JP2604934B2 - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
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- JP2604934B2 JP2604934B2 JP6003292A JP6003292A JP2604934B2 JP 2604934 B2 JP2604934 B2 JP 2604934B2 JP 6003292 A JP6003292 A JP 6003292A JP 6003292 A JP6003292 A JP 6003292A JP 2604934 B2 JP2604934 B2 JP 2604934B2
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- Japan
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- resist pattern
- resist
- ultraviolet rays
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造工程な
どで用いられるレジストパターンの形成方法に関するも
のである。
どで用いられるレジストパターンの形成方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、レジストの耐エッチング性を
向上させる場合には、紫外線照射加熱法が用いられてい
る。以下、従来の紫外線照射加熱法について説明する。
向上させる場合には、紫外線照射加熱法が用いられてい
る。以下、従来の紫外線照射加熱法について説明する。
【０００３】図４は従来のレジストパターン形成方法に
おける紫外線照射加熱法を示す処理条件図である。レジ
ストパターンは露光、現像によって形成され、まず約１
１０℃の温度で処理されている（図４には図示せず）。
その後、図４に示すように、紫外線（ＵＶ）を照射しつ
つ、例えば１３０℃から２００℃まで昇温処理をするこ
とによりレジストを硬化させていた。
おける紫外線照射加熱法を示す処理条件図である。レジ
ストパターンは露光、現像によって形成され、まず約１
１０℃の温度で処理されている（図４には図示せず）。
その後、図４に示すように、紫外線（ＵＶ）を照射しつ
つ、例えば１３０℃から２００℃まで昇温処理をするこ
とによりレジストを硬化させていた。
【０００４】図５はレジストパターンの一例を示す断面
図である。１はシリコンなどの基板、２は基板１の表面
に形成されたレジストパターンである。
図である。１はシリコンなどの基板、２は基板１の表面
に形成されたレジストパターンである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図４に例示するような
従来の紫外線照射加熱法では、図５に示すようにレジス
ト中の有機溶剤成分４を放出する際にレジストパターン
中に気泡６が発生するという問題があった。
従来の紫外線照射加熱法では、図５に示すようにレジス
ト中の有機溶剤成分４を放出する際にレジストパターン
中に気泡６が発生するという問題があった。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、発泡現象を抑え、形状を変化させることなくレジス
トを硬化させることができるレジストパターンの形成方
法を提供することを目的とする。
で、発泡現象を抑え、形状を変化させることなくレジス
トを硬化させることができるレジストパターンの形成方
法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のレジストパターンの形成方法は、露光、現像
により基板上に形成されたレジストパターンを第一の温
度で処理する工程と、前記第一の温度よりも低い第二の
温度から、第三の温度まで昇温しつつ処理する間に紫外
線を照射する工程とを有し、前記紫外線の照射は前記第
一の温度よりも低い温度で開始することを特徴とする。
に本発明のレジストパターンの形成方法は、露光、現像
により基板上に形成されたレジストパターンを第一の温
度で処理する工程と、前記第一の温度よりも低い第二の
温度から、第三の温度まで昇温しつつ処理する間に紫外
線を照射する工程とを有し、前記紫外線の照射は前記第
一の温度よりも低い温度で開始することを特徴とする。
【０００８】
【作用】以上の条件で処理することにより、レジストの
発泡現象と形状劣化を抑えることができ、耐エッチング
性を向上させることができる。
発泡現象と形状劣化を抑えることができ、耐エッチング
性を向上させることができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１０】図１は本発明の一実施例におけるレジスト
パターンの形成方法を示す処理条件図である。図３は本
実施例で処理されるレジストパターンの一例を示す断面
図である。本実施例においてもレジストパターンは露
光、現像の後、約１１０℃の温度で第一の熱処理がなさ
れる（図１には図示せず）。なお、レジストは通常のポ
ジ型フォトレジストを用い、レジストの塗布時の膜厚は
２.０μｍであった。
パターンの形成方法を示す処理条件図である。図３は本
実施例で処理されるレジストパターンの一例を示す断面
図である。本実施例においてもレジストパターンは露
光、現像の後、約１１０℃の温度で第一の熱処理がなさ
れる（図１には図示せず）。なお、レジストは通常のポ
ジ型フォトレジストを用い、レジストの塗布時の膜厚は
２.０μｍであった。
【００１１】これに、第二の熱処理として前記第一の熱
処理温度（１１０℃）より低い第二の温度（７０℃）か
ら昇温しつつ紫外線（ＵＶ）の照射よりレジストの表面
を硬化させてゆき、加熱によりレジスト中の有機溶剤成
分４を放出させながら硬化させてゆく。このとき有機溶
剤成分４の放出速度とレジストの硬化速度は加熱温度に
支配され、加熱温度が高いと、紫外線５を照射すること
により半硬化した表面層のレジストに遮蔽され、表面か
らの放出速度より早く内部において有機溶剤成分４が気
化し、レジスト内に気泡６が発生することとなる。そこ
で、少なくとも紫外線の照射を開始する際の加熱温度を
第一の熱処理工程の温度よりも低くすることで有機溶剤
成分４の放出速度を制御して気泡６を発生させることな
くレジスト２を硬化させることができる。
処理温度（１１０℃）より低い第二の温度（７０℃）か
ら昇温しつつ紫外線（ＵＶ）の照射よりレジストの表面
を硬化させてゆき、加熱によりレジスト中の有機溶剤成
分４を放出させながら硬化させてゆく。このとき有機溶
剤成分４の放出速度とレジストの硬化速度は加熱温度に
支配され、加熱温度が高いと、紫外線５を照射すること
により半硬化した表面層のレジストに遮蔽され、表面か
らの放出速度より早く内部において有機溶剤成分４が気
化し、レジスト内に気泡６が発生することとなる。そこ
で、少なくとも紫外線の照射を開始する際の加熱温度を
第一の熱処理工程の温度よりも低くすることで有機溶剤
成分４の放出速度を制御して気泡６を発生させることな
くレジスト２を硬化させることができる。
【００１２】また本実施例では、７０℃の温度におい
て、まず、弱い紫外線を照射しながら一定時間熱処理を
する。弱い紫外線で処理している間はレジスト表面の硬
化が余り進まないので内部の有機溶剤成分が容易に放出
され、内部での気泡発生はない。続いて強い紫外線を照
射しながら処理温度を徐々に上昇させて行き、昇温の途
中で紫外線照射を止め、さらに１４０℃まで昇温後その
温度で一定時間熱処理をする。
て、まず、弱い紫外線を照射しながら一定時間熱処理を
する。弱い紫外線で処理している間はレジスト表面の硬
化が余り進まないので内部の有機溶剤成分が容易に放出
され、内部での気泡発生はない。続いて強い紫外線を照
射しながら処理温度を徐々に上昇させて行き、昇温の途
中で紫外線照射を止め、さらに１４０℃まで昇温後その
温度で一定時間熱処理をする。
【００１３】図２は本発明の第二実施例によるレジスト
パターンの形成方法の処理条件図である。本実施例で
は、７０℃の温度において、まず、弱い紫外線を照射し
ながら一定時間熱処理をする。弱い紫外線で処理してい
る間はレジスト表面の硬化が余り進まないので内部の有
機溶剤成分が容易に放出され、内部での気泡発生はな
い。続いて強い紫外線を照射しながら処理温度を徐々に
上昇させて行き、温度を１４０℃まで上げて約５秒間経
った後に紫外線照射を止め、その温度で一定時間熱処理
をする。
パターンの形成方法の処理条件図である。本実施例で
は、７０℃の温度において、まず、弱い紫外線を照射し
ながら一定時間熱処理をする。弱い紫外線で処理してい
る間はレジスト表面の硬化が余り進まないので内部の有
機溶剤成分が容易に放出され、内部での気泡発生はな
い。続いて強い紫外線を照射しながら処理温度を徐々に
上昇させて行き、温度を１４０℃まで上げて約５秒間経
った後に紫外線照射を止め、その温度で一定時間熱処理
をする。
【００１４】以上二つの条件で形成したレジストパター
ンは形状の劣化や内部での気泡の発生は見られず、膜厚
１.５μｍのアルミニウム層のドライエッチングのマス
クパターンとして用いたが、いずれも良好な結果が得ら
れた。
ンは形状の劣化や内部での気泡の発生は見られず、膜厚
１.５μｍのアルミニウム層のドライエッチングのマス
クパターンとして用いたが、いずれも良好な結果が得ら
れた。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明は、紫外線を照射す
るときの加熱温度をその直前の熱処理の温度より低く設
定することによって、発泡現象を抑え、形状を変化させ
ることなくレジストを硬化させ、耐エッチング性に優れ
た良質なレジストパターンを形成するものであり、これ
によって微細化に優れ、高歩留まり、高品質な半導体装
置等の製造が可能となる。
るときの加熱温度をその直前の熱処理の温度より低く設
定することによって、発泡現象を抑え、形状を変化させ
ることなくレジストを硬化させ、耐エッチング性に優れ
た良質なレジストパターンを形成するものであり、これ
によって微細化に優れ、高歩留まり、高品質な半導体装
置等の製造が可能となる。
【図１】本発明における一実施例の処理条件図
【図２】本発明における他の実施例の処理条件図
【図３】レジストパターンの一例を示す断面図
【図４】従来の処理条件図
【図５】レジストパターンの一例を示す断面図
１ 基板 ２ レジストパターン ４ 有機溶剤成分 ５ 紫外線
Claims (1)
- 【請求項１】露光、現像により基板上に形成されたレジ
ストパターンを第一の温度で処理する工程と、前記第一
の温度よりも低い第二の温度から、第三の温度まで昇温
しつつ処理する間に紫外線を照射する工程とを有し、前
記紫外線の照射は前記第一の温度よりも低い温度で開始
することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6003292A JP2604934B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6003292A JP2604934B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267154A JPH05267154A (ja) | 1993-10-15 |
| JP2604934B2 true JP2604934B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=13130329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6003292A Expired - Fee Related JP2604934B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2604934B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4683763B2 (ja) * | 2001-05-11 | 2011-05-18 | リコー光学株式会社 | 高分子材料層の加熱方法及び装置 |
| JP2003086495A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Fuji Electric Co Ltd | フォトレジストパターンの形成方法 |
| JP4601514B2 (ja) * | 2005-08-18 | 2010-12-22 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | レジストパターンの形成方法 |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP6003292A patent/JP2604934B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05267154A (ja) | 1993-10-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |