JP6816083B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
EUVリソグラフィでは、EUV光源の出力を高めることが難しいため、レジスト膜の高感度化が重要になってくる。そのため、レジスト膜中に露光光の吸収を高める物質を含有させることが提案されている。しかしながら、レジスト膜の厚さ方向で光吸収係数が一律であると、レジスト膜の上面から下面に向かって光吸収量が減少してしまう。そのため、レジスト膜の厚さ方向全体で十分な露光量を確保することが難しくなる。
図1〜図9は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示した断面図である。以下、図1〜図9を参照して、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。
まず、図1に示すように、半導体基板(図示せず)を含む下地領域11上に、露光光(本実施形態では、EUV光)に対する感度を高めるための増感剤を含有したエネルギー線硬化性樹脂液を塗布し、エネルギー線硬化性樹脂層12aを形成する。エネルギー線硬化性樹脂には、紫外線(UV)硬化性樹脂等の光硬化性樹脂や、電子線硬化性樹脂を用いることができる。すなわち、エネルギー線硬化性樹脂には、光や電子線等のエネルギー線を照射することによって硬化するものを用いることができる。増感剤には、露光光を吸収して2次電子を発生するものを用いることができる。
第1の樹脂は、カチオン重合可能な反応性基を少なくとも1つ有する重合性化合物と光カチオン重合開始剤との混合物と、増感剤とを含む有機系樹脂である。
第3の樹脂は、酸化物を主成分とするエネルギー線重合性化合物と光カチオン重合開始剤又は光ラジカル重合開始剤との混合物と、増感剤とを含む無機系樹脂である。例えば、上記酸化物には、SOG(spin-on-glass)等のシリコン酸化物や、チタン酸化物或いはタングステン酸化物等のメタル酸化物を用いることができる。
次に、図6に示すように、露光光(EUV光)が照射され、ポストエクスポージャベークが行われたレジスト膜14bを現像する。これによりレジストパターン14cが形成される。現像処理の薬液には、レジスト膜14bがポジ型レジストの場合には、2.38%濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液等のアルカリ性水溶液を用いることができる。レジスト膜14bがネガ型レジストの場合には、n−ブチルアルコール等の有機溶媒を用いることができる。
次に、図9に示すように、レジストパターン14c及び下層膜パターン12cを除去することで、下地領域11に回路パターンが残る。
12b…下層膜 12c…下層膜パターン
13…エネルギー線 14a…レジスト膜 14b…レジスト膜
14c…レジストパターン 15…露光光
Claims (1)
- 半導体基板を含む下地領域上に、レジスト膜への露光光に対する感度を高めるためのEUV光用増感剤であってEUV光に対して特異的に感度波長を有するEUV光用増感剤を含有したエネルギー線硬化性樹脂層を形成する工程と、
前記エネルギー線硬化性樹脂層にエネルギー線としてUV光を照射して前記エネルギー線硬化性樹脂層を室温で硬化させて前記EUV光用増感剤を含有した下層膜を形成する工程と、
前記下層膜上に前記レジスト膜を形成する工程と、
熱処理によって前記下層膜から前記レジスト膜中に前記EUV光用増感剤を拡散させる工程と、
前記EUV光用増感剤が拡散したレジスト膜にフォトマスクを介して露光光としてEUV光を照射して前記レジスト膜に所望のパターンを転写する工程と、
前記露光光が照射されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして用いて前記下層膜をエッチングして下層膜パターンを形成する工程と、
前記レジストパターン及び前記下層膜パターンをマスクとして用いて前記下地領域をエッチングして前記下地領域に回路パターンを形成する工程と、
前記レジストパターン及び前記下層膜パターンを除去して前記下地領域に前記回路パターンを残す工程と、
を備え、
前記レジスト膜中に拡散したEUV光用増感剤の濃度は、前記レジスト膜の上面から下面に向かって増加しており、
前記EUV光用増感剤は、露光光を吸収して2次電子を発生するものであり、
前記レジスト膜は、2次電子のエネルギーによって酸を発生する酸発生剤を含有し、
前記エネルギー線硬化性樹脂層は、第1の樹脂、第2の樹脂及び第3の樹脂から選択された樹脂によって形成され、
前記第1の樹脂は、カチオン重合可能な反応性基を有する重合性化合物と光カチオン重合開始剤との混合物と、前記EUV光用増感剤とを含み、
前記第2の樹脂は、ラジカル重合可能なエチレン性不飽和結合を有する重合性化合物と光ラジカル重合開始剤との混合物と、前記EUV光用増感剤とを含み、
前記第3の樹脂は、シリコン酸化物又はメタル酸化物を主成分とするエネルギー線重合性化合物と光カチオン重合開始剤又は光ラジカル重合開始剤との混合物と、前記EUV光用増感剤とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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