JPS62111424A - レジスト処理方法 - Google Patents
レジスト処理方法Info
- Publication number
- JPS62111424A JPS62111424A JP23945385A JP23945385A JPS62111424A JP S62111424 A JPS62111424 A JP S62111424A JP 23945385 A JP23945385 A JP 23945385A JP 23945385 A JP23945385 A JP 23945385A JP S62111424 A JPS62111424 A JP S62111424A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resist
- semiconductor wafer
- treatment table
- pressure mercury
- Prior art date
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウェハに塗布されたレジストの処理
方法に係り、特に高圧水銀灯の放射光と真空吸着孔を有
する処理台を用いたレジスト処理方法に関するものであ
る。
方法に係り、特に高圧水銀灯の放射光と真空吸着孔を有
する処理台を用いたレジスト処理方法に関するものであ
る。
Ｃ従来の技ｊネｉ〕
半導体素子製造工程において、レジストパターンの形成
は太き（分けるとレジスト塗布、プレベーク。露光、現
像、ポストベークの順に行われる。
は太き（分けるとレジスト塗布、プレベーク。露光、現
像、ポストベークの順に行われる。
この後、このレジストパターンを用いて、イオン注入、
あるいはレジスト塗布前にあらかじめ半導体ウェハ表面
に形成されたシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミ
ニウム薄膜などのエツチングなどが行われる。これらの
工程の後にレジストが除去される。
あるいはレジスト塗布前にあらかじめ半導体ウェハ表面
に形成されたシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミ
ニウム薄膜などのエツチングなどが行われる。これらの
工程の後にレジストが除去される。
近年半導体素子の高集積化、微細化などに伴い、レジス
トがより高分解能のものが使われるようになり、この場
合レジストの耐熱性が悪くなる傾向にある。また一方で
は、エツチング時のレジスト劣化（膜ベリなど）が問題
となっている。
トがより高分解能のものが使われるようになり、この場
合レジストの耐熱性が悪くなる傾向にある。また一方で
は、エツチング時のレジスト劣化（膜ベリなど）が問題
となっている。
レジストの耐熱性、耐エツチング性を高める方法として
ポストベークにおいて段階的に温度を上げ充分な時間加
熱処理する方法や現像後、あるいはポストベーク時にレ
ジストパターンに紫外線を照射する方法が検討されてい
る。しかし前者の方法では十分な耐熱性、耐エツチング
性が得られず、また処理時間が大巾に長くなるという欠
点がある。
ポストベークにおいて段階的に温度を上げ充分な時間加
熱処理する方法や現像後、あるいはポストベーク時にレ
ジストパターンに紫外線を照射する方法が検討されてい
る。しかし前者の方法では十分な耐熱性、耐エツチング
性が得られず、また処理時間が大巾に長くなるという欠
点がある。
後者の方法では低圧水銀灯のように主として紫外線のみ
を発光するランプを用いた場合、強度か弱く、処理時間
がかかり、充分な耐エツチング性が得られないなどの欠
点があった。さらに後者の方法において、より強力な紫
外線を発光する高圧水銀灯のようなランプを用いた場合
は処理時間は短かくなるが全体の放射光の強度が強いた
め、照射時にウェハ温度が上がりすぎて、レジストパタ
ーンが劣化するという欠点があった。
を発光するランプを用いた場合、強度か弱く、処理時間
がかかり、充分な耐エツチング性が得られないなどの欠
点があった。さらに後者の方法において、より強力な紫
外線を発光する高圧水銀灯のようなランプを用いた場合
は処理時間は短かくなるが全体の放射光の強度が強いた
め、照射時にウェハ温度が上がりすぎて、レジストパタ
ーンが劣化するという欠点があった。
このように、従来のレジスト処理方法においては、現像
後、あるいはポストベーク時に紫外線照射により耐熱性
、耐エツチング性の若干の改良を達成することができた
にしても、処理時間が長くなるか、あるいは照射時に半
導体ウェハの温度が上がり、レジストパターンが劣化す
るという問題があった。
後、あるいはポストベーク時に紫外線照射により耐熱性
、耐エツチング性の若干の改良を達成することができた
にしても、処理時間が長くなるか、あるいは照射時に半
導体ウェハの温度が上がり、レジストパターンが劣化す
るという問題があった。
この発明は、こうした問題点に鑑みて、強力な紫外線を
含む高圧水銀灯の放射光が照射される時は半導体ウェハ
をウェハ処理台に真空吸着された状態とし、レジストの
耐熱温度以上にウェハ温度が上昇することを防止し、か
つ高速に効果的にレジスト処理を行うことを目的とする
ものである。
含む高圧水銀灯の放射光が照射される時は半導体ウェハ
をウェハ処理台に真空吸着された状態とし、レジストの
耐熱温度以上にウェハ温度が上昇することを防止し、か
つ高速に効果的にレジスト処理を行うことを目的とする
ものである。
この目的を達成するために、この発明では、真空吸着孔
を有するウェハ処理台上で、半導体ウェハに塗布された
レジストを高圧水銀灯の放射光で照射するにあたり、半
導体ウェハがウェハ処理台上に真空吸着されていない間
は、放射光がウェハを照射しないようにする。
を有するウェハ処理台上で、半導体ウェハに塗布された
レジストを高圧水銀灯の放射光で照射するにあたり、半
導体ウェハがウェハ処理台上に真空吸着されていない間
は、放射光がウェハを照射しないようにする。
この発明においては、強力な紫外線を含む高圧水銀灯の
放射光照射により、紫外線照射によるレジスト処理に要
する時間を短縮し、レジスト処理能力をアップすること
が可能となる。さらに詳細に説明すると、この発明は、
半導体ウェハがウェハ処理台上に真空吸着されていない
間は、放射光を半導体ウェハに照射しないようにするこ
とにより、ウェハ温度がレジストの耐熱温度以上に上昇
することを阻止したものである。即ち、半導体ウェハが
ウェハ処理台上に真空吸着されていない状態においては
、半導体うエバとウェハ処理台との間には不均一に空気
層が生ずる。この状態で、レジストに高圧水銀灯の強力
な放射光を照射すると、半導体ウェハは不均一に、急激
に温度上昇するために、レジストの温度制御は極めて困
難となる。
放射光照射により、紫外線照射によるレジスト処理に要
する時間を短縮し、レジスト処理能力をアップすること
が可能となる。さらに詳細に説明すると、この発明は、
半導体ウェハがウェハ処理台上に真空吸着されていない
間は、放射光を半導体ウェハに照射しないようにするこ
とにより、ウェハ温度がレジストの耐熱温度以上に上昇
することを阻止したものである。即ち、半導体ウェハが
ウェハ処理台上に真空吸着されていない状態においては
、半導体うエバとウェハ処理台との間には不均一に空気
層が生ずる。この状態で、レジストに高圧水銀灯の強力
な放射光を照射すると、半導体ウェハは不均一に、急激
に温度上昇するために、レジストの温度制御は極めて困
難となる。
レジストが過度に温度上昇した場合には、レジストパタ
ーンがダしたり、レジストのはがれ等を生じたりする。
ーンがダしたり、レジストのはがれ等を生じたりする。
従って、半導体ウェハがウェハ処理台上に真空吸着され
ている間のみ、放射光を半導体ウェハに照射することに
より、半導体ウェハの温度制御をウェハ処理台の温度制
御により容易に行うことが可能となり、効果的にレジス
トの耐熱性、耐エツチング性を高める紫外線照射処理を
行うことができる。
ている間のみ、放射光を半導体ウェハに照射することに
より、半導体ウェハの温度制御をウェハ処理台の温度制
御により容易に行うことが可能となり、効果的にレジス
トの耐熱性、耐エツチング性を高める紫外線照射処理を
行うことができる。
第１図は、この発明によるレジスト処理方法の一実施例
を説明するためのレジスト処理装置である。ウェハ処理
台６は、ヒータ１０により加熱され、冷却水孔１１に冷
却水を流がすことにより冷却される。またウェハ処理台
６には、真空吸着孔７が付加されており、真空ポンプに
より連通孔８を通じて真空引きすることが可能である。
を説明するためのレジスト処理装置である。ウェハ処理
台６は、ヒータ１０により加熱され、冷却水孔１１に冷
却水を流がすことにより冷却される。またウェハ処理台
６には、真空吸着孔７が付加されており、真空ポンプに
より連通孔８を通じて真空引きすることが可能である。
照射部は、高圧水銀灯１．凹面ミラー２．シャッター３
から構成されており、高圧水銀灯１の放射光は、凹面ミ
ラー２により、シャッター３を介して、半導体ウェハ５
および塗布されたレジスト４上に照射される。
から構成されており、高圧水銀灯１の放射光は、凹面ミ
ラー２により、シャッター３を介して、半導体ウェハ５
および塗布されたレジスト４上に照射される。
次に、このレジスト処理装置を用いてレジスト処理する
方法について説明する。レジスト４のパターンが形成さ
れた半導体ウェハ５をウェハ処理台上に載置する。次に
、真空吸着孔７を真空引きすることにより、半導体ウェ
ハ５をウェハ処理台６上に密着させる。半導体ウェハ５
がウェハ処理台６に密着した状態で、シャッター３を開
き、レジスト４に、高圧水銀灯ｌから発光された放射光
を照射する。この状態において、ウェハ処理台をヒータ
により加熱、あるいは冷却孔に冷却水を流して冷却し、
ウェハ処理台の温度制御し、これによりウェハ処理台に
密着した半導体ウェハ温度をも制御する。次に、シャッ
ター３を閉じて照射を停止させ、真空吸着を解除する。
方法について説明する。レジスト４のパターンが形成さ
れた半導体ウェハ５をウェハ処理台上に載置する。次に
、真空吸着孔７を真空引きすることにより、半導体ウェ
ハ５をウェハ処理台６上に密着させる。半導体ウェハ５
がウェハ処理台６に密着した状態で、シャッター３を開
き、レジスト４に、高圧水銀灯ｌから発光された放射光
を照射する。この状態において、ウェハ処理台をヒータ
により加熱、あるいは冷却孔に冷却水を流して冷却し、
ウェハ処理台の温度制御し、これによりウェハ処理台に
密着した半導体ウェハ温度をも制御する。次に、シャッ
ター３を閉じて照射を停止させ、真空吸着を解除する。
このようにして紫外線処理された半導体ウェハ５をウェ
ハ処理台６上から取り去り、新たな半導体ウェハをウェ
ハ処理台６上に載置して、以下、同様にレジスト処理を
行う。
ハ処理台６上から取り去り、新たな半導体ウェハをウェ
ハ処理台６上に載置して、以下、同様にレジスト処理を
行う。
なお、以上の実施例では、シャンターを用いて照射のオ
ン・オフを行ったが、シャッターを用いる代りに、高圧
水銀灯のオン・オフによって照射のオン・オフを行って
もよいことは言うまでもない。
ン・オフを行ったが、シャッターを用いる代りに、高圧
水銀灯のオン・オフによって照射のオン・オフを行って
もよいことは言うまでもない。
また、照射する放射光の波長域を選択するために、凹面
ミラーのほかにフィルタを設けることも可能である。
ミラーのほかにフィルタを設けることも可能である。
また、高圧水銀灯については、適当な波長の紫外線を放
射するものであればよく、水銀の外に、他の金属をハラ
イド等の形で含んでもよいことは言うまでもない。
射するものであればよく、水銀の外に、他の金属をハラ
イド等の形で含んでもよいことは言うまでもない。
以上の説明から明らかなように、この発明によれば、強
力な紫外線を含む放射光を発光する高圧水銀灯を用いる
ことにより、紫外線照射によるレジスト処理に要する時
間を短縮できるばかりでな（、レジストの耐熱性、耐エ
ツチング性の向上が可能となるので、その後の工程にお
けるレジスト膜のいたみを減少することができる等、レ
ジスト処理を効果的に行うことが可能となる。
力な紫外線を含む放射光を発光する高圧水銀灯を用いる
ことにより、紫外線照射によるレジスト処理に要する時
間を短縮できるばかりでな（、レジストの耐熱性、耐エ
ツチング性の向上が可能となるので、その後の工程にお
けるレジスト膜のいたみを減少することができる等、レ
ジスト処理を効果的に行うことが可能となる。
第１図は、この発明によるレジスト処理方法の一実施例
を説明するためのレジスト処理装置である。
を説明するためのレジスト処理装置である。
Claims (1)
- 真空吸着孔を有するウェハ処理台上で、半導体ウェハに
塗布されたレジストを、高圧水銀灯による放射光で照射
処理するにあたり、ウェハが処理台上に真空吸着されて
いない間は、放射光がウェハを照射しないことを特徴と
するレジスト処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23945385A JPS62111424A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | レジスト処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23945385A JPS62111424A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | レジスト処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62111424A true JPS62111424A (ja) | 1987-05-22 |
Family
ID=17044989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23945385A Pending JPS62111424A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | レジスト処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62111424A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10856958B2 (en) | 2014-03-06 | 2020-12-08 | Tepe Munhygienprodukter Ab | Interdental cleaner |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50115774A (ja) * | 1974-02-22 | 1975-09-10 | ||
| JPS5352071A (en) * | 1976-10-22 | 1978-05-12 | Hitachi Ltd | Baking unit of plate-shaped object |
| JPS5473578A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-12 | Toshiba Corp | Pattern exposure method of semiconductor substrate and pattern exposure apparatus |
| JPS5729316A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-17 | Kyushu Nippon Electric | Post-bake oven |
| JPS5950439B2 (ja) * | 1975-12-27 | 1984-12-08 | アイダエンジニアリング カブシキガイシヤ | コウソクカイテンニオイテ ドウテキニバランススルプレスキカイ |
-
1985
- 1985-10-28 JP JP23945385A patent/JPS62111424A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50115774A (ja) * | 1974-02-22 | 1975-09-10 | ||
| JPS5950439B2 (ja) * | 1975-12-27 | 1984-12-08 | アイダエンジニアリング カブシキガイシヤ | コウソクカイテンニオイテ ドウテキニバランススルプレスキカイ |
| JPS5352071A (en) * | 1976-10-22 | 1978-05-12 | Hitachi Ltd | Baking unit of plate-shaped object |
| JPS5473578A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-12 | Toshiba Corp | Pattern exposure method of semiconductor substrate and pattern exposure apparatus |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10856958B2 (en) | 2014-03-06 | 2020-12-08 | Tepe Munhygienprodukter Ab | Interdental cleaner |
| US11717387B2 (en) | 2014-03-06 | 2023-08-08 | Tepe Munhygienprodukter Ab | Interdental cleaner |
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