JPS6236668A - アツシング方法 - Google Patents
アツシング方法Info
- Publication number
- JPS6236668A JPS6236668A JP17616885A JP17616885A JPS6236668A JP S6236668 A JPS6236668 A JP S6236668A JP 17616885 A JP17616885 A JP 17616885A JP 17616885 A JP17616885 A JP 17616885A JP S6236668 A JPS6236668 A JP S6236668A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- substrate
- ashing
- ashing method
- heater
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
レジストの除去のだめのアッシング方法であって、減圧
下で紫外線を照射することに上り玉鎖切断型レジストヲ
高速にアッシングすることを可能とする。
下で紫外線を照射することに上り玉鎖切断型レジストヲ
高速にアッシングすることを可能とする。
本発明はＥＢ （電子線レジスト）やＤＵＶ （Ｄｅｅ
ｐＵｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔレジスト）等の主鎖切断型
レジストに好適なアッシング方法に関する。
ｐＵｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔレジスト）等の主鎖切断型
レジストに好適なアッシング方法に関する。
従来、基板上に残存する使用済レジストの除去を行う為
の、ドライプロセスとしては、プラズマ・アッシング方
法が知られている。
の、ドライプロセスとしては、プラズマ・アッシング方
法が知られている。
第４図にプラズマ・アッシングを行うための装置の一例
を模式的に示している。図において、反応管４１内にレ
ジスト層を有する基板４２ヲ配置し、反応管の一端４３
より反応ガス、例えば酸素ｏ２を導入し、他端４４よシ
排気する。そして、反応管４１の周囲に配した高周波コ
イル４５に高周波電源４６ｆｔ接続して酸素ガスプラズ
マを発生し、レジストのアッシングを行う。
を模式的に示している。図において、反応管４１内にレ
ジスト層を有する基板４２ヲ配置し、反応管の一端４３
より反応ガス、例えば酸素ｏ２を導入し、他端４４よシ
排気する。そして、反応管４１の周囲に配した高周波コ
イル４５に高周波電源４６ｆｔ接続して酸素ガスプラズ
マを発生し、レジストのアッシングを行う。
このプラズマ・アッシング方法では、活性なラジカルや
イオンにより反応が促進され、高速な処理が可能になる
が、他方において、イオンが基板に衝＊ｔ−与え、半導
体等の基板がダメージを受ける欠点がある。
イオンにより反応が促進され、高速な処理が可能になる
が、他方において、イオンが基板に衝＊ｔ−与え、半導
体等の基板がダメージを受ける欠点がある。
これに対して、従来からオゾンガスを用いたアツシング
方法が知られている。第３図にそのための装置の概要を
示してあシ、反応槽３１内にレジスト層を有する基板３
２を配置し、導入管あよシ前段のオゾナイザ（図示せず
）で発生したオゾンガスを導入し、排気管讃より排気す
る。あはヒータである。
方法が知られている。第３図にそのための装置の概要を
示してあシ、反応槽３１内にレジスト層を有する基板３
２を配置し、導入管あよシ前段のオゾナイザ（図示せず
）で発生したオゾンガスを導入し、排気管讃より排気す
る。あはヒータである。
このオゾンガスによるアッシング方法では、アッシング
は純化学的反応で行われ、レジストはＣ・Ｏｚ、ＨｚＯ
として除去されるものと考えられる。
は純化学的反応で行われ、レジストはＣ・Ｏｚ、ＨｚＯ
として除去されるものと考えられる。
オゾンガスによるアッシング方法では基板にダメージを
与えることはないが、反応速度が遅く、処理に要する時
間が長い為、実際の半導体装置の製造プロセス等には適
用できない。
与えることはないが、反応速度が遅く、処理に要する時
間が長い為、実際の半導体装置の製造プロセス等には適
用できない。
例えば、標準的ネガレジストのＯＭＲ（東京応化製、商
品名）金１μｍ塗布した基板ｉ ２５０℃に加熱し、圧
力１気圧で流量４ＳＬＭのオゾンガス（９５ＳＯ２千５
％Ｏｓ）’ｉ流してアッシングする時１５分も必要とす
る。また、オゾンガスは不安定な化合物であるから、前
段に電気回路装置（オゾナイザ〕金設けてオゾンガスを
発生後直ちにアッシング装置に供給しなければならない
。
品名）金１μｍ塗布した基板ｉ ２５０℃に加熱し、圧
力１気圧で流量４ＳＬＭのオゾンガス（９５ＳＯ２千５
％Ｏｓ）’ｉ流してアッシングする時１５分も必要とす
る。また、オゾンガスは不安定な化合物であるから、前
段に電気回路装置（オゾナイザ〕金設けてオゾンガスを
発生後直ちにアッシング装置に供給しなければならない
。
〔発明が解決しようとする問題点〕
以上のように、従来のプラズマ・アッシング方法ではダ
メージを基板に与える欠点があり、一方ダメージを与え
ることがないオゾンガスによるアッシング方法では処理
に要する時間が長く、実際のプロセスに適用するのに難
がおる。更に、従来のオゾンガスを用いたアッシング方
法ではオゾンガスの発生のために、前段にオゾナイザ等
の電気回路装置が必要であって、それだけコスト高にな
りトラブルの発生率が大きくなるといった欠点があった
。
メージを基板に与える欠点があり、一方ダメージを与え
ることがないオゾンガスによるアッシング方法では処理
に要する時間が長く、実際のプロセスに適用するのに難
がおる。更に、従来のオゾンガスを用いたアッシング方
法ではオゾンガスの発生のために、前段にオゾナイザ等
の電気回路装置が必要であって、それだけコスト高にな
りトラブルの発生率が大きくなるといった欠点があった
。
不発明においては、上記問題点を解決するために、減圧
下において、主鎖切断型レジストが塗布された基板を加
熱すると共に、紫外線を照射し、該レジストヲ分解除去
するという新規なアッシング方法を提供するものである
。
下において、主鎖切断型レジストが塗布された基板を加
熱すると共に、紫外線を照射し、該レジストヲ分解除去
するという新規なアッシング方法を提供するものである
。
ＰＭＭＡ （ポリメチルメタクリレート）等の主鎖切断
型のレジストは、元の照射部が分解するポジ型レジスト
に用いられている。
型のレジストは、元の照射部が分解するポジ型レジスト
に用いられている。
これまで、ＰＭＭＡに元を照射すると成る程度の膜減り
現象が起こることが観測されていたが、反応は極遅く、
到底レジストの分解除去のためのアッシング方法に適用
できるものではなかった。
現象が起こることが観測されていたが、反応は極遅く、
到底レジストの分解除去のためのアッシング方法に適用
できるものではなかった。
本発明者は種々検討、研究を重ねた結果、十分な減圧下
で低圧水銀灯の強い紫外光を照射するこ一ゝフ とにより、極めて高速にアッシング行われることを見出
し、本発明全完成した。
で低圧水銀灯の強い紫外光を照射するこ一ゝフ とにより、極めて高速にアッシング行われることを見出
し、本発明全完成した。
本発明原理は、低圧水銀灯による高エネルギの光照射（
波長２５３．７ ｎｍ 、及び１８４．９ ｎｍ ）と
減圧雰囲気との相乗効果によるものと考えられる。
波長２５３．７ ｎｍ 、及び１８４．９ ｎｍ ）と
減圧雰囲気との相乗効果によるものと考えられる。
第１図に本発明の実施例のアッシング方法を行う装置の
構成図を示している。
構成図を示している。
第１図において、１は反応槽であり、該反応槽・内に主
鎖切断型レジストを塗布した基板２が設置しである。反
応槽１内は排気管３で真空引きすることにより減圧して
あり、基板２はヒータ５により加熱される。４は低圧水
銀灯であり、合成石英の窓材６を介して、紫外光を基板
２に照射する。
鎖切断型レジストを塗布した基板２が設置しである。反
応槽１内は排気管３で真空引きすることにより減圧して
あり、基板２はヒータ５により加熱される。４は低圧水
銀灯であり、合成石英の窓材６を介して、紫外光を基板
２に照射する。
不実施例では以上のような装置を用い、次の条件でアッ
シングを行った。
シングを行った。
塗布レジスト・・・・・・ＰＭＭＡ、膜厚１μｍ基板温
度 ・・・・・・・・・・・・２１０℃反応槽内圧力・
・・・・・１０ ｍ Ｔｏｒｒ低圧水銀灯の入力・・・
２５０ Ｗ （照射光強度２００ ｍＷ／ ｃｍ２）以上の処理の結
果、ＰＭＭＡは３０秒で剥離完了した。アッシング速度
は２００００ Ｘ／ｍｉｎであった。
度 ・・・・・・・・・・・・２１０℃反応槽内圧力・
・・・・・１０ ｍ Ｔｏｒｒ低圧水銀灯の入力・・・
２５０ Ｗ （照射光強度２００ ｍＷ／ ｃｍ２）以上の処理の結
果、ＰＭＭＡは３０秒で剥離完了した。アッシング速度
は２００００ Ｘ／ｍｉｎであった。
これに対して、参照例として行った常圧下で同条件で低
圧水銀灯の光照射をした例ではアッシング速度は３００
Ｘ／ｍｉｎであった。 なお、不実施例で基板にダメー
ジを引き起こすことはなかった。
圧水銀灯の光照射をした例ではアッシング速度は３００
Ｘ／ｍｉｎであった。 なお、不実施例で基板にダメー
ジを引き起こすことはなかった。
第２図にアルゴンガス中で基板温夏ｔ−２００℃として
、低圧水銀灯人力２５０Ｗの光を照射した例のアッシン
グ速度の圧力依存性を示している。図から、数十Ｔ’ｏ
ｒｒでも１μｍ ／ ｍ ｉ ｎ 以上の高速アッシン
グが可能であることがわかる。
、低圧水銀灯人力２５０Ｗの光を照射した例のアッシン
グ速度の圧力依存性を示している。図から、数十Ｔ’ｏ
ｒｒでも１μｍ ／ ｍ ｉ ｎ 以上の高速アッシン
グが可能であることがわかる。
以上、ＰＭＭＡの例を示したが本発明（工ＥＢ （電
子線レジスト）やＤＵＶ （Ｄｅｅｐ Ｕｌｔｒａ Ｖ
ｉｏｌｅｔ レジスト）等の主鎖切断型レジストに一般
的に適用可能である。
子線レジスト）やＤＵＶ （Ｄｅｅｐ Ｕｌｔｒａ Ｖ
ｉｏｌｅｔ レジスト）等の主鎖切断型レジストに一般
的に適用可能である。
以上のことから明らかなように、本発明によれば、基板
にダメージを与えることなく、高速に玉鎖切断型レジス
トのアッシングを行うことが可能となる。しかも、減圧
下で加熱した基板に低圧水銀灯での照射を行うだけでよ
いので処理も簡単である。
にダメージを与えることなく、高速に玉鎖切断型レジス
トのアッシングを行うことが可能となる。しかも、減圧
下で加熱した基板に低圧水銀灯での照射を行うだけでよ
いので処理も簡単である。
第１図は本発明の実施例の構成図、
第２図は不発明の実施例におけるアッシング速度と反応
槽内圧の関係を示すグラフ、 第３図は従来例１の構成図、 第４図は従来例２の構成図である。 １・・・反応槽 ２・・・基板 ３・・・排気管 ４・・・低圧水銀灯 ５・・・ヒータ ６・・・合成石英の窓材 −
槽内圧の関係を示すグラフ、 第３図は従来例１の構成図、 第４図は従来例２の構成図である。 １・・・反応槽 ２・・・基板 ３・・・排気管 ４・・・低圧水銀灯 ５・・・ヒータ ６・・・合成石英の窓材 −
Claims (1)
- 減圧下において、主鎖切断型レジストが塗布された基板
を加熱すると共に、紫外線を照射し、該レジストを分解
除去することを特徴とするアッシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17616885A JPS6236668A (ja) | 1985-08-10 | 1985-08-10 | アツシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17616885A JPS6236668A (ja) | 1985-08-10 | 1985-08-10 | アツシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236668A true JPS6236668A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=16008849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17616885A Pending JPS6236668A (ja) | 1985-08-10 | 1985-08-10 | アツシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236668A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63271933A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Tokyo Electron Ltd | アツシング方法 |
| JPH01267837A (ja) * | 1988-04-18 | 1989-10-25 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| CN1046587C (zh) * | 1994-10-06 | 1999-11-17 | 株式会社日立制作所 | 磁盘装置 |
| WO2016125433A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | ウシオ電機株式会社 | 光処理装置および光処理方法 |
-
1985
- 1985-08-10 JP JP17616885A patent/JPS6236668A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63271933A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Tokyo Electron Ltd | アツシング方法 |
| JPH01267837A (ja) * | 1988-04-18 | 1989-10-25 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| CN1046587C (zh) * | 1994-10-06 | 1999-11-17 | 株式会社日立制作所 | 磁盘装置 |
| WO2016125433A1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | ウシオ電機株式会社 | 光処理装置および光処理方法 |
| TWI638245B (zh) * | 2015-02-06 | 2018-10-11 | 日商牛尾電機股份有限公司 | Light processing device and light processing method |
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