JPS62187345A - レジスト処理方法 - Google Patents

レジスト処理方法

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JPS62187345A
JPS62187345A JP61028774A JP2877486A JPS62187345A JP S62187345 A JPS62187345 A JP S62187345A JP 61028774 A JP61028774 A JP 61028774A JP 2877486 A JP2877486 A JP 2877486A JP S62187345 A JPS62187345 A JP S62187345A
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JP
Japan
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photoresist
irradiation
irradiation intensity
treatment
intensity
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JP61028774A
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English (en)
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JPH0574060B2 (ja
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Kazuya Tanaka
一也 田中
Kazuyoshi Ueki
植木　和義
Hiroko Suzuki
裕子 鈴木
Yoshiki Mimura
芳樹 三村
Shinji Suzuki
信二 鈴木
Shinji Sugioka
晋次 杉岡
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Ushio Denki KK
Ushio Inc
Original Assignee
Ushio Denki KK
Ushio Inc
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Publication date
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Priority to DE19863687749 priority patent/DE3687749T2/de
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体ウェハに塗布されたフォトレジスト
の処理方法に係り、特に１Ｍ外線照射によるフォトレジ
ストの処理方法に関するものである。
〔従来の技術〕
従来の紫外線照射によるフォトレジストの処理について
は、半導体ウェハに塗布されたフォトレジストにマスク
パターンを露光する処理、フォトレジスト表面に付着し
た有機汚染物を分解洗浄する予備洗浄処理等において、
紫外線照射が利用されているが、最近、レジスト処理工
程のひとつであるベーキング工程への適用が注目されて
いる。
べ−キング工程とは、フォトレジスト塗布、露光、現像
によるレジストパターンを形成する工程とこのレジスト
パターンを用いてイオン注入やプラズマエツチングなど
を行う工程との中間の工程であって、フォトレジストの
半導体基板への接着性や耐熱性の向上などを目的とした
加熱工程である。そして最近では、現像後のベーキング
工程の前、あるいはベーキング時にフォトレジスト紫外
線を当てて、より短時間にベーキング時の耐熱性や耐プ
ラズマエツチング性を高める方法が検討されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このように、最近は、フォトレジストベーキング工程に
おいては、紫外線を照射することが検討されている。
ところが、フォトレジストに照射処理開始時から強い紫
外線を照射すると、フォトレジスト中に含まれる有機溶
媒の分解蒸発やフォトレジスト自体が化学反応を起こし
て発生するガス、或は、ウェハにフォトレジストを塗布
する前に施された下地処理から生じるガスなどが急激に
発生し、フォトレジスト膜の形状が変化したり、剥離を
起こすことがある。
この発明は、紫外線照射初期もしくは開始時における強
い紫外線照射によるフォトレジスト膜の損傷を防止して
、レジスト処理を好適に実行しうる方法を提供すること
を目的とするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
この目的を達成するために、この発明では、処理開始時
にはフォトレジストを損傷しない程度に照射強度を弱く
抑制し、その後、漸次もしくは段階的に照射強度を強く
してフォトレジストを処理する。
〔作用〕
この発明においては、初めに紫外線の照射強度が弱く抑
制されているので、前記の種々のガス放出がゆるやかに
進み、したがってフォトレジスト膜を通してゆるやかに
放出されることになる。そして、ガスの発生がほとんど
終了した後に、漸次もしくは段階的に照射強度を強くす
るので、全体の照射処理時間が必要以上に長くなること
を避けながら、フォトレジスト膜に損傷が生じない好適
なレジスト処理が達成される。
〔実施例〕
以下に図面に示す実施例に基いて本発明を具体的に説明
する。
第１図は、この発明によるフォトレジスト処理方法の一
実施例を説明するためのフォトレジスト処理装置である
。パターン化されたフォトレジスト４が半導体ウェハ５
の上に形成されており、半導体ウェハ５はウェハ処理台
６に載置される。ウェハ処理台６は、ヒータリード線９
より通電することによりヒータ１０で加熱され、あるい
は冷却孔１１に冷却水を流すことによって冷却される。
この加熱および冷却機構により半導体ウェハ５の温度制
御が行われる。また、ウェハ処理台６には。
真空吸着孔７が付加されており、真空ポンプによって連
通孔８を通して真空引きすることにより。
半導体ウェハ５をウェハ処理台６上に密着して固定する
機能をも有する。照射部は、高圧水銀灯１゜凹面ミラー
２．開閉可能なシャッター３などから構成されている。
高圧水銀灯１の点灯回路図は省略するが、この回路定数
を切り替えることにより１発光スペクトルの放射強度が
変えられる。このような点灯回路は古くから公知公用の
技術が文献に開示されているのでそれら既知の技術が利
用できる。
第２図に高圧水銀灯の発光スペクトルを示す。
第４図は、点灯回路の定数を変えることによって放射強
度を漸次もしくは段階的に大きくする例を示したもので
あって、たて軸は相対的な強度の値。
よこ軸は照射時間であるが、同図（イ）は漸増、同図（
ロ）は照射時間の中頃を漸増、同図（ハ）は２段階にス
テップアップしたものをそれぞれ示す、数値例を、同図
（ハ）を用いて紹介すると、ノボラック樹脂をベースと
したポジ型フォトレジストを用い、照射初期１０秒間は
、放射波長３５０ｎａ＋より短波長域の照射強度で　１
００　＋ａＷ／ａ＆、そして後段は３０乃至４０秒間程
度５００ｍＷ／ｄで照射すると、フォトレジスト層の剥
離、だれ、ふくれ等の欠点は生じず、良好な状態で処理
できた。他方、上記の場合、照射初期の１０秒間も　５
００ｍＷ／ａｉの照射強度とすると、ふくれや剥離など
の発生が部分的に認められた。
以上の例では、フォトレジスト面における照射強度を、
高圧水銀灯の発光スペクトルの放射強度にて制御するも
のであるが、放射強度を一定にしておいて、高圧水銀灯
とウェハとの間に減光フィルターなどの減光手段を挿入
しても達成できる。
〔発明の効果〕
以上の実施例の説明からも理解されるように。
この発明では、紫外線による照射処理時間を必要以上に
長くすることなく、かつ、フォトレジスト膜に損傷が発
生しない良好な処理ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、この発明によるレジスト処理方法の一実施例
を説明するためのレジスト処理装置、第２図は、この発
明によるレジスト処理方法に使用する水銀灯の発光スペ
クトルを示す図、第３図は。 フォトレジストが塗布された半導体ウェハの断面図、第
４図は、照射強度と照射時間の関係を示す説明図である
。 １・・・高圧水銀灯　　　２・・・凹面ミラー３・・・
シャッター　　　４・・・フォトレジスト５・・・半導
体ウェハ　　６・・・ウェハ処理台７・・・真空吸着孔
　　　８・・・連通孔９・・・ヒータリードｍ　　１Ｇ
−・・ヒータ１１・・・冷却孔

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ウェハに塗布されたフォトレジストを紫外線を含む放射
    光で照射処理するレジスト処理方法において、 照射時間の初期においては、フォトレジスト面における
    照射強度を弱くし、その後、漸次もしくは段階的に照射
    強度を強くする工程を含むことを特徴とするレジスト処
    理方法。
JP61028774A 1986-02-14 1986-02-14 レジスト処理方法 Granted JPS62187345A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61028774A JPS62187345A (ja) 1986-02-14 1986-02-14 レジスト処理方法
DE19863687749 DE3687749T2 (de) 1986-02-14 1986-11-25 Photolack-behandlungsverfahren.
EP19860116308 EP0233333B1 (en) 1986-02-14 1986-11-25 Method of treating photoresists

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61028774A JPS62187345A (ja) 1986-02-14 1986-02-14 レジスト処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62187345A true JPS62187345A (ja) 1987-08-15
JPH0574060B2 JPH0574060B2 (ja) 1993-10-15

Family

ID=12257754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61028774A Granted JPS62187345A (ja) 1986-02-14 1986-02-14 レジスト処理方法

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0233333B1 (ja)
JP (1) JPS62187345A (ja)
DE (1) DE3687749T2 (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
JPH0574060B2 (ja) 1993-10-15
EP0233333A3 (en) 1988-02-24
DE3687749T2 (de) 1993-09-09
DE3687749D1 (de) 1993-03-25
EP0233333B1 (en) 1993-02-10
EP0233333A2 (en) 1987-08-26

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