JPS63234526A - レジスト処理方法 - Google Patents
レジスト処理方法Info
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- JPS63234526A JPS63234526A JP62067887A JP6788787A JPS63234526A JP S63234526 A JPS63234526 A JP S63234526A JP 62067887 A JP62067887 A JP 62067887A JP 6788787 A JP6788787 A JP 6788787A JP S63234526 A JPS63234526 A JP S63234526A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
- G03F7/2024—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure of the already developed image
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウェハに塗布されたレジストの処理
方法に係り、特に、紫外線照射によるレジストの処理方
法に関するものである。
方法に係り、特に、紫外線照射によるレジストの処理方
法に関するものである。
従来の紫外線照射によるレジストの処理については、半
導体ウェハに塗布されたレジストにマスクパターンを露
光する処理、レジスト表面に付着した有機汚染物を分解
洗浄する予備洗浄処理等において、紫外線照射が利用さ
れているが、最近、レジスト処理工程のひとつであるベ
ーキング工程への適用が注目されている。
導体ウェハに塗布されたレジストにマスクパターンを露
光する処理、レジスト表面に付着した有機汚染物を分解
洗浄する予備洗浄処理等において、紫外線照射が利用さ
れているが、最近、レジスト処理工程のひとつであるベ
ーキング工程への適用が注目されている。
ベーキング工程とは、レジスト塗布、露光、現像による
レジストパターンを形成する工程とこのレジストパター
ンを用いてイオン注入やプラズマエツチングなどを行う
工程との中間の工程であって、レジストの半導体基板へ
の接着性や耐熱性の向上などを目的とした加熱工程であ
る。そして最近では、現像後のベーキング工程の前、あ
るいはベーキング時にレジストに紫外線を当てで、より
短時間に耐熱性や耐プラズマエツチング性を高める方法
が検討されている。
レジストパターンを形成する工程とこのレジストパター
ンを用いてイオン注入やプラズマエツチングなどを行う
工程との中間の工程であって、レジストの半導体基板へ
の接着性や耐熱性の向上などを目的とした加熱工程であ
る。そして最近では、現像後のベーキング工程の前、あ
るいはベーキング時にレジストに紫外線を当てで、より
短時間に耐熱性や耐プラズマエツチング性を高める方法
が検討されている。
このように、最近は、レジストベーキング工程において
は、紫外線を照射することが検「１されている。
は、紫外線を照射することが検「１されている。
ところが、レジストに照射処理開始時から強い紫外線を
照射すると、レジスト中に含まれる有機溶媒の分解蒸発
やレジスト自体が化学反応を起こして発生するガス、或
は、ウェハにレジストを塗布する前に施された下地処理
から生じるガスなどが急激に発生し、レジスト膜の形状
が変化したり、剥離を起こすことがある。
照射すると、レジスト中に含まれる有機溶媒の分解蒸発
やレジスト自体が化学反応を起こして発生するガス、或
は、ウェハにレジストを塗布する前に施された下地処理
から生じるガスなどが急激に発生し、レジスト膜の形状
が変化したり、剥離を起こすことがある。
この発明は、紫外線照射初期もしくは開始時における強
い紫外線照射によるレジスト膜の損傷を防止し、かつ処
理速度が速いレジスト処理を好適に実行しうる方法を提
供することを目的とするものである。
い紫外線照射によるレジスト膜の損傷を防止し、かつ処
理速度が速いレジスト処理を好適に実行しうる方法を提
供することを目的とするものである。
この目的を達成するために、この発明では、減圧雰囲気
中にレジストを配置するとともに、その処理開始時には
レジストを損傷しない程度に照射強度を弱く抑制し、そ
の後、漸次もしくは段階的に照射強度を強くしてレジス
トを処理する。
中にレジストを配置するとともに、その処理開始時には
レジストを損傷しない程度に照射強度を弱く抑制し、そ
の後、漸次もしくは段階的に照射強度を強くしてレジス
トを処理する。
この発明においては、減圧雰囲気中に配置されたレジス
トに対する紫外線の照射強度が最初は弱く抑制されてい
るので、前記の種々のガス放出がゆるやかに進み、した
がってレジスト膜を通してゆるやかに放出されることに
なる。そし−Ｃ，ガスの発生がほとんど終了した後に、
漸次もしくは段階的に照射強度を強くするが、レジスト
が減圧雰囲気中に配置されているので、全体の照射処理
時間が短くなり、かつレジスト膜に損傷が生じない好適
なレジスト処理が達成される。
トに対する紫外線の照射強度が最初は弱く抑制されてい
るので、前記の種々のガス放出がゆるやかに進み、した
がってレジスト膜を通してゆるやかに放出されることに
なる。そし−Ｃ，ガスの発生がほとんど終了した後に、
漸次もしくは段階的に照射強度を強くするが、レジスト
が減圧雰囲気中に配置されているので、全体の照射処理
時間が短くなり、かつレジスト膜に損傷が生じない好適
なレジスト処理が達成される。
以下に図面に示す実施例に基いて本発明を具体的に説明
する。
する。
第り図は、この発明によるレジスト処理方法の一実施例
を説明するためのレジスト処理装置を模式的に示したも
のである。処理室７の上面には石英ガラスからなる照射
窓８が配設され、下面には排気口１２が形成されている
が、この排気口１２には図示略の真空ポンプが接続され
ており、処理室７内が減圧される。パターン化されたレ
ジスト４が半導体ウェハ５の上に形成されており、半導
体ウェハ５は処理室７内に配置されたウェハ処理台ォ 台６に載置される。ウェハ処理台６は、ヒータリード線
９より通電することによりヒータ １０で加熱され、あ
るいは冷却孔１１に冷却水を流すことによって冷却され
る。この加熱および冷却機構により半導体ウェハ５の温
度制御が行われる。照射窓８の上に配置される照射部は
、放射強度が可変の高圧水銀灯１．凹面ミラー２、開閉
可能なシャッター３などから構成されている。高圧水銀
灯１の点灯回路図は省略するが、この回路定数を切り替
えることにより、発光スペクトルの放射強度を変えるこ
とが可能である。このような点灯回路は古くから公知公
用の技術が文献に開示されているのでそれら既知の技術
が利用できる。そして、第２図に高圧水銀灯の発光スペ
クトルを示す。
を説明するためのレジスト処理装置を模式的に示したも
のである。処理室７の上面には石英ガラスからなる照射
窓８が配設され、下面には排気口１２が形成されている
が、この排気口１２には図示略の真空ポンプが接続され
ており、処理室７内が減圧される。パターン化されたレ
ジスト４が半導体ウェハ５の上に形成されており、半導
体ウェハ５は処理室７内に配置されたウェハ処理台ォ 台６に載置される。ウェハ処理台６は、ヒータリード線
９より通電することによりヒータ １０で加熱され、あ
るいは冷却孔１１に冷却水を流すことによって冷却され
る。この加熱および冷却機構により半導体ウェハ５の温
度制御が行われる。照射窓８の上に配置される照射部は
、放射強度が可変の高圧水銀灯１．凹面ミラー２、開閉
可能なシャッター３などから構成されている。高圧水銀
灯１の点灯回路図は省略するが、この回路定数を切り替
えることにより、発光スペクトルの放射強度を変えるこ
とが可能である。このような点灯回路は古くから公知公
用の技術が文献に開示されているのでそれら既知の技術
が利用できる。そして、第２図に高圧水銀灯の発光スペ
クトルを示す。
高圧水銀灯１からの放射光は、凹面ミラー２や開閉可能
なシャッター３などの光学系を経て照射窓８を透過し、
レジスト４を照射する。このとき、処理室７内は、１ｘ
ｌＯ”−１ト一ル程度に減圧されている。第４図は、点
灯回路の定数製度えることによって放射強度を漸次もし
くは段階的に大きくする例を示したものであって、たて
軸は相対的な強度の値、よこ軸は照射時間であるが、同
図（イ）は漸増、同図（ロ）は照射時間の中頃を漸増、
同図（ハ）は２段階にステップアップしたものをそれぞ
れ示す。数値例を、同図（ハ）を用いて紹介すると、ノ
ボラック樹脂をベースとしたポジ型レジストを用い、照
射初期５秒間は、放射波長３５０ｎｍより短波長域の照
射強度で１００ｍＷ＃Ｊ、そして後段は５乃至１０秒間
程度５００ｍＷ／ｃＪで照射すると。
なシャッター３などの光学系を経て照射窓８を透過し、
レジスト４を照射する。このとき、処理室７内は、１ｘ
ｌＯ”−１ト一ル程度に減圧されている。第４図は、点
灯回路の定数製度えることによって放射強度を漸次もし
くは段階的に大きくする例を示したものであって、たて
軸は相対的な強度の値、よこ軸は照射時間であるが、同
図（イ）は漸増、同図（ロ）は照射時間の中頃を漸増、
同図（ハ）は２段階にステップアップしたものをそれぞ
れ示す。数値例を、同図（ハ）を用いて紹介すると、ノ
ボラック樹脂をベースとしたポジ型レジストを用い、照
射初期５秒間は、放射波長３５０ｎｍより短波長域の照
射強度で１００ｍＷ＃Ｊ、そして後段は５乃至１０秒間
程度５００ｍＷ／ｃＪで照射すると。
レジスト層の剥離やだれ、ふくれ等の欠点は生じず、良
好な状態で処理できた。他方、上記の場合、照射初期の
５秒間も５００ｍＷ＃Ｊの照射強度とすると、ふくれや
剥離などの発生が部分的に認められた。
好な状態で処理できた。他方、上記の場合、照射初期の
５秒間も５００ｍＷ＃Ｊの照射強度とすると、ふくれや
剥離などの発生が部分的に認められた。
このように、照射時間は合計１０乃至［５程度度である
が、レジスト４を大気中に配置して同様に照射したとこ
ろ、照射時間は合計４０乃至５０秒程度であって、およ
そ５倍の照射時間を必要とした。これから分かるように
、レジスト４を減圧雰囲気中に配置することによる照射
時間短縮の効果は著しく大きい。
が、レジスト４を大気中に配置して同様に照射したとこ
ろ、照射時間は合計４０乃至５０秒程度であって、およ
そ５倍の照射時間を必要とした。これから分かるように
、レジスト４を減圧雰囲気中に配置することによる照射
時間短縮の効果は著しく大きい。
以上の例では、レジス１−面における照射強度を、高圧
水銀灯の発光スペクトルの放射強度し、て制御するもの
であるが、放射強度を一定にしておいて、高圧水銀灯と
ウェハとの間に減光フィルターなどの減光手段を挿入し
ても達成できる。
水銀灯の発光スペクトルの放射強度し、て制御するもの
であるが、放射強度を一定にしておいて、高圧水銀灯と
ウェハとの間に減光フィルターなどの減光手段を挿入し
ても達成できる。
以」二の実施例の説明からも理解されるように。
この発明では、減圧雰囲気中にレジストを配置するとと
もに、その処理開始時には照射強度を゛弱く抑制し、そ
の後、漸次もしくは段階的に照射強度髪強くしてレジス
トを処理するようにしたので、紫外線による照射処理時
間が短くなり、かつレジスト膜に損傷が発生しない良好
な処理ができる。
もに、その処理開始時には照射強度を゛弱く抑制し、そ
の後、漸次もしくは段階的に照射強度髪強くしてレジス
トを処理するようにしたので、紫外線による照射処理時
間が短くなり、かつレジスト膜に損傷が発生しない良好
な処理ができる。
第１図は、この発明によるレジスト処理方法の一実施例
を説明するためのレジスト処理装置、第２図は、この発
明によるレジスト処理方法に使用する水銀灯の発光スペ
クトルを示す図、第３図は、レジストが塗布された半導
体ウェハの断ｍ１図、第４図は、照射強度と照射時間の
関係を示す説明図である。
を説明するためのレジスト処理装置、第２図は、この発
明によるレジスト処理方法に使用する水銀灯の発光スペ
クトルを示す図、第３図は、レジストが塗布された半導
体ウェハの断ｍ１図、第４図は、照射強度と照射時間の
関係を示す説明図である。
Claims (1)
- ウェハに塗布されたレジストを紫外線を含む放射光で
照射処理するレジスト処理方法において、減圧雰囲気中
に該レジストを配置して該放射光を照射し、その照射時
間の初期においては、レジスト面における照射強度を弱
くし、その後、漸次もしくは段階的に照射強度を強くす
る工程を含むことを特徴とするレジスト処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62067887A JPH0740546B2 (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | レジスト処理方法 |
| DE8888101170T DE3869814D1 (de) | 1987-03-24 | 1988-01-27 | Verfahren zur behandlung von photolacken. |
| EP88101170A EP0283665B1 (en) | 1987-03-24 | 1988-01-27 | Method of treating photoresists |
| US07/149,308 US4868095A (en) | 1987-03-24 | 1988-01-28 | Method of treating photoresists |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62067887A JPH0740546B2 (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | レジスト処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63234526A true JPS63234526A (ja) | 1988-09-29 |
| JPH0740546B2 JPH0740546B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=13357853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62067887A Expired - Lifetime JPH0740546B2 (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | レジスト処理方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4868095A (ja) |
| EP (1) | EP0283665B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0740546B2 (ja) |
| DE (1) | DE3869814D1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5204224A (en) * | 1988-09-26 | 1993-04-20 | Ushio Denki | Method of exposing a peripheral part of a wafer |
| US6183937B1 (en) * | 1998-05-06 | 2001-02-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Post photodevelopment isotropic radiation treatment method for forming patterned photoresist layer with attenuated linewidth |
| KR20130120586A (ko) * | 2012-04-26 | 2013-11-05 | 삼성전자주식회사 | 패턴 형성 방법 |
| US8986562B2 (en) | 2013-08-07 | 2015-03-24 | Ultratech, Inc. | Methods of laser processing photoresist in a gaseous environment |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57149733A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-16 | Hitachi Ltd | Dry etching method |
| JPS58142525A (ja) * | 1982-02-18 | 1983-08-24 | Nec Corp | 露光方法 |
| JPS6129124A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Ushio Inc | 半導体ウエハ−の処理方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6155923A (ja) * | 1984-08-28 | 1986-03-20 | Toshiba Corp | レジスト処理方法 |
| JPS63260028A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-10-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジストの熱安定化装置 |
| EP0282703B1 (en) * | 1987-03-20 | 1991-01-16 | Ushio Denki | Method of treating photoresists |
-
1987
- 1987-03-24 JP JP62067887A patent/JPH0740546B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-01-27 EP EP88101170A patent/EP0283665B1/en not_active Expired
- 1988-01-27 DE DE8888101170T patent/DE3869814D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-01-28 US US07/149,308 patent/US4868095A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57149733A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-16 | Hitachi Ltd | Dry etching method |
| JPS58142525A (ja) * | 1982-02-18 | 1983-08-24 | Nec Corp | 露光方法 |
| JPS6129124A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Ushio Inc | 半導体ウエハ−の処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3869814D1 (de) | 1992-05-14 |
| EP0283665A3 (en) | 1989-01-18 |
| EP0283665A2 (en) | 1988-09-28 |
| EP0283665B1 (en) | 1992-04-08 |
| US4868095A (en) | 1989-09-19 |
| JPH0740546B2 (ja) | 1995-05-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |