JP4601514B2 - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
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Description
基板上に、ポジ型レジスト材料を用いてレジスト層を形成する工程と、プリベーク処理、露光処理及び現像処理を順次に行って、レジスト層をパターニングする工程と、110℃から120℃の温度範囲内で、ポストベーク処理を行う工程と、開始温度をポストベーク処理温度より低い100℃とし、紫外線照射処理を行いつつ、最大でも0.5℃/秒の昇温率で、140℃以上160℃未満である最終温度まで温度を上昇させる熱処理を行う工程と、最終温度に達した時点で熱処理を終了し、温度を下げる降温処理を行う工程とを含み、紫外線照射処理は、ランプ照度を1.5mW/cm 2 とし、昇温開始から5秒間照射する第1段階と、ランプ照度を200mW/cm 2 として5秒間照射する第2段階と、ランプ照度を500mW/cm 2 として90秒間照射する第3段階とを連続的に含んでいる。
まず、レジストパターンの第1の形成方法につき説明する。
図1を参照して、レジストパターンの形成方法の一実施例につき説明する。
図2は、熱処理条件を説明するためのグラフ(2)である。図1と同様に(A)図は紫外線(UV)照射条件を示し、(B)図は経時的な昇温過程を示している。(A)図及び(B)図において横軸は同一スケールで示す時間(秒)である。(A)図における縦軸は光量(mW/cm2)を示し、符号「N」は極小照度、すなわち照度(ランプ照度)1.5mW/cm2であり、符号「L」は低照度、すなわち照度200mW/cm2であり、かつ符号「H」は高照度、すなわち照度500mW/cm2である。また、(B)図における縦軸は温度(℃)を示している。
図3は、熱処理条件を説明するためのグラフ(3)である。図1と同様に(A)図は紫外線(UV)照射条件を示し、(B)図は経時的な昇温過程を示している。(A)図及び(B)図において横軸は同一スケールで示す時間(秒)である。(A)図における縦軸は光量(mW/cm2)を示し、符号「N」は極小照度、すなわち照度(ランプ照度)1.5mW/cm2であり、符号「L」は低照度、すなわち照度200mW/cm2であり、かつ符号「H」は高照度、すなわち照度500mW/cm2である。また、(B)図における縦軸は温度(℃)を示している。
図4を参照して、既に説明した実施例1及び2のレジストパターンの形成方法それぞれにより、得られたレジストパターンにつき説明する。
Claims (2)
- 基板上に、ポジ型レジスト材料を用いてレジスト層を形成する工程と、
プリベーク処理、露光処理及び現像処理を順次に行って、前記レジスト層をパターニングする工程と、
110℃から120℃の温度範囲内で、ポストベーク処理を行う工程と、
開始温度をポストベーク処理温度より低い100℃とし、紫外線照射処理を行いつつ、最大でも0.5℃/秒の昇温率で、140℃以上160℃未満である最終温度まで温度を上昇させる熱処理を行う工程と、
前記最終温度に達した時点で前記熱処理を終了し、温度を下げる降温処理を行う工程と
を含み、
前記紫外線照射処理は、ランプ照度を1.5mW/cm 2 とし、昇温開始から5秒間照射する第1段階と、ランプ照度を500mW/cm 2 として75秒間照射する第2段階とを連続的に含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 基板上に、ポジ型レジスト材料を用いてレジスト層を形成する工程と、
プリベーク処理、露光処理及び現像処理を順次に行って、前記レジスト層をパターニングする工程と、
110℃から120℃の温度範囲内で、ポストベーク処理を行う工程と、
開始温度をポストベーク処理温度より低い100℃とし、紫外線照射処理を行いつつ、最大でも0.5℃/秒の昇温率で、140℃以上160℃未満である最終温度まで温度を上昇させる熱処理を行う工程と、
前記最終温度に達した時点で前記熱処理を終了し、温度を下げる降温処理を行う工程と
を含み、
前記紫外線照射処理は、ランプ照度を1.5mW/cm 2 とし、昇温開始から5秒間照射する第1段階と、ランプ照度を200mW/cm 2 として5秒間照射する第2段階と、ランプ照度を500mW/cm 2 として90秒間照射する第3段階とを連続的に含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。
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