JP2014211478A5 - - Google Patents
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Description
［９］（１）酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線または放射線の照射によりネガ型現像液に対する溶解度が減少する感光性レジスト組成物を基板に塗布して感光性レジスト膜を形成する工程、（２）前記感光性レジスト膜を露光する工程、（３）露光された感光性レジスト膜をネガ型現像液を用いて現像する工程、および（４）ネガ型現像液による現像の後に有機溶剤リンス処理を行う工程を含んでなるレジストパターン形成方法において、前記ネガ型現像またはリンス処理の少なくともいずれかが、上記１〜６のいずれかに記載のネガ型現像またはリンス液を用いて行われることを特徴とするレジストパターン形成方法。
上記感光性レジスト組成物は、必要に応じ反射防止膜が設けられたシリコン基板、ガラス基板等の基板上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布され、例えばホットプレート上でプリベークされてレジスト組成物中の溶剤が除去され、フォトレジスト膜が形成される。プリベーク温度は、用いる溶剤或いはレジスト組成物により異なるが、一般に７０〜１５０℃、好ましくは９０〜１５０℃の温度で、ホットプレートによる場合には１０〜１８０秒間、好ましくは３０〜９０秒間、クリーンオーブンによる場合には１〜３０分間実施することができる。こうして形成されたフォトレジスト膜は、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、超高圧水銀ランプ、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＵＶ照射装置、Ｘ線照射装置、電子線描画装置など公知の活性光線あるいは放射線を照射することのできる照射装置を用い、必要に応じ所定のマスクを通して露光される。露光後ベーク（ポスト エクスポジャー ベーク：ＰＥＢ）を行った後ネガ型現像液を用いてネガ型現像し、必要に応じ現像後に有機溶剤リンス処理を行うことにより良好なレジストパターンを得ることができる。なお、形成されたレジストパターンは、エッチング、メッキ、イオン拡散、染色処理などのレジストとして用いられ、その後必要に応じ剥離される。
Claims (1)
- （１）酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線または放射線の照射によりネガ型現像液に対する溶解度が減少する感光性レジスト組成物を基板に塗布して感光性レジスト膜を形成する工程、
（２）前記感光性レジスト膜を露光する工程、
（３）露光された感光性レジスト膜をネガ型現像液を用いて現像する工程、および
（４）ネガ型現像液による現像の後に有機溶剤リンス処理を行う工程を含んでなるレジストパターン形成方法において、
前記ネガ型現像またはリンス処理の少なくともいずれかが、上記１〜７のいずれかに記載のネガ型現像またはリンス液を用いて行われることを特徴とするレジストパターン形成方法。
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