JPH0684843A - 表面処理装置 - Google Patents
表面処理装置Info
- Publication number
- JPH0684843A JPH0684843A JP23440892A JP23440892A JPH0684843A JP H0684843 A JPH0684843 A JP H0684843A JP 23440892 A JP23440892 A JP 23440892A JP 23440892 A JP23440892 A JP 23440892A JP H0684843 A JPH0684843 A JP H0684843A
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- Japan
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- substrate
- gas
- ozone
- surface treatment
- treatment apparatus
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板、液晶表示素子基板や薄膜回路基
板の表面にある有機物をオゾンを利用して除去する表面
処理装置において、基板上のレジストを効率良く分解除
去する表面処理装置を提供することを目的とする。 【構成】 基板上にＯ3ガスを導入する前にＯ3ガスを予
備加熱するために加熱ヒーター１５を設けることにより
基板上でＯ3ガスが容易に加熱され、効率良くレジスト
をＣＯ2とＨ2Ｏに分解する。
板の表面にある有機物をオゾンを利用して除去する表面
処理装置において、基板上のレジストを効率良く分解除
去する表面処理装置を提供することを目的とする。 【構成】 基板上にＯ3ガスを導入する前にＯ3ガスを予
備加熱するために加熱ヒーター１５を設けることにより
基板上でＯ3ガスが容易に加熱され、効率良くレジスト
をＣＯ2とＨ2Ｏに分解する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板、液晶表示
素子基板や薄膜回路基板の表面にある有機物をオゾンを
利用して除去する表面処理装置に関する。
素子基板や薄膜回路基板の表面にある有機物をオゾンを
利用して除去する表面処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、オゾンを用いた表面処理装置は、
基板のエッチング後に基板表面のフォトレジスト膜を除
去したり、基板の洗浄や有機膜上の金属との密着性強度
を上げるための表面改質等に利用されている。以下従来
の基板上レジスト膜を除去するための表面処理装置につ
いて説明する。図３は従来の表面処理装置の断面図であ
る。図において、１は基板２の表面を処理するための処
理室である。３は基板２を載置し加熱するための基板台
で回転機構を有する。４はオゾンガス等を供給するため
の導入口で５はガスを排出するためのガス排出口であ
る。６は石英ガラス板で紫外線ランプ７からの紫外光を
ほとんど吸収されることなく基板２上に到達するように
石英ガラスからなり、処理室１の一部を形成する。以上
のように構成された表面処理装置について以下説明す
る。有機物（例えばレジスト）がコーティングされた基
板２を基板台３上で約３００℃に加熱し、紫外線ランプ
７から紫外光を基板３に２０ｍＷ／cm2照度で照射し、
ガス導入口４からオゾン発生機（図示せず）で発生させ
た濃度２００ｇ／Ｎｍ3のＯ3（オゾン）ガスを含むガス
をガス導入口４から供給する。Ｏ3ガスは基板２上で紫
外線および基板台３からの熱分解によりＯ（酸素）ラジ
カルが生成され、このＯラジカルによって基板２上のレ
ジストがＣＯ2，Ｈ2Ｏ等に分解され除去され、除去速度
として１．５μｍ／分であった。
基板のエッチング後に基板表面のフォトレジスト膜を除
去したり、基板の洗浄や有機膜上の金属との密着性強度
を上げるための表面改質等に利用されている。以下従来
の基板上レジスト膜を除去するための表面処理装置につ
いて説明する。図３は従来の表面処理装置の断面図であ
る。図において、１は基板２の表面を処理するための処
理室である。３は基板２を載置し加熱するための基板台
で回転機構を有する。４はオゾンガス等を供給するため
の導入口で５はガスを排出するためのガス排出口であ
る。６は石英ガラス板で紫外線ランプ７からの紫外光を
ほとんど吸収されることなく基板２上に到達するように
石英ガラスからなり、処理室１の一部を形成する。以上
のように構成された表面処理装置について以下説明す
る。有機物（例えばレジスト）がコーティングされた基
板２を基板台３上で約３００℃に加熱し、紫外線ランプ
７から紫外光を基板３に２０ｍＷ／cm2照度で照射し、
ガス導入口４からオゾン発生機（図示せず）で発生させ
た濃度２００ｇ／Ｎｍ3のＯ3（オゾン）ガスを含むガス
をガス導入口４から供給する。Ｏ3ガスは基板２上で紫
外線および基板台３からの熱分解によりＯ（酸素）ラジ
カルが生成され、このＯラジカルによって基板２上のレ
ジストがＣＯ2，Ｈ2Ｏ等に分解され除去され、除去速度
として１．５μｍ／分であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、ガス供給口４から供給された濃度２００
ｇ／Ｎｍ3のＯ3ガスが処理室１内でＯラジカルに分解さ
れずに約６０ｇ／Ｎｍ3のＯ3ガスはそのままガス排出口
５から排出され効率が悪いという問題点を有していた。
うな構成では、ガス供給口４から供給された濃度２００
ｇ／Ｎｍ3のＯ3ガスが処理室１内でＯラジカルに分解さ
れずに約６０ｇ／Ｎｍ3のＯ3ガスはそのままガス排出口
５から排出され効率が悪いという問題点を有していた。
【０００４】本発明は上記問題点に鑑み、基板上のレジ
ストを効率良く分解除去する表面処理装置を提供するも
のである。
ストを効率良く分解除去する表面処理装置を提供するも
のである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の表面処理装置は、被処理基板を載置し、被
処理基板を所定の温度に加熱する基板台と、前記被処理
基板に対向して設けられた石英ガラスと、前記被処理基
板に前記石英ガラスを通して紫外線を照射する手段と、
前記被処理基板と前記石英ガラスの間にオゾンを含有し
たガスを供給するガス供給口と、ガスを排気するための
ガス排気口とからなる表面処理装置において、前記被処
理基板にオゾン含有ガスを供給する直前で、オゾン含有
ガスを加熱するための加熱手段を備えたものである。
に、本発明の表面処理装置は、被処理基板を載置し、被
処理基板を所定の温度に加熱する基板台と、前記被処理
基板に対向して設けられた石英ガラスと、前記被処理基
板に前記石英ガラスを通して紫外線を照射する手段と、
前記被処理基板と前記石英ガラスの間にオゾンを含有し
たガスを供給するガス供給口と、ガスを排気するための
ガス排気口とからなる表面処理装置において、前記被処
理基板にオゾン含有ガスを供給する直前で、オゾン含有
ガスを加熱するための加熱手段を備えたものである。
【０００６】
【作用】本発明は上記した構成によって、被処理基板に
供給されるオゾン含有ガスを供給直前で、加熱すること
により、基板上に輸送されたオゾン含有ガスは基板台か
らの熱供給により排出される前に容易に加熱される。加
熱温度としては望ましくは２００℃を越えない程度が望
ましい。
供給されるオゾン含有ガスを供給直前で、加熱すること
により、基板上に輸送されたオゾン含有ガスは基板台か
らの熱供給により排出される前に容易に加熱される。加
熱温度としては望ましくは２００℃を越えない程度が望
ましい。
【０００７】すなわち、オゾンは２００℃以上に加熱さ
れる分解反応の半減期は数秒以内となり、３００℃以上
では１秒程度で完全に分解される。そのため被処理基板
上のレジストはＯ（活性酸素）により効率良くＣＯ2と
Ｈ2Ｏに分解される。
れる分解反応の半減期は数秒以内となり、３００℃以上
では１秒程度で完全に分解される。そのため被処理基板
上のレジストはＯ（活性酸素）により効率良くＣＯ2と
Ｈ2Ｏに分解される。
【０００８】
【実施例】以下本発明の第１の実施例における表面処理
装置について図面を参照しながら説明する。図１は本発
明の表面処理装置の断面図で、８は基板９の表面を処理
するための処理である。１０は基板９を載置し加熱する
ための基板台で回転機構を有する。１１はオゾンガス等
を供給するためのガス導入口で、１２はガスを排出する
ためのガス排出口である。１３は石英ガラス板で紫外線
ランプ１４からの紫外光をほとんど吸収されることなく
基板９上に到達するように石英ガラスからなり、処理室
８の一部を形成する。１５は加熱ヒーターで、ガス導入
口１２にガスを導入する配管の囲りに設置され、導入ガ
スを加熱するような構成となっている。以上のように構
成された表面処理装置について以下説明する。有機物
（たとえばレジスト）がユーティングされた基板９を基
板台１０上で約３００℃に加熱し紫外線ランプ７からの
紫外光を基板９上に２０ｍＷ／cm2の照度で照射し、ガ
ス導入口１２からオゾン発生機（図示せず）で発生させ
た濃度２００ｇ／Ｎｍ3のＯ3（オゾン）ガスを含むガス
をガス導入口１２から供給する。ガス導入口１２に供給
されるＯ3ガスを含むガスは加熱ヒーター１５で約１５
０℃に加熱され、供給される。供給されたＯ3ガスは基
板９上で紫外線ランプ１４からの紫外線と３００℃に加
熱された基板台１０からの加熱により分解し、Ｏラジカ
ルが生成される。このときの加熱効率は、供給前に１５
０℃に加熱されているため基板９上では、短時間で２０
０℃以上に加熱されＯラジカルに分解される。このＯラ
ジカルによって基板９上のレジストがＣＯ2，Ｈ2Ｏ等に
分解され除去される。本実施例では、除去速度として、
２．２μｍ／分が得られた。またガス導入前のＯ3濃度
が２００ｇ／ｍ3に対し、ガス排出口１２でのＯ3濃度は
約２０ｇ／ｍ3と少なくなった。
装置について図面を参照しながら説明する。図１は本発
明の表面処理装置の断面図で、８は基板９の表面を処理
するための処理である。１０は基板９を載置し加熱する
ための基板台で回転機構を有する。１１はオゾンガス等
を供給するためのガス導入口で、１２はガスを排出する
ためのガス排出口である。１３は石英ガラス板で紫外線
ランプ１４からの紫外光をほとんど吸収されることなく
基板９上に到達するように石英ガラスからなり、処理室
８の一部を形成する。１５は加熱ヒーターで、ガス導入
口１２にガスを導入する配管の囲りに設置され、導入ガ
スを加熱するような構成となっている。以上のように構
成された表面処理装置について以下説明する。有機物
（たとえばレジスト）がユーティングされた基板９を基
板台１０上で約３００℃に加熱し紫外線ランプ７からの
紫外光を基板９上に２０ｍＷ／cm2の照度で照射し、ガ
ス導入口１２からオゾン発生機（図示せず）で発生させ
た濃度２００ｇ／Ｎｍ3のＯ3（オゾン）ガスを含むガス
をガス導入口１２から供給する。ガス導入口１２に供給
されるＯ3ガスを含むガスは加熱ヒーター１５で約１５
０℃に加熱され、供給される。供給されたＯ3ガスは基
板９上で紫外線ランプ１４からの紫外線と３００℃に加
熱された基板台１０からの加熱により分解し、Ｏラジカ
ルが生成される。このときの加熱効率は、供給前に１５
０℃に加熱されているため基板９上では、短時間で２０
０℃以上に加熱されＯラジカルに分解される。このＯラ
ジカルによって基板９上のレジストがＣＯ2，Ｈ2Ｏ等に
分解され除去される。本実施例では、除去速度として、
２．２μｍ／分が得られた。またガス導入前のＯ3濃度
が２００ｇ／ｍ3に対し、ガス排出口１２でのＯ3濃度は
約２０ｇ／ｍ3と少なくなった。
【０００９】以上のように本実施例によれば、ガス導入
口１１の前にガスの予備加熱のために加熱ヒーター１５
を設けることにより、Ｏ3が基板９上で効率的にＯに分
解され除去速度が向上する。
口１１の前にガスの予備加熱のために加熱ヒーター１５
を設けることにより、Ｏ3が基板９上で効率的にＯに分
解され除去速度が向上する。
【００１０】以下本発明の第２の実施例における表面処
理装置について図面を参照しながら説明する。図２は、
本発明の第２の実施例における表面処理装置の断面図を
示すものである。図１と違う点は、加熱ヒーター１５の
代わりに多孔１６を有する加熱ヒーター板１７をガス導
入口１１の前に設けたことである。以上のように構成さ
れた表面処理装置について以下説明する。レジストがコ
ーティングされた基板９を基板台１０上で約３００℃に
加熱し、紫外線ランプ７からの紫外光を基板９上に２０
ｍＷ／cm2の照度で照射し、かつ導入口１２からオゾン
発生機（図示せず）で発生させた濃度２００ｇ／Ｎｍ3
のＯ3ガスを含むガスをガス導入口から供給する。ガス
導入口１２に供給されるＯ3ガスを含むガスは、多孔１
６を有する加熱ヒーター板１６によって約１５０℃に加
熱される。処理室８に供給されたＯ 3ガスは基板９上で
紫外線ランプ１４からの紫外線と、３００℃に加熱され
た基板台１０からの加熱により分解し、Ｏラジカルが生
成される。このときの加熱効率は、供給前に１５０℃に
加熱されているため、基板９上では、短時間で２００℃
に加熱されＯラジカルに分解される。
理装置について図面を参照しながら説明する。図２は、
本発明の第２の実施例における表面処理装置の断面図を
示すものである。図１と違う点は、加熱ヒーター１５の
代わりに多孔１６を有する加熱ヒーター板１７をガス導
入口１１の前に設けたことである。以上のように構成さ
れた表面処理装置について以下説明する。レジストがコ
ーティングされた基板９を基板台１０上で約３００℃に
加熱し、紫外線ランプ７からの紫外光を基板９上に２０
ｍＷ／cm2の照度で照射し、かつ導入口１２からオゾン
発生機（図示せず）で発生させた濃度２００ｇ／Ｎｍ3
のＯ3ガスを含むガスをガス導入口から供給する。ガス
導入口１２に供給されるＯ3ガスを含むガスは、多孔１
６を有する加熱ヒーター板１６によって約１５０℃に加
熱される。処理室８に供給されたＯ 3ガスは基板９上で
紫外線ランプ１４からの紫外線と、３００℃に加熱され
た基板台１０からの加熱により分解し、Ｏラジカルが生
成される。このときの加熱効率は、供給前に１５０℃に
加熱されているため、基板９上では、短時間で２００℃
に加熱されＯラジカルに分解される。
【００１１】このＯラジカルによって基板９上のレジス
トがＣＯ2，Ｈ2Ｏ等に分解され除去される。本実施例で
は、除去速度として２．４μｍ／分が得られた。またガ
ス導入前のＯ3濃度が２００ｇ／ｍ3であるのに対し、ガ
ス排出口１２でのＯ3濃度は約２０ｇ／ｍ3と少なくなっ
た。
トがＣＯ2，Ｈ2Ｏ等に分解され除去される。本実施例で
は、除去速度として２．４μｍ／分が得られた。またガ
ス導入前のＯ3濃度が２００ｇ／ｍ3であるのに対し、ガ
ス排出口１２でのＯ3濃度は約２０ｇ／ｍ3と少なくなっ
た。
【００１２】以上のように本実施例によれば、ガス導入
口１１の前にガスの予備加熱のために多孔１６を有した
加熱ヒーターブロック１７を設けることにより、Ｏ3ガ
スが基板９上で効率的にＯに分解され除去速度が向上す
る。
口１１の前にガスの予備加熱のために多孔１６を有した
加熱ヒーターブロック１７を設けることにより、Ｏ3ガ
スが基板９上で効率的にＯに分解され除去速度が向上す
る。
【００１３】なお本実施例において、基板９上の有機物
はレジストとしたが、他の有機膜でも同様の効果が得ら
れる。
はレジストとしたが、他の有機膜でも同様の効果が得ら
れる。
【００１４】また本実施例では、加熱ヒーター１５ある
いは、加熱ヒーターブロック１７によって、１５０℃に
加熱したが、Ｏ3の分解反応の半減期が数秒以内となる
２００℃程度まであれば同様の効果が得られる。
いは、加熱ヒーターブロック１７によって、１５０℃に
加熱したが、Ｏ3の分解反応の半減期が数秒以内となる
２００℃程度まであれば同様の効果が得られる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本実施例によれば、基板上
にガスを導入する前に加熱ヒーターで予備加熱をするこ
とにより、基板上に輸送されたＯ3含有ガスは基板台か
らの熱供給により、排出される前に２００℃以上に容易
に加熱される。そのため数秒以内にＯ3はＯに完全に分
解され効率良くレジストをＣＯ2とＨ2Ｏに分解する。
にガスを導入する前に加熱ヒーターで予備加熱をするこ
とにより、基板上に輸送されたＯ3含有ガスは基板台か
らの熱供給により、排出される前に２００℃以上に容易
に加熱される。そのため数秒以内にＯ3はＯに完全に分
解され効率良くレジストをＣＯ2とＨ2Ｏに分解する。
【図１】本発明の第１の実施例における表面処理装置の
断面図
断面図
【図２】第２の実施例における表面処理装置の断面図
【図３】従来の表面処理装置の断面図
８ 処理室 ９ 基板 １０ 基板台 １１ ガス導入口 １２ ガス排出口 １３ 石英ガラス １４ 紫外線ランプ １５ 加熱ヒーター
Claims (2)
- 【請求項１】 被処理基板を載置し、所定の温度に加熱
する基板台と、前記被処理基板に対向して設けられた石
英ガラスと、前記被処理基板に前記石英ガラスを通して
紫外線を照射する手段と、前記被処理基板と前記石英ガ
ラスの間にオゾンを含有したガスを供給するガス供給口
と、前記ガスを排出するガス排出口とからなる表面処理
装置において、前記被処理基板にオゾン含有ガスを供給
する直前でオゾン含有ガスを加熱するための加熱手段を
有することを特徴とする表面処理装置。 - 【請求項２】 オゾン含有ガスを２００℃を越えない温
度に加熱することを特徴とする請求項１記載の表面処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23440892A JPH0684843A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23440892A JPH0684843A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684843A true JPH0684843A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16970546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23440892A Pending JPH0684843A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684843A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002027775A1 (fr) * | 2000-09-28 | 2002-04-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Procede et appareil de traitement de plaquettes |
| WO2016208110A1 (ja) * | 2015-06-26 | 2016-12-29 | ウシオ電機株式会社 | 光処理装置および光処理方法 |
-
1992
- 1992-09-02 JP JP23440892A patent/JPH0684843A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002027775A1 (fr) * | 2000-09-28 | 2002-04-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Procede et appareil de traitement de plaquettes |
| WO2016208110A1 (ja) * | 2015-06-26 | 2016-12-29 | ウシオ電機株式会社 | 光処理装置および光処理方法 |
| JP2017015770A (ja) * | 2015-06-26 | 2017-01-19 | ウシオ電機株式会社 | 光処理装置および光処理方法 |
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