JP2003086495A - フォトレジストパターンの形成方法 - Google Patents
フォトレジストパターンの形成方法Info
- Publication number
- JP2003086495A JP2003086495A JP2001277405A JP2001277405A JP2003086495A JP 2003086495 A JP2003086495 A JP 2003086495A JP 2001277405 A JP2001277405 A JP 2001277405A JP 2001277405 A JP2001277405 A JP 2001277405A JP 2003086495 A JP2003086495 A JP 2003086495A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist film
- photoresist
- ultraviolet
- photoresist pattern
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】常圧条件下で、発泡を防止でき、パターン形状
変化を小さく抑制できるフォトレジストパターンの形成
方法を提供する。 【解決手段】段差がある半導体基板１上に、フォトレジ
ストパターンを形成し、温度を上げながら紫外線照射強
度の弱い紫外線４を４０秒照射し、フォトレジスト膜２
中のガスを抜き、フォトレジスト膜２を硬化するため
に、シャッタ２４を可動し、紫外線照射強度を約６００
ｍＷ／ｃｍ2 に上げて、強い紫外線５を照射する。弱い
紫外線を１０ｍＷ／ｃｍ2 から３０Ｗ／ｃｍ2 で照射時
間を４０秒から８０秒とすることで、フォトレジスト膜
２内の発泡が抑制され、またフォトレジスト膜２のパタ
ーン形状変化も小さく抑えることができる。
変化を小さく抑制できるフォトレジストパターンの形成
方法を提供する。 【解決手段】段差がある半導体基板１上に、フォトレジ
ストパターンを形成し、温度を上げながら紫外線照射強
度の弱い紫外線４を４０秒照射し、フォトレジスト膜２
中のガスを抜き、フォトレジスト膜２を硬化するため
に、シャッタ２４を可動し、紫外線照射強度を約６００
ｍＷ／ｃｍ2 に上げて、強い紫外線５を照射する。弱い
紫外線を１０ｍＷ／ｃｍ2 から３０Ｗ／ｃｍ2 で照射時
間を４０秒から８０秒とすることで、フォトレジスト膜
２内の発泡が抑制され、またフォトレジスト膜２のパタ
ーン形状変化も小さく抑えることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、段差を有する半
導体基板上のフォトレジストパターンの形成方法に関す
る。
導体基板上のフォトレジストパターンの形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】通常、２μｍ以下の比較的薄い膜厚のフ
ォトレジスト膜に対して、フォトレジスト膜の耐熱性、
耐プラズマ性を高めるフォトレジストパターンの成形方
法として、常圧条件下で温度を上げながら紫外線を照射
強度を可変して照射する方法が、特開昭６２−１８７３
４５号公報や特開平５−２６７１５４号公報に開示され
ている。この方法は、半導体基板の温度を上げながら、
まず初期段階の紫外線照射として弱い強度の紫外線（例
えば、１００ｍＷ／ｃｍ2 程度）を５〜１０秒程度照射
し、半導体基板温度と、紫外線照射とにより、フォトレ
ジスト膜中のガスをゆっくりと発生させて、フォトレジ
スト膜外へガスを放出させ、次いで、高い半導体基板の
温度と、強い強度の紫外線（例えば、５００ｍＷ／ｃｍ
2 程度）の照射とにより、フォトレジスト膜を硬化させ
て、フォトレジストパターンを形成する方法である。
ォトレジスト膜に対して、フォトレジスト膜の耐熱性、
耐プラズマ性を高めるフォトレジストパターンの成形方
法として、常圧条件下で温度を上げながら紫外線を照射
強度を可変して照射する方法が、特開昭６２−１８７３
４５号公報や特開平５−２６７１５４号公報に開示され
ている。この方法は、半導体基板の温度を上げながら、
まず初期段階の紫外線照射として弱い強度の紫外線（例
えば、１００ｍＷ／ｃｍ2 程度）を５〜１０秒程度照射
し、半導体基板温度と、紫外線照射とにより、フォトレ
ジスト膜中のガスをゆっくりと発生させて、フォトレジ
スト膜外へガスを放出させ、次いで、高い半導体基板の
温度と、強い強度の紫外線（例えば、５００ｍＷ／ｃｍ
2 程度）の照射とにより、フォトレジスト膜を硬化させ
て、フォトレジストパターンを形成する方法である。
【０００３】一方、２μｍ程度を超える厚い膜厚のフォ
トレジスト膜に対しては、減圧条件下にてフォトレジス
ト膜中のガス抜きを促進させつつ、温度を上げながら紫
外線を照射するフォトレジストパターンの形成方法があ
る。
トレジスト膜に対しては、減圧条件下にてフォトレジス
ト膜中のガス抜きを促進させつつ、温度を上げながら紫
外線を照射するフォトレジストパターンの形成方法があ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、フォトレジス
ト膜厚が２μｍを超える厚い膜厚の場合は、常圧条件下
で、初期段階の１００ｍＷ／ｃｍ2 程度の弱い強度の紫
外線照射では、フォトレジスト膜中のガスが十分に抜け
きれず、最終段階の５００ｍＷ／ｃｍ2 程度の強い強度
の紫外線照射でのフォトレジスト硬化中に、フォトレジ
スト膜内に気泡が発生する、所謂、発泡現象が起こる。
ト膜厚が２μｍを超える厚い膜厚の場合は、常圧条件下
で、初期段階の１００ｍＷ／ｃｍ2 程度の弱い強度の紫
外線照射では、フォトレジスト膜中のガスが十分に抜け
きれず、最終段階の５００ｍＷ／ｃｍ2 程度の強い強度
の紫外線照射でのフォトレジスト硬化中に、フォトレジ
スト膜内に気泡が発生する、所謂、発泡現象が起こる。
【０００５】また、初期段階の弱い強度の紫外線照射で
も、照射時間が長くなると、フォトレジスト膜表面が硬
化する。表面が硬化した状態のフォトレジスト膜の内部
は柔らかく、この内部が、半導体基板温度で収縮し、そ
れによって、発泡がなくても、パターン形状が極端に変
化することがある。このフォトレジスト膜の膜厚が厚く
なる要因として、図６に示すような半導体基板に段差が
ある場合などである。
も、照射時間が長くなると、フォトレジスト膜表面が硬
化する。表面が硬化した状態のフォトレジスト膜の内部
は柔らかく、この内部が、半導体基板温度で収縮し、そ
れによって、発泡がなくても、パターン形状が極端に変
化することがある。このフォトレジスト膜の膜厚が厚く
なる要因として、図６に示すような半導体基板に段差が
ある場合などである。
【０００６】図６において、２．５〜３．０μｍの段差
がある半導体基板５１では、その段差部５３を被覆する
ために、フォトレジスト膜５２の厚さを、例えば、３μ
ｍ程度の厚さで塗布する必要があり、その結果として段
差部直上部分には、段差部５３の膜厚Ｗが５．０〜６．
０μｍの厚いフォトレジスト膜５２が形成されることに
なる。
がある半導体基板５１では、その段差部５３を被覆する
ために、フォトレジスト膜５２の厚さを、例えば、３μ
ｍ程度の厚さで塗布する必要があり、その結果として段
差部直上部分には、段差部５３の膜厚Ｗが５．０〜６．
０μｍの厚いフォトレジスト膜５２が形成されることに
なる。
【０００７】このように厚いフォトレジスト膜５２で
は、図７に示すように、フォトレジスト膜が発泡し、気
泡５８が膜内に残留したり、図８に示すように気泡が弾
けて（爆発して）外部に放出され、空洞５９ができる場
合などがある。いずれの場合も、フォトレジスト膜５２
のパターン形状は変形し、且つ、発泡した箇所のフォト
レジスト膜５２の膜厚Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３が薄くなり、耐
エッチング性が悪化する。
は、図７に示すように、フォトレジスト膜が発泡し、気
泡５８が膜内に残留したり、図８に示すように気泡が弾
けて（爆発して）外部に放出され、空洞５９ができる場
合などがある。いずれの場合も、フォトレジスト膜５２
のパターン形状は変形し、且つ、発泡した箇所のフォト
レジスト膜５２の膜厚Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３が薄くなり、耐
エッチング性が悪化する。
【０００８】また、発泡しない場合でも、紫外線照射が
長くなると、フォトレジスト膜５２の表面が硬化し、半
導体基板５１側からの加熱でフォトレジスト膜５２内部
が収縮して、図９および図１０のように正常な形状６０
からずれて、フォトレジスト膜５２のパターン形状が大
きく変化する。このように３μｍ以上の厚いフォトレジ
スト膜５２の場合は、常圧条件下ではなく、減圧条件下
にて温度を上げながら紫外線を照射する方法があるが、
減圧条件下で行う場合には、フォトレジストパターンの
形成装置に減圧機構を設ける必要があり、装置構造が複
雑となり、高価になる。
長くなると、フォトレジスト膜５２の表面が硬化し、半
導体基板５１側からの加熱でフォトレジスト膜５２内部
が収縮して、図９および図１０のように正常な形状６０
からずれて、フォトレジスト膜５２のパターン形状が大
きく変化する。このように３μｍ以上の厚いフォトレジ
スト膜５２の場合は、常圧条件下ではなく、減圧条件下
にて温度を上げながら紫外線を照射する方法があるが、
減圧条件下で行う場合には、フォトレジストパターンの
形成装置に減圧機構を設ける必要があり、装置構造が複
雑となり、高価になる。
【０００９】この発明の目的は、前記の課題を解決し
て、常圧条件下で、発泡を防止でき、パターン形状変化
を小さく抑制できるフォトレジストパターンの形成方法
を提供することにある。
て、常圧条件下で、発泡を防止でき、パターン形状変化
を小さく抑制できるフォトレジストパターンの形成方法
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、段差を有する半導体基板上に、フォトレジスト膜
を全面被覆する工程と、前記フォトレジスト膜に露光・
現像処理を施して、フォトレジストパターンを形成する
工程と、該フォトレジストパターンを、常圧で、温度を
上昇させながら、照射強度を可変して紫外線照射を行
い、硬化させる工程とを含むフォトレジストパターンの
形成方法において、前記の紫外線照射工程で、照射の初
期段階での紫外線照射強度を、照射の最終段階での紫外
線照射強度に対して１／２０以下とする。
めに、段差を有する半導体基板上に、フォトレジスト膜
を全面被覆する工程と、前記フォトレジスト膜に露光・
現像処理を施して、フォトレジストパターンを形成する
工程と、該フォトレジストパターンを、常圧で、温度を
上昇させながら、照射強度を可変して紫外線照射を行
い、硬化させる工程とを含むフォトレジストパターンの
形成方法において、前記の紫外線照射工程で、照射の初
期段階での紫外線照射強度を、照射の最終段階での紫外
線照射強度に対して１／２０以下とする。
【００１１】また、前記の初期段階での紫外線照射時間
を、４０秒以上とする。また、前記の初期段階での紫外
線照射時間を、８０秒以下とする。また、前記の初期段
階での紫外線照射強度が、１０ｍＷ／ｃｍ2 以上で、３
０ｍＷ／ｃｍ2 以下であるとよい。また、前記の段差部
のフォトレジスト膜の厚みが、３．０μｍ以上で、８．
０μｍ以下とする。
を、４０秒以上とする。また、前記の初期段階での紫外
線照射時間を、８０秒以下とする。また、前記の初期段
階での紫外線照射強度が、１０ｍＷ／ｃｍ2 以上で、３
０ｍＷ／ｃｍ2 以下であるとよい。また、前記の段差部
のフォトレジスト膜の厚みが、３．０μｍ以上で、８．
０μｍ以下とする。
【００１２】このように、常圧条件下で温度を上げなが
ら、初期段階の紫外線照射強度を弱くすることで、厚い
フォトレジスト膜の耐熱性および耐プラズマ性を、フォ
トレジストの発泡、形状変化を誘発することなく、高め
ることができて、フォトレジスト膜の正常なパターン形
成をすることができる。
ら、初期段階の紫外線照射強度を弱くすることで、厚い
フォトレジスト膜の耐熱性および耐プラズマ性を、フォ
トレジストの発泡、形状変化を誘発することなく、高め
ることができて、フォトレジスト膜の正常なパターン形
成をすることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図５は、フォトレジストパターン
形成装置のうち紫外線照射装置の要部構成図である。フ
ォトレジスト膜の耐熱性、耐プラズマ性を高めて、耐エ
ッチング性の強化を図るために、この紫外線照射装置２
１を用いて、フォトレジスト膜２を硬化させる。
形成装置のうち紫外線照射装置の要部構成図である。フ
ォトレジスト膜の耐熱性、耐プラズマ性を高めて、耐エ
ッチング性の強化を図るために、この紫外線照射装置２
１を用いて、フォトレジスト膜２を硬化させる。
【００１４】この紫外線照射装置２１は、紫外線波長が
２２０から３２０ｎｍ程度の範囲にある光源２２と、紫
外線照射強度を可変できるシャッタ２３で構成される。
この紫外線照射装置２１の下には、常圧条件下で、フォ
トレジスト膜２でパターン成形された段差のある半導体
基板１と、この半導体基板１を加熱する、昇降温可能
で、且つ、昇温速度を制御できるホットプレート２４が
配置されている。光源２２を２個設置することで、光源
の照射強度を高め、シャッター２３を通過した紫外線７
が、フォトレジスト膜２を均等に照射されるようにして
いる。
２２０から３２０ｎｍ程度の範囲にある光源２２と、紫
外線照射強度を可変できるシャッタ２３で構成される。
この紫外線照射装置２１の下には、常圧条件下で、フォ
トレジスト膜２でパターン成形された段差のある半導体
基板１と、この半導体基板１を加熱する、昇降温可能
で、且つ、昇温速度を制御できるホットプレート２４が
配置されている。光源２２を２個設置することで、光源
の照射強度を高め、シャッター２３を通過した紫外線７
が、フォトレジスト膜２を均等に照射されるようにして
いる。
【００１５】図１は、この発明の一実施例のフォトレジ
ストパターンの成形方法であり、同図（ａ）から同図
（ｃ）は、工程順に示した要部工程断面図である。図１
は、図５のＣ部拡大図である。３．０μｍの段差がある
半導体基板１上に、前記段差部３を十分に被覆するため
にフォトレジスト膜２を３．０μｍの膜厚に塗布する。
その後、フォトレジスト膜２に露光・現像処理を施し、
フォトレジストパターンを形成する。フォトレジストパ
ターン形成後、結果として、段差直上部分に例えば５．
０〜６．０μｍ程度もの膜厚Ｌのフォトレジスト膜２が
形成される（同図（ａ））。
ストパターンの成形方法であり、同図（ａ）から同図
（ｃ）は、工程順に示した要部工程断面図である。図１
は、図５のＣ部拡大図である。３．０μｍの段差がある
半導体基板１上に、前記段差部３を十分に被覆するため
にフォトレジスト膜２を３．０μｍの膜厚に塗布する。
その後、フォトレジスト膜２に露光・現像処理を施し、
フォトレジストパターンを形成する。フォトレジストパ
ターン形成後、結果として、段差直上部分に例えば５．
０〜６．０μｍ程度もの膜厚Ｌのフォトレジスト膜２が
形成される（同図（ａ））。
【００１６】つぎに、ホットプレート２４をフォトレジ
スト膜２のパターンが変形しない程度の約９０℃の温度
に設定し、ホットプレート２４上に、フォトレジスト膜
２がパターン成形された半導体基板１を載置する。その
後、フォトレジスト膜２に発泡および変形が生じない程
度に徐々にホットプレート２４の温度を上げて行く（約
０．５℃／秒）のと同時に、シャッタ２３により３０ｍ
Ｗ／ｃｍ2 の紫外線照射強度の弱い紫外線４を４０秒照
射し、フォトレジスト膜２中のガスを抜く（同図
（ｂ））。
スト膜２のパターンが変形しない程度の約９０℃の温度
に設定し、ホットプレート２４上に、フォトレジスト膜
２がパターン成形された半導体基板１を載置する。その
後、フォトレジスト膜２に発泡および変形が生じない程
度に徐々にホットプレート２４の温度を上げて行く（約
０．５℃／秒）のと同時に、シャッタ２３により３０ｍ
Ｗ／ｃｍ2 の紫外線照射強度の弱い紫外線４を４０秒照
射し、フォトレジスト膜２中のガスを抜く（同図
（ｂ））。
【００１７】つぎに、昇温しながら、フォトレジスト膜
２を硬化するために、シャッタ２４を可動し、紫外線照
射強度を約６００ｍＷ／ｃｍ2 に上げて、強い紫外線５
を照射する。昇温した温度の到達点は、１５０℃で、到
達温度に達する時間は８０秒である（同図（ｃ））。上
記実施例での照射強度プロフィルと昇温プロフィルを図
４に示す。図４において、Ｐ１は３０ｍＷ／ｃｍ2 、Ｐ
２は６００ｍＷ／ｃｍ2 、Ｔ１は９０℃、Ｔ２は１５０
℃、ｔ１は４０秒、ｔ２は１２０秒である。
２を硬化するために、シャッタ２４を可動し、紫外線照
射強度を約６００ｍＷ／ｃｍ2 に上げて、強い紫外線５
を照射する。昇温した温度の到達点は、１５０℃で、到
達温度に達する時間は８０秒である（同図（ｃ））。上
記実施例での照射強度プロフィルと昇温プロフィルを図
４に示す。図４において、Ｐ１は３０ｍＷ／ｃｍ2 、Ｐ
２は６００ｍＷ／ｃｍ2 、Ｔ１は９０℃、Ｔ２は１５０
℃、ｔ１は４０秒、ｔ２は１２０秒である。
【００１８】後述する表１と表２とで説明するように、
Ｐ１を１０ｍＷ／ｃｍ2 から３０ｍＷ／ｃｍ2 、ｔ１を
４０秒から８０秒とすることで、図２、図３で示すよう
に、フォトレジスト膜２内の発泡が抑制され、またフォ
トレジスト膜２のパターン形状変化も小さく抑えること
ができる。また、３μｍから８μｍまでの段差部の大き
さに対してこの発明は有効である。
Ｐ１を１０ｍＷ／ｃｍ2 から３０ｍＷ／ｃｍ2 、ｔ１を
４０秒から８０秒とすることで、図２、図３で示すよう
に、フォトレジスト膜２内の発泡が抑制され、またフォ
トレジスト膜２のパターン形状変化も小さく抑えること
ができる。また、３μｍから８μｍまでの段差部の大き
さに対してこの発明は有効である。
【００１９】表１は、初期段階での紫外線照射強度と照
射時間と、発泡および形状の関係を示す表である。この
ときの昇温プロフィルと照射プロフィルを図４に示す。
射時間と、発泡および形状の関係を示す表である。この
ときの昇温プロフィルと照射プロフィルを図４に示す。
【００２０】
【表１】
スタートの温度は９０℃、到達温度は１５０℃で、この
間の時間ｔ２は１２０秒で、昇温速度は０．５℃／秒で
ある。初期段階での照射強度Ｐ１と照射時間ｔ１をパラ
メータとして、発泡の有無と形状変化を調査した。ま
た、最終段階での紫外線照射強度Ｐ２は６００ｍＷ／ｃ
ｍ2 で、最終到達温度に達した時間ｔ２から、さらに照
射時間を３０秒以上延長して、フォトレジスト膜２を確
実に硬化させた。初期段階での紫外線強度Ｐ１が１０ｍ
Ｗ／ｃｍ2 、３０ｍＷ／ｃｍ2 では、照射時間ｔ１が４
０秒以上で発泡現象が生ぜず、パターン形状不良も起こ
らない。また、照射時間ｔ１が８０秒を超えると１０ｍ
Ｗ／ｃｍ2 ではパターン形状が大きく変化して、形状不
良を生じる。これは、１０ｍＷ／ｃｍ2 の紫外線照射強
度でも、８０秒を超える長い時間を照射すると、フォト
レジスト膜２の表層が硬化し、一方、半導体基板１側か
らの熱で、フォトレジスト膜２の内部が収縮するため
に、パターン形状が変化するためである。
間の時間ｔ２は１２０秒で、昇温速度は０．５℃／秒で
ある。初期段階での照射強度Ｐ１と照射時間ｔ１をパラ
メータとして、発泡の有無と形状変化を調査した。ま
た、最終段階での紫外線照射強度Ｐ２は６００ｍＷ／ｃ
ｍ2 で、最終到達温度に達した時間ｔ２から、さらに照
射時間を３０秒以上延長して、フォトレジスト膜２を確
実に硬化させた。初期段階での紫外線強度Ｐ１が１０ｍ
Ｗ／ｃｍ2 、３０ｍＷ／ｃｍ2 では、照射時間ｔ１が４
０秒以上で発泡現象が生ぜず、パターン形状不良も起こ
らない。また、照射時間ｔ１が８０秒を超えると１０ｍ
Ｗ／ｃｍ2 ではパターン形状が大きく変化して、形状不
良を生じる。これは、１０ｍＷ／ｃｍ2 の紫外線照射強
度でも、８０秒を超える長い時間を照射すると、フォト
レジスト膜２の表層が硬化し、一方、半導体基板１側か
らの熱で、フォトレジスト膜２の内部が収縮するため
に、パターン形状が変化するためである。
【００２１】そのため、初期段階での紫外線照射強度Ｐ
１は、最終段階での照射強度Ｐ２の１／５０程度以上
で、１／２０以下がよい。具体的には、１０ｍＷ／ｃｍ
2 以上で、３０ｍＷ／ｃｍ2 以下がよく、照射時間ｔ１
は４０秒以上で、８０秒以下がよい。また、段差部のフ
ォトレジスト膜厚Ｌと発泡の関係を表２に示す。
１は、最終段階での照射強度Ｐ２の１／５０程度以上
で、１／２０以下がよい。具体的には、１０ｍＷ／ｃｍ
2 以上で、３０ｍＷ／ｃｍ2 以下がよく、照射時間ｔ１
は４０秒以上で、８０秒以下がよい。また、段差部のフ
ォトレジスト膜厚Ｌと発泡の関係を表２に示す。
【００２２】
【表２】
フォトレジストパターン形成条件は、表１の３０ｍＷ／
ｃｍ2 と同一である。段差部のフォトレジスト膜の膜厚
Ｌが１０μｍを超えると発泡が起こるために、段差部の
フォトレジスト膜の膜厚Ｌは１０μｍ以下がよい。ま
た、膜厚は３μｍ未満でも勿論よいが、３μｍ以上の場
合に、この発明の効果が著しい。
ｃｍ2 と同一である。段差部のフォトレジスト膜の膜厚
Ｌが１０μｍを超えると発泡が起こるために、段差部の
フォトレジスト膜の膜厚Ｌは１０μｍ以下がよい。ま
た、膜厚は３μｍ未満でも勿論よいが、３μｍ以上の場
合に、この発明の効果が著しい。
【００２３】
【発明の効果】この発明によれば、常圧条件下で温度を
上げながら紫外線を照射するフォトレジストパターンの
形成方法において、前記紫外線照射のうち初期段階の紫
外線照射強度を弱く行うことにより、常圧条件下で、発
泡を防止し、パターン形状変化を小さく抑制して、厚い
フォトレジストパターンを形成することができる。
上げながら紫外線を照射するフォトレジストパターンの
形成方法において、前記紫外線照射のうち初期段階の紫
外線照射強度を弱く行うことにより、常圧条件下で、発
泡を防止し、パターン形状変化を小さく抑制して、厚い
フォトレジストパターンを形成することができる。
【図１】この発明の一実施例のフォトレジストパターン
の成形方法であり、（ａ）から（ｃ）は、工程順に示し
た要部工程断面図
の成形方法であり、（ａ）から（ｃ）は、工程順に示し
た要部工程断面図
【図２】図１（ｃ）のＡ部拡大図で、正常なパターン形
状のフォトレジスト膜
状のフォトレジスト膜
【図３】図１（ｃ）のＢ部拡大図で、正常なパターン形
状のフォトレジスト膜
状のフォトレジスト膜
【図４】昇温プロフィルと照射プロフィルを示す図
【図５】フォトレジストパターン形成装置のうち紫外線
照射装置の要部構成図
照射装置の要部構成図
【図６】段差のある半導体基板上にフォトレジスト膜を
パターン形成した図
パターン形成した図
【図７】厚いフォトレジスト膜が発泡し、気泡が膜内に
残留した図
残留した図
【図８】気泡が弾けて（爆発して）外部に放出され、空
洞ができた図
洞ができた図
【図９】正常な形状ずれてパターン形状が大きく変化し
た図
た図
【図１０】別の部位での正常な形状ずれてパターン形状
が大きく変化した図
が大きく変化した図
１ 半導体基板
２ フォトレジスト膜
３ 段差部
４ 弱い紫外線
５ 強い紫外線
６、７ 紫外線
２１ 紫外線照射装置
２２ 光源
２３ シャッタ
２４ ホットプレート
Ｌ 段差部のフォトレジスト膜の膜厚
Claims (5)
- 【請求項１】段差を有する半導体基板上に、フォトレジ
スト膜を全面被覆する工程と、該フォトレジスト膜に露
光・現像処理を施して、フォトレジストパターンを形成
する工程と、該フォトレジストパターンを、常圧で、温
度を上昇させながら、照射強度を可変して紫外線照射を
行い、硬化させる工程とを含むフォトレジストパターン
の形成方法において、 前記の紫外線照射工程で、照射の初期段階での紫外線照
射強度を、照射の最終段階での紫外線照射強度に対して
１／２０以下とすることを特徴とするフォトレジストパ
ターンの形成方法。 - 【請求項２】前記の初期段階での紫外線照射時間が、４
０秒以上であることを特徴とする請求項１に記載のフォ
トレジストパターンの形成方法。 - 【請求項３】前記の初期段階での紫外線照射時間が、８
０秒以下であることを特徴とする請求項１または２に記
載のフォトレジストパターンの形成方法。 - 【請求項４】前記の初期段階での紫外線照射強度が、１
０ｍＷ／ｃｍ2 以上で、３０ｍＷ／ｃｍ2 以下であるこ
とを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のフ
ォトレジストパターンの形成方法。 - 【請求項５】前記の段差部のフォトレジスト膜の厚み
が、３．０μｍ以上で、８．０μｍ以下であることを特
徴とする請求項１に記載のフォトレジストパターンの形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001277405A JP2003086495A (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | フォトレジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001277405A JP2003086495A (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | フォトレジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003086495A true JP2003086495A (ja) | 2003-03-20 |
Family
ID=19101934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001277405A Withdrawn JP2003086495A (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | フォトレジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003086495A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007052220A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストパターンの形成方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6129124A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Ushio Inc | 半導体ウエハ−の処理方法 |
| JPS62187345A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-15 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| JPS63244623A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-12 | Sony Corp | ホトレジストの硬化方法 |
| JPH0212811A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Ushio Inc | ウエハ周辺露光方法 |
| JPH05267154A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Matsushita Electron Corp | レジストパターンの形成方法 |
| JPH0973610A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-03-18 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 |
| JPH10246965A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Orc Mfg Co Ltd | 光照射処理装置およびその方法 |
| JPH11295886A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-10-29 | Matsushita Electron Corp | パターン形成方法 |
-
2001
- 2001-09-13 JP JP2001277405A patent/JP2003086495A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6129124A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Ushio Inc | 半導体ウエハ−の処理方法 |
| JPS62187345A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-15 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| JPS63244623A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-12 | Sony Corp | ホトレジストの硬化方法 |
| JPH0212811A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Ushio Inc | ウエハ周辺露光方法 |
| JPH05267154A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Matsushita Electron Corp | レジストパターンの形成方法 |
| JPH0973610A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-03-18 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 |
| JPH10246965A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Orc Mfg Co Ltd | 光照射処理装置およびその方法 |
| JPH11295886A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-10-29 | Matsushita Electron Corp | パターン形成方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007052220A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストパターンの形成方法 |
| JP4601514B2 (ja) * | 2005-08-18 | 2010-12-22 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | レジストパターンの形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8952344B2 (en) | Techniques for processing photoresist features using ions | |
| JPH02209724A (ja) | フォトレジスト硬化方法 | |
| JP2005197349A (ja) | 微細パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2002093748A (ja) | インプリント装置及びインプリント方法 | |
| JP2003086495A (ja) | フォトレジストパターンの形成方法 | |
| JP2604934B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP2001326153A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS6352410A (ja) | 半導体装置の製造方法および加熱処理装置 | |
| EP0233333B1 (en) | Method of treating photoresists | |
| JPS59161827A (ja) | 絶縁膜加工法 | |
| JP4601514B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP2863177B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JP3441439B2 (ja) | 微細レジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法 | |
| JPS63234526A (ja) | レジスト処理方法 | |
| JP2007086353A (ja) | 基材処理方法 | |
| JPH0263058A (ja) | フォトレジストの露光方法および露光装置 | |
| JPS63244623A (ja) | ホトレジストの硬化方法 | |
| JPH09211870A (ja) | 化学増幅レジストパターンの形成方法および装置 | |
| KR100685732B1 (ko) | 포토레지스트 레지듀 제거 장치 | |
| JPS5999723A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS63232332A (ja) | レジスト処理方法 | |
| KR100192932B1 (ko) | 반도체소자의 형성방법 | |
| JPH0786148A (ja) | レジスト膜の硬化方法 | |
| JPS62147724A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH0637071A (ja) | 半導体装置のコンタクトホール径の調整方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Effective date: 20060703 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Effective date: 20060704 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080812 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Effective date: 20081216 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090219 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20091112 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101214 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20110210 |