JPH0677197A - 半導体の表面処理方法 - Google Patents
半導体の表面処理方法Info
- Publication number
- JPH0677197A JPH0677197A JP22972692A JP22972692A JPH0677197A JP H0677197 A JPH0677197 A JP H0677197A JP 22972692 A JP22972692 A JP 22972692A JP 22972692 A JP22972692 A JP 22972692A JP H0677197 A JPH0677197 A JP H0677197A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- nitrogen oxide
- ozone
- surface treatment
- ion implantation
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】イオン打ち込みやドライエッチング等により変
質，汚染，重合したレジストを効率よく除去する。 【構成】紫外線とオゾン１と窒素酸化物２を含むガスで
処理する過程において窒素酸化物測定工程を設けた。 【効果】本発明によれば、アッシング中に窒素酸化物
を、モニタしながら添加することにより、イオン打ち込
みやドライエッチング等で変質，汚染，重合したレジス
トを効率よく除去できる。尚、レジストが無い半導体基
板表面の洗浄等にも本発明は適用できる。
質，汚染，重合したレジストを効率よく除去する。 【構成】紫外線とオゾン１と窒素酸化物２を含むガスで
処理する過程において窒素酸化物測定工程を設けた。 【効果】本発明によれば、アッシング中に窒素酸化物
を、モニタしながら添加することにより、イオン打ち込
みやドライエッチング等で変質，汚染，重合したレジス
トを効率よく除去できる。尚、レジストが無い半導体基
板表面の洗浄等にも本発明は適用できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はイオン打ち込みやドライ
エッチング等により変質したレジスト、及びイオン打ち
込みやドライエッチング等によって汚染されたレジスト
の除去方法に関する。
エッチング等により変質したレジスト、及びイオン打ち
込みやドライエッチング等によって汚染されたレジスト
の除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レジストは半導体装置の製造に於いてイ
オン打ち込みのマスク，種々の膜の加工，パターンニン
グ等に用いられる。そして不要になったレジストの除去
には酸素プラズマ中でアッシングするか、或いはオゾン
雰囲気中で紫外線を照射してアッシングする方法が用い
られる。
オン打ち込みのマスク，種々の膜の加工，パターンニン
グ等に用いられる。そして不要になったレジストの除去
には酸素プラズマ中でアッシングするか、或いはオゾン
雰囲気中で紫外線を照射してアッシングする方法が用い
られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、実際の半導体
製造工程でレジストはその除去工程にいたる前にイオン
打ち込み，ドライエッチング等様々な処理が施されて変
質したり、また、予めレジスト中に含まれてはいなかっ
た金属によって汚染されたり、或いはイオン打ち込み等
によって導入されたイオン種とレジストが反応し、重合
物を生成したりしている。その結果、この方法では残渣
を残さないでレジストを完全に除去することが困難にな
って来ている。
製造工程でレジストはその除去工程にいたる前にイオン
打ち込み，ドライエッチング等様々な処理が施されて変
質したり、また、予めレジスト中に含まれてはいなかっ
た金属によって汚染されたり、或いはイオン打ち込み等
によって導入されたイオン種とレジストが反応し、重合
物を生成したりしている。その結果、この方法では残渣
を残さないでレジストを完全に除去することが困難にな
って来ている。
【０００４】本発明の目的は変質，汚染，重合したレジ
ストを効率よく除去する方法を提供することにある。
ストを効率よく除去する方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の表面処理方法で
は、前記目的を達成するためにモニタしながら適切な量
の窒素酸化物をオゾンガスに加え、紫外線を照射して前
記レジストをアッシングする。
は、前記目的を達成するためにモニタしながら適切な量
の窒素酸化物をオゾンガスに加え、紫外線を照射して前
記レジストをアッシングする。
【０００６】
【作用】オゾンガスに窒素酸化物を加え紫外線を照射し
ながらアッシングすると、酸素ラジカルが生成されると
共に窒素酸化物がレジスト中の水分と反応して硝酸が生
成され、イオン打ち込みやドライエッチング等で変質，
汚染，重合したレジストを効率よく除去できる。尚、こ
の場合、生成される硝酸が半導体素子表面のアルミニウ
ム配線を腐食させるので、窒素酸化物はアッシング中そ
の量を光吸収によってモニタしながら添加する。
ながらアッシングすると、酸素ラジカルが生成されると
共に窒素酸化物がレジスト中の水分と反応して硝酸が生
成され、イオン打ち込みやドライエッチング等で変質，
汚染，重合したレジストを効率よく除去できる。尚、こ
の場合、生成される硝酸が半導体素子表面のアルミニウ
ム配線を腐食させるので、窒素酸化物はアッシング中そ
の量を光吸収によってモニタしながら添加する。
【０００７】
【実施例】図１に本発明の方法を実施する装置の断面模
式図を示す。図において基板４上のレジストのアッシン
グは次の様にして行う。内部にヒータ５を有するステー
ジ６上に基板４を設置し、基板を１００〜３００℃に加
熱する。次にオゾン１と窒素酸化物２の混合ガスを基板
４上に導くと共に低圧水銀ランプ３で紫外線を石英窓９
を通して照射する。紫外線によってオゾンを分解し発生
した酸素ラジカルによってレジストを二酸化炭素と水に
変えて除去する。この時、窒素酸化物はレジスト中に含
まれる水と反応して硝酸を生成する。反応生成物は７か
ら排気する。尚、窒素酸化物の量は、光ファイバ１０を
用いて連続可視光をオゾンと窒素酸化物の混合ガスに照
射し、透過した光を光ファイバ１１で分光器に導き、そ
の光吸収からモニタする。
式図を示す。図において基板４上のレジストのアッシン
グは次の様にして行う。内部にヒータ５を有するステー
ジ６上に基板４を設置し、基板を１００〜３００℃に加
熱する。次にオゾン１と窒素酸化物２の混合ガスを基板
４上に導くと共に低圧水銀ランプ３で紫外線を石英窓９
を通して照射する。紫外線によってオゾンを分解し発生
した酸素ラジカルによってレジストを二酸化炭素と水に
変えて除去する。この時、窒素酸化物はレジスト中に含
まれる水と反応して硝酸を生成する。反応生成物は７か
ら排気する。尚、窒素酸化物の量は、光ファイバ１０を
用いて連続可視光をオゾンと窒素酸化物の混合ガスに照
射し、透過した光を光ファイバ１１で分光器に導き、そ
の光吸収からモニタする。
【０００８】基板温度２５０℃，紫外線強度１００ｍＷ
／cm2(２５４ｎｍ），オゾン濃度：５体積％において、
０.１ 体積％の二酸化窒素を加えてイオン打ち込み（イ
オン種：リン，ドーズ量：１×１０16原子／cm2）した
ノボラックレジスト(膜厚：１μｍ）をアッシングする
と、シリコン基板上の０.３μｍ 以上のパーティクルが
約一千個／５インチウェハから約五百個／５インチウェ
ハに減少した。この様に窒素酸化物を加えることにより
変質したレジストを効率よく除去できた。
／cm2(２５４ｎｍ），オゾン濃度：５体積％において、
０.１ 体積％の二酸化窒素を加えてイオン打ち込み（イ
オン種：リン，ドーズ量：１×１０16原子／cm2）した
ノボラックレジスト(膜厚：１μｍ）をアッシングする
と、シリコン基板上の０.３μｍ 以上のパーティクルが
約一千個／５インチウェハから約五百個／５インチウェ
ハに減少した。この様に窒素酸化物を加えることにより
変質したレジストを効率よく除去できた。
【０００９】窒素酸化物を加える方法は、図１のオゾン
ガスに混合する方法の他にオゾン発生器の原料酸素ガス
に窒素を加えオゾンと同時に窒素酸化物を生成し、これ
を図１の１から供給してもよい。この場合、光ファイバ
１２を用いてサンプリングガス８に連続可視光を照射
し、透過した光を光ファイバ１３で分光器に導き、窒素
酸化物の光吸収からその量をモニタする。尚、窒素酸化
物の光吸収によるモニタは処理室１６の側壁に設置した
光ファイバ１４，１５で行ってもよい。窒素酸化物の吸
収波長には三酸化窒素の６６２.５ｎｍ を用いるのが有
効であった。
ガスに混合する方法の他にオゾン発生器の原料酸素ガス
に窒素を加えオゾンと同時に窒素酸化物を生成し、これ
を図１の１から供給してもよい。この場合、光ファイバ
１２を用いてサンプリングガス８に連続可視光を照射
し、透過した光を光ファイバ１３で分光器に導き、窒素
酸化物の光吸収からその量をモニタする。尚、窒素酸化
物の光吸収によるモニタは処理室１６の側壁に設置した
光ファイバ１４，１５で行ってもよい。窒素酸化物の吸
収波長には三酸化窒素の６６２.５ｎｍ を用いるのが有
効であった。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、アッシング中に窒素酸
化物を、モニタしながら添加することにより、イオン打
ち込みやドライエッチング等で変質，汚染，重合したレ
ジストを効率よく除去できる。尚、レジストが無い半導
体基板表面の洗浄等にも本発明は適用できる。
化物を、モニタしながら添加することにより、イオン打
ち込みやドライエッチング等で変質，汚染，重合したレ
ジストを効率よく除去できる。尚、レジストが無い半導
体基板表面の洗浄等にも本発明は適用できる。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図。
１…オゾン、２…窒素酸化物、３…低圧水銀ランプ、４
…基板、５…ヒータ、６…ステージ、７…排気、８…サ
ンプリングガス、９…石英窓、１０〜１５…光ファイ
バ、１６…処理室。
…基板、５…ヒータ、６…ステージ、７…排気、８…サ
ンプリングガス、９…石英窓、１０〜１５…光ファイ
バ、１６…処理室。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川澄 建一 東京都青梅市藤橋888番地 株式会社日立 製作所青梅工場内
Claims (2)
- 【請求項１】紫外線と反応性ガスを用いた表面処理方法
に於いて、少なくともオゾンと窒素酸化物を含むガスで
処理することを特徴とする半導体の表面処理方法。 - 【請求項２】紫外線と反応性ガスを用いた表面処理装置
に於いて、少なくとも窒素酸化物測定工程を設けたこと
を特徴とする半導体の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22972692A JPH0677197A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 半導体の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22972692A JPH0677197A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 半導体の表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677197A true JPH0677197A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16896738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22972692A Pending JPH0677197A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 半導体の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677197A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6190062B1 (en) * | 2000-04-26 | 2001-02-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Cleaning chamber built into SEM for plasma or gaseous phase cleaning |
| US6350391B1 (en) | 1995-11-09 | 2002-02-26 | Oramir Semiconductor Equipment Ltd. | Laser stripping improvement by modified gas composition |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP22972692A patent/JPH0677197A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6350391B1 (en) | 1995-11-09 | 2002-02-26 | Oramir Semiconductor Equipment Ltd. | Laser stripping improvement by modified gas composition |
| US6190062B1 (en) * | 2000-04-26 | 2001-02-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Cleaning chamber built into SEM for plasma or gaseous phase cleaning |
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