅｌａｃｓ 물질을 이용하여 패턴 붕괴를 방지하는 방법
KR100555497B1 (ko) 미세 패턴 형성 방법
US6337175B1 (en) Method for forming resist pattern
JPH07261393A (ja) ネガ型レジスト組成物
JP2009507263A (ja) リソグラフィー・パターニング法
US9651870B2 (en) Method and tool of lithography
KR20060047051A (ko) 포토레지스트 패턴 형성 방법
KR19990003857A (ko) 감광막 형성 방법
Bae et al. Developer effect on the negative tone development process under low NILS conditions
WO2023108998A1 (zh) 光刻胶层的处理方法及光刻胶层
KR20010037049A (ko) 실리레이션을 이용한 리소그라피 방법
US20240004302A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP2005221801A (ja) レジストパターン形成方法
KR100333389B1 (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
KR100496815B1 (ko) 화학적 팽창 공정을 이용한 반도체 소자 제조방법
KR20070051008A (ko) 포토레지스트 패턴 형성 방법
TW202238276A (zh) 微影的方法
KR100953036B1 (ko) 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
JPH03282553A (ja) レジストパターンの形成方法
KR20090078915A (ko) 반도체 소자의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination