JP3194441B2 - レジストの硬化方法及びレジスト処理装置 - Google Patents
レジストの硬化方法及びレジスト処理装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレジストの硬化方法及び
レジスト処理装置に関し、さらに詳しくは微細加工用の
レジスト材料に効率的に紫外線を照射し、かつメンテナ
ンスが容易なレジスト処理装置及びレジストの硬化方法
に関する。
レジスト処理装置に関し、さらに詳しくは微細加工用の
レジスト材料に効率的に紫外線を照射し、かつメンテナ
ンスが容易なレジスト処理装置及びレジストの硬化方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】紫外線照射装置は、従来、ＵＶレジスト
の硬化用として様々な分野に応用されてきたが、最近、
微細加工用のフォトレジスト処理への応用が進んでい
る。
の硬化用として様々な分野に応用されてきたが、最近、
微細加工用のフォトレジスト処理への応用が進んでい
る。
【０００３】この微細加工用レジストの紫外線処理は、
フォトリソグラフィー技術によりウエハー等の基板上に
形成されたレジストパターンに対して行なわれ、その主
な目的は、引き続いて行なわれるエッチング工程や、イ
オンインプランテーション工程におけるレジストの耐
性、特に耐熱性を向上させることにある。これは、近
年、形成されるパターンの微細化に伴ない、エッチング
工程に導入されるようになったドライエッチング技術を
用いた場合、エッチング中に試料表面にイオン、ラジカ
ル等の粒子が入射すると共に、エッチング反応によって
反応熱が発生するために試料の表面温度が上がり、エッ
チングマスクとして用いられているレジストパターンに
ダメージが与えられ、エッチング形状やエッチング精度
を劣化させる場合があるためである。また、レジストパ
ターンをマスクとして行なわれるイオンインプランテー
ションにおいては、高エネルギーイオン粒子が加速され
て試料表面に入射するため、通常のフォトリソグラフィ
ー工程でレジストパターンを形成した場合レジストパタ
ーンから、ガスや揮発性物質等がたたき出され、本来高
真空状態に保つべきチャンバー内を汚染し、真空度を低
下させてしまう。従って、このような場合には、イオン
インプランテーションを行なう直前に、２００℃以上の
高温ベーキングを行ない、レジスト中のガス成分及び揮
発性物質を予め除去する必要がある。
フォトリソグラフィー技術によりウエハー等の基板上に
形成されたレジストパターンに対して行なわれ、その主
な目的は、引き続いて行なわれるエッチング工程や、イ
オンインプランテーション工程におけるレジストの耐
性、特に耐熱性を向上させることにある。これは、近
年、形成されるパターンの微細化に伴ない、エッチング
工程に導入されるようになったドライエッチング技術を
用いた場合、エッチング中に試料表面にイオン、ラジカ
ル等の粒子が入射すると共に、エッチング反応によって
反応熱が発生するために試料の表面温度が上がり、エッ
チングマスクとして用いられているレジストパターンに
ダメージが与えられ、エッチング形状やエッチング精度
を劣化させる場合があるためである。また、レジストパ
ターンをマスクとして行なわれるイオンインプランテー
ションにおいては、高エネルギーイオン粒子が加速され
て試料表面に入射するため、通常のフォトリソグラフィ
ー工程でレジストパターンを形成した場合レジストパタ
ーンから、ガスや揮発性物質等がたたき出され、本来高
真空状態に保つべきチャンバー内を汚染し、真空度を低
下させてしまう。従って、このような場合には、イオン
インプランテーションを行なう直前に、２００℃以上の
高温ベーキングを行ない、レジスト中のガス成分及び揮
発性物質を予め除去する必要がある。
【０００４】以上述べたレジストの耐熱性向上の要求に
対し、レジスト材料側からは、レジストの微細加工性の
向上が、耐熱性の低下を招くという宿命から、解決する
ことはできず、レジストパターン形成後の耐熱性の付与
が必要となった。このレジストパターンへの耐熱性の付
与に関し、最も効果的で、かつ簡便な方法が紫外線照射
処理である。
対し、レジスト材料側からは、レジストの微細加工性の
向上が、耐熱性の低下を招くという宿命から、解決する
ことはできず、レジストパターン形成後の耐熱性の付与
が必要となった。このレジストパターンへの耐熱性の付
与に関し、最も効果的で、かつ簡便な方法が紫外線照射
処理である。
【０００５】この紫外線照射処理は、レジストを加熱し
ながら紫外線を照射するという単純なものであり、しか
もそれだけで通常の微細加工用フォトレジストの耐熱性
を２００℃以上に高めることができる、という極めて優
れた効果を持っている。このため現在、特にレジストの
耐熱性が要求される工程において、紫外線照射処理工程
導入が進められている。また紫外線照射処理の効果をさ
らに向上させるための検討も盛んに行なわれており、そ
の中の成果の１つとして、Ｎ2 、Ａｒ等の不活性ガス雰
囲気内での紫外線照射がある。この方法によると、２０
０℃以上にレジストを加熱した場合、レジストからのガ
スの放出量が、大気中で紫外線照射を行なった場合と比
較して大幅に減少することが知られている。
ながら紫外線を照射するという単純なものであり、しか
もそれだけで通常の微細加工用フォトレジストの耐熱性
を２００℃以上に高めることができる、という極めて優
れた効果を持っている。このため現在、特にレジストの
耐熱性が要求される工程において、紫外線照射処理工程
導入が進められている。また紫外線照射処理の効果をさ
らに向上させるための検討も盛んに行なわれており、そ
の中の成果の１つとして、Ｎ2 、Ａｒ等の不活性ガス雰
囲気内での紫外線照射がある。この方法によると、２０
０℃以上にレジストを加熱した場合、レジストからのガ
スの放出量が、大気中で紫外線照射を行なった場合と比
較して大幅に減少することが知られている。
【０００６】従って、現在市販されているフォトレジス
ト硬化用の紫外線照射装置は、高照度の紫外線光源と、
試料加熱機構及びガス導入機構を備えた処理室、及び、
光源と試料室とを隔て、かつ光源からの紫外線を処理室
内へと導く紫外線透過材料からなる窓部から構成されて
いることが多い。また、これらの構成部材に加えて、試
料への紫外線の照射量を制御するための紫外線遮断用シ
ャッターを備えた装置もある。なお、紫外線遮断用シャ
ッターは、紫外線光源部と窓部との間に設けられてい
る。
ト硬化用の紫外線照射装置は、高照度の紫外線光源と、
試料加熱機構及びガス導入機構を備えた処理室、及び、
光源と試料室とを隔て、かつ光源からの紫外線を処理室
内へと導く紫外線透過材料からなる窓部から構成されて
いることが多い。また、これらの構成部材に加えて、試
料への紫外線の照射量を制御するための紫外線遮断用シ
ャッターを備えた装置もある。なお、紫外線遮断用シャ
ッターは、紫外線光源部と窓部との間に設けられてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとしている課題】しかし、前記紫外
線照射装置では、試料に紫外線照射を行なう際にレジス
トから発生する揮発性化合物が、処理室側の窓表面に再
付着するため、試料の処理枚数が増加するにつれ、窓部
の紫外線透過率は次第に低下してしまうという問題点が
あった。この問題点は、レジスト材料が、溶媒、感光材
料、分子量分布を持った高分子化合物から構成されるか
ぎり、避けられない問題であり、装置面での対応が望ま
れていた。
線照射装置では、試料に紫外線照射を行なう際にレジス
トから発生する揮発性化合物が、処理室側の窓表面に再
付着するため、試料の処理枚数が増加するにつれ、窓部
の紫外線透過率は次第に低下してしまうという問題点が
あった。この問題点は、レジスト材料が、溶媒、感光材
料、分子量分布を持った高分子化合物から構成されるか
ぎり、避けられない問題であり、装置面での対応が望ま
れていた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の問題
点を解決するため、様々な方法について鋭意検討した結
果、以下に述べる極めて簡便かつ有効な解決法を見出す
ことができた。
点を解決するため、様々な方法について鋭意検討した結
果、以下に述べる極めて簡便かつ有効な解決法を見出す
ことができた。
【０００９】すなわち本発明では、紫外線光源と、試料
に紫外線を照射する処理室と、前記紫外線光源と前記処
理室の間にあり、かつ紫外線を透過する材料からなる紫
外線導入用窓と、紫外線遮断用シャッターとを備え、前
記紫外線遮断用シャッターを開いた状態で紫外線を前記
試料に照射するレジスト処理装置において、前記紫外線
導入用窓の前記処理室内側の表面が酸素又は酸素を含む
ガスに接するように構成し、前記紫外線導入用窓と前記
試料との間に配置された前記紫外線遮断用シャッターを
閉じた状態で前記紫外線導入用窓に紫外線を照射するこ
とを特徴とする。また本発明では、紫外線光源から、紫
外線導入用窓を通して、処理室内に配置されたレジスト
に紫外線を照射するレジストの硬化方法において、酸素
導入用ノズルから、前記紫外線導入用窓の前記処理室内
側の表面に、酸素又は酸素を含むガスを吹き付けるとと
もに、不活性ガス導入用ノズルから、前記レジストの表
面に不活性ガスを供給しながら、前記レジストに紫外線
を照射することを特徴とする。本発明により、紫外線照
射処理中に試料から発生する物質が紫外線導入用窓に付
着した場合でも、紫外線導入用窓の表面に存在する酸素
が照射される紫外線により分解されることによって生ず
るオゾンが、付着した物質をアッシング除去するため、
紫外線導入用窓の紫外線透過率は低下しない。
に紫外線を照射する処理室と、前記紫外線光源と前記処
理室の間にあり、かつ紫外線を透過する材料からなる紫
外線導入用窓と、紫外線遮断用シャッターとを備え、前
記紫外線遮断用シャッターを開いた状態で紫外線を前記
試料に照射するレジスト処理装置において、前記紫外線
導入用窓の前記処理室内側の表面が酸素又は酸素を含む
ガスに接するように構成し、前記紫外線導入用窓と前記
試料との間に配置された前記紫外線遮断用シャッターを
閉じた状態で前記紫外線導入用窓に紫外線を照射するこ
とを特徴とする。また本発明では、紫外線光源から、紫
外線導入用窓を通して、処理室内に配置されたレジスト
に紫外線を照射するレジストの硬化方法において、酸素
導入用ノズルから、前記紫外線導入用窓の前記処理室内
側の表面に、酸素又は酸素を含むガスを吹き付けるとと
もに、不活性ガス導入用ノズルから、前記レジストの表
面に不活性ガスを供給しながら、前記レジストに紫外線
を照射することを特徴とする。本発明により、紫外線照
射処理中に試料から発生する物質が紫外線導入用窓に付
着した場合でも、紫外線導入用窓の表面に存在する酸素
が照射される紫外線により分解されることによって生ず
るオゾンが、付着した物質をアッシング除去するため、
紫外線導入用窓の紫外線透過率は低下しない。
【００１０】本発明において、紫外線照射時間を制御す
る紫外線遮断用シャッターを前記紫外線導入用窓と前記
試料との間に配置すれば、上記効果に加えて、試料から
発生する物質が多く、紫外線導入用窓に付着物がついた
場合も、紫外線遮断用シャッターを閉じた後、紫外線導
入用窓に紫外線が照射されつづけるため、付着物は次第
にアッシング除去され、結局紫外線導入用窓は自動的に
クリーニングされる。
る紫外線遮断用シャッターを前記紫外線導入用窓と前記
試料との間に配置すれば、上記効果に加えて、試料から
発生する物質が多く、紫外線導入用窓に付着物がついた
場合も、紫外線遮断用シャッターを閉じた後、紫外線導
入用窓に紫外線が照射されつづけるため、付着物は次第
にアッシング除去され、結局紫外線導入用窓は自動的に
クリーニングされる。
【００１１】また本発明において、紫外線導入用窓表面
を酸素又は酸素を含むガスに接するようにし、かつ試料
表面を窒素、アルゴン等の不活性ガスに接するように構
成することにより、前述した不活性ガス中での紫外線照
射を行ないつつ、同時に紫外線導入用窓の紫外線透過率
低下を防ぐことができる。
を酸素又は酸素を含むガスに接するようにし、かつ試料
表面を窒素、アルゴン等の不活性ガスに接するように構
成することにより、前述した不活性ガス中での紫外線照
射を行ないつつ、同時に紫外線導入用窓の紫外線透過率
低下を防ぐことができる。
【００１２】以上述べたように、本発明は酸素又は酸素
を含むガスに紫外線を照射することにより発生するオゾ
ンが有機物と反応して酸化・分解反応を起こす現象を利
用し、さらにレジストから発生する物質の成分が主とし
て有機物であることから考案されたものであり、有機物
による紫外線導入用窓の汚染が問題となる紫外線照射装
置ならば、どのような装置に対しても窓汚染の防止に対
し、効果が期待できる。
を含むガスに紫外線を照射することにより発生するオゾ
ンが有機物と反応して酸化・分解反応を起こす現象を利
用し、さらにレジストから発生する物質の成分が主とし
て有機物であることから考案されたものであり、有機物
による紫外線導入用窓の汚染が問題となる紫外線照射装
置ならば、どのような装置に対しても窓汚染の防止に対
し、効果が期待できる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。 ［実施例１］図１は、本発明の第１実施例の紫外線照射
装置の模式的断面図であり、１０は酸素導入部、１１は
２ｋＷの高圧水銀ランプ、１２は反射鏡、１３は石英ガ
ラスからなる紫外線導入用窓、１４は試料、１５は加熱
機構付試料台、１６は処理室、１７は排気口である。な
お、図１では、試料の搬送機構等は省略した。
詳細に説明する。 ［実施例１］図１は、本発明の第１実施例の紫外線照射
装置の模式的断面図であり、１０は酸素導入部、１１は
２ｋＷの高圧水銀ランプ、１２は反射鏡、１３は石英ガ
ラスからなる紫外線導入用窓、１４は試料、１５は加熱
機構付試料台、１６は処理室、１７は排気口である。な
お、図１では、試料の搬送機構等は省略した。
【００１４】まず、高圧水銀ランプ１２を点灯した後、
試料台１５上に試料１４を配置する。次に、酸素導入部
１０より処理室１６内に、酸素を１リットル／ｍｍの割
合で流し、次いで試料１４表面に紫外線を照射した。試
料台１５の表面温度は、紫外線照射開始時が１１０℃で
あり、その後、２℃／秒の割合で昇温させ、７０秒後に
２５０℃となるようにした。紫外線照射は、始めの１５
秒間は２０ｍＷ／ｃｍ 2 で、その後の５５秒間は９００
ｍＷ／ｃｍ2 で行なった。
試料台１５上に試料１４を配置する。次に、酸素導入部
１０より処理室１６内に、酸素を１リットル／ｍｍの割
合で流し、次いで試料１４表面に紫外線を照射した。試
料台１５の表面温度は、紫外線照射開始時が１１０℃で
あり、その後、２℃／秒の割合で昇温させ、７０秒後に
２５０℃となるようにした。紫外線照射は、始めの１５
秒間は２０ｍＷ／ｃｍ 2 で、その後の５５秒間は９００
ｍＷ／ｃｍ2 で行なった。
【００１５】試料１４は５インチのシリコンウエハ上に
ノボラック系ポジ型フォトレジストＯＦＰＲ５０００
（東京応化工業（株）製）を膜厚３．０μｍ塗付した
後、露光せず、直ちに現像を行なうことによって調製し
た。これは、シリコンウエハ全面にレジスト膜を残すこ
とによって、レジストによる汚染の影響が強く出るよう
にするためである。
ノボラック系ポジ型フォトレジストＯＦＰＲ５０００
（東京応化工業（株）製）を膜厚３．０μｍ塗付した
後、露光せず、直ちに現像を行なうことによって調製し
た。これは、シリコンウエハ全面にレジスト膜を残すこ
とによって、レジストによる汚染の影響が強く出るよう
にするためである。
【００１６】このようにして計２５枚の試料１４に紫外
線照射処理を連続して行なったところ、処理後の紫外線
導入用窓１３の紫外線透過率の減少は、約１０％であっ
た。
線照射処理を連続して行なったところ、処理後の紫外線
導入用窓１３の紫外線透過率の減少は、約１０％であっ
た。
【００１７】これに対し、処理室１６内部を乾燥空気に
置換し、酸素導入部１０からの酸素導入を中断し、前述
した方法と同様に計２５枚の試料を処理したところ処理
後の紫外線導入用窓１３の紫外線透過率の減少は約６０
％となった。この結果より、本発明による紫外線導入用
窓１３の汚染防止効果は明らかである。また、酸素導入
をせずに紫外線照射処理を行なうことによって紫外線透
過率が減少した紫外線導入用窓１３を、その後酸素導入
部１０より処理室１６内に酸素を１リットル／ｍｍ流し
ながら、紫外線照射を行なったところ、紫外線透過率が
次第に回復してゆくこともわかった。従って、本発明に
よって構成された紫外線照射装置では、万一、紫外線導
入用窓１３が有機物によって汚染された場合でも、紫外
線導入用窓１３への紫外線照射を行なうことにより、自
動的に紫外線導入用窓１３のクリーニングを行なうこと
ができる。 ［実施例２］図２は、本発明の第２実施例の紫外線照射
装置の模式的断面図を示す。なお、図１と同一構成部材
については同一符号を付して説明を省略する。図２にお
いて、１９は不活性ガス導入用ノズル、２０は酸素導入
用ノズルである。
置換し、酸素導入部１０からの酸素導入を中断し、前述
した方法と同様に計２５枚の試料を処理したところ処理
後の紫外線導入用窓１３の紫外線透過率の減少は約６０
％となった。この結果より、本発明による紫外線導入用
窓１３の汚染防止効果は明らかである。また、酸素導入
をせずに紫外線照射処理を行なうことによって紫外線透
過率が減少した紫外線導入用窓１３を、その後酸素導入
部１０より処理室１６内に酸素を１リットル／ｍｍ流し
ながら、紫外線照射を行なったところ、紫外線透過率が
次第に回復してゆくこともわかった。従って、本発明に
よって構成された紫外線照射装置では、万一、紫外線導
入用窓１３が有機物によって汚染された場合でも、紫外
線導入用窓１３への紫外線照射を行なうことにより、自
動的に紫外線導入用窓１３のクリーニングを行なうこと
ができる。 ［実施例２］図２は、本発明の第２実施例の紫外線照射
装置の模式的断面図を示す。なお、図１と同一構成部材
については同一符号を付して説明を省略する。図２にお
いて、１９は不活性ガス導入用ノズル、２０は酸素導入
用ノズルである。
【００１８】本実施例では、紫外線導入用窓１３に、酸
素導入用ノズル２０により酸素ガスを吹き付けると共に
試料１４の表面に不活性ガス導入用ノズル１９より不活
性ガスを供給している。この場合、不活性ガス導入用ノ
ズル１９は、窒素、アルゴン等の不活性ガスが試料１４
の表面に沿った流れとなるように、ノズル先端が扁平に
形られており、不活性ガスを吹出す際に周囲の気体を巻
き込むことがない構造となっている。本実施例によれ
ば、導入する酸素ガスがより有効に利用できるだけでな
く、試料１４表面を不活性ガス雰囲気に保つことができ
るため、前述したように、より紫外線照射処理の効果を
上げることができる。
素導入用ノズル２０により酸素ガスを吹き付けると共に
試料１４の表面に不活性ガス導入用ノズル１９より不活
性ガスを供給している。この場合、不活性ガス導入用ノ
ズル１９は、窒素、アルゴン等の不活性ガスが試料１４
の表面に沿った流れとなるように、ノズル先端が扁平に
形られており、不活性ガスを吹出す際に周囲の気体を巻
き込むことがない構造となっている。本実施例によれ
ば、導入する酸素ガスがより有効に利用できるだけでな
く、試料１４表面を不活性ガス雰囲気に保つことができ
るため、前述したように、より紫外線照射処理の効果を
上げることができる。
【００１９】本実施例に従って、第１実施例と同様にし
て、全２５枚の試料１４の連続処理を行なったところ、
処理後の紫外線導入用窓１３の紫外線透過率の減少は、
約１０％であった。 ［実施例３］図３は、本発明の第３実施例の紫外線照射
装置の模式的断面図を示す。なお、図１と同一構成部材
については同一符号を付して説明を省略する。本実施例
の構成は図１の第１実施例の構成部材に紫外線遮断用シ
ャッター１８を設けたものである。紫外線遮断用シャッ
ター１８は紫外線導入用窓１３と試料１４との間に配置
される。
て、全２５枚の試料１４の連続処理を行なったところ、
処理後の紫外線導入用窓１３の紫外線透過率の減少は、
約１０％であった。 ［実施例３］図３は、本発明の第３実施例の紫外線照射
装置の模式的断面図を示す。なお、図１と同一構成部材
については同一符号を付して説明を省略する。本実施例
の構成は図１の第１実施例の構成部材に紫外線遮断用シ
ャッター１８を設けたものである。紫外線遮断用シャッ
ター１８は紫外線導入用窓１３と試料１４との間に配置
される。
【００２０】紫外線遮断用シャッター１８を適宜開閉し
ながら、第１実施例と同様の条件で計２５枚の試料１４
に紫外線照射処理を連続して行なったところ、処理後の
紫外線導入用窓１３の紫外線透過率の減少は見られなか
った。これは本実施例においては、第１実施例の効果に
加えて、紫外線遮断用シャッター１８を閉じた後、紫外
線導入用窓１３に紫外線が照射されつづけるため、付着
物は次第にアッシング除去され、結局紫外線導入用窓１
３が自動的にクリーニングされるためである。
ながら、第１実施例と同様の条件で計２５枚の試料１４
に紫外線照射処理を連続して行なったところ、処理後の
紫外線導入用窓１３の紫外線透過率の減少は見られなか
った。これは本実施例においては、第１実施例の効果に
加えて、紫外線遮断用シャッター１８を閉じた後、紫外
線導入用窓１３に紫外線が照射されつづけるため、付着
物は次第にアッシング除去され、結局紫外線導入用窓１
３が自動的にクリーニングされるためである。
【００２１】これに対し、図４に示すように、紫外線遮
断用シャッター１８を高圧水銀ランプ１１と紫外線導入
用窓１３との間に配置した従来の構成を持つ紫外線照射
装置（処理室１６内は第１実施例の構成と同じ）を用
い、紫外線遮断用シャッター１８の位置以外の条件は全
く同一として、紫外線遮断用シャッター１８を適宜開閉
しながら、計２５枚の試料１４に紫外線照射処理を連続
して行なったところ、処理後の紫外線導入用窓１３の紫
外線透過率の減少は約１０％となった。この結果より、
本発明による紫外線導入用窓１３の汚染防止効果は明ら
かである。 ［実施例４］図５は、本発明の第４実施例の紫外線照射
装置の模式的断面図を示す。なお、図２と同一構成部材
については同一符号を付して説明を省略する。本実施例
の構成は図２の第２実施例の構成部材に紫外線遮断用シ
ャッター１８を設けたものである。紫外線遮断用シャッ
ター１８は紫外線導入用窓１３と試料１４との間に配置
される。
断用シャッター１８を高圧水銀ランプ１１と紫外線導入
用窓１３との間に配置した従来の構成を持つ紫外線照射
装置（処理室１６内は第１実施例の構成と同じ）を用
い、紫外線遮断用シャッター１８の位置以外の条件は全
く同一として、紫外線遮断用シャッター１８を適宜開閉
しながら、計２５枚の試料１４に紫外線照射処理を連続
して行なったところ、処理後の紫外線導入用窓１３の紫
外線透過率の減少は約１０％となった。この結果より、
本発明による紫外線導入用窓１３の汚染防止効果は明ら
かである。 ［実施例４］図５は、本発明の第４実施例の紫外線照射
装置の模式的断面図を示す。なお、図２と同一構成部材
については同一符号を付して説明を省略する。本実施例
の構成は図２の第２実施例の構成部材に紫外線遮断用シ
ャッター１８を設けたものである。紫外線遮断用シャッ
ター１８は紫外線導入用窓１３と試料１４との間に配置
される。
【００２２】紫外線遮断用シャッター１８を適宜開閉し
ながら、第２実施例と同様に計２５枚の試料１４に紫外
線照射処理を連続して行なったところ、処理後の紫外線
導入用窓１３の紫外線透過率の減少は見られなかった。
これは本実施例においては、第２実施例の効果に加え
て、紫外線遮断用シャッター１８を閉じた後、紫外線導
入用窓１３に紫外線が照射されつづけるため、付着物は
次第にアッシング除去され、結局紫外線導入用窓１３が
自動的にクリーニングされるためである。
ながら、第２実施例と同様に計２５枚の試料１４に紫外
線照射処理を連続して行なったところ、処理後の紫外線
導入用窓１３の紫外線透過率の減少は見られなかった。
これは本実施例においては、第２実施例の効果に加え
て、紫外線遮断用シャッター１８を閉じた後、紫外線導
入用窓１３に紫外線が照射されつづけるため、付着物は
次第にアッシング除去され、結局紫外線導入用窓１３が
自動的にクリーニングされるためである。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、従
来の紫外線照射装置に大幅な変更を行なうことなく紫外
線導入用窓の汚染を著しく減少させることができる。従
って装置のメンテナンス周期が長くなり、生産性が向上
するにもかかわらず、装置の製造コストの上昇はごくわ
ずかである。さらに、紫外線照射処理の条件は従来と全
く同一でよく、プロセス上の煩雑さは全くない等本発明
は実用上極めて優れている。
来の紫外線照射装置に大幅な変更を行なうことなく紫外
線導入用窓の汚染を著しく減少させることができる。従
って装置のメンテナンス周期が長くなり、生産性が向上
するにもかかわらず、装置の製造コストの上昇はごくわ
ずかである。さらに、紫外線照射処理の条件は従来と全
く同一でよく、プロセス上の煩雑さは全くない等本発明
は実用上極めて優れている。
【図１】本発明の第１実施例の紫外線照射装置の模式的
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の第２実施例の紫外線照射装置の模式的
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の第３実施例の紫外線照射装置の模式的
断面図である。
断面図である。
【図４】従来の紫外線遮断用シャッター配置の紫外線照
射装置の模式的断面図である。
射装置の模式的断面図である。
【図５】本発明の第４実施例の紫外線照射装置の模式的
断面図である。
断面図である。
１０ 酸素導入部 １１ 高圧水銀ランプ １２ 反射鏡 １３ 紫外線導入用窓 １４ 試料 １５ 加熱機構付試料台 １６ 処理室 １７ 排気口 １８ 紫外線遮断用シャッター １９ 不活性ガス導入用ノズル ２０ 酸素導入用ノズル
Claims (5)
- 【請求項１】 紫外線光源から、紫外線導入用窓を通し
て、処理室内に配置されたレジストに紫外線を照射する
レジストの硬化方法において、 酸素導入用ノズルから、前記紫外線導入用窓の前記処理
室内側の表面に、酸素又は酸素を含むガスを吹き付ける
とともに、不活性ガス導入用ノズルから、前記レジスト
の表面に不活性ガスを供給しながら、前記レジストに紫
外線を照射することを特徴とするレジストの硬化方法。 - 【請求項２】 前記紫外線導入用窓と前記レジストとの
間に配置された紫外線遮断用シャッターを開閉しながら
処理を行う請求項１記載のレジストの硬化方法。 - 【請求項３】 前記酸素導入用ノズルとして、前記処理
室の壁から前記紫外線導入用窓の前記処理室内側の表面
に向かって突出したノズルを用い、前記不活性ガス導入
用ノズルとして、前記処理室の壁から前記処理室内に配
置された前記レジストの表面に向かって突出しているノ
ズルを用いることを特徴とする請求項１記載のレジスト
の硬化方法。 - 【請求項４】 前記不活性ガス導入用ノズルとして、ノ
ズル先端が扁平の形状であるノズルを用いることを特徴
とする請求項１記載のレジストの硬化方法。 - 【請求項５】 紫外線光源と、試料に紫外線を照射する
処理室と、前記紫外線光源と前記処理室の間にあり、か
つ紫外線を透過する材料からなる紫外線導入用窓と、紫
外線遮断用シャッターとを備え、前記紫外線遮断用シャ
ッターを開いた状態で紫外線を前記試料に照射するレジ
スト処理装置において、 前記紫外線導入用窓の前記処理室内側の表面が酸素又は
酸素を含むガスに接するように構成し、前記紫外線導入
用窓と前記試料との間に配置された前記紫外線遮断用シ
ャッターを閉じた状態で前記紫外線導入用窓に紫外線を
照射することを特徴とするレジスト処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13450292A JP3194441B2 (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | レジストの硬化方法及びレジスト処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13450292A JP3194441B2 (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | レジストの硬化方法及びレジスト処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05304084A JPH05304084A (ja) | 1993-11-16 |
| JP3194441B2 true JP3194441B2 (ja) | 2001-07-30 |
Family
ID=15129829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13450292A Expired - Fee Related JP3194441B2 (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | レジストの硬化方法及びレジスト処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3194441B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU4653999A (en) | 1999-07-16 | 2001-02-05 | Nikon Corporation | Exposure method and system |
| TW563002B (en) * | 1999-11-05 | 2003-11-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus, and device manufactured by the method |
| CN101208770B (zh) * | 2005-06-22 | 2010-10-27 | 艾克塞利斯技术公司 | 用于处理介电材料的设备和方法 |
| US7501292B2 (en) * | 2007-07-19 | 2009-03-10 | Asm Japan K.K. | Method for managing UV irradiation for curing semiconductor substrate |
| KR102321274B1 (ko) * | 2018-09-14 | 2021-11-03 | 주식회사 엘지화학 | 자외선 투과 플레이트 오염 방지용 공기 분사 모듈을 구비하는 광 중합 반응 시스템 |
| KR20230087076A (ko) * | 2021-12-09 | 2023-06-16 | 서울과학기술대학교 산학협력단 | 원자층을 증착하는 증착 장치 및 증착 방법 |
-
1992
- 1992-04-28 JP JP13450292A patent/JP3194441B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05304084A (ja) | 1993-11-16 |
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