JP2632796B2 - レジスト処理方法 - Google Patents
レジスト処理方法Info
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- JP2632796B2 JP2632796B2 JP7077159A JP7715995A JP2632796B2 JP 2632796 B2 JP2632796 B2 JP 2632796B2 JP 7077159 A JP7077159 A JP 7077159A JP 7715995 A JP7715995 A JP 7715995A JP 2632796 B2 JP2632796 B2 JP 2632796B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- processing
- processing chamber
- ultraviolet
- irradiation
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハに塗布
されたレジストの処理方法に係り、特に紫外線照射によ
るレジスト処理方法に関するものである。
されたレジストの処理方法に係り、特に紫外線照射によ
るレジスト処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の紫外線照射によるレジストの処理
については、半導体ウエハに塗布されたレジストにマス
クパターンを露光する処理、レジスト表面に付着した有
機汚染物を分解洗浄する予備洗浄処理等において、紫外
線照射が利用されているが、最近レジスト処理工程のひ
とつであるベーキング工程への適用が注目されている。
については、半導体ウエハに塗布されたレジストにマス
クパターンを露光する処理、レジスト表面に付着した有
機汚染物を分解洗浄する予備洗浄処理等において、紫外
線照射が利用されているが、最近レジスト処理工程のひ
とつであるベーキング工程への適用が注目されている。
【０００３】ベーキング工程とは、レジスト塗布、露
光、現像によるレジストパターンを形成する工程と、こ
のレジストパターンを用いてイオン注入やプラズマエッ
チングなどを行う工程との中間の工程であって、レジス
トの半導体基板への接着性や耐熱性の向上などを目的と
した加熱工程である。そして最近では、現像後のベーキ
ング工程の前、あるいはベーキング時にレジストに紫外
線を当てて、より短時間にベーキング時の耐熱性や耐プ
ラズマエッチング性（以下耐プラズマ性という）を高め
る方法が検討されている。
光、現像によるレジストパターンを形成する工程と、こ
のレジストパターンを用いてイオン注入やプラズマエッ
チングなどを行う工程との中間の工程であって、レジス
トの半導体基板への接着性や耐熱性の向上などを目的と
した加熱工程である。そして最近では、現像後のベーキ
ング工程の前、あるいはベーキング時にレジストに紫外
線を当てて、より短時間にベーキング時の耐熱性や耐プ
ラズマエッチング性（以下耐プラズマ性という）を高め
る方法が検討されている。
【０００４】このように最近は、レジストベーキング工
程においては紫外線を照射することが検討されている。
程においては紫外線を照射することが検討されている。
【０００５】レジストに紫外線を照射すると、レジスト
より若干の揮発物が発生するが、膜の厚いレジストを用
いた場合には、レジストの揮発物が多く発生し、発生し
た揮発物が紫外線の透過する透過窓に付着して紫外線の
透過率が減少する場合がある。
より若干の揮発物が発生するが、膜の厚いレジストを用
いた場合には、レジストの揮発物が多く発生し、発生し
た揮発物が紫外線の透過する透過窓に付着して紫外線の
透過率が減少する場合がある。
【０００６】この発明は、上述のように紫外線照射によ
り発生したレジストの揮発物が紫外線の透過する透過窓
に付着して紫外線の透過率が減少するのを防止して、レ
ジスト処理を好適に実行しうる方法を提供するものであ
る。
り発生したレジストの揮発物が紫外線の透過する透過窓
に付着して紫外線の透過率が減少するのを防止して、レ
ジスト処理を好適に実行しうる方法を提供するものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この方法を達成するため
にこの発明は、半導体ウエハに塗布されたレジストを減
圧雰囲気の処理室内で紫外線を含む放射光によって照射
処理するレジスト処理方法において、前記紫外線を含む
放射光の照射に際し、前記紫外線の透過する透過窓近傍
に空気または不活性ガスまたはこれらの混合ガスを前記
処理室上部より供給しつつ、前記処理室内の圧力を一定
に保持した状態で前記空気または不活性ガスまたはこれ
らの混合ガスを前記処理室下部より排出し、ガスの流れ
を生ぜしめて前記透過窓の汚れを防止することを特徴と
するレジスト処理方法である。
にこの発明は、半導体ウエハに塗布されたレジストを減
圧雰囲気の処理室内で紫外線を含む放射光によって照射
処理するレジスト処理方法において、前記紫外線を含む
放射光の照射に際し、前記紫外線の透過する透過窓近傍
に空気または不活性ガスまたはこれらの混合ガスを前記
処理室上部より供給しつつ、前記処理室内の圧力を一定
に保持した状態で前記空気または不活性ガスまたはこれ
らの混合ガスを前記処理室下部より排出し、ガスの流れ
を生ぜしめて前記透過窓の汚れを防止することを特徴と
するレジスト処理方法である。
【０００８】
【作用】本発明によると、レジストを減圧雰囲気の処理
室内で、紫外線を含む放射光を照射する際に、前記紫外
線の透過する透過窓近傍に空気または不活性ガスまたは
これらの混合ガスを前記処理室上部より供給しつつ、前
記処理室内の圧力を一定に保持した状態で前記空気また
は不活性ガスまたはこれらの混合ガスを前記処理室下部
より排出し、ガスの流れを生ぜしめているので、紫外線
照射により発生し たレジストの揮発物が下部へ流れるガ
スと一緒に排気口より排気されることになり、透過窓に
付着することがないので、透過窓の汚れが防止され、紫
外線の透過率の減少が抑制・防止される。
室内で、紫外線を含む放射光を照射する際に、前記紫外
線の透過する透過窓近傍に空気または不活性ガスまたは
これらの混合ガスを前記処理室上部より供給しつつ、前
記処理室内の圧力を一定に保持した状態で前記空気また
は不活性ガスまたはこれらの混合ガスを前記処理室下部
より排出し、ガスの流れを生ぜしめているので、紫外線
照射により発生し たレジストの揮発物が下部へ流れるガ
スと一緒に排気口より排気されることになり、透過窓に
付着することがないので、透過窓の汚れが防止され、紫
外線の透過率の減少が抑制・防止される。
【０００９】
【実施例】以下、図面に示すレジスト処理装置に基づい
て本発明を具体的に説明する。
て本発明を具体的に説明する。
【００１０】図１は、この発明によるレジスト処理方法
を説明するためのレジスト処理装置の一実施例である。
パターン化されたレジスト４が半導体ウエハ５の上に形
成されており、半導体ウエハ５はウエハ処理台６に載置
される。ウエハ処理台６はヒータリード線９により通電
することにより、ヒータ１０で加熱され、あるいは冷却
孔１１に冷却水を流すことによって冷却される。この加
熱及び冷却機構により半導体ウエハ５の温度制御が行わ
れる。照射部は、高圧水銀灯１、凹面ミラー２、開閉可
能なシャッター３などから構成されている。１４は処理
室７の内部に設けられた多孔板であり、この多孔板１４
により処理室７は上下に分離されている。紫外線透過窓
としての照射窓８は処理室の上面にあり、ガス注入口１
３より上に位置し、ウエハ処理台６は多孔板１４で分離
された処理室の下部分に設置されている。そして、排気
口１２はウエハ処理台６より下方の処理室７の下部に位
置している。この多孔板１４の孔１４ａの大きさは直径
０．６ｍｍで、孔のピッチは４ｍｍ間隔に設けられ、多
孔板１４の面内に均等に孔を開けたものである。
を説明するためのレジスト処理装置の一実施例である。
パターン化されたレジスト４が半導体ウエハ５の上に形
成されており、半導体ウエハ５はウエハ処理台６に載置
される。ウエハ処理台６はヒータリード線９により通電
することにより、ヒータ１０で加熱され、あるいは冷却
孔１１に冷却水を流すことによって冷却される。この加
熱及び冷却機構により半導体ウエハ５の温度制御が行わ
れる。照射部は、高圧水銀灯１、凹面ミラー２、開閉可
能なシャッター３などから構成されている。１４は処理
室７の内部に設けられた多孔板であり、この多孔板１４
により処理室７は上下に分離されている。紫外線透過窓
としての照射窓８は処理室の上面にあり、ガス注入口１
３より上に位置し、ウエハ処理台６は多孔板１４で分離
された処理室の下部分に設置されている。そして、排気
口１２はウエハ処理台６より下方の処理室７の下部に位
置している。この多孔板１４の孔１４ａの大きさは直径
０．６ｍｍで、孔のピッチは４ｍｍ間隔に設けられ、多
孔板１４の面内に均等に孔を開けたものである。
【００１１】なお、紫外線を放射する光源としては、前
述の高圧水銀灯の他にも、レジストとして用いる有機材
料の分光透過率特性によっては、紫外線の波長を最適化
するために低圧水銀灯や、その他の金属蒸気放電灯を用
いることができる。
述の高圧水銀灯の他にも、レジストとして用いる有機材
料の分光透過率特性によっては、紫外線の波長を最適化
するために低圧水銀灯や、その他の金属蒸気放電灯を用
いることができる。
【００１２】レジストに紫外線を照射すると、レジスト
より若干の揮発物が発生するが、膜の厚いレジストを用
いた場合には、レジストの揮発物が多く発生し、発生し
た揮発物が照射窓に付着して紫外線の透過率が減少す
る。即ち、膜の厚いレジストを連続して処理を行うとレ
ジストに到達するはずの紫外線が付着した揮発物に吸収
されるため徐々に減衰し、紫外線強度が低下する。
より若干の揮発物が発生するが、膜の厚いレジストを用
いた場合には、レジストの揮発物が多く発生し、発生し
た揮発物が照射窓に付着して紫外線の透過率が減少す
る。即ち、膜の厚いレジストを連続して処理を行うとレ
ジストに到達するはずの紫外線が付着した揮発物に吸収
されるため徐々に減衰し、紫外線強度が低下する。
【００１３】しかし、本発明のレジスト処理方法に用い
る図１のレジスト処理装置においては、処理室７の上部
のガス注入口１３から空気や不活性ガスを流すことによ
り、レジストから発生した揮発物は、多孔板１４より流
れ出す空気や不活性ガスにより、多孔板１４や照射窓８
に付着することが減少する。このとき流すガスの量と、
不図示の真空ポンプで処理室下部の排気口１２から排出
するガスの量を調節して、処理室７内の減圧状態での圧
力を一定にする。なお、多孔板１４には直径０．６ｍｍ
の孔を均一に開けたものを用いたが、これに限られるも
のでは無く、スリット状の長孔を並べて設けたものや、
照射窓８が小さい場合は単にガス注入口１３を１つもし
くは複数設けたものでも良く、ガスの流れをよどみ無く
作れるものであれば良い。
る図１のレジスト処理装置においては、処理室７の上部
のガス注入口１３から空気や不活性ガスを流すことによ
り、レジストから発生した揮発物は、多孔板１４より流
れ出す空気や不活性ガスにより、多孔板１４や照射窓８
に付着することが減少する。このとき流すガスの量と、
不図示の真空ポンプで処理室下部の排気口１２から排出
するガスの量を調節して、処理室７内の減圧状態での圧
力を一定にする。なお、多孔板１４には直径０．６ｍｍ
の孔を均一に開けたものを用いたが、これに限られるも
のでは無く、スリット状の長孔を並べて設けたものや、
照射窓８が小さい場合は単にガス注入口１３を１つもし
くは複数設けたものでも良く、ガスの流れをよどみ無く
作れるものであれば良い。
【００１４】
【発明の効果】本発明のレジスト処理方法、すなわち紫
外線を含む放射光をレジストに照射する際に、紫外線の
透過する透過窓近傍に空気または不活性ガスまたはこれ
らの混合ガスを処理室上部より供給しつつ、その処理室
内の圧力を一定に保持した状態で空気または不活性ガス
またはこれらの混合ガスと同等の量のガスを処理室下部
より排出し、ガスの流れを生ぜしめつつレジストへの紫
外線照射をすることにより、紫外線の照射により発生し
たレジストの揮発物が透過窓に付着しないので透過窓の
汚れを防止することができ、それによって紫外線の透過
率の減少を防止できる。
外線を含む放射光をレジストに照射する際に、紫外線の
透過する透過窓近傍に空気または不活性ガスまたはこれ
らの混合ガスを処理室上部より供給しつつ、その処理室
内の圧力を一定に保持した状態で空気または不活性ガス
またはこれらの混合ガスと同等の量のガスを処理室下部
より排出し、ガスの流れを生ぜしめつつレジストへの紫
外線照射をすることにより、紫外線の照射により発生し
たレジストの揮発物が透過窓に付着しないので透過窓の
汚れを防止することができ、それによって紫外線の透過
率の減少を防止できる。
【図１】本発明の一実施例のレジスト処理装置の断面図
である。
である。
１ 高圧水銀灯 ２ 凹面ミラー ３ シャッター ４ レジスト ５ 半導体ウエハ ６ ウエハ処理台 ７ 処理室 ８ 照射窓 ９ ヒータリード線 １０ ヒータ １１ 冷却孔 １２ 排気口
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウエハに塗布されたレジストを減
圧雰囲気の処理室内で紫外線を含む放射光によって照射
処理するレジスト処理方法において、前記紫外線を含む
放射光の照射に際し、前記紫外線の透過する透過窓近傍
に空気または不活性ガスまたはこれらの混合ガスを前記
処理室上部より供給しつつ、前記処理室内の減圧状態で
の圧力を一定に保持した状態で前記空気または不活性ガ
スまたはこれらの混合ガスを前記処理室下部より排出
し、ガスの流れを生ぜしめて前記透過窓の汚れを防止す
ることを特徴とするレジスト処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7077159A JP2632796B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | レジスト処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7077159A JP2632796B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | レジスト処理方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6397987A Division JPS63232331A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | レジスト処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845835A JPH0845835A (ja) | 1996-02-16 |
| JP2632796B2 true JP2632796B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=13626023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7077159A Expired - Lifetime JP2632796B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | レジスト処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2632796B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3313698B2 (ja) * | 1999-08-09 | 2002-08-12 | イビデン株式会社 | 半導体製造装置用ホットプレートユニット |
| KR20010034992A (ko) * | 2000-06-29 | 2001-05-07 | 박용석 | 자외선 조사장치 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6269613A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Hitachi Ltd | レジストパタ−ンのハ−ドニング方法 |
-
1995
- 1995-03-09 JP JP7077159A patent/JP2632796B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0845835A (ja) | 1996-02-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |