JPH01272120A - ドライアッシング装置 - Google Patents
ドライアッシング装置Info
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- JPH01272120A JPH01272120A JP10026588A JP10026588A JPH01272120A JP H01272120 A JPH01272120 A JP H01272120A JP 10026588 A JP10026588 A JP 10026588A JP 10026588 A JP10026588 A JP 10026588A JP H01272120 A JPH01272120 A JP H01272120A
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- Japan
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- etching gas
- wafer
- ultraviolet rays
- chamber
- injection port
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- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ｓｉｏ、などの無機物層を含む多層レジスト
を除去するアッシング装置に関するものである。
を除去するアッシング装置に関するものである。
アッシング装置は、従来、有機物被膜の除去を目的とし
、特開昭６１−２７６３５号に記載されているように、
オゾン雰囲気下で紫外線照射を行って、オゾンによる強
力酸化作用と紫外線による光化学的分解作用とを相乗的
に働かせ、有機物レジストを除去するが、無機物である
Ｓｉｏ、膜を含むような多層レジストの除去には適応す
ることができなかった。
、特開昭６１−２７６３５号に記載されているように、
オゾン雰囲気下で紫外線照射を行って、オゾンによる強
力酸化作用と紫外線による光化学的分解作用とを相乗的
に働かせ、有機物レジストを除去するが、無機物である
Ｓｉｏ、膜を含むような多層レジストの除去には適応す
ることができなかった。
上記従来技術は、ＳｉＯ□層のような無機物を含む多層
レジスト膜を除去することができなかった。
レジスト膜を除去することができなかった。
本発明は、Ｓｉｏ、などの無機物層を含む多層レジスト
膜を除去することが可能なドライアッシング装置を得る
ことを目的とする。
膜を除去することが可能なドライアッシング装置を得る
ことを目的とする。
上記目的は、多層レジストを被着した基体を、チャンバ
ー内のヒーターを装着したステージに載架し、オゾンを
含有した酸素を流して上記基体表面に紫外線を照射し、
有機物層を除去し、上記処理終了後に、上記チャンバー
内に新たにエツチングガスを流し、紫外線を照射して加
熱し無機物層を除去することにより、達成される。上記
処理の順序は、基体のレジスト構成に応じ逆であっても
構わない。
ー内のヒーターを装着したステージに載架し、オゾンを
含有した酸素を流して上記基体表面に紫外線を照射し、
有機物層を除去し、上記処理終了後に、上記チャンバー
内に新たにエツチングガスを流し、紫外線を照射して加
熱し無機物層を除去することにより、達成される。上記
処理の順序は、基体のレジスト構成に応じ逆であっても
構わない。
オゾンを含有した酸素を流して紫外線を照射するとき、
上記オゾンは紫外線により分解して非常に活性な原子で
ある励起酸素原子に変わり、上記励起酸素原子が有機物
レジストに作用して酸化反応を生じＣＯ２やＨ２Ｏに変
化させ、有機物レジストを除去することができる。この
際、加熱することによって上記反応の速度を促進するこ
とができる。また、エツチングガスを流して紫外線を照
射するときは、上記紫外線がエツチングガスを分解しハ
ロゲン原子の活性種を作り、上記ハロゲン原子の活性種
が無機物であるＳｉｎ、を除去する。上記反応も加熱す
ることによって促進される。
上記オゾンは紫外線により分解して非常に活性な原子で
ある励起酸素原子に変わり、上記励起酸素原子が有機物
レジストに作用して酸化反応を生じＣＯ２やＨ２Ｏに変
化させ、有機物レジストを除去することができる。この
際、加熱することによって上記反応の速度を促進するこ
とができる。また、エツチングガスを流して紫外線を照
射するときは、上記紫外線がエツチングガスを分解しハ
ロゲン原子の活性種を作り、上記ハロゲン原子の活性種
が無機物であるＳｉｎ、を除去する。上記反応も加熱す
ることによって促進される。
したがって、基体のレジストの構成に応じ、有機物レジ
ストに対してはオゾンを含有した酸素を流して紫外線を
上記基体に照射し、無機物レジストに対しては上記ガス
をエツチングガスに切換えて紫外線を照射することによ
って、多層レジストを被着した基体から、上記多層レジ
ストが除去できるドライアッシング装置が得られる。
ストに対してはオゾンを含有した酸素を流して紫外線を
上記基体に照射し、無機物レジストに対しては上記ガス
をエツチングガスに切換えて紫外線を照射することによ
って、多層レジストを被着した基体から、上記多層レジ
ストが除去できるドライアッシング装置が得られる。
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。
第１図は本発明によるドライアッシング装置の一実施例
を示す構成図である。チャンバー１内に設けられ、ヒー
ターを内蔵して加熱できるとともに上下に移動可能なス
テージ３の上には、最上面が有機物層からなり、つぎに
無機物層を形成するように構成された、多層レジストを
塗布したウェハ５を載置し、上記ウェハ５の直上に注入
口２のノズルを導き、上記注入口２は注入ガスの切換え
装置（図示せず）を経てそれぞれのガス源に接続されて
いる６図に示す４は紫外線光源であり、上記ウェハ５の
表面をほぼ均一に照射できるように、上記ウェハ５に平
行に高密度に設置されている。
を示す構成図である。チャンバー１内に設けられ、ヒー
ターを内蔵して加熱できるとともに上下に移動可能なス
テージ３の上には、最上面が有機物層からなり、つぎに
無機物層を形成するように構成された、多層レジストを
塗布したウェハ５を載置し、上記ウェハ５の直上に注入
口２のノズルを導き、上記注入口２は注入ガスの切換え
装置（図示せず）を経てそれぞれのガス源に接続されて
いる６図に示す４は紫外線光源であり、上記ウェハ５の
表面をほぼ均一に照射できるように、上記ウェハ５に平
行に高密度に設置されている。
６はチャンバ１の排気口である。上記構成のドライアッ
シング装置の注入口２のノズルから、オゾンを含有した
酸素ガスを直接上記ウェハの表面に流し、紫外線光源４
から波長１８５ｎｍおよび２５４ｎ ｍの紫外線を照射
すれば、上記紫外線によりオゾンが分解して励起酸素原
子に変わる。上記励起酸素原子は非常に活性であるため
ウェハ５表面の有機物層に作用して酸化反応を生じ、上
記有機物レジストを除去することができる。
シング装置の注入口２のノズルから、オゾンを含有した
酸素ガスを直接上記ウェハの表面に流し、紫外線光源４
から波長１８５ｎｍおよび２５４ｎ ｍの紫外線を照射
すれば、上記紫外線によりオゾンが分解して励起酸素原
子に変わる。上記励起酸素原子は非常に活性であるため
ウェハ５表面の有機物層に作用して酸化反応を生じ、上
記有機物レジストを除去することができる。
つぎに、上記チャンバー１内のガスを排気口６から排気
したのち、上記注入口２から改めてエツチングガスを流
す、除去しようとする無機物層が例えばＳｉｎ、である
ときには、上記エツチングガスとしてＣＦ、を流し、ウ
ェハ５に紫外線光源４から紫外線を照射する。紫外線は
エツチングガスを分解し、分解によって作られたハロゲ
ン原子の活性種が、無機物であるＳｉｏ、を除去する。
したのち、上記注入口２から改めてエツチングガスを流
す、除去しようとする無機物層が例えばＳｉｎ、である
ときには、上記エツチングガスとしてＣＦ、を流し、ウ
ェハ５に紫外線光源４から紫外線を照射する。紫外線は
エツチングガスを分解し、分解によって作られたハロゲ
ン原子の活性種が、無機物であるＳｉｏ、を除去する。
上記無機物層の下にさらに有機物層を有する多層レジス
トの場合には、チャンバー１内のエツチングガスを排気
口６から排気したのち、再びオゾンを含む酸素ガスを注
入口２から流して、上記操作を繰り返して行えばよい、
なお、有機物除去あるいは無機物除去の過程で、上記ウ
ェハ５をステージ３のヒーターで加熱することにより、
上記それぞれの反応を促進することができる。また、上
記有機物除去処理と無機物除去処理とを、それぞれ別の
チャンバーで実施することももちろん可能である。
トの場合には、チャンバー１内のエツチングガスを排気
口６から排気したのち、再びオゾンを含む酸素ガスを注
入口２から流して、上記操作を繰り返して行えばよい、
なお、有機物除去あるいは無機物除去の過程で、上記ウ
ェハ５をステージ３のヒーターで加熱することにより、
上記それぞれの反応を促進することができる。また、上
記有機物除去処理と無機物除去処理とを、それぞれ別の
チャンバーで実施することももちろん可能である。
上記無機物層としてはＳｉｎ、に限らず、ＳＬなどの他
の無機物層であっても同様の効果を得ることができる。
の無機物層であっても同様の効果を得ることができる。
つぎに、Ｐ“をｌＸｌ０”個／１２打込んだレジストを
上記実施例と同様に処理したが、この場合にも、上記レ
ジストおよびＰ＋を除去することができ、上記実施例に
示すドライアッシング装置は、イオン打込み後のレジス
トのように通常は除去が困難な多層レジストに対しても
有効であった。
上記実施例と同様に処理したが、この場合にも、上記レ
ジストおよびＰ＋を除去することができ、上記実施例に
示すドライアッシング装置は、イオン打込み後のレジス
トのように通常は除去が困難な多層レジストに対しても
有効であった。
上記のように本発明によるドライアッシング装置は、オ
ゾンを含む酸素ガスまたはエツチングガスを、それぞれ
切換えて流すことができる注入口および排気口を有し、
紫外線光源を備えたチャンバー内に、無機物層と有機物
層とからなる多層レジスト構造の基体を載置し、加熱お
よび昇降が可能なステージを設けたことにより、Ｓｉｎ
、などの無機物層を有機物層とともに有する多層レジス
トを除去できるドライアッシング装置を得ることができ
る。
ゾンを含む酸素ガスまたはエツチングガスを、それぞれ
切換えて流すことができる注入口および排気口を有し、
紫外線光源を備えたチャンバー内に、無機物層と有機物
層とからなる多層レジスト構造の基体を載置し、加熱お
よび昇降が可能なステージを設けたことにより、Ｓｉｎ
、などの無機物層を有機物層とともに有する多層レジス
トを除去できるドライアッシング装置を得ることができ
る。
第１図は本発明によるドライアッシング装置の一実施例
を示す構成図である。 １・・・チャンバー ２・・・注入口 ３・・・ステージ ４・・・紫外線光源 ５・・・多層レジストを塗布した基体 ６・・・排気口 代理人弁理士 中 村 純之助
を示す構成図である。 １・・・チャンバー ２・・・注入口 ３・・・ステージ ４・・・紫外線光源 ５・・・多層レジストを塗布した基体 ６・・・排気口 代理人弁理士 中 村 純之助
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、オゾンを含む酸素ガスまたはエッチングガスを、そ
れぞれ切換えて流すことができる注入口および排気口を
有し、紫外線光源を備えたチャンバー内に、無機物層と
有機物層とからなる多層レジスト構造の基体を載置し、
加熱および昇降が可能なステージを設けたドライアッシ
ング装置。 ２、上記チャンバーは、オゾンを含む酸素ガスを流すチ
ャンバーと、エッチングガスを流すチャンバーとを、そ
れぞれ別に設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載したドライアッシング装置。 ３、上記多層レジスト構造は、イオン打込みを行ったレ
ジストであることを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
たは第２項に記載したドライアッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10026588A JPH01272120A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | ドライアッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10026588A JPH01272120A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | ドライアッシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01272120A true JPH01272120A (ja) | 1989-10-31 |
Family
ID=14269373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10026588A Pending JPH01272120A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | ドライアッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01272120A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6177290B1 (en) | 1997-10-31 | 2001-01-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of fabricating planar optical waveguides in one chamber |
| KR100344508B1 (ko) * | 1998-10-16 | 2002-07-24 | 가부시끼가이샤 도시바 | 에칭 방법, 에칭 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US8232538B2 (en) | 2009-10-27 | 2012-07-31 | Lam Research Corporation | Method and apparatus of halogen removal using optimal ozone and UV exposure |
| US8525139B2 (en) | 2009-10-27 | 2013-09-03 | Lam Research Corporation | Method and apparatus of halogen removal |
| US20160129484A1 (en) * | 2014-11-06 | 2016-05-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor apparatus and method of removing photoresist layer on substrate |
-
1988
- 1988-04-25 JP JP10026588A patent/JPH01272120A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6177290B1 (en) | 1997-10-31 | 2001-01-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of fabricating planar optical waveguides in one chamber |
| KR100344508B1 (ko) * | 1998-10-16 | 2002-07-24 | 가부시끼가이샤 도시바 | 에칭 방법, 에칭 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US6436723B1 (en) | 1998-10-16 | 2002-08-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Etching method and etching apparatus method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
| US6639317B2 (en) | 1998-10-16 | 2003-10-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device in trench |
| US8232538B2 (en) | 2009-10-27 | 2012-07-31 | Lam Research Corporation | Method and apparatus of halogen removal using optimal ozone and UV exposure |
| US8525139B2 (en) | 2009-10-27 | 2013-09-03 | Lam Research Corporation | Method and apparatus of halogen removal |
| US20160129484A1 (en) * | 2014-11-06 | 2016-05-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor apparatus and method of removing photoresist layer on substrate |
| US10486204B2 (en) * | 2014-11-06 | 2019-11-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor apparatus and method of removing photoresist layer on substrate |
| US20200094298A1 (en) * | 2014-11-06 | 2020-03-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method of removing photoresist layer |
| US11090696B2 (en) * | 2014-11-06 | 2021-08-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method of removing photoresist layer |
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