JP5705103B2 - パターン形成方法 - Google Patents
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Description
図1(a)〜図2(c)は、第1実施形態のパターン形成方法を示す模式断面図である。
Trはレジスト膜14’の膜厚、xはレジスト膜14’の表面からの深さを表す。
図3(a)及び(b)は、第2実施形態のパターン形成方法を示す模式断面図である。
Claims (5)
- 被処理体上に、EUV(Extreme Ultra Violet)光を吸収して2次電子を発生する増感剤を含む下層膜を形成する工程と、
前記下層膜上に、前記2次電子のエネルギーにより酸を発生する酸発生剤を含むレジスト膜を形成する工程と、
前記下層膜から前記レジスト膜に前記増感剤を拡散させて、前記レジスト膜に、前記増感剤の濃度が表面側よりも底部側で高く、且つ前記増感剤の濃度が最大の部分が厚さ方向の中央よりも前記底部側にある濃度プロファイルを与える工程と、
前記濃度プロファイルを有するレジスト膜に対して前記表面側から前記EUV光を照射する工程と、
前記レジスト膜に前記EUV光を照射した後、前記レジスト膜を現像する工程と、
を備えたパターン形成方法。 - 被処理体上に、感光性物質を含むレジスト膜であって、前記感光性物質の濃度が表面側よりも底部側で高く、且つ前記感光性物質の濃度が最大の部分が厚さ方向の中央よりも前記底部側にある濃度プロファイルを有し、前記表面から前記底部に向かうほどEUV(Extreme Ultra Violet)光の吸収係数の増加率が大きいレジスト膜を形成する工程と、
前記表面側から前記レジスト膜に対してEUV光を照射する工程と、
前記レジスト膜に前記EUV光を照射した後、前記レジスト膜を現像する工程と、
を備えたパターン形成方法。 - 前記感光性物質は、前記EUV光を吸収して2次電子を発生する増感剤と、前記2次電子のエネルギーにより酸を発生する酸発生剤とを有し、
前記増感剤の濃度が前記表面側よりも前記底部側で高く、且つ前記増感剤の濃度が最大の部分が前記厚さ方向の中央よりも前記底部側にある請求項2記載のパターン形成方法。 - 前記レジスト膜を形成する前、前記被処理体上に前記感光性物質を含む下層膜を形成する工程をさらに備え、
前記下層膜上に前記濃度プロファイルを有する前のレジスト膜を形成した後、前記下層膜から前記レジスト膜に前記感光性物質を拡散させて、前記レジスト膜に前記濃度プロファイルを与え、
前記下層膜は、パターニングされた前記レジスト膜をマスクにしたエッチングによりパターニングされる請求項2または3に記載のパターン形成方法。 - 前記被処理体上に、前記濃度プロファイルを有する前のレジスト膜を形成した後、前記レジスト膜の表面側の前記感光性物質を洗い流して、前記レジスト膜に前記濃度プロファイルを与える請求項2または3に記載のパターン形成方法。
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