JPS6127635A - フオトレジストの高能率乾式除去装置 - Google Patents
フオトレジストの高能率乾式除去装置Info
- Publication number
- JPS6127635A JPS6127635A JP14886284A JP14886284A JPS6127635A JP S6127635 A JPS6127635 A JP S6127635A JP 14886284 A JP14886284 A JP 14886284A JP 14886284 A JP14886284 A JP 14886284A JP S6127635 A JPS6127635 A JP S6127635A
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- JP
- Japan
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- ozone
- photoresist
- work
- oxygen gas
- reactor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子工業での半導体、ＸＣ１その他ＬＳＩな
どに用いられる、写真技術と化学腐蝕技術が併用された
フォトリングラフィ工程において、残留する不必要なフ
ォトレジストを被処理物の損傷度の少い乾式によって除
去するだ、めの装置に係り、特にオゾン発生器で発生さ
せたオゾン雰囲気下で紫外線照射を行うことによってフ
ォトレジストを分解、揮散させる高能率乾式除去装置に
関する。
どに用いられる、写真技術と化学腐蝕技術が併用された
フォトリングラフィ工程において、残留する不必要なフ
ォトレジストを被処理物の損傷度の少い乾式によって除
去するだ、めの装置に係り、特にオゾン発生器で発生さ
せたオゾン雰囲気下で紫外線照射を行うことによってフ
ォトレジストを分解、揮散させる高能率乾式除去装置に
関する。
従来の技術
半導体製造用などのシリコン、化合物半導体などの基板
上に精密な電子回路その他の図形加工を行うのに利用さ
れるフォトリソグラフィ工程では、エツチング操作後に
基板上に部分的に残留するフォトレジストを完全に剥離
除去する操作が必要となるが、従来は湿式によるほかに
プラズマによってフォトレジストを分解除去する乾式方
法も採られてきた。しかし、溶剤を用いる湿式では当然
に被処理物への損傷が犬きくなるうえに排液処理の問題
を含めて設備及び操作が複雑化する。また、プラズマに
よる乾式方式では分解物が揮散するので排液処理の問題
がなくなるが、プラズマによる被処理物の電気的損傷度
が少くなく、またプラズマ発生装置その他の設備が犬が
かりとなって手軽には使用し難いという欠点がある。更
に、乾式の紫外線照射によってもフォトレジストは多少
とも分解し得ることは判っているが、伺分にもその分解
能力がきわめて弱いことからフォトレジストの除去操作
後の単なるクリーニング操作程度にしか利用し得ないと
いう難点があった。
上に精密な電子回路その他の図形加工を行うのに利用さ
れるフォトリソグラフィ工程では、エツチング操作後に
基板上に部分的に残留するフォトレジストを完全に剥離
除去する操作が必要となるが、従来は湿式によるほかに
プラズマによってフォトレジストを分解除去する乾式方
法も採られてきた。しかし、溶剤を用いる湿式では当然
に被処理物への損傷が犬きくなるうえに排液処理の問題
を含めて設備及び操作が複雑化する。また、プラズマに
よる乾式方式では分解物が揮散するので排液処理の問題
がなくなるが、プラズマによる被処理物の電気的損傷度
が少くなく、またプラズマ発生装置その他の設備が犬が
かりとなって手軽には使用し難いという欠点がある。更
に、乾式の紫外線照射によってもフォトレジストは多少
とも分解し得ることは判っているが、伺分にもその分解
能力がきわめて弱いことからフォトレジストの除去操作
後の単なるクリーニング操作程度にしか利用し得ないと
いう難点があった。
発明が解決しようとする問題点
このような状況にあるフォトレジストの除去技術の下で
、排液処理の必要もなくて被処理物を傷つけることの少
い乾式法であシ、かつ除去能率も大きくて簡便でもある
装置を開発しようとするのが本発明の目的である。
、排液処理の必要もなくて被処理物を傷つけることの少
い乾式法であシ、かつ除去能率も大きくて簡便でもある
装置を開発しようとするのが本発明の目的である。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、フォトレジストの紫外線照射をオゾン発生器
からの比較的高濃度のオゾンの雰囲気下で行えるように
したものに係る高能率の乾式フォトレジスト除去装置で
ある。
からの比較的高濃度のオゾンの雰囲気下で行えるように
したものに係る高能率の乾式フォトレジスト除去装置で
ある。
作用
このような装置とすることによってオゾン発生器からの
１０〜２０％といった比較的高濃度のオゾン雰囲気下で
フォトレジストに対する紫外線照射が行われることにな
るので、オゾンによる強力酸化作用と紫外線による光化
学的分解作用とが相乗的に働くようになシ、フォトレジ
ストの炭酸ガス、水蒸気、その他の低分子ガス状物質へ
の分解が高速度で進行するようになり、フォトレジスト
は順次全てが分解し、ガス化して装置から排気されるよ
うになるもので、乾式による簡便でかつ迅速なフォトレ
ジスト除去装置が得られることになる。
１０〜２０％といった比較的高濃度のオゾン雰囲気下で
フォトレジストに対する紫外線照射が行われることにな
るので、オゾンによる強力酸化作用と紫外線による光化
学的分解作用とが相乗的に働くようになシ、フォトレジ
ストの炭酸ガス、水蒸気、その他の低分子ガス状物質へ
の分解が高速度で進行するようになり、フォトレジスト
は順次全てが分解し、ガス化して装置から排気されるよ
うになるもので、乾式による簡便でかつ迅速なフォトレ
ジスト除去装置が得られることになる。
なお、既存のフォトレジストのクリーナー用としての紫
外線偲射装置でも空気中とか酸素雰囲気中ではその紫外
線照射に伴ってオゾンが自然に多少発生するのであるが
、紫外線照射によって発生するオゾンの濃度は酸素雰囲
気下でもせいぜい数百ｐｐｍ程度に過ぎず、従って紫外
線照射だけでは酸素雰囲気下でもフォトレジストの分解
、ガス化速度は遅く、とても実用的なフォトレジストの
除去装置とはなり得ないが、本発明のオゾン発生器を用
いるものはオゾンが１０〜２０％といった高濃度の雰囲
気下で紫外線照射を行うことになり、強い酸化力の影響
下で高能率でフォトレジストの除去が可能となる。
外線偲射装置でも空気中とか酸素雰囲気中ではその紫外
線照射に伴ってオゾンが自然に多少発生するのであるが
、紫外線照射によって発生するオゾンの濃度は酸素雰囲
気下でもせいぜい数百ｐｐｍ程度に過ぎず、従って紫外
線照射だけでは酸素雰囲気下でもフォトレジストの分解
、ガス化速度は遅く、とても実用的なフォトレジストの
除去装置とはなり得ないが、本発明のオゾン発生器を用
いるものはオゾンが１０〜２０％といった高濃度の雰囲
気下で紫外線照射を行うことになり、強い酸化力の影響
下で高能率でフォトレジストの除去が可能となる。
実施例
以下に実施例を示す図面に基いて更に説明する。
第１図及び第２図に示すように、上下に分割可能とされ
た中空の略半球体状の反応器（１）は、内部の上方に紫
外線ランプ（２）を備え、その直下部に電気ヒーターを
内蔵する基台（３）を設置すると共に、側壁部にはオゾ
ン発生器（４）からの気流受”入口（５）を、また底壁
部には気流排気口（６）を夫々設けている。そして、基
台（３）は反応器外の温度調節器（７）の制御によって
適宜の一定温度を維持するようにされており、また紫外
線ランプ（２）は反応器外の紫外線ランプ用電源（８）
からの給電によって２５３７Ｘの波長を中心とする紫外
線シン発生器（４）は無声放電オゾン発生管を有し、オ
ゾン発生器用電源（９）から給電を受けると共に酸素ガ
スの流量制御と水分トラップを行うガス流量調節器００
経由で酸素ガス流の供給を受けるようになっている。な
お、第１図に鎖線で示すようにその酸素ガス流の供給、
オゾン発生器用電源（９）及び紫外線ランプ用電源（８
）の各作動はタイマーαηによる自動制御を受け、まだ
点線で示すように装置のパージ用としての窒素ガス流管
（６）が酸素ガス流の糸路に適宜接続されている。
た中空の略半球体状の反応器（１）は、内部の上方に紫
外線ランプ（２）を備え、その直下部に電気ヒーターを
内蔵する基台（３）を設置すると共に、側壁部にはオゾ
ン発生器（４）からの気流受”入口（５）を、また底壁
部には気流排気口（６）を夫々設けている。そして、基
台（３）は反応器外の温度調節器（７）の制御によって
適宜の一定温度を維持するようにされており、また紫外
線ランプ（２）は反応器外の紫外線ランプ用電源（８）
からの給電によって２５３７Ｘの波長を中心とする紫外
線シン発生器（４）は無声放電オゾン発生管を有し、オ
ゾン発生器用電源（９）から給電を受けると共に酸素ガ
スの流量制御と水分トラップを行うガス流量調節器００
経由で酸素ガス流の供給を受けるようになっている。な
お、第１図に鎖線で示すようにその酸素ガス流の供給、
オゾン発生器用電源（９）及び紫外線ランプ用電源（８
）の各作動はタイマーαηによる自動制御を受け、まだ
点線で示すように装置のパージ用としての窒素ガス流管
（６）が酸素ガス流の糸路に適宜接続されている。
このような装置でフォトレジスト除去を行うには、あら
かじめ処理温度の設定を行い、基台（３）の温度が設定
温度に達したときに、エツチング操作を経て得られた例
えば、シリコンウエノ・−上にフォトレジスト付きの酸
化被膜が一定図形で設けられている被処理物α□□□を
その基台（３）上に設置し、タイマー０１）を作動させ
て酸素ガスの供給、オゾン発生器（４）の動作及び反応
器（１）内の紫外線ランプ（２）の動作の開始を図るよ
うにすると、酸素ガス流は水分を除去されつつ適宜の流
量でオゾン発生器（４）へ供給され、そこで順次オシン
含有酸素ガス流（約１０〜２０％オゾン濃度）へと変成
されつつ反応器（１）内へと導入される。
かじめ処理温度の設定を行い、基台（３）の温度が設定
温度に達したときに、エツチング操作を経て得られた例
えば、シリコンウエノ・−上にフォトレジスト付きの酸
化被膜が一定図形で設けられている被処理物α□□□を
その基台（３）上に設置し、タイマー０１）を作動させ
て酸素ガスの供給、オゾン発生器（４）の動作及び反応
器（１）内の紫外線ランプ（２）の動作の開始を図るよ
うにすると、酸素ガス流は水分を除去されつつ適宜の流
量でオゾン発生器（４）へ供給され、そこで順次オシン
含有酸素ガス流（約１０〜２０％オゾン濃度）へと変成
されつつ反応器（１）内へと導入される。
そして、反応器（１）内では被処理物α躊は加熱されつ
つ紫外線で照射されているが、その加熱、照射が強力な
酸化作用を有するオゾンの雰囲気下で行われるようにな
って、フォトレジストは低分子化され、分解し、ガス化
して排気と共に反応器（１）外へ排出されるようになり
、乾式による簡便な手法でのフォトレジストの除去処理
が完了するものである。なお被処理物α■を取出すに際
して窒素ガスによる反応器内雰囲気の追出しが行われる
のが普通である。
つ紫外線で照射されているが、その加熱、照射が強力な
酸化作用を有するオゾンの雰囲気下で行われるようにな
って、フォトレジストは低分子化され、分解し、ガス化
して排気と共に反応器（１）外へ排出されるようになり
、乾式による簡便な手法でのフォトレジストの除去処理
が完了するものである。なお被処理物α■を取出すに際
して窒素ガスによる反応器内雰囲気の追出しが行われる
のが普通である。
試験例
前述の実施例の装置及び方法によって、まだフォトレジ
ストとしては（株）東京応化製の商品名０ＦＰＲ８００
（主成分はフェノール樹脂）を使用しているものについ
て、行われた試験の結果を第３図に示す。酸素ガス流の
供給速度が１００〜１０００ ｄｌ ｍｉｎの範囲で
フォトレジストの除去速度は約５００〜＋７００ ’Ａ
／−ｍｉｎとなって充分実用的かつ高能率であり、ま
た鎖線で示すオゾン発生器を使用しない単なる酸素ガス
気流下での紫外線照射法による従来の方法のものに比較
して約３〜１０倍の除去速度となるものである。
ストとしては（株）東京応化製の商品名０ＦＰＲ８００
（主成分はフェノール樹脂）を使用しているものについ
て、行われた試験の結果を第３図に示す。酸素ガス流の
供給速度が１００〜１０００ ｄｌ ｍｉｎの範囲で
フォトレジストの除去速度は約５００〜＋７００ ’Ａ
／−ｍｉｎとなって充分実用的かつ高能率であり、ま
た鎖線で示すオゾン発生器を使用しない単なる酸素ガス
気流下での紫外線照射法による従来の方法のものに比較
して約３〜１０倍の除去速度となるものである。
効果
以上に述べたところからも明らかなように本発明に係る
装置は次のような顕著な効果を奏する。
装置は次のような顕著な効果を奏する。
イ、完全なドライプロセスであるので被処理物を傷つけ
ることが少く、また排液処理設備を必要とすることがな
い。
ることが少く、また排液処理設備を必要とすることがな
い。
口、フォトレジストの低分子化が光子の作用によって進
行するから、プラズマを用いる装置によるものと比較し
ても被処理物がイオンや電子の影響による大きな電気的
損傷を受けることがないという有利さがある。
行するから、プラズマを用いる装置によるものと比較し
ても被処理物がイオンや電子の影響による大きな電気的
損傷を受けることがないという有利さがある。
ハ、フォトレジストの除去速度が大きく、従って従来の
単なるクリーナーとしてのみに使用できたようなものと
は異って、高能率のフォトレジスト除去装置となる。
単なるクリーナーとしてのみに使用できたようなものと
は異って、高能率のフォトレジスト除去装置となる。
二、大気圧下での除去操作となって直空排気装置が不必
要であると共に、装置が小型化、単純化でき、自動化が
容易であり、更に保守、点検も甚だ容易である。
要であると共に、装置が小型化、単純化でき、自動化が
容易であり、更に保守、点検も甚だ容易である。
第１図は本発明一実施例のブロック図、第２図はその実
施例の反応器部の詳細を示すブロック図、第３図はその
実施例での試験結果を示す、フォトレジスト除去速度の
酸素ガス流量に対する変化曲線図 （１）・・・反応器、（２）・・・紫外線ランプ、（３
）・・・基台、（４）・・・オゾン発生器、（７）・・
・温度調節器、（８） （９）・・・電源、ＱＯ・・・
ガス流量調節器、０η・・・タイマー、（至）・・・被
処理物
施例の反応器部の詳細を示すブロック図、第３図はその
実施例での試験結果を示す、フォトレジスト除去速度の
酸素ガス流量に対する変化曲線図 （１）・・・反応器、（２）・・・紫外線ランプ、（３
）・・・基台、（４）・・・オゾン発生器、（７）・・
・温度調節器、（８） （９）・・・電源、ＱＯ・・・
ガス流量調節器、０η・・・タイマー、（至）・・・被
処理物
Claims (1)
- １、オゾン発生器からの高濃度オゾン雰囲気下でフォト
レジストに紫外線照射を行い得るようにしたことを特徴
とするフォトレジストの乾式除去装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14886284A JPS6127635A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | フオトレジストの高能率乾式除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14886284A JPS6127635A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | フオトレジストの高能率乾式除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6127635A true JPS6127635A (ja) | 1986-02-07 |
Family
ID=15462396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14886284A Pending JPS6127635A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | フオトレジストの高能率乾式除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6127635A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63160229A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-04 | Orc Mfg Co Ltd | フオトレジスト除去装置 |
| JPH021866A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-08 | Hitachi Ltd | 表面処理方法 |
| JP2001053066A (ja) * | 1999-05-28 | 2001-02-23 | Tokyo Electron Ltd | オゾン処理装置およびその方法 |
| US8679732B2 (en) | 2009-06-24 | 2014-03-25 | HGST Netherlands B.V. | Method for removing resist and for producing a magnetic recording medium, and systems thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS503958A (ja) * | 1972-08-18 | 1975-01-16 | ||
| JPS56105480A (en) * | 1980-01-25 | 1981-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching method |
-
1984
- 1984-07-17 JP JP14886284A patent/JPS6127635A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS503958A (ja) * | 1972-08-18 | 1975-01-16 | ||
| JPS56105480A (en) * | 1980-01-25 | 1981-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching method |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63160229A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-04 | Orc Mfg Co Ltd | フオトレジスト除去装置 |
| JPH021866A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-08 | Hitachi Ltd | 表面処理方法 |
| JP2001053066A (ja) * | 1999-05-28 | 2001-02-23 | Tokyo Electron Ltd | オゾン処理装置およびその方法 |
| US8679732B2 (en) | 2009-06-24 | 2014-03-25 | HGST Netherlands B.V. | Method for removing resist and for producing a magnetic recording medium, and systems thereof |
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