JPH0588374A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH0588374A JPH0588374A JP25171391A JP25171391A JPH0588374A JP H0588374 A JPH0588374 A JP H0588374A JP 25171391 A JP25171391 A JP 25171391A JP 25171391 A JP25171391 A JP 25171391A JP H0588374 A JPH0588374 A JP H0588374A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- baking
- time
- development
- treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は架橋剤入りノボラック系ポジ型レジ
ストを用いたイメージリバース法におけるレジストパタ
ーン形成を目的とする。 【構成】 イメージリバース法における露光後のリバー
サルベークの処理時間を従来に比べ１０分間と長時間に
する。 【効果】 本発明では架橋剤入りノボラック系ポジ型レ
ジストを用いたイメージリバース法におけるレジストパ
ターン形成において、露光部の熱架橋が向上でき、現像
時の膜減りを抑制することで、高感度化、高解像性を達
成することができた。
ストを用いたイメージリバース法におけるレジストパタ
ーン形成を目的とする。 【構成】 イメージリバース法における露光後のリバー
サルベークの処理時間を従来に比べ１０分間と長時間に
する。 【効果】 本発明では架橋剤入りノボラック系ポジ型レ
ジストを用いたイメージリバース法におけるレジストパ
ターン形成において、露光部の熱架橋が向上でき、現像
時の膜減りを抑制することで、高感度化、高解像性を達
成することができた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は架橋剤入りノボラック系
ポジ型レジストを用いたイメージリバース法によるレジ
ストパターン形成方法。
ポジ型レジストを用いたイメージリバース法によるレジ
ストパターン形成方法。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの高集積化、高速化におけるＦＥ
Ｔの性能向上にはゲート長の微細化が必須である。これ
に伴なう微細パターン形成技術の１つとして公知のイメ
ージリバース法が現像コントラスの増大等による解像性
が向上するため有利である。しかし従来技術によるイメ
ージリバース法では、ファースト露光後のリバーサルベ
ークにおける処理時間が９０秒と短かく、露光部の熱架
橋が不十分となり、現像時の膜減りの影響で図２のＡＺ
５２１４レジストのイメージリバース法における感度特
性に示すように低感度で、しかも現像コントランスが低
いことによるパターン細り等の解像性低下の原因となっ
ていた。
Ｔの性能向上にはゲート長の微細化が必須である。これ
に伴なう微細パターン形成技術の１つとして公知のイメ
ージリバース法が現像コントラスの増大等による解像性
が向上するため有利である。しかし従来技術によるイメ
ージリバース法では、ファースト露光後のリバーサルベ
ークにおける処理時間が９０秒と短かく、露光部の熱架
橋が不十分となり、現像時の膜減りの影響で図２のＡＺ
５２１４レジストのイメージリバース法における感度特
性に示すように低感度で、しかも現像コントランスが低
いことによるパターン細り等の解像性低下の原因となっ
ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】以上のようにイメージ
リバース法におけるファースト露光後の短時間のリバー
サルベーク処理によるパターン形成では、架橋不足に伴
なう現像時の膜減りの影響で、低感度で、しかも現像コ
ントラストが低下することによるパターン細り等の解像
性低下の原因となっていた。
リバース法におけるファースト露光後の短時間のリバー
サルベーク処理によるパターン形成では、架橋不足に伴
なう現像時の膜減りの影響で、低感度で、しかも現像コ
ントラストが低下することによるパターン細り等の解像
性低下の原因となっていた。
【０００４】本発明は、上記リバーサルベークの処理時
間を長時間とすることで、露光部のレジスト膜の熱架橋
率を向上させ、架橋状態をより良好にすることにより現
像時の膜減りを抑制し、高感度で、しかも現像コントラ
ストを増大し、解像性の優れたレジストパターン形成を
実現するものである。
間を長時間とすることで、露光部のレジスト膜の熱架橋
率を向上させ、架橋状態をより良好にすることにより現
像時の膜減りを抑制し、高感度で、しかも現像コントラ
ストを増大し、解像性の優れたレジストパターン形成を
実現するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、イメージリバ
ース法によるパターン形成時のファースト露光後のリバ
ーサルベーク処理を長時間することで、露光部のレジス
ト膜の熱架橋率を向上させ、架橋状態をより良好にさせ
ることにより現像時の膜減りを抑制し、高感度で、しか
も現像コントラストを増大し解像性の優れたパターン形
成を提供するものである。
ース法によるパターン形成時のファースト露光後のリバ
ーサルベーク処理を長時間することで、露光部のレジス
ト膜の熱架橋率を向上させ、架橋状態をより良好にさせ
ることにより現像時の膜減りを抑制し、高感度で、しか
も現像コントラストを増大し解像性の優れたパターン形
成を提供するものである。
【０００６】
【作用】本発明のイメージリバース法によるレジストパ
ターン形成においては、ファースト露光後のリバーサル
ベークの処理時間を従来時間より長い時間で処理するこ
とにより、露光部のレジスト膜を十分に架橋させるた
め、現像液に対する不溶化がより顕著となり、現像時の
膜減りを抑制する。このため低照射部における残膜率が
従来より向上することで高感度化し、さらに現像コント
ラスト（溶解速度差）をより大きくできる。このことに
より膜減りの少ない高精度パターンを形成することが可
能となる。
ターン形成においては、ファースト露光後のリバーサル
ベークの処理時間を従来時間より長い時間で処理するこ
とにより、露光部のレジスト膜を十分に架橋させるた
め、現像液に対する不溶化がより顕著となり、現像時の
膜減りを抑制する。このため低照射部における残膜率が
従来より向上することで高感度化し、さらに現像コント
ラスト（溶解速度差）をより大きくできる。このことに
より膜減りの少ない高精度パターンを形成することが可
能となる。
【０００７】
【実施例】本実施例ではイメージリバース法のレジスト
に架橋剤入りノボラック系ポジ型レジストＡＺ５２１４
を用いた場合のレジストパターン形成について述べる。
イメージリバースパターンの形成は以下のようにして行
なう。被処理基板上に披加工膜（例えばＳｉＯ2 等）を
具備したＧａＡｓウェハーを用い先ず、前記披加工膜上
にポジ型フォトレジストＡＺ５２１４を１．３μｍの膜
厚に塗布し、１１０℃下に設定したホットプレートを用
い大気中で２分間程のプリベークを行なう。次いで、前
述の如く形成したＡＺ５２１４レジスト膜上において波
長４３６ｎｍのＵＶ光を用い、ファースト露光量３５０
ｍＪ／ｃｍ2 としパターンを露光した。次いで、本発明
の主眼である高感度、高解像性パターンを形成するた
め、前記露光後のＡＺ５２１４レジスト膜を１１５℃下
の大気中で１０分間程のリバーサルベーク処理を行ない
露光部を熱架橋させた。次にベーク後、波長３６５ｎｍ
のＵＶ光を用いウェハー全面に照射させた。さらに全面
照射済みのＡＺ５２１４レジスト膜を現像液と純水の組
成比を１対１．５に希釈した専用現像液中に１分間浸漬
し、現像処理を行なう。この現像処理の結果得られたＡ
Ｚ５２１４レジストのイメージリバース法における感度
特性（現像後の残膜／ファースト露光量）を図１に示
す。
に架橋剤入りノボラック系ポジ型レジストＡＺ５２１４
を用いた場合のレジストパターン形成について述べる。
イメージリバースパターンの形成は以下のようにして行
なう。被処理基板上に披加工膜（例えばＳｉＯ2 等）を
具備したＧａＡｓウェハーを用い先ず、前記披加工膜上
にポジ型フォトレジストＡＺ５２１４を１．３μｍの膜
厚に塗布し、１１０℃下に設定したホットプレートを用
い大気中で２分間程のプリベークを行なう。次いで、前
述の如く形成したＡＺ５２１４レジスト膜上において波
長４３６ｎｍのＵＶ光を用い、ファースト露光量３５０
ｍＪ／ｃｍ2 としパターンを露光した。次いで、本発明
の主眼である高感度、高解像性パターンを形成するた
め、前記露光後のＡＺ５２１４レジスト膜を１１５℃下
の大気中で１０分間程のリバーサルベーク処理を行ない
露光部を熱架橋させた。次にベーク後、波長３６５ｎｍ
のＵＶ光を用いウェハー全面に照射させた。さらに全面
照射済みのＡＺ５２１４レジスト膜を現像液と純水の組
成比を１対１．５に希釈した専用現像液中に１分間浸漬
し、現像処理を行なう。この現像処理の結果得られたＡ
Ｚ５２１４レジストのイメージリバース法における感度
特性（現像後の残膜／ファースト露光量）を図１に示
す。
【０００８】
【発明の効果】本発明のイメージパターン形成方法に依
れば、従来処理に比べ感度（残膜率５０％定義）が２０
０ｍＪ／ｃｍ2 、現像コントラスト（γ値）が５．６８
と大巾に向上。このことより膜減りの少ない解像性の優
れた高精度のパターンを形成することができた。
れば、従来処理に比べ感度（残膜率５０％定義）が２０
０ｍＪ／ｃｍ2 、現像コントラスト（γ値）が５．６８
と大巾に向上。このことより膜減りの少ない解像性の優
れた高精度のパターンを形成することができた。
【０００９】尚、上記実施ではＡＺ５２１４のファース
ト露光では波長４３６ｎｍのＵＶ光を用いた場合につい
て述べたが、ＵＶ光に限らず所定の電磁波（エキシマレ
ーザー，Ｘ線）、あるいは所定エネルギーの粒子線など
ＡＺ５２１４レジストが感応する放射線を選択的に照射
してレジストパターンを形成するすべてに本発明のレジ
ストパターン形成方法が適用できる。
ト露光では波長４３６ｎｍのＵＶ光を用いた場合につい
て述べたが、ＵＶ光に限らず所定の電磁波（エキシマレ
ーザー，Ｘ線）、あるいは所定エネルギーの粒子線など
ＡＺ５２１４レジストが感応する放射線を選択的に照射
してレジストパターンを形成するすべてに本発明のレジ
ストパターン形成方法が適用できる。
【００１０】本発明のレジストパターン形成方法を用い
ることによりＡＺ５２１４イメージリバースプロセスで
の高感度化及び現像コントラストを大きくすることがで
きた。このことより、現像時における膜減りの少ない解
像性の優れた高精度のレジストパターンを形成すること
ができた。
ることによりＡＺ５２１４イメージリバースプロセスで
の高感度化及び現像コントラストを大きくすることがで
きた。このことより、現像時における膜減りの少ない解
像性の優れた高精度のレジストパターンを形成すること
ができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のレジストパターン形成方法によって
得られるＡＺ５２１４レジストのイメージリバースプロ
セスで波長４３６ｎｍのＵＶ光に対する感度特性図。
得られるＡＺ５２１４レジストのイメージリバースプロ
セスで波長４３６ｎｍのＵＶ光に対する感度特性図。
【図２】 従来のレジストパターン形成方法によって得
られるＡＺ５２１４レジストのイメージリバースプロセ
スで波長４３９ｎｍのＵＶ光に対する感度特性図。
られるＡＺ５２１４レジストのイメージリバースプロセ
スで波長４３９ｎｍのＵＶ光に対する感度特性図。
Claims (2)
- 【請求項１】 被処理基板上に架橋剤入りノボラックポ
ジ型レジストを塗布してベークした後、所定波長のＵＶ
光を照射しさらにベークした後、再度ＵＶ光を全面に照
射し現像処理してレジストパターン形成するイメージリ
バース法による工程に於いて、前記ファースト露光後の
リバーサルベーク処理にはベーク温度１１０℃〜１２０
℃のホットプレートを用い長時間でベーク処理すること
を特徴とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の前記パターン形成におけ
る露光後のリバーサルベークとしてベーク時間１０分の
処理時間を用いることを特徴とするレジストパターン形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25171391A JPH0588374A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25171391A JPH0588374A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0588374A true JPH0588374A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17226885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25171391A Pending JPH0588374A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0588374A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990066582A (ko) * | 1998-01-31 | 1999-08-16 | 윤종용 | Peb 시간 조절에 의한 미세패턴 형성방법 |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP25171391A patent/JPH0588374A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990066582A (ko) * | 1998-01-31 | 1999-08-16 | 윤종용 | Peb 시간 조절에 의한 미세패턴 형성방법 |
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