JPS62162330A - レジスト処理方法 - Google Patents
レジスト処理方法Info
- Publication number
- JPS62162330A JPS62162330A JP61003539A JP353986A JPS62162330A JP S62162330 A JPS62162330 A JP S62162330A JP 61003539 A JP61003539 A JP 61003539A JP 353986 A JP353986 A JP 353986A JP S62162330 A JPS62162330 A JP S62162330A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- semiconductor wafer
- resist
- processing stage
- processing table
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウェハに塗布されたレジストの処理
方法に係り、特に高圧水銀灯の放射光と真空吸着孔を有
する処理台を用いたレジスト処理方法に関するものであ
る。
方法に係り、特に高圧水銀灯の放射光と真空吸着孔を有
する処理台を用いたレジスト処理方法に関するものであ
る。
半導体素子製造工程において、レジストパターンの形成
は大きく分けるとレジスト塗布、プレベーク、露光、現
像、ボストベークの順に行われる。
は大きく分けるとレジスト塗布、プレベーク、露光、現
像、ボストベークの順に行われる。
この後、このレジストパターンを用いて、イオン注入、
あるいはレジスト塗布前にあらかじめ半導体ウェハ表面
に形成されたシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミ
ニウム薄膜等のエツチング等が行われる。これらの工程
の後にレジストが除去される。
あるいはレジスト塗布前にあらかじめ半導体ウェハ表面
に形成されたシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミ
ニウム薄膜等のエツチング等が行われる。これらの工程
の後にレジストが除去される。
近年半導体素子の高集積化、微細化等に伴い、レジスト
がより高分解能のものが使われるようになっているが、
この場合レジストの耐熱性が悪くなる傾向にある。さら
にまた、エツチング時のレジストの劣化（膜べり等）が
問題となっている。
がより高分解能のものが使われるようになっているが、
この場合レジストの耐熱性が悪くなる傾向にある。さら
にまた、エツチング時のレジストの劣化（膜べり等）が
問題となっている。
レジストの耐熱性、耐エツチング性を高める方法として
ボストベークにおいて段階的に温度を上棟 げ充分な時間加熱処理する方法や現像度、あるいはボス
トベーク時にレジストパターンに紫外ｓを照射する方法
が検討されている。しかし前者の方法では充分な耐熱性
、耐エツチング性が得られず、また処理時間が大幅に長
くなるという欠点がある。
ボストベークにおいて段階的に温度を上棟 げ充分な時間加熱処理する方法や現像度、あるいはボス
トベーク時にレジストパターンに紫外ｓを照射する方法
が検討されている。しかし前者の方法では充分な耐熱性
、耐エツチング性が得られず、また処理時間が大幅に長
くなるという欠点がある。
後者の方法では低圧水銀灯のように主として紫外線のみ
を発行するランプを用いた場合、強度が弱く、処理時間
がかかり、充分な耐エツジング性が得られないなどの欠
点があった。さらに後者の方法において、より強力な紫
外線を発光する高圧水銀灯のようなランプを用いた場合
は処理時間は短かくなるが全体の放射光の強度が強いた
め、照射時にウェハ温度が上がりすぎて、レジストパタ
ーンが劣化するという欠点があった。
を発行するランプを用いた場合、強度が弱く、処理時間
がかかり、充分な耐エツジング性が得られないなどの欠
点があった。さらに後者の方法において、より強力な紫
外線を発光する高圧水銀灯のようなランプを用いた場合
は処理時間は短かくなるが全体の放射光の強度が強いた
め、照射時にウェハ温度が上がりすぎて、レジストパタ
ーンが劣化するという欠点があった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このように、従来のレジスト処理方法においては、現像
後、あるいはボストベーク時に紫外線照射により耐熱性
、耐エツチング性の若干の改良を達成することができた
にしても、処理時間が長くなるか、あるいは照射時に半
導体ウェハの温度が上がり、レジストパターンが劣化す
るという問題があった。
後、あるいはボストベーク時に紫外線照射により耐熱性
、耐エツチング性の若干の改良を達成することができた
にしても、処理時間が長くなるか、あるいは照射時に半
導体ウェハの温度が上がり、レジストパターンが劣化す
るという問題があった。
この発明は、こうした問題点に鑑みて、強力な紫外線を
含む高圧水銀灯等のランプからの放射光が照射される時
は半導体ウェハをウェハ処理台に真空吸着された状態と
し、レジストの耐熱温度以上にウェハ温度が上昇するこ
とを防止し、がっ高速に効果的にレジスト処理を行うこ
とを目的とするものである。
含む高圧水銀灯等のランプからの放射光が照射される時
は半導体ウェハをウェハ処理台に真空吸着された状態と
し、レジストの耐熱温度以上にウェハ温度が上昇するこ
とを防止し、がっ高速に効果的にレジスト処理を行うこ
とを目的とするものである。
この目的を達成するために、この発明では、真空吸着孔
を有するウェハ処理台上で、半導体ウェハに塗布された
レジストを、３５ｏ４＃以下の短波長を含むランプの放
射光で照射するにあたり、ウェハが処理台上に真空吸着
されている間、放射光がウェハを照射し、がつウェハを
ランプからの放射光により加熱すると共にウェハの加熱
速度を制御する。
を有するウェハ処理台上で、半導体ウェハに塗布された
レジストを、３５ｏ４＃以下の短波長を含むランプの放
射光で照射するにあたり、ウェハが処理台上に真空吸着
されている間、放射光がウェハを照射し、がつウェハを
ランプからの放射光により加熱すると共にウェハの加熱
速度を制御する。
このようにすると、レジストがランプからの放射光によ
っても加熱されるため、紫外線照射によるレジスト処理
に要する時間を短縮し、レジスト処理能力をアップする
ことが可能となる。ざらにウェハの加熱速度を制御する
ことにより、ウェハ温度がレジストの耐熱温度以上に上
昇することが阻止される。
っても加熱されるため、紫外線照射によるレジスト処理
に要する時間を短縮し、レジスト処理能力をアップする
ことが可能となる。ざらにウェハの加熱速度を制御する
ことにより、ウェハ温度がレジストの耐熱温度以上に上
昇することが阻止される。
第１図は、この発明によるレジスト処理方法の一実施例
を説明するためのレジスト処理装置である。ウェハ処理
台６は、ヒータ１ｏにより加熱され、冷力Ｊ孔１１に冷
却水を流すことにより冷却される。またウェハ処理台６
には、真空吸着孔７が付加されており、真空ポンプによ
り連通孔８を通じて真空引きすることが可能である。照
射部は、高圧水銀灯１、凹面ミラー２、シャッター３が
らＩイ、ｆｆ成されており、高圧水銀灯１の放射光は、
凹面ミラー２により、シャッター３を介して、半導体ウ
ェハ５および塗布されたレジスト４上に照射される。
を説明するためのレジスト処理装置である。ウェハ処理
台６は、ヒータ１ｏにより加熱され、冷力Ｊ孔１１に冷
却水を流すことにより冷却される。またウェハ処理台６
には、真空吸着孔７が付加されており、真空ポンプによ
り連通孔８を通じて真空引きすることが可能である。照
射部は、高圧水銀灯１、凹面ミラー２、シャッター３が
らＩイ、ｆｆ成されており、高圧水銀灯１の放射光は、
凹面ミラー２により、シャッター３を介して、半導体ウ
ェハ５および塗布されたレジスト４上に照射される。
次に、このレジスト処理装置を用いてレジスト処理する
方法について説明する。レジスト４のパターンが形成さ
れた半導体ウェハ５をウェハ処理台上に載置する。次に
、真空吸着孔７を真空引きすることにより、半導体ウェ
ハ５をウェハ処理台６上に密着させる。半導体ウェハ５
がウェハ処理台６に密着した状態で、シャッター３を開
き、レジスト４に、高圧水銀灯ｌから発光された放射光
を照射する。この状態において、ウェハ処理台をヒータ
により加熱、あるいは冷却孔に冷却水を流して冷却し、
ウェハ処理台の温度を制御し、これによりウェハ処理台
に密着した半導体ウェハ温度をも制御する。次に、シャ
ッター３を閉じて照射を停止させ、真空吸着を解除する
。
方法について説明する。レジスト４のパターンが形成さ
れた半導体ウェハ５をウェハ処理台上に載置する。次に
、真空吸着孔７を真空引きすることにより、半導体ウェ
ハ５をウェハ処理台６上に密着させる。半導体ウェハ５
がウェハ処理台６に密着した状態で、シャッター３を開
き、レジスト４に、高圧水銀灯ｌから発光された放射光
を照射する。この状態において、ウェハ処理台をヒータ
により加熱、あるいは冷却孔に冷却水を流して冷却し、
ウェハ処理台の温度を制御し、これによりウェハ処理台
に密着した半導体ウェハ温度をも制御する。次に、シャ
ッター３を閉じて照射を停止させ、真空吸着を解除する
。
マタ、ウェハの加熱速度を制御するには、ウェハ処理台
６の厚みを変えることによっても可能である。ウェハ処
理台・６の厚みを変える方法としては、ウェハ処理台６
を厚みの巣なるもので置き換える方法、あるいはウェハ
処理台６に金属板を付加する方法が適当である。
６の厚みを変えることによっても可能である。ウェハ処
理台・６の厚みを変える方法としては、ウェハ処理台６
を厚みの巣なるもので置き換える方法、あるいはウェハ
処理台６に金属板を付加する方法が適当である。
このようにして紫外線処理された半導体ウェハ５をウェ
ハ処理台６上から取り去り、新たな半導体ウェハをウェ
ハ処理台６上に載置して、以下、同様にレジスト処理を
行う。
ハ処理台６上から取り去り、新たな半導体ウェハをウェ
ハ処理台６上に載置して、以下、同様にレジスト処理を
行う。
なお、以上の実施例では、シャッターを用いて照射のオ
ン・オフを行ったが、シャッターを用いる代りに、高圧
水銀灯のオン・オフによって照射のオン・オフを行って
もよいことは言うまでもない。
ン・オフを行ったが、シャッターを用いる代りに、高圧
水銀灯のオン・オフによって照射のオン・オフを行って
もよいことは言うまでもない。
また、照射する放射光の波長域を選択するために、凹面
ミラーのほかにフィルタを設けることも可能である。
ミラーのほかにフィルタを設けることも可能である。
また、高圧水銀灯については、適当な波長の紫外線を放
射するものであればよく、水銀の外に、他の金属をハラ
イド等の形で含んでもよいことは言うまでもない。
射するものであればよく、水銀の外に、他の金属をハラ
イド等の形で含んでもよいことは言うまでもない。
以上の説明から明らかなように、この発明によれば、強
力な紫外線を含む放射光を発光するランプを用い、ラン
プからの放射光によって半導体ウェハを加熱することに
より、紫外線照射によるレジスト処理に要する時間を短
縮できるばかりでなく、レジストの耐熱性、耐エツチン
グ性の向上が可能となるので、その後の工程におけるレ
ジスト膜のいたみを減少することができる等、レジスト
処理を効果的に行うことが可能となる。
力な紫外線を含む放射光を発光するランプを用い、ラン
プからの放射光によって半導体ウェハを加熱することに
より、紫外線照射によるレジスト処理に要する時間を短
縮できるばかりでなく、レジストの耐熱性、耐エツチン
グ性の向上が可能となるので、その後の工程におけるレ
ジスト膜のいたみを減少することができる等、レジスト
処理を効果的に行うことが可能となる。
第１図は、この発明によるレジスト処理方法の一実施例
を説明するためのレジスト処理装置である。 図中、１：高圧水銀灯 ２：凹面ミラー３：シャッ
ター ４ニレジスト ５：半導体ウェハ ６：ウエハ処理台７：真空吸着孔
８：連通孔 ９：ヒータリード線 １０：ヒータ １１：冷却孔
を説明するためのレジスト処理装置である。 図中、１：高圧水銀灯 ２：凹面ミラー３：シャッ
ター ４ニレジスト ５：半導体ウェハ ６：ウエハ処理台７：真空吸着孔
８：連通孔 ９：ヒータリード線 １０：ヒータ １１：冷却孔
Claims (3)
- （１）真空吸着孔を有するウェハ処理台上で、半導体ウ
ェハに塗布されたレジストを、３５０ｎｍ以下の短波長
を含むランプによる放射光で照射処理するにあたり、半
導体ウェハがウェハ処理台上に真空吸着されている間は
、ランプからの放射光により半導体ウェハを加熱すると
共に、半導体ウェハの加熱速度を制御することを特徴と
するレジスト処理方法。 - （２）ウェハ処理台の厚みを変えることにより加熱速度
を制御することを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
記載のレジスト処理方法。 - （３）ウェハ処理台に加熱機構及び冷却機構を付加した
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のレジ
スト処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61003539A JPS62162330A (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | レジスト処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61003539A JPS62162330A (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | レジスト処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62162330A true JPS62162330A (ja) | 1987-07-18 |
Family
ID=11560213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61003539A Pending JPS62162330A (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | レジスト処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62162330A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02106758A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5473578A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-12 | Toshiba Corp | Pattern exposure method of semiconductor substrate and pattern exposure apparatus |
| JPS55148423A (en) * | 1979-05-07 | 1980-11-19 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of pattern formation |
| JPS56111221A (en) * | 1980-01-25 | 1981-09-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Formation on mask for etching |
| JPS5999723A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS5950439B2 (ja) * | 1975-12-27 | 1984-12-08 | アイダエンジニアリング カブシキガイシヤ | コウソクカイテンニオイテ ドウテキニバランススルプレスキカイ |
| JPS6018543B2 (ja) * | 1976-12-06 | 1985-05-10 | 株式会社日立製作所 | インクジエツト記録装置 |
| JPS60145616A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-01 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
-
1986
- 1986-01-13 JP JP61003539A patent/JPS62162330A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5950439B2 (ja) * | 1975-12-27 | 1984-12-08 | アイダエンジニアリング カブシキガイシヤ | コウソクカイテンニオイテ ドウテキニバランススルプレスキカイ |
| JPS6018543B2 (ja) * | 1976-12-06 | 1985-05-10 | 株式会社日立製作所 | インクジエツト記録装置 |
| JPS5473578A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-12 | Toshiba Corp | Pattern exposure method of semiconductor substrate and pattern exposure apparatus |
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| JPS5999723A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS60145616A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-01 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02106758A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
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